一種氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻器的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種氧化鋅?氧化鉍薄膜壓敏電阻器的制備方法，屬于電子信息材料制備及其應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明利用射頻磁控濺射方法，采用非化學(xué)計(jì)量比的燒結(jié)ZnOn(n<1)為基質(zhì)靶材，其他金屬或其氧化物為摻雜靶材，在優(yōu)化的濺射工藝下，在導(dǎo)電基片上沉積得到低電阻率的氧化鋅薄膜，然后將其埋入氧化鉍粉末中進(jìn)行熱浸，獲得氧化鋅?氧化鉍薄膜壓敏電阻。這種薄膜壓敏電阻器非線性性能優(yōu)異、壓敏電壓可控、漏電流小等特點(diǎn)，在大規(guī)?；虺笠?guī)模集成電路的過(guò)壓保護(hù)中有廣泛的應(yīng)用前景。該方法薄膜沉積和熱浸條件嚴(yán)格可控，工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得組成、結(jié)構(gòu)和厚度均勻的薄膜器件，適合規(guī)?；a(chǎn)。
【專利說(shuō)明】
一種氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻器的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻器的制備方法，屬于電子信息材料制備及其應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]壓敏電阻器(Varistor)是在一定溫度下和特定電壓范圍內(nèi)，通過(guò)它的電流隨著施加的電壓增加而急劇增大的半導(dǎo)體材料器件，廣泛應(yīng)用于抑制輸電線路浪涌的閥元件和各種電子元器件的過(guò)壓保護(hù)元件等。
[0003]目前，商業(yè)化的壓敏電阻器主要是以ZnO-Bi2O3為基的復(fù)合陶瓷材料電子元件。而這種ZnO壓敏電阻材料是用氧化鋅、氧化鉍以及多種其他金屬氧化物添加劑混合燒結(jié)而成，例如氧化鎳、氧化猛和稀土金屬氧化物等(F.Jiang，et al.Journal of AdvancedCerami cs，2013，2: 201-212.)。這種壓敏電阻的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)是半導(dǎo)性的氧化鋅晶粒被高電阻的Bi2O3晶界層包覆，二者相互緊密結(jié)合在晶粒之間形成雙肖特基勢(shì)皇，成為一個(gè)壓敏電阻單元，然后多個(gè)壓敏電阻單元通過(guò)串聯(lián)組成一個(gè)壓敏電阻器。換句話說(shuō)，ZnO-Bi2O3陶瓷壓敏電阻器的壓敏特性來(lái)自其晶界效應(yīng)，其典型結(jié)構(gòu)是氧化鋅晶粒被氧化鉍薄膜完全包覆以形成有效晶界;晶粒電阻越低，晶界結(jié)構(gòu)越完整或電阻越高，壓敏電阻的非線性越好。
[0004]隨著電子技術(shù)的迅速發(fā)展，電子器件的尺寸不斷縮小，對(duì)元件的小型化要求日益強(qiáng)烈，工作電壓不斷降低，作為保護(hù)半導(dǎo)體元件的壓敏電阻器也必須向著低壓化方向發(fā)展。實(shí)現(xiàn)ZnO-Bi2O3陶瓷壓敏電阻器低壓化和小型化的主要途徑是:控制ZnO晶粒尺寸和減小壓敏電阻厚度。常用的方法有固相燒結(jié)法、流延法等。但是，固相燒結(jié)法制備低壓ZnO-Bi2O3壓敏電阻器由于技術(shù)的局限難于進(jìn)一步小型化;而流延法制備低壓ZnO-Bi2O3壓敏電阻器工藝過(guò)程復(fù)雜，產(chǎn)品一致性差。另一方面，由于表面工程技術(shù)的發(fā)展，薄膜化成為壓敏電阻器小型化的一個(gè)有效途徑，引起廣泛關(guān)注。