本發(fā)明涉及發(fā)電領(lǐng)域，具體地說是一種高頻交流發(fā)電裝置。

背景技術(shù)：

目前使用的高頻交流發(fā)電機(jī)，利用導(dǎo)線切割磁力線感應(yīng)出電勢(shì)的電磁感應(yīng)原理，將原動(dòng)機(jī)的機(jī)械能變?yōu)殡娔茌敵觥Ｓ捎谵D(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速限制，以及勵(lì)磁繞組數(shù)量限制，其發(fā)出的交流電頻率低，最高只能達(dá)到1000赫茲。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種不用轉(zhuǎn)動(dòng)轉(zhuǎn)子就能發(fā)出高頻赫茲交流電的發(fā)電裝置。

本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的所采用的技術(shù)方案是：

一種發(fā)電裝置，包括勵(lì)磁線圈1和感應(yīng)線圈2，所述勵(lì)磁線圈1通直流電，產(chǎn)生的磁場(chǎng)穿過所述感應(yīng)線圈2；

還包括表面鍍有超導(dǎo)薄膜3的絕緣基板4，且設(shè)置于低溫容器5內(nèi)；脈沖激光器6發(fā)出的脈沖光線照射于超導(dǎo)薄膜3上；所述感應(yīng)線圈2置于勵(lì)磁線圈1內(nèi)，靠近絕緣基板4位置，且與絕緣基板4均在脈沖激光光路上。

所述低溫容器5內(nèi)設(shè)置支架8，所述絕緣基板4和感應(yīng)線圈2設(shè)置于支架8下端，支架8上端通過容器蓋7與低溫容器5連接。

所述超導(dǎo)薄膜3為柵條型且透光性強(qiáng)的高溫超導(dǎo)薄膜。

所述低溫容器5側(cè)壁下部設(shè)置導(dǎo)入管9，低溫液體通過導(dǎo)入管9注入低溫容器5內(nèi)。

所述低溫容器5側(cè)壁上部設(shè)置導(dǎo)出管10，蒸發(fā)氣體通過導(dǎo)出管10從低溫容器5排出。

所述絕緣基板4為陶瓷基板。

所述勵(lì)磁線圈1和低溫容器5置于底板11上。

從導(dǎo)出管10排出的蒸發(fā)氣體被壓縮成低溫液體后，再通過導(dǎo)入管9導(dǎo)入低溫容器5。

本發(fā)明具有以下有益效果及優(yōu)點(diǎn)：

用超導(dǎo)薄膜周期性的屏蔽磁場(chǎng)，因此不用轉(zhuǎn)動(dòng)感應(yīng)線圈就能發(fā)出500兆赫茲以上的交流電，本申請(qǐng)使用壽命長(zhǎng)，更節(jié)能。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的裝置結(jié)構(gòu)圖；其中，1為勵(lì)磁線圈、2為感應(yīng)線圈、3為超導(dǎo)薄膜、4為絕緣基板、5為低溫容器、6為脈沖激光器、7為容器蓋、8為支架、9為導(dǎo)入管、10為導(dǎo)出管、11為底板。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

如圖1所示為本發(fā)明的裝置結(jié)構(gòu)圖。勵(lì)磁線圈1固定在底板11上，低溫容器5位于勵(lì)磁線圈1內(nèi)部，并且固定在底板11上，超導(dǎo)薄膜3鍍?cè)诮^緣基板4的表面，絕緣基板4與感應(yīng)線圈2的端面近距離相對(duì)應(yīng)。感應(yīng)線圈2、絕緣基板4都固定在支架8的下端，支架8的上端固定在容器蓋7上，支架8整體位于低溫容器5內(nèi)。脈沖激光器6鑲嵌在容器蓋7的中心部位，脈沖激光器6的一部分機(jī)身位于低溫容器5內(nèi)，從脈沖激光器6射出的脈沖光線照射超導(dǎo)薄膜3。在低溫容器5的容器壁下部有一導(dǎo)入管9，通過導(dǎo)入管9注入低溫液體，在低溫容器5的容器壁上部有一導(dǎo)出管10，從導(dǎo)出管10排除的蒸發(fā)氣體被壓縮成低溫液體再輸回導(dǎo)入管9，其中低溫液體為液氦。

勵(lì)磁線圈1通直流電，產(chǎn)生的磁場(chǎng)通過感應(yīng)線圈2，并且磁場(chǎng)強(qiáng)度低于超導(dǎo)薄膜3的臨界磁場(chǎng)強(qiáng)度，在低溫容器5內(nèi)，超導(dǎo)薄膜3處于低溫液體中，其溫度低于臨界溫度，此時(shí)超導(dǎo)薄膜3處于超導(dǎo)態(tài)，超導(dǎo)薄膜3能屏蔽磁場(chǎng)，此時(shí)感應(yīng)線圈2內(nèi)無(wú)磁場(chǎng)。脈沖激光器6發(fā)射激光脈沖的周期是2×10^-9秒，在一個(gè)脈沖周期內(nèi)，當(dāng)有光線照射超導(dǎo)薄膜3時(shí)，超導(dǎo)薄膜3內(nèi)部的超導(dǎo)電子對(duì)吸收光子能量被打破，此時(shí)超導(dǎo)薄膜3在約10^-9秒瞬間由超導(dǎo)態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)檎B(tài)，由 于處于正常態(tài)的超導(dǎo)薄膜3不能屏蔽磁場(chǎng)，此時(shí)感應(yīng)線圈2內(nèi)又重新產(chǎn)生磁場(chǎng)，在一個(gè)脈沖周期內(nèi)，當(dāng)沒有光線照射超導(dǎo)薄膜3時(shí)，超導(dǎo)薄膜3內(nèi)部又重新形成超導(dǎo)電子對(duì)，此時(shí)超導(dǎo)薄膜3在約10^-9秒瞬間由正常態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槌瑢?dǎo)態(tài)，超導(dǎo)薄膜3重新屏蔽磁場(chǎng)，此時(shí)感應(yīng)線圈2內(nèi)已無(wú)磁場(chǎng)，在激光脈沖的持續(xù)照射下，超導(dǎo)薄膜3能夠周期性的屏蔽磁場(chǎng)，結(jié)果使感應(yīng)線圈2內(nèi)的磁場(chǎng)產(chǎn)生周期性變化，感應(yīng)線圈2能持續(xù)發(fā)出500兆赫茲以上交流電。

勵(lì)磁線圈1、低溫容器5的可供選用的一種結(jié)構(gòu)是低溫容器5固定在底板11上，勵(lì)磁線圈1固定在低溫容器5內(nèi)，感應(yīng)線圈2、絕緣基板4位于勵(lì)磁線圈1內(nèi)。超導(dǎo)薄膜3的一種改進(jìn)是其整塊薄膜由柵條狀超導(dǎo)薄膜構(gòu)成，超導(dǎo)薄膜3可以非常薄，光線可穿透超導(dǎo)薄膜3，制作超導(dǎo)薄膜3可選用高溫超導(dǎo)材料，勵(lì)磁線圈1可以是一種超導(dǎo)線圈，感應(yīng)線圈2的導(dǎo)線可選用高頻多股漆包線，絕緣基板4可以使一種陶瓷基板。