具有傾斜mamr磁頭體的mamr磁頭的制作方法
【專利摘要】具有傾斜MAMR磁頭體的MAMR磁頭。一種微波輔助磁記錄頭，包括被配置成發(fā)出用于影響磁介質(zhì)的記錄磁場(chǎng)的主磁極，所述主磁極用作第一電極并且具有在空氣軸承表面(ABS)處的前部和從所述前部延伸的后部。微波振蕩器位于所述主磁極的尾側(cè)表面上。所述主磁極的所述尾側(cè)表面沿所述前部和后部形成平表面并且在所述前部處對(duì)于前側(cè)表面傾斜。所述磁磁頭體相對(duì)于ABS成銳角傾斜，使得在所述主磁極的所述尾側(cè)表面和所述ABS之間形成10至30度的銳角。
【專利說明】
具有傾斜MAMR磁頭體的MAMR磁頭
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及一種具有通過向磁記錄介質(zhì)施加高頻磁場(chǎng)而引起磁化反轉(zhuǎn)功能的磁記錄頭，并且涉及一種磁記錄和讀取裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]為了實(shí)現(xiàn)安裝在硬盤裝置中的磁頭的更高記錄密度，需要窄化寫磁道間距和比特。空氣軸承表面的主磁極的表面積隨著記錄密度的增大而顯著地減小。隨著磁極在傳統(tǒng)磁頭中以這種方式變窄，記錄場(chǎng)變小，并且高于特定記錄密度，就不再可能實(shí)現(xiàn)寫入所需的記錄場(chǎng)。為了解決這種問題，已經(jīng)提出一種高頻磁場(chǎng)輔助記錄方法(MAMR:微波輔助磁記錄)，其中微波振蕩器(自旋扭矩振蕩器)在主磁極上或者在主磁極附近形成，并且高頻磁場(chǎng)被施加于記錄介質(zhì)，以降低介質(zhì)的矯頑力，并且在這種狀態(tài)下，記錄場(chǎng)被應(yīng)用于介質(zhì)以記錄數(shù)據(jù)。另外，也已經(jīng)提出了一種方法，其中主磁極的記錄部關(guān)于襯底表面傾斜，微波振蕩器被布置在傾斜表面上，并且有效地提高磁頭場(chǎng)密度。
[0003]當(dāng)微波振蕩器在主磁極上形成時(shí)，需要對(duì)振蕩器的形狀形成非常精確的圖案。采用傳統(tǒng)制造方法，如果主磁極的記錄部關(guān)于襯底表面傾斜，則在晶片表面中產(chǎn)生不平坦，并且主磁極的尾側(cè)上的傾斜部分變得關(guān)于晶片表面凹入。因而，變得難以在形成微波振蕩器圖案時(shí)形成高精確度的圖案。特別是當(dāng)使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)以形成微波振蕩器時(shí)，難以處理不平坦的晶片表面上的凹入部分。因此，優(yōu)選地在平坦部分上形成微波振蕩器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]公開了一種微波輔助磁記錄(MAMR)磁頭，這種MAMR磁頭包括MAMR磁頭體，該MAMR磁頭體具有被配置成發(fā)出用于影響磁介質(zhì)的記錄磁場(chǎng)的主磁極和位于主磁極的尾側(cè)表面上的微波振蕩器。主磁極用作第一電極并且具有前部和后部，該前部平行于空氣軸承表面(ABS)或者形成空氣軸承表面一部分，該后部從前部延伸。主磁極的尾側(cè)表面沿前部和后部形成平表面，并且在主磁極的前部處關(guān)于主磁極的前側(cè)表面傾斜。MAMR磁頭體關(guān)于ABS成銳角傾斜，使得在主磁極的尾側(cè)表面和ABS之間形成銳角。在主磁極的尾側(cè)表面和ABS之間形成的銳角為10至30度。
[0005]提供本
【發(fā)明內(nèi)容】
以簡(jiǎn)化形式引入一系列概念，在下文的【具體實(shí)施方式】中將進(jìn)一步描述。本
【發(fā)明內(nèi)容】