如Suzuoki等利用射頻磁控濺射濺射法在玻璃基片上沉積了 Zn0/Bi203雙層薄膜，膜厚分別為1μπι/0.3μπι，器件壓敏電壓小于10V，并具有較大的非線性系數(shù)(Y.Suzuoki，et al.Journal of Physics D，1987，20:511-517)。此外，運(yùn)用其他薄膜技術(shù)，如Sol-Gel噴霧熱分解法、脈沖激光沉積法等也能制備各種ZnO多晶薄膜壓敏電阻器。這些研究表明，薄膜化是開(kāi)發(fā)低壓壓敏電阻器的有效手段，且薄膜化有利于元件小型化和集成化。
[0005]在眾多薄膜沉積方法中，磁控濺射法是一種成熟的薄膜制備技術(shù)，應(yīng)用廣泛;與其它方法相比，磁控濺射法沉積薄膜材料具有附著性好，致密度高，生長(zhǎng)溫度低，沉積速度快，可以在不同的生長(zhǎng)氣氛中大面積制備薄膜材料等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為非常適合于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。但是，由于磁控濺射法制備復(fù)合氧化鋅-氧化鉍復(fù)合薄膜和多層氧化鋅/氧化鉍薄膜壓敏電阻的過(guò)程相對(duì)復(fù)雜或者不易構(gòu)建ZnO-Bi2O3壓敏電阻器的典型結(jié)構(gòu)，目前所能制備的ZnO-Bi2O3薄膜壓敏電阻的非線性系數(shù)通常較低。
[0006]因此，本發(fā)明利用射頻磁控濺射方法，以非化學(xué)計(jì)量比的燒結(jié)Ζη0η(η〈1)為基質(zhì)靶材，其他金屬或其氧化物為摻雜靶材，在優(yōu)化的磁控濺射工藝下，在導(dǎo)電基片上沉積得到低電阻率的氧化鋅薄膜，然后將其埋入氧化鉍粉末中進(jìn)行熱浸，以期構(gòu)建具有完整晶界的ZnO-Bi2O3壓敏電阻器的典型結(jié)構(gòu)，獲得了高性能的氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻。用這種方法制備的薄膜壓敏電阻器，具有材料的組成可控、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、壓敏電阻器器形和薄膜厚度可控、結(jié)構(gòu)致密、非線性性能優(yōu)異、壓敏電壓可控、漏電流小等特點(diǎn)，在大規(guī)?；虺笠?guī)模集成電路的過(guò)壓保護(hù)中有廣泛的應(yīng)用前景。而且用這種方法制備氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻，薄膜沉積和熱浸條件嚴(yán)格可控，工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得組成、結(jié)構(gòu)和厚度均勻的薄膜器件，適合規(guī)?；a(chǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提出一種氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻的制備方法。用這種方法制備的薄膜壓敏電阻器，變阻器薄膜中的氧化鋅晶粒為缺氧型氧化鋅或摻雜氧化鋅，電阻率低;且氧化鋅晶粒被氧化鉍薄層完全包覆，晶界結(jié)構(gòu)完整，形成了有效晶界，因此所獲得氧化鋅-氧化鉍壓敏電阻的非線性性能優(yōu)異。這種薄膜壓敏電阻器，具有材料的組成可控、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、壓敏電阻器器形和薄膜厚度可控、結(jié)構(gòu)致密、非線性性能優(yōu)異、壓敏電壓可控、漏電流小等特點(diǎn)，在大規(guī)?；虺笠?guī)模集成電路的過(guò)壓保護(hù)中有廣泛的應(yīng)用前景。而且用這種方法制備氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻，薄膜沉積和熱浸條件嚴(yán)格可控，工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得組成、結(jié)構(gòu)和厚度均勻的薄膜器件，適合規(guī)?；a(chǎn)。
