專利名稱：雙面背接觸太陽能電池的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種雙面背接觸太陽能電池的制備方法，屬于太陽電池領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡，在現(xiàn)有的可持續(xù)能源中，太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。目前，在所有的太陽能電池中，晶體硅太陽能電池是得 到大范圍商業(yè)推廣的太陽能電池之一，這是由于硅材料在地殼中有著極為豐富的儲量，同時硅太陽能電池相比其他類型的太陽能電池，有著優(yōu)異的電學(xué)性能和機(jī)械性能。因此，晶體硅太陽電池在光伏領(lǐng)域占據(jù)著重要的地位。高效化是目前晶體硅太陽電池的發(fā)展趨勢，通過改進(jìn)表面織構(gòu)化、選擇性發(fā)射結(jié)、前表面和背表面的鈍化，激光埋柵等技術(shù)來提高太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率，但由于其需要特殊的設(shè)備和復(fù)雜的工藝流程，產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程受到制約。目前，背接觸硅太陽電池(MWT太陽電池)受到了大家的廣泛關(guān)注，其優(yōu)點在于由于其正面沒有主柵線，減少了電池片的遮光，提高了電池片的轉(zhuǎn)換效率，在制作組件時，可以減少焊帶對電池片的遮光影響，同時采用新的封裝方式可以降低電池片的串聯(lián)電阻，減小電池片的功率損失。傳統(tǒng)的背接觸晶體硅太陽電池的制備方法為制絨、擴(kuò)散制結(jié)、刻蝕、清洗、鍍膜、打孔、印刷、燒結(jié)。另一方面，在當(dāng)今硅材料日益緊缺的情況下，為了充分提高太陽電池的輸出功率，雙面受光型晶體硅太陽電池已經(jīng)成為研究的熱點。如中國實用新型專利CN201699033U公開了一種雙面受光型晶體硅太陽能電池，其在說明書第3頁中公開了其制作方法(I)將原始硅片進(jìn)行預(yù)清洗，去除損傷層、制絨，作為單晶硅襯底；(2)硅片背靠背進(jìn)行單面硼擴(kuò)散，制作P+層；(3)對非擴(kuò)硼層進(jìn)行單面腐蝕并用濕氧氧化去除硼硅玻璃；(4)在擴(kuò)硼層P+上制作氧化硅掩蔽層；(5)同樣采用背靠背單面擴(kuò)散的方法，進(jìn)行后續(xù)的磷擴(kuò)散，制作N+層；
(6)擴(kuò)磷工藝完成后去除磷硅玻璃；(7)等離子刻蝕去邊結(jié)；(8)用PECVD在硅片雙面沉積氮化硅減反射膜；(9)絲網(wǎng)印刷兩面電極，燒結(jié)，制成雙面受光型晶體硅太陽能電池。然而，如何將背接觸硅太陽電池(MWT太陽電池)和雙面受光型太陽能電池結(jié)合起來，并防止硅片正反面的短路，是技術(shù)人員需要解決的難題之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種雙面背接觸太陽能電池的制備方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種雙面背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟
(1)清洗硅片表面，去除損傷層，在硅片的正面和背面進(jìn)行制絨；
(2)硅片背靠背進(jìn)行單面擴(kuò)散，硅片的背面為擴(kuò)散面，在硅片背面形成第一擴(kuò)散層；
(3)在硅片的正面和背面制備阻擋膜；
(4)在硅片的背面的部分區(qū)域進(jìn)行開窗，去除所述阻擋膜；所述部分區(qū)域為硅片上待開孔的孔的周圍區(qū)域；(5)將步驟(4)得到的硅片放入堿液中，腐蝕去除所述部分區(qū)域的第一擴(kuò)散層；
(6)去除硅片正面的阻擋膜；
(7)在硅片上開孔；清洗硅片表面；
(8)將步驟(7)得到的硅片進(jìn)行擴(kuò)散，在硅片的正面、孔內(nèi)以及硅片背面的孔的周圍區(qū)域形成第二擴(kuò)散層；
(9)刻蝕周邊結(jié)；去除硅片背面的阻擋膜，清洗硅片表面；
(10)在硅片的正面和背面設(shè)置鈍化減反射膜；