無意確定所要求保護(hù)的發(fā)明主題的關(guān)鍵特征或者本質(zhì)特征，也無意用于限制所要求保護(hù)的發(fā)明主題的范圍。此外，所要求保護(hù)的主題不限于解決在本公開的任何部分中提到的任何或者所有缺點(diǎn)的實(shí)現(xiàn)。
【附圖說明】
[0006]本發(fā)明通過例子來圖示說明并且不受附圖中各圖的限制，其中相同附圖標(biāo)號(hào)指示相同元件，其中:
[0007]圖1A是傳統(tǒng)磁記錄頭的示意圖，并且圖1B-C是傳統(tǒng)MAMR磁記錄頭的示意圖。
[0008]圖2A-B示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的MAMR磁記錄頭的示意圖。圖2A示出穿過MAMR磁頭的中間截面的部分橫截面?zhèn)纫晥D，而圖2B示出MAMR磁頭的面對(duì)空氣軸承表面的部分橫截面前視圖。
[0009]圖3示出具有傳統(tǒng)接頭的磁頭和根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的磁頭的磁頭場(chǎng)強(qiáng)度。
[0010]圖4A-B示出用于產(chǎn)生根據(jù)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的MAMR磁頭的過程。
[0011]圖5A-C示出用于產(chǎn)生根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的MAMR磁頭的過程的縱覽。
[0012]圖6A-N示出用于產(chǎn)生根據(jù)圖5A-C的實(shí)施例的MAMR磁記錄頭的方法。
【具體實(shí)施方式】
[0013]現(xiàn)在將參考附圖描述本發(fā)明的選擇實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員通過本公開應(yīng)明白，下文對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的說明僅是為了例示，而非為了限制權(quán)利要求書和它們的等效物限定的本發(fā)明的目的而提供的。
[0014]參考圖1A，其中示出傳統(tǒng)磁記錄頭200。傳統(tǒng)磁記錄頭200包括適合產(chǎn)生寫入磁場(chǎng)的主磁極280、位于主磁極280的尾側(cè)上的尾屏蔽350、位于尾屏蔽350和主磁極280之間的尾間隙210、在跨磁道方向位于主磁極280的至少側(cè)面上的側(cè)屏蔽250，以及位于側(cè)屏蔽250和主磁極280之間的側(cè)間隙260。
[0015]參考圖1B和1C，其中示出傳統(tǒng)MAMR磁記錄頭100。較之傳統(tǒng)的磁記錄頭200，MAMR磁記錄頭100可被配置更窄的主磁極，并且以更小磁場(chǎng)寫入。MAMR記錄頭100包括位于主磁極80上的微波振蕩器90、位于微波振蕩器90側(cè)面上的尾間隙110、位于尾間隙110上的尾屏蔽150和主磁極80尾側(cè)上的微波振蕩器80、在跨磁道方向位于主磁極80的至少側(cè)面上并且固定在襯底160上的側(cè)屏蔽50，以及位于側(cè)屏蔽50和主磁極80之間的側(cè)間隙60。主磁極80被配置成發(fā)出影響磁介質(zhì)的記錄磁場(chǎng)，主磁極80用作第一電極，并且在空氣軸承表面(ABS)處具有前部。尾屏蔽150是用作第二電極的磁膜，位于主磁極80的尾側(cè)表面上。位于主磁極80上的微波振蕩器90降低介質(zhì)的矯頑力，使得較小記錄場(chǎng)能夠被用于記錄數(shù)據(jù)。側(cè)間隙60通常是非磁膜。
[0016]采用傳統(tǒng)的用于制造MAMR磁記錄頭的方法，微波振蕩器90在關(guān)于襯底160和ABS(B-BQ傾斜的主磁極80的尾側(cè)表面上形成。雖然主磁極的尾側(cè)表面關(guān)于ABS的傾斜定向提高了磁頭場(chǎng)強(qiáng)度，但是傾斜表面也傾向于具有凹入表面而變得不平坦，影響記錄性能。因而，傳統(tǒng)方法不能向以關(guān)于ABS傾斜朝向形成有微波振蕩器的主磁極的傾斜部分提供一種平坦、平面的尾側(cè)表面。