[0008]本發(fā)明提出的氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻的制備方法，其特征在于，所述方法利用射頻磁控濺射方法，采用非化學(xué)計(jì)量比的燒結(jié)Ζη0η(η〈1)為基質(zhì)靶材，其他金屬或其氧化物為摻雜靶材，在優(yōu)化的磁控濺射工藝下，在導(dǎo)電基片上沉積得到低電阻率的氧化鋅薄膜，然后將其埋入氧化鉍粉末中進(jìn)行熱浸，獲得高性能的氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻。
[0009]本發(fā)明提出的氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻的制備方法，包括以下步驟和內(nèi)容:
[0010](I)在磁控濺射設(shè)備中，以非化學(xué)計(jì)量比的燒結(jié)Ζη0η(η〈1)為基質(zhì)靶材，其他金屬或其氧化物為摻雜靶材，將靶材固定在靶位上;將清潔基片固定在樣品臺(tái)上;開(kāi)啟機(jī)械栗抽至低真空，系統(tǒng)真空度達(dá)到0.1Pa時(shí)開(kāi)啟分子栗，直至系統(tǒng)的真空度達(dá)到2X10—4Pa以上。
[0011](2)通入工作氣體氬氣，首先進(jìn)行預(yù)濺射，以此除去靶材表面的污染物；當(dāng)輝光穩(wěn)定下來(lái)后，開(kāi)始氧化鋅薄膜的濺射沉積。
[0012](3)從磁控濺射設(shè)備中取出所制備的薄膜樣品，把制備好的氧化鋅薄膜埋在Bi2O3粉末中進(jìn)行熱浸。熱浸后，將樣品隨爐冷卻到室溫。
[0013](4)在所得含氧化鋅-氧化鉍復(fù)合薄膜的樣品的上下表面(薄膜和基片)上分別被電極，即得到所述壓敏電阻器。
[0014]在上述制備方法中，所述步驟(I)中的磁控濺射設(shè)備為射頻磁控濺射裝置。
[0015]在上述制備方法中，所述步驟(I)中的非化學(xué)計(jì)量比的燒結(jié)ZnOn中η在0.6-0.99之間。
[0016]在上述制備方法中，所述步驟(I)中的摻雜革El材為金屬Fe、Co、N1、Mn及其氧化物中的一種或多種。
[0017]在上述制備方法中，所述步驟(I)中的基片為高摻雜導(dǎo)電硅片、銅片、鉑片中的一種。
[0018]在上述制備方法中，所述步驟(I)中基片清洗處理的方法為:先將基片放入丙酮、乙醇中分別用超聲波清洗lOmin，去除基片表面的油污及其他污染物;然后，經(jīng)去離子水沖洗;最后，用干燥N2氣吹干后快速放入真空室。
[0019]在上述制備方法中，所述步驟(2)中的氬氣的純度在99.99vol.%以上。
[0020]在上述制備方法中，所述步驟(2)中氬氣預(yù)濺射時(shí)間為2-10min。
[0021 ]在上述制備方法中，所述步驟(2)中的氧化鋅薄膜濺射沉積條件為:以Ar為濺射氣體，在Ar或Ar/02混合氣體中，在環(huán)境溫度下，濺射ZnOn靶和摻雜金屬或氧化物靶，濺射功率為60-220W，濺射氣壓為0.4-4.(^3，沉積時(shí)間為20-751^11。
[0022]在上述制備方法中，所述步驟(2)中在薄膜濺射沉積時(shí)，所使用的氧氣的純度在99.99Vo1.%以上，02/Ar混合氣體中二者的體積比為1-2。
[0023]在上述制備方法中，所述步驟(2)中濺射沉積所獲得的氧化鋅薄膜在未摻雜時(shí)為缺氧型氧化鋅薄膜，在摻雜時(shí)為摻雜氧化鋅薄膜。
[0024]在上述制備方法中，所述步驟(3)中的Bi2O3粉為市售分析純。