(11)在孔內(nèi)設(shè)置孔金屬電極；雙面印刷金屬電極，燒結(jié)，即可得到雙面背接觸太陽能 電池。上文中，所述步驟(4)中所述部分區(qū)域為硅片上待開孔的孔的周圍區(qū)域；是指硅片開孔之后的孔的周圍區(qū)域，孔的周圍區(qū)域是指硅片背面以開孔的孔中心為圓心的flOmm的范圍內(nèi)的正方形、圓形、三角形或任意形狀的區(qū)域。這里的硅片尚未開孔，但其待開的孔的位置是可以提前確定的，因而其硅片上待開孔的孔的周圍區(qū)域是可以提前確定的。上述技術(shù)方案中，所述硅片為N型硅片，所述第一擴(kuò)散層為磷擴(kuò)散層，第二擴(kuò)散層為硼擴(kuò)散層。當(dāng)然，所述硅片也可以是P型硅片，第一擴(kuò)散層為硼擴(kuò)散層，第二擴(kuò)散層為磷擴(kuò)散層。上述技術(shù)方案中，所述步驟(3)中的阻擋膜為二氧化硅阻擋膜或氮化硅阻擋膜，其厚度為40 200 nm。上述技術(shù)方案中，所述步驟(4)中，采用印刷腐蝕漿料去除法或激光去除法進(jìn)行開窗。上述技術(shù)方案中，所述步驟(5)中的堿液為NaOH溶液或KOH溶液，其質(zhì)量濃度為1% 30%，腐蝕的溫度為5(T90°C，腐蝕時間3(T800s，腐蝕深度300 5000 nm。與之相應(yīng)的另一種技術(shù)方案，一種雙面背接觸太陽能電池的制備方法，包括如下步驟
(1)清洗硅片表面，去除損傷層，在硅片的正面和背面進(jìn)行制絨；
(2)硅片背靠背進(jìn)行單面擴(kuò)散，硅片的背面為擴(kuò)散面，在硅片背面形成第一擴(kuò)散層；
(3)將上述硅片背靠背進(jìn)行單面擴(kuò)散，硅片的正面為擴(kuò)散面，在硅片正面形成第二擴(kuò)散層；
(4)在硅片的正面和背面制備阻擋膜；
(5)在硅片的背面的部分區(qū)域進(jìn)行開窗，去除所述阻擋膜；所述部分區(qū)域為硅片上待開孔的孔的周圍區(qū)域；
(6)將步驟(5)得到的硅片放入堿液中，腐蝕去除所述部分區(qū)域的第一擴(kuò)散層；
(7)在娃片上開孔；
(8)刻蝕周邊結(jié)，去除硅片正面和背面的阻擋膜，清洗硅片表面；
(9)在硅片的正面和背面設(shè)置鈍化減反射膜；
(10)在孔內(nèi)設(shè)置孔金屬電極；雙面印刷金屬電極，燒結(jié)，即可得到雙面背接觸太陽能電池。上述技術(shù)方案中，硅片為N型硅片，所述第一擴(kuò)散層為磷擴(kuò)散層，第二擴(kuò)散層為硼擴(kuò)散層。當(dāng)然，所述硅片也可以是P型硅片，第一擴(kuò)散層為硼擴(kuò)散層，第二擴(kuò)散層為磷擴(kuò)散層。上述技術(shù)方案中，所述步驟(3)之后，去除硅片背面的雜質(zhì)玻璃。上述技術(shù)方案中，所述步驟(4)中的阻擋膜為二氧化硅阻擋膜或氮化硅阻擋膜，其厚度為40 200 nm。上述技術(shù)方案中，所述步驟￠)中的堿液為NaOH溶液或KOH溶液，其質(zhì)量濃度為1% 30%，腐蝕的溫度為5(T90°C，腐蝕時間3(T800s，腐蝕深度300 5000 nm。由于上述技術(shù)方案運用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點
I.本發(fā)明開發(fā)了一種雙面背接觸太陽能電池的制備方法，其制備工藝簡單，易于操作； 由其制得的雙面背接觸太陽能電池具有良好的電性能，其光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)19. 5%以上。2.本發(fā)明在硅片的正面和背面制備了阻擋膜，再配合采用開窗、腐蝕的方法開設(shè)出硅片背面孔的周圍區(qū)域，去除了此區(qū)域的擴(kuò)散摻雜層，使此區(qū)域不存在與硅片類型相同的擴(kuò)散摻雜原子，最終得到的雙面背接觸太陽能電池不存在擴(kuò)散制結(jié)處的短路問題，取得了顯著的效果。


圖f 11是本發(fā)明實施例一的制備過程示意 圖12 21是本發(fā)明實施例二的制備過程示意圖。其中，I、N型硅片；2、正面；3、背面；4、絨面；5、磷擴(kuò)散層；6、阻擋膜；7、開窗區(qū)域；
8、腐蝕區(qū)域；9、孔；10、硼擴(kuò)散層；11、鈍化減反膜；12、孔金屬電極；13、正面電極；14、背面電極。