[0017]參考圖2A和2B，其中示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的微波輔助磁記錄(MAMR)磁頭1。圖2A示出穿過MAMR磁頭的中間截面的部分橫截面?zhèn)纫晥D，而圖2B示出MAMR磁頭的面對(duì)空氣軸承表面的部分橫截面前視圖。MAMR磁頭體13具有主磁極8，該主磁極8被配置成發(fā)出用于影響磁介質(zhì)的記錄磁場(chǎng)，主磁極8用作第一電極并且具有前部14和后部17，該前部14平行于空氣軸承表面(ABS)B-B7或者形成空氣軸承表面B-B7的一部分，后部17從前部分14延伸。主磁極8的尾側(cè)表面18沿前部14和后部17形成平表面，并且在主磁極8的前部14處關(guān)于主磁極8的前側(cè)表面19傾斜。作為起導(dǎo)電層作用的磁膜的第二磁層15位于主磁極8上，并且導(dǎo)電層用作第二電極。MAMR磁頭體13也具有微波振蕩器9，微波振蕩器9位于主磁極8的尾側(cè)表面18上，處于第二磁層15和主磁極8之間。MAMR磁頭體13關(guān)于ABS成銳角22傾斜，使得在主磁極8的尾側(cè)表面18和ABS之間形成銳角22。在主磁極8的尾側(cè)表面18和ABS之間形成的銳角22為10至30度。微波振蕩器9的前側(cè)和尾側(cè)兩者都被配置成在電流流動(dòng)至位于第一電極和第二電極之間的微波振蕩器9時(shí)，產(chǎn)生與來自主磁極8的記錄磁場(chǎng)重疊的高頻磁場(chǎng)，使得向磁介質(zhì)記錄數(shù)據(jù)。繞主磁極8設(shè)置非磁膜6，以構(gòu)成用于主磁極8和第一磁層2的磁分隔層。如圖2B中所示，第一磁層2(側(cè)屏蔽)在跨磁道方向中位于主磁極8的至少側(cè)面(圖中的右側(cè)和左側(cè))上并且被設(shè)置在襯底16上。氧化鋁層I可以被設(shè)置在襯底16和第一磁層2之間。用作尾間隙的絕緣膜11或者非磁膜在微波振蕩器層的側(cè)面上形成，沿主磁極的前部的長度在磁道寬度方向延伸。
[0018]圖3示出根據(jù)該磁頭結(jié)構(gòu)的磁頭場(chǎng)分布的差異。圖3示出下列結(jié)構(gòu)的磁頭分布:(a)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，其中在主磁極的尾側(cè)上不存在傾斜部分；(b)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，如圖1C中所示，在主磁極的一部分尾側(cè)上設(shè)置傾斜部分;和(c)根據(jù)圖2A-B的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在晶片形成過程期間傾斜部分不在主磁極的尾側(cè)上形成，而是在滑塊形成過程期間MAMR磁頭體關(guān)于ABS傾斜。如圖3清楚所示，能夠理解，較之主磁極的部分尾側(cè)上沒有設(shè)置傾斜部分的結(jié)構(gòu)
(a)，具有在主磁極的尾側(cè)的部分上設(shè)置有傾斜部分的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)(b)的磁頭的磁頭場(chǎng)更大。此外能夠理解，在控制每個(gè)結(jié)構(gòu)的厚度時(shí)，具有在主磁極的尾側(cè)的部分上設(shè)置傾斜部分的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)(b)的記錄頭，和根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的不在晶片形成過程期間在主磁極的尾側(cè)上形成傾斜部分，而是如圖2A-B的本發(fā)明實(shí)施例中所示在滑塊形成過程期間MAMR磁頭體關(guān)于ABS傾斜的結(jié)構(gòu)(c)的記錄頭，在磁頭場(chǎng)強(qiáng)度方面不具有明顯差異。也就是說，能夠理解，能夠通過在滑塊形成過程期間關(guān)于ABS傾斜MAMR磁頭體，而不是在晶片形成過程期間在主磁極的尾側(cè)上形成傾斜部分，來獲得高場(chǎng)強(qiáng)度。