[0025]在上述制備方法中，所述步驟(3)中的熱浸工藝條件為:在馬弗爐中，溫度為200-600 0C，保溫時(shí)間為20-120min。
[0026]在上述制備方法中，所述步驟(4)中的電極材料為銀、鋁、鈀、鉑、金中的一種。
[0027]采用本技術(shù)制備的氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻器，具有材料的組成可控、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、壓敏電阻器器形和薄膜厚度可控、結(jié)構(gòu)致密、非線性性能優(yōu)異、壓敏電壓可控、漏電流小等特點(diǎn)，在大規(guī)?；虺笠?guī)模集成電路的過(guò)壓保護(hù)中有廣泛的應(yīng)用前景。而且因?yàn)楸∧さ暮穸瓤煽?，這種壓敏電阻器無(wú)論是在高工作電壓還是低工作電壓電器上都可以使用。此外，用這種方法制備氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻，薄膜沉積和熱浸條件嚴(yán)格可控，工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得組成、結(jié)構(gòu)和厚度均勻的薄膜器件，適合規(guī)?；a(chǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1是本發(fā)明所提出的氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻器示意圖
[0029]圖2是本發(fā)明實(shí)施例1所制得的缺氧型氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻器中復(fù)合薄膜的SEM照片
[0030]圖3是本發(fā)明實(shí)施例1所制得的缺氧型氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻器的E-J曲線
[0031]圖4是本發(fā)明實(shí)施例2所制得的摻雜氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻器中復(fù)合薄膜的SEM照片
[0032]圖5是本發(fā)明實(shí)施例2所制得的摻雜氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻器的E-J曲線
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步說(shuō)明。
[0034]本發(fā)明提出的氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻的制備方法，其特征在于，所述方法利用射頻磁控濺射方法，采用非化學(xué)計(jì)量比的燒結(jié)ZnOn(n〈l)為基質(zhì)靶材，其他金屬或其氧化物為摻雜靶材，在優(yōu)化的磁控濺射工藝下，在導(dǎo)電基片上沉積得到低電阻率的氧化鋅薄膜，然后將其埋入氧化鉍粉末中進(jìn)行熱浸，獲得高性能的氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻。
[0035]本發(fā)明提出的氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻的制備方法，包括以下步驟和內(nèi)容:
[0036](I)在射頻磁控濺射設(shè)備中，以非化學(xué)計(jì)量比的燒結(jié)Ζη0η(η = 0.6-0.99)為基質(zhì)靶材，金屬Fe、Co、N1、Mn及其氧化物中的一種或多種為摻雜靶材，將靶材固定在靶位上;將清潔基片固定在樣品臺(tái)上;開(kāi)啟機(jī)械栗抽至低真空，系統(tǒng)真空度達(dá)到0.1Pa時(shí)開(kāi)啟分子栗，直至系統(tǒng)的真空度達(dá)到2 X 10—4Pa以上。