具體實施例方式下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述
實施例一
參見圖廣11所示，一種雙面背接觸太陽能電池的制備方法，包括如下步驟
(1)去除N型硅片I表面損傷層，并形成絨面4;硅片的正面2和背面3上均形成絨面4,參見圖I所示；
(2)將上述硅片背靠背放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行磷擴(kuò)散，硅片的背面為擴(kuò)散面，在硅片背面形成磷擴(kuò)散層5 ;參見圖2所示；
(3)將上述硅片放入氧化爐中進(jìn)行雙面氧化，制備阻擋膜6，溫度80(Tl00(rC，時間5 90min，氧氣流量5 15slm，阻擋膜厚度4(T200nm ;參見圖3所示；
(4)在硅片背面的開窗區(qū)域7印刷腐蝕性漿料去除氧化膜；參見圖4所示；所述開窗區(qū)域為硅片背面待開孔的孔的周圍區(qū)域；
(5)將上述硅片放入NaOH溶液中，腐蝕去除腐蝕區(qū)域8的磷擴(kuò)散層，NaOH溶液的質(zhì)量濃度為1% 30%，溫度5(T90°C，時間3(T800s，腐蝕深度300 5000 nm ;參見圖5所示；
(6)在硅片正面印刷腐蝕性漿料，去除硅片正面的阻擋膜；參見圖6所示；
(7)打孔；形成孔9，清洗硅片表面；參見圖7所示；
(8)將上述硅片放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行硼擴(kuò)散，硅片雙面均為擴(kuò)散面，硅片背面的阻擋膜阻擋硼擴(kuò)散，同時在硅片正面、硅片背面的孔的周圍區(qū)域以及孔9內(nèi)進(jìn)行硼擴(kuò)散；形成硼擴(kuò)散層10 ;參見圖8所示；
(9)刻蝕硅片的周邊結(jié)；去除硅片背面的阻擋膜，清洗硅片表面；參見圖9所示；
(10)雙面制備鈍化減反膜11;參見圖10所示；
(11)在孔內(nèi)設(shè)置孔金屬電極12;雙面印刷金屬電極，燒結(jié)，形成正面電極13和背面電極14，即可得到N型雙面背接觸太陽能電池，參見圖11所示。上文中，所述開窗區(qū)域7和腐蝕區(qū)域8均是指硅片背面的待開孔的孔的周圍區(qū)域。實施例二
一種雙面背接觸太陽能電池的制備方法，包括如下步驟
(1)去除N型硅片表面損傷層，并形成絨面；
(2)將上述硅片背靠背放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行磷擴(kuò)散，硅片的背面為擴(kuò)散面，在硅片背面形成磷擴(kuò)散層；
(3)去除磷硅玻璃；
(4)將上述硅片放入氧化爐中進(jìn)行雙面氧化，制備阻擋膜，溫度80(Tl00(rC，時間5 90min，氧氣流量5 15slm，同時通入水蒸氣，其流量為3 12slm ;阻擋膜厚度4(T200nm ；
(5)在硅片背面的待開孔的孔的周圍區(qū)域采用激光去除氧化膜；激光波長為532nm或1064nm ；
(6)將上述硅片放入堿液中，腐蝕去除上述區(qū)域的磷擴(kuò)散層，堿液可采用NaOH溶液或KOH溶，其質(zhì)量濃度為1% 30%，腐蝕的溫度為5(T90°C，腐蝕時間3(T800s，腐蝕深度300 5000 nm ；
(J)在硅片正面印刷腐蝕性漿料，去除硅片正面的阻擋膜；
(8)打孔；清洗硅片表面；
(9)將上述硅片放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行硼擴(kuò)散，硅片雙面均為擴(kuò)散面，硅片背面的阻擋膜阻擋硼擴(kuò)散，同時在硅片正面、硅片背面的孔的周圍區(qū)域以及孔內(nèi)進(jìn)行硼擴(kuò)散；形成硼擴(kuò)散層；
(10)刻蝕硅片的周邊結(jié)；去除硅片背面的阻擋膜；清洗硅片表面；
(11)雙面制備鈍化減反膜；
(12)在孔內(nèi)設(shè)置孔金屬電極；雙面印刷金屬電極，燒結(jié)，即可得到N型雙面背接觸太陽能電池。實施例三
一種雙面背接觸太陽能電池的制備方法，包括如下步驟
(1)去除N型硅片表面損傷層，并形成絨面；
(2)將上述硅片背靠背放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行磷擴(kuò)散，硅片的背面為擴(kuò)散面，在硅片背面形成磷擴(kuò)散層；