[0019]圖4A-B和圖5A-B示出形成主磁極80(圖4A-B)的記錄部分上有錐形的圖1C的傳統(tǒng)微波振蕩器90的過程，和形成根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖2A-B的記錄頭10的微波振蕩器9的過程之間的比較。根據(jù)該實(shí)施例，在滑塊形成過程中MAMR磁頭體13關(guān)于ABS傾斜，而在晶片形成過程期間不在主磁極8的尾側(cè)18上形成傾斜部分(圖5A-B)。如圖4A中所示，在傳統(tǒng)的微波振蕩器處理中，微波振蕩層90在主磁極80的尾側(cè)上的整個(gè)表面上形成，并且形成抗蝕膜30以處理微波振蕩層90的后部。在該圖中省略了左手側(cè)上的ABS側(cè)。另外，如圖4B中所示，通過離子束蝕刻執(zhí)行處理，以去除部分微波振蕩層90，但是微波振蕩器90需要在主磁極80的尾側(cè)上的傾斜部分上形成，并且在該位置處，抗蝕膜30和主磁極80之間的角度小于90°。當(dāng)該角度小于90°時(shí)，通過離子束執(zhí)行的蝕刻受阻礙，并且因此微波振蕩器90的前部處的蝕刻率降低。也就是說，較之傾斜部分在平坦部分有更大量的蝕刻，所以存在主磁極80被蝕刻以去除處于傾斜部分上的微波振蕩器90的前部處的膜的問題。當(dāng)以這種方式蝕刻主磁極80時(shí)，就產(chǎn)生不平坦表面，并且不可能產(chǎn)生關(guān)于介質(zhì)的適當(dāng)記錄場(chǎng)。
[0020]另一方面，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，如圖5A中所示，能夠理解抗蝕膜圖案21關(guān)于微波振蕩層9垂直地形成，并且主磁極8不在微波振蕩器9的形成抗蝕膜圖案21的前部處傾斜。然后，如圖5B中所示，當(dāng)通過離子束蝕刻執(zhí)行處理以去除部分微波振蕩層9時(shí)，抗蝕膜圖案21和微波振蕩層9之間的角度為90°，所以在晶片形成過程期間，在采用主磁極8在尾側(cè)上具有傾斜部分的結(jié)構(gòu)的情況下更均勻地應(yīng)用離子束。因而，當(dāng)去除微波振蕩器9的前部處的膜時(shí)，主磁極8被蝕刻的量更小，并且因此磁頭場(chǎng)的降低也更小。因而，當(dāng)通過離子束蝕刻執(zhí)行處理以去除部分微波振蕩層9時(shí)，能夠同樣降低根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的當(dāng)形成MAMR磁頭10時(shí)的主磁極8的蝕刻量。圖5C示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，其中在晶片形成過程期間，傾斜部分不在主磁極8的尾側(cè)上形成，而是在滑塊形成過程期間MAMR磁頭體關(guān)于ABS傾斜。
[0021]圖6A-N是橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于產(chǎn)生圖2A-B的MAMR磁頭1的示例方法的制造步驟。圖中的左手側(cè)視圖示出穿過MAMR磁頭的中間截面的部分橫截面?zhèn)纫晥D，而右手側(cè)視圖示出MAMR磁頭10的面對(duì)空氣軸承表面的部分橫截面前視圖。