[0037](2)通入純度為99.99vol.%以上的工作氣體氬氣，首先進(jìn)行預(yù)濺射2-10min，以此除去靶材表面的污染物;當(dāng)輝光穩(wěn)定下來(lái)后，開(kāi)始氧化鋅薄膜的濺射沉積。
[0038](3)從磁控濺射設(shè)備中取出所制備的薄膜樣品，在馬弗爐中，把制備好的氧化鋅薄膜埋在市售分析純Bi2O3粉末中進(jìn)行熱浸，熱浸溫度為200-600 °C、保溫時(shí)間為20-120min。熱浸后，將樣品隨爐冷卻到室溫。
[0039](4)所述基片為高摻雜導(dǎo)電硅片、銅片、鉑片中的一種，其清洗處理的方法為:先將基片放入丙酮、乙醇中分別用超聲波清洗lOmin，去除基片表面的油污及其他污染物;然后，經(jīng)去離子水沖洗;最后，用干燥N2氣吹干后快速放入真空室。
[0040](5)所述氧化鋅薄膜的濺射沉積條件為:以Ar為濺射氣體，在Ar或Ar/02混合氣體中，在環(huán)境溫度下，濺射ZnOn靶和摻雜金屬或氧化物靶，濺射功率為60-220W，濺射氣壓為0.4 - 4.0 P a，沉積時(shí)間為2 O - 7 5 m i η。且在薄膜濺射沉積時(shí)，所使用的氧氣的純度在99.99vol.%以上，02/Ar混合氣體中二者的體積比為1-2;所獲得的氧化鋅薄膜在未摻雜時(shí)為缺氧型氧化鋅薄膜，在摻雜時(shí)為摻雜氧化鋅薄膜。
[0041](6)在所得含氧化鋅-氧化鉍復(fù)合薄膜的樣品的上下表面(薄膜和基片)上分別被電極，即得到所述壓敏電阻器(見(jiàn)圖1)。
[0042](7)所述電極材料為銀、鋁、鈀、鉑、金中的一種。
[0043]所得到的壓敏電阻薄膜在外觀上為藍(lán)紫色薄膜。
[0044]在掃描電子顯微鏡下，能觀察到所得氧化鋅-氧化鉍復(fù)合薄膜的表面致密無(wú)氣孔，晶體顆粒均勻且圓度高。電流-電壓性能測(cè)試表明，這種結(jié)構(gòu)的薄膜具有良好的壓敏特性。
[0045]總之，用本技術(shù)能得到高性能的氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻器。
[0046]實(shí)施例1:將ZnO0.78靶材和清潔高摻雜導(dǎo)電硅基片固定在射頻磁控濺射設(shè)備的相應(yīng)位置上，關(guān)閉腔室，先開(kāi)啟機(jī)械栗抽至低真空0.1Pa，再開(kāi)啟分子栗抽至高真空2X10—4Pa。通入高純氬氣，預(yù)濺射lOmin。在環(huán)境溫度下沉積，然后通入Ar/02比為1:1的混合氣體，濺射功率為220W，濺射氣壓為l.0Pa，沉積時(shí)間為20min。得到缺氧型氧化鋅薄膜。然后，把制備好的氧化鋅薄膜埋在分析純的Bi2O3粉中進(jìn)行熱浸，溫度為400°C，保溫時(shí)間40min，后將樣品隨爐冷卻到室溫。在樣品上下表面涂銀漿作為電極，焊上引線，即獲得壓敏電阻器，測(cè)試其壓敏性能。
[0047]所獲得的缺氧型氧化鋅-氧化鉍復(fù)合薄膜表面致密無(wú)氣孔，晶體顆粒均勻且圓度高(見(jiàn)圖2)，非線性特性優(yōu)異(見(jiàn)圖3)，非線性系數(shù)為15.1，漏電流最小為0.0223mA/cm2，壓敏電壓為0.0176V/nmo
[0048]實(shí)施例2:將ZnOQ.99靶材、純Fe靶和清潔高摻雜導(dǎo)電硅基片固定在磁控濺射設(shè)備的相應(yīng)位置上，關(guān)閉腔室，先開(kāi)啟機(jī)械栗抽至低真空0.1Pa，再開(kāi)啟分子栗抽至高真空2X10一4Pa。通入高純氬氣，預(yù)濺射2min。在環(huán)境溫度下沉積，只通氬氣，同時(shí)開(kāi)啟ZnOQ.99靶材和純Fe靶，濺射功率為60W，濺射氣壓為2.0Pa，沉積時(shí)間為60min。得到鐵摻雜氧化鋅薄膜。然后，把制備好的氧化鋅薄膜埋在分析純的Bi2O3粉中進(jìn)行熱浸，溫度為500°C，保溫時(shí)間60min，后將樣品隨爐冷卻到室溫。在樣品上下表面涂銀漿作為電極，焊上引線，即獲得壓敏電阻器，測(cè)試其壓敏性能。