(3)將上述硅片雙面沉積氮化硅阻擋膜，阻擋膜厚度4(T200nm；
(4)在硅片背面的待開孔的孔的周圍區(qū)域采用激光去除氧化膜；激光波長為532nm或1064nm ；
(5)將上述硅片放入NaOH溶液中，腐蝕去除上述區(qū)域的磷擴(kuò)散層，NaOH溶液的質(zhì)量濃度為1% 30%，腐蝕的溫度為5(T90°C，腐蝕時間3(T800s，腐蝕深度300 5000 nm ；
(6)在硅片正面印刷腐蝕性漿料，去除硅片正面的阻擋膜；、(7)打孔；清洗硅片表面；
(8)將上述硅片放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行硼擴(kuò)散，硅片雙面均為擴(kuò)散面，硅片背面的阻擋膜阻擋硼擴(kuò)散，同時在硅片正面、硅片背面的孔的周圍區(qū)域以及孔內(nèi)進(jìn)行硼擴(kuò)散；形成硼擴(kuò)散層；
(9)刻蝕硅片的周邊結(jié)；去除硅片背面的阻擋膜；清洗硅片表面；
(10)雙面制備鈍化減反膜；
(11)在孔內(nèi)設(shè)置孔金屬電極；雙面印刷金屬電極，燒結(jié)，即可得到N型雙面背接觸太陽能電池。實施例四
參見圖12 21所示，一種雙面背接觸太陽能電池的制備方法，包括如下步驟
(1)清洗N型硅片I表面，去除損傷層，在硅片的正面2和背面3進(jìn)行制絨，形成絨面4,參見圖12所示；
(2)將上述硅片背靠背放入擴(kuò)散爐進(jìn)行磷擴(kuò)散，硅片的背面為擴(kuò)散面，在硅片背面形成磷擴(kuò)散層5;參見圖13所示；
(3)將擴(kuò)磷后的硅片背靠背放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行硼擴(kuò)散，硅片的正面為擴(kuò)散面，在硅片正面形成硼擴(kuò)散層10 ;參見圖14所示；
(4)將擴(kuò)散后的硅片放入氧化爐中進(jìn)行雙面氧化，制備阻擋膜6，溫度80(Tl00(rC，時間5 90min，氧氣流量5 15slm ;阻擋膜厚度4(T200nm ;參見圖15所示；
(5)在硅片的背面的開窗區(qū)域7印刷腐蝕性漿料進(jìn)行開窗，去除所述阻擋膜；參見圖16所示；
(6)將上述硅片放入NaOH溶液中，腐蝕去除腐蝕區(qū)域8的磷擴(kuò)散層，NaOH的質(zhì)量濃度為3 25%，溫度5(T90°C，時間3(T800s，腐蝕深度500 5000_ ;參見圖17所示；
(7)在硅片上開孔；形成孔9，參見圖18所示；
(8)刻蝕周邊結(jié)，去除硅片正面和背面的阻擋膜，清洗硅片表面；參見圖19所示；
(9)在硅片的正面和背面設(shè)置鈍化減反膜11;參見圖20所示；
(10)在孔內(nèi)設(shè)置孔金屬電極12;雙面印刷金屬電極,燒結(jié),形成正面電極13和背面電極14，即可得到N型雙面背接觸太陽能電池，參見圖21所示。上文中，所述開窗區(qū)域7和腐蝕區(qū)域8均是指硅片背面的待開孔的孔的周圍區(qū)域。實施例五
一種雙面背接觸太陽能電池的制備方法，包括如下步驟
(1)清洗硅片表面，去除損傷層，在硅片的正面和背面進(jìn)行制絨；
(2)將上述硅片背靠背放入擴(kuò)散爐進(jìn)行磷擴(kuò)散，硅片的背面為擴(kuò)散面，在硅片背面形成磷擴(kuò)散層；
(3)將擴(kuò)磷后的硅片背靠背放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行硼擴(kuò)散，硅片的正面為擴(kuò)散面，在硅片正面形成硼擴(kuò)散層；
(4)將擴(kuò)散后的硅片放入氧化爐中進(jìn)行雙面氧化，制備阻擋膜，溫度80(Ti00(rc，時間5 90min，氧氣流量5 15slm，通入水蒸氣，其流量為3 12slm ;阻擋膜厚度4(T200nm ；
(5)在硅片的背面的部分區(qū)域采用激光進(jìn)行開窗，去除所述阻擋膜；所述部分區(qū)域為娃片上待開孔的孔的周圍區(qū)域；激光波長為532nm或1064nm ；(6)將上述硅片放入NaOH溶液中，腐蝕去除上述部分區(qū)域的磷擴(kuò)散層，NaOH溶液的質(zhì)量濃度為5% 20%，溫度7(T80°C，時間3(T800s，腐蝕深度50(T5000nm