[0022]圖6A示出襯底形成之后的形狀(為了簡(jiǎn)短，在圖6A-M中省略了襯底層16)。諸如氧化鋁的下鍍層I沉積在襯底上，以分離讀取頭和記錄部分，形成屏蔽的第一磁層2(前緣屏蔽= LES)被鍍?cè)谥鞔艠O的前側(cè)上，Al2O3絕緣層3在第一磁層2旁邊并且在氧化鋁I上形成，然后執(zhí)行CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)以使形狀平面化。應(yīng)注意，在傳統(tǒng)滑塊形成過程，應(yīng)在晶片形成過程后去除平面A-A'左側(cè)的部分，而在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的滑塊形成過程中，去除平面B-B'左側(cè)的部分。這里，第一磁層2垂直于上面沉積有氧化鋁I的襯底表面(圖6A-M中未示出)形成，但是可以設(shè)置該過程使得提前以傾斜方式形成第一磁層2，從而它在滑塊形成過程后垂直定向，以考慮最終ABSW-B,)的傾斜。
[0023]圖6B示出當(dāng)在第一磁層2和Al2O3絕緣膜3上形成包括用于隨后的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)過程的硬掩模層和CMP阻擋層的多層膜4，并且然后使用掩模來圖案化抗蝕膜圖案5以獲得所需的平面表面時(shí)的情況。這里，可使用包含N1、Cr等等的合金作為多層膜4的尾部分處的RIE阻擋，并且可使用DLC或者Ta等等作為其前層中的CMP阻擋。
[0024]圖6C示出當(dāng)使用抗蝕膜圖案5作為掩模層而蝕刻多層膜4、去除抗蝕膜圖案5并且然后使用多層膜4作為掩模用于通過RIE蝕刻第一磁層2時(shí)的情況。這里，Ar離子銑削被用于蝕刻多層膜4，但是采用CF4或者CHF3等的RIE可被用于在非蝕刻材料是Ta時(shí)蝕刻多層膜4的前側(cè)。此外，當(dāng)非蝕刻材料是類金剛石碳(DLC)時(shí)，可使用采用O2或者CO2等的RIE。此外，包含甲醇或者氨等等的RIE被用于蝕刻第一磁層2，利用多層膜4為掩模。然后，非磁膜6被沉積在第一磁層2、絕緣膜3和多層膜4上。為了例示，在穿過MAMR磁頭的中間截面的部分橫截面?zhèn)纫晥D中省略了多層膜4。
[0025]圖6D示出非磁膜6沉積之后的情況，非磁膜6構(gòu)成用于主磁極和先前形成的溝道中的第一磁層2的磁分離層。這里，對(duì)非磁膜6的厚度選擇主磁極寬度0.5-2.0倍的膜厚度。在這種情況下，非磁絕緣膜諸如Al2O3或非磁金屬膜諸如Ru可被用作將主磁極與第一磁層2絕緣的非磁膜6的材料。然后，下鍍層膜7和鍍層8被沉積在非磁膜6上。
[0026]圖6E示出在溝道中沉積下鍍層膜7并且沉積構(gòu)成主磁極的鍍層8之后的情況。這里，可以通過鍍下鍍層膜7的整個(gè)表面而形成鍍層8，或者抗蝕膜圖案可以在下鍍層膜7上形成然后提供部分鍍。此外，產(chǎn)生高飽和磁通量密度的材料被用于形成主磁極的鍍層8和下鍍層膜7，以實(shí)現(xiàn)高記錄性能，并且在這種情況下，優(yōu)選CoFeN1、CoFe或者FeNi等等。
[0027]圖6F示出當(dāng)已經(jīng)使用多層膜4作為阻擋層而通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)將主磁極8平面化時(shí)的情況。如圖所示，多層膜4上的鍍層8被去除。
[0028]圖6G示出在平面化后使用Ar離子銑削蝕刻主磁極8以使主磁極形成預(yù)定尺寸時(shí)的情況。這里，在主磁極8被蝕刻的同時(shí)也蝕刻和去除多層膜4。另外，第一磁層2也被蝕刻為基本與主磁極8相同高度，即在預(yù)定制造公差內(nèi)的相同高度。然而，當(dāng)在多層膜4中使用DLC等時(shí)，則可在此之前通過O2灰化去除DLC膜，之后可執(zhí)行Ar離子銑削。
[0029]在圖6H中，主磁極被平面化，之后微波振蕩層9在下列整個(gè)表面上形成:非磁膜6、第一磁層2和主磁極8。主磁極8不僅向介質(zhì)施加記錄場(chǎng)，而且也用作電極用來向微波振蕩層9提供電流。此外，從左和右圖應(yīng)明白，微波振蕩層9的尾側(cè)是水平的。