[0049]所獲得的缺氧型氧化鋅-氧化鉍復(fù)合薄膜表面致密無(wú)氣孔(見(jiàn)圖4)，非線性特性優(yōu)異(見(jiàn)圖5)，非線性系數(shù)為11.8，漏電流最小為0.030611^/0112，壓敏電壓為0.0137￥/111110
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻器的制備方法，其特征在于，所述方法利用射頻磁控濺射方法，采用非化學(xué)計(jì)量比的燒結(jié)ZnOn(n〈l)為基質(zhì)靶材，其他金屬或其氧化物為摻雜靶材，在優(yōu)化的磁控濺射工藝下，在導(dǎo)電基片上沉積得到低電阻率的氧化鋅薄膜，然后將其埋入氧化鉍粉末中進(jìn)行熱浸，獲得高性能的氧化鋅-氧化鉍薄膜壓敏電阻，包括以下步驟: (1)在射頻磁控濺射設(shè)備中，以非化學(xué)計(jì)量比的燒結(jié)ZnOn為基質(zhì)靶材，金屬Fe、Co、N1、Mn及其氧化物中的一種或多種為摻雜靶材，將靶材固定在靶位上;將清潔基片固定在樣品臺(tái)上;開(kāi)啟機(jī)械栗抽至低真空，系統(tǒng)真空度達(dá)到0.1Pa時(shí)開(kāi)啟分子栗，直至系統(tǒng)的真空度達(dá)到2X 10—4Pa 以上; (2)通入工作氣體氬氣，首先進(jìn)行預(yù)濺射2-10min，以此除去靶材表面的污染物；當(dāng)輝光穩(wěn)定下來(lái)后，在環(huán)境溫度下，在氬氣或在氬氣和氧氣混合氣氛中，開(kāi)始氧化鋅薄膜的濺射沉積； (3)從磁控濺射設(shè)備中取出所制備的薄膜樣品，在馬弗爐中，把制備好的氧化鋅薄膜埋在市售分析純Bi2O3粉末中進(jìn)行熱浸;熱浸后，將樣品隨爐冷卻到室溫； (4)在所得含氧化鋅-氧化鉍復(fù)合薄膜的樣品的上下表面(薄膜和基片)上分別被電極，即得到所述壓敏電阻器。2.按照權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(I)中的ZnOn基質(zhì)革El材中的η值在0.6-0.99之間；所述摻雜靶材為金屬Fe、Co、N1、Μη及其氧化物中的一種或多種;所述基片為高摻雜導(dǎo)電硅片、銅片、鉑片中的一種;所述步驟(2)中的氬氣和氧氣均為高純氣體，純度在在99.99vol.%以上;所述步驟(3)中的Μ2Ο3粉末為市售分析純;所述步驟(4)中的電極材料為銀、鋁、鈀、鉑、金中的一種。3.按照權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中氧化鋅薄膜的濺射沉積條件為:以Ar為濺射氣體，在Ar或六^02混合氣體中，在環(huán)境溫度下，濺射ZnOn靶和摻雜金屬或氧化物靶，濺射功率為60-220W，濺射氣壓為0.4-4.0Pa，沉積時(shí)間為20_75min ；且在薄膜濺射沉積時(shí)，02/Ar混合氣體中二者的體積比為1-2;所獲得的氧化鋅薄膜在未摻雜時(shí)為缺氧型氧化鋅薄膜，在摻雜時(shí)為摻雜氧化鋅薄膜。4.按照權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中氧化鋅薄膜的熱浸工藝條件為:熱浸溫度為200-600 °C，保溫時(shí)間為20-120min。
【文檔編號(hào)】H01C17/12GK105869807SQ201610286553
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年5月3日
【發(fā)明人】王楊, 彭志堅(jiān), 王琪, 符秀麗
【申請(qǐng)人】中國(guó)地質(zhì)大學(xué)（北京）