(7)在娃片上開孔；
(8)刻蝕周邊結(jié)，去除硅片正面和背面的阻擋膜，清洗硅片表面；
(9)在硅片的正面和背面設(shè)置鈍化減反射膜；
(10)在孔內(nèi)設(shè)置孔金屬電極；雙面印刷金屬電極，燒結(jié)，即可得到N型雙面背接觸太陽能電池。 實施例六
一種雙面背接觸太陽能電池的制備方法，包括如下步驟
(1)清洗硅片表面，去除損傷層，在硅片的正面和背面進(jìn)行制絨；
(2)將上述硅片背靠背放入擴(kuò)散爐進(jìn)行磷擴(kuò)散，硅片的背面為擴(kuò)散面，在硅片背面形成磷擴(kuò)散層；
(3)將擴(kuò)磷后的硅片背靠背放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行硼擴(kuò)散，硅片的正面為擴(kuò)散面，在硅片正面形成硼擴(kuò)散層；
(4)將擴(kuò)散后的硅片雙面沉積氮化硅阻擋膜，阻擋膜厚度4(T200nm；
(5)在硅片的背面的部分區(qū)域采用激光進(jìn)行開窗，去除所述阻擋膜；所述部分區(qū)域為娃片上待開孔的孔的周圍區(qū)域；激光波長為532nm或1064nm ；
(6)將上述硅片放入NaOH溶液中，腐蝕去除上述部分區(qū)域的磷擴(kuò)散層，NaOH溶液的質(zhì)量濃度為5 20%，溫度7(T80°C，時間3(T800s，腐蝕深度50(T5000nm ；
(7)在娃片上開孔；
(8)刻蝕周邊結(jié)，去除硅片正面和背面的阻擋膜，清洗硅片表面；
(9)在硅片的正面和背面設(shè)置鈍化減反射膜；
(10)在孔內(nèi)設(shè)置孔金屬電極；雙面印刷金屬電極，燒結(jié)，即可得到N型雙面背接觸太陽能電池。
權(quán)利要求
1.一種雙面背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 (1)清洗硅片表面，去除損傷層，在硅片的正面和背面進(jìn)行制絨； (2)硅片背靠背進(jìn)行單面擴(kuò)散，硅片的背面為擴(kuò)散面，在硅片背面形成第一擴(kuò)散層； (3)在硅片的正面和背面制備阻擋膜； (4)在硅片的背面的部分區(qū)域進(jìn)行開窗，去除所述阻擋膜；所述部分區(qū)域為硅片上待開孔的孔的周圍區(qū)域； (5)將步驟(4)得到的硅片放入堿液中，腐蝕去除所述部分區(qū)域的第一擴(kuò)散層； (6)去除硅片正面的阻擋膜； (7)在硅片上開孔；清洗硅片表面； (8)將步驟(7)得到的硅片進(jìn)行擴(kuò)散，在硅片的正面、孔內(nèi)以及硅片背面的孔的周圍區(qū)域形成第二擴(kuò)散層； (9)刻蝕周邊結(jié)；去除硅片背面的阻擋膜，清洗硅片表面； (10)在硅片的正面和背面設(shè)置鈍化減反射膜； (11)在孔內(nèi)設(shè)置孔金屬電極；雙面印刷金屬電極，燒結(jié)，即可得到雙面背接觸太陽能電池。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙面背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于所述硅片為N型硅片，所述第一擴(kuò)散層為磷擴(kuò)散層，第二擴(kuò)散層為硼擴(kuò)散層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙面背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于所述步驟(3)中的阻擋膜為二氧化硅阻擋膜或氮化硅阻擋膜，其厚度為4(T200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙面背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于所述步驟 (4)中，采用印刷腐蝕漿料去除法或激光去除法進(jìn)行開窗。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙面背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于所述步驟(5)中的堿液為NaOH溶液或KOH溶液，其質(zhì)量濃度為1% 30%，腐蝕的溫度為5(T90°C，腐蝕時間30 800s，腐蝕深度300 5000 nm。