[0030]圖61示出當(dāng)抗蝕膜圖案20被沉積在微波振蕩層9上，并且使用抗蝕膜圖案20作為掩模在磁道寬度方向通過Ar離子銑削蝕刻了微波振蕩層9的前部時(shí)的情況。如圖所示，在微波振蕩層9的尾側(cè)上不存在不平坦，所以抗蝕膜圖案20能夠被涂覆至均勻厚度，并且因此可提尚生廣率。
[0031]圖6J示出當(dāng)已經(jīng)在磁道寬度方向蝕刻了微波振蕩層9的前部、絕緣膜11已經(jīng)在微波振蕩層9的兩側(cè)上形成并且已經(jīng)執(zhí)行CMP以去除抗蝕膜圖案20時(shí)的情況。通過以這種方式在微波振蕩層9的兩側(cè)上都形成絕緣膜11，可使主磁極8供應(yīng)的電流選擇性地流動(dòng)至微波振蕩層9。此外，在此過程中，在主磁極的尾側(cè)上不存在傾斜部分，所以能夠相對(duì)易于執(zhí)行CMP。應(yīng)注意，雖然未示出，但是CMP阻擋層也可以被設(shè)置在微波振蕩層9的尾側(cè)或者絕緣膜11上。
[0032]圖6K示出當(dāng)抗蝕膜圖案21已經(jīng)被沉積在微波振蕩層的前部上并且使用抗蝕膜圖案21作為掩模在高度方向通過Ar離子銑削蝕刻了微波振蕩層的后部時(shí)的情況。通過與圖61中相同的方式，在微波振蕩層9的尾側(cè)上不存在不平坦，所以抗蝕膜圖案21能夠被涂覆至均勻厚度，并且因此可提高生產(chǎn)率。
[0033]圖6L示出沿高度方向在主磁極8上形成絕緣膜12并且已經(jīng)執(zhí)行CMP以去除抗蝕膜圖案21時(shí)的情況。此外，通過與圖6J中相同的方式，在主磁極的尾側(cè)上不存在傾斜部分，所以能夠相對(duì)易于執(zhí)行CMP。應(yīng)注意，雖然未示出，但是CMP阻擋層也可以被設(shè)置在微波振蕩層9的尾側(cè)或者絕緣膜12上。
[0034]圖6M示出當(dāng)已經(jīng)形成微波振蕩器、之后第二磁層15被鍍?cè)谖⒉ㄕ袷帉?和絕緣膜11上時(shí)的情況。這里，第二磁層15不僅用作尾屏蔽以向介質(zhì)施加記錄場(chǎng)，而且也用作電極向微波振蕩層9提供電流。應(yīng)注意，在該圖中，第一磁層2和第二磁層15被絕緣膜11分離，但是同樣可能的是絕緣膜在沿磁道寬度方向從微波振蕩器層9延伸的區(qū)域中被去除并且使第一磁層2和第二磁層15電連接。然而，應(yīng)在制造期間小心謹(jǐn)慎，以使電流高效流動(dòng)至微波振蕩層9，并且第一磁層2和第二磁層15之間的連接不與微波振蕩層9形成并聯(lián)電路。另外，下鍍層膜7或部分第二磁層15也可以由具有高磁通量密度的材料制成。
[0035]圖6N示出在微波振蕩器9和記錄元件形成過程之后、當(dāng)在滑塊形成過程中ABS(B_BQ成型為關(guān)于主磁極8的尾側(cè)表面18以銳角22傾斜時(shí)的情況。這里，雖然圖6A-M中未示出，但是襯底16存在于記錄元件的下鍍層處，并且讀取元件可以存在于記錄元件和襯底16之間。此外，用于感應(yīng)磁通量的線圈和用于向線圈提供電流的電極等被連接至主磁極8或者第二磁層15，雖然未示出這些元件。
[0036]上述實(shí)施例提供了一種磁頭，其中以良好的生產(chǎn)率形成磁記錄頭，該磁記錄頭在前部上具有錐形并且使得能夠高頻磁場(chǎng)輔助記錄。為了實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)，磁頭在記錄磁極的尖端處的前部上具有錐形，不在晶片形成過程期間在主磁極的尾側(cè)上的寫入部上設(shè)置傾斜表面，所以能夠提供平面部分以形成微波振蕩器。
[0037I應(yīng)理解，這里描述的構(gòu)造和/或方法本質(zhì)上是示例性的，并且這些特定實(shí)施例或者例子不應(yīng)被視為限制性的，因?yàn)榭赡艽嬖诙喾N變體。這里描述的特定方法包括可以通過圖示和/或描述的處理，這些處理可按照?qǐng)D示和/或描述的順序、以其它順序、并行地執(zhí)行的或者省略。同樣地，上述過程的順序可以被改變。
[0038]本公開的主題包括本文公開的各種過程、系統(tǒng)和配置以及其它特征、功能、動(dòng)作和/或特性的所有新穎和非新穎組合與子組合，及其任何和所有變體。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種微波輔助磁記錄(MAMR)磁頭，包括: MAMR磁頭體，該MAMR磁頭體具有被配置成發(fā)出記錄磁場(chǎng)的主磁極和位于所述主磁極的尾側(cè)表面上的微波振蕩器，所述主磁極用作第一電極并且具有前部和后部，該前部平行于空氣軸承表面(ABS)或者形成該空氣軸承表面的一部分，該后部從所述前部延伸， 其中所述主磁極的所述尾側(cè)表面沿所述前部和后部形成平表面， 其中所述主磁極的所述尾側(cè)表面在所述主磁極的所述前部處相對(duì)于所述主磁極的前側(cè)表面傾斜，并且 其中所述MAMR磁頭體相對(duì)于所述ABS成銳角傾斜，使得在所述主磁極的所述尾側(cè)表面和所述ABS之間形成銳角。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MAMR磁頭， 其中在所述主磁極的所述尾側(cè)表面和所述ABS之間的所述銳角在10至30度之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MAMR磁頭，其中 所述微波振蕩器的前側(cè)和尾側(cè)兩者都被配置成當(dāng)電流流動(dòng)至位于所述第一電極和第二電極之間的所述微波振蕩器時(shí)產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MAMR磁頭，其中 所述主磁極包括從由CoFeN1、CoFe和FeNi組成的組中選擇的材料。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MAMR磁頭，其中 所述微波振蕩層沿所述主磁極的所述前部的長度在磁道寬度方向上延伸，并且 絕緣膜在所述磁道寬度方向上在所述微波振蕩層的兩側(cè)上形成。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MAMR磁頭，其中 非磁膜圍繞所述主磁極設(shè)置并且被配置成絕緣所述主磁極。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MAMR磁頭，其中 所述非磁膜的厚度是所述主磁極的寬度的0.5-2.0倍。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MAMR磁頭，其中 所述非磁膜包括從由Al 203和Ru組成的組中選擇的材料。9.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的MAMR磁頭的硬盤驅(qū)動(dòng)器。10.一種微波輔助磁記錄(MAMR)磁頭，包括: MAMR磁頭體，該MAMR磁頭體具有被配置成發(fā)出記錄磁場(chǎng)的主磁極和位于所述主磁極的尾側(cè)表面上的微波振蕩器，所述主磁極用作電極并且具有前部，該前部平行于空氣軸承表面(ABS)或者形成該空氣軸承表面的一部分， 其中所述MAMR磁頭體相對(duì)于所述ABS成銳角傾斜，使得在所述MAMR磁頭體的所述尾側(cè)表面和所述ABS之間形成銳角。11.一種制作微波輔助磁記錄(MAMR)磁頭的方法，包括: 形成襯底； 在所述襯底上沉積氧化鋁； 在所述氧化鋁上形成第一磁層； 在所述第一磁層旁邊并且在所述氧化鋁之上形成Al2O3絕緣膜； 在所述第一磁層和所述Al2O3絕緣膜之上沉積包括硬掩模層、阻擋層和第一抗蝕劑圖案的多層膜； 反應(yīng