6.一種雙面背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 (1)清洗硅片表面，去除損傷層，在硅片的正面和背面進(jìn)行制絨； (2)硅片背靠背進(jìn)行單面擴(kuò)散，硅片的背面為擴(kuò)散面，在硅片背面形成第一擴(kuò)散層； (3)將上述硅片背靠背進(jìn)行單面擴(kuò)散，硅片的正面為擴(kuò)散面，在硅片正面形成第二擴(kuò)散層； (4)在硅片的正面和背面制備阻擋膜； (5)在硅片的背面的部分區(qū)域進(jìn)行開窗，去除所述阻擋膜；所述部分區(qū)域為硅片上待開孔的孔的周圍區(qū)域； (6)將步驟(5)得到的硅片放入堿液中，腐蝕去除所述部分區(qū)域的第一擴(kuò)散層； (7)在娃片上開孔； (8)刻蝕周邊結(jié)，去除硅片正面和背面的阻擋膜，清洗硅片表面； (9)在硅片的正面和背面設(shè)置鈍化減反射膜； (10)在孔內(nèi)設(shè)置孔金屬電極；雙面印刷金屬電極，燒結(jié)，即可得到雙面背接觸太陽能電池。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙面背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于所述硅片為N型硅片，所述第一擴(kuò)散層為磷擴(kuò)散層，第二擴(kuò)散層為硼擴(kuò)散層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙面背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于所述步驟(3)之后，去除硅片背面的雜質(zhì)玻璃。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙面背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于所述步驟(4)中的阻擋膜為二氧化硅阻擋膜或氮化硅阻擋膜，其厚度為4(T200nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙面背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于所述步驟(6)中的堿液為NaOH溶液或KOH溶液，其質(zhì)量濃度為1% 30%，腐蝕的溫度為5(T90°C，腐蝕時間3(T800s，腐蝕深度300 5000 nm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種雙面背接觸太陽能電池的制備方法，包括如下步驟(1)清洗、制絨；(2)擴(kuò)散，在硅片背面形成第一擴(kuò)散層；(3)在硅片的正面和背面制備阻擋膜；(4)在硅片的背面的部分區(qū)域進(jìn)行開窗，去除所述阻擋膜；(5)將硅片放入堿液中，腐蝕去除所述部分區(qū)域的第一擴(kuò)散層；(6)去除硅片正面的阻擋膜；(7)開孔；(8)擴(kuò)散，在硅片正面、孔內(nèi)及背面開窗區(qū)域形成第二擴(kuò)散層；(9)刻蝕；去除阻擋膜，清洗；(10)設(shè)置鈍化減反射膜；(11)設(shè)置金屬電極；燒結(jié)。本發(fā)明在硅片的正面和背面制備了阻擋膜，再配合采用開窗、腐蝕的方法預(yù)先開設(shè)出孔的周圍區(qū)域，然后進(jìn)行開孔，得到了雙面背接觸太陽能電池，該結(jié)構(gòu)的太陽能電池不存在擴(kuò)散制結(jié)處的短路問題，取得了顯著的效果。
文檔編號H01L31/18GK102683494SQ20121016662
公開日2012年9月19日 申請日期2012年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月27日
發(fā)明者殷涵玉, 王栩生, 王登志, 章靈軍 申請人:蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司, 阿特斯(中國)投資有限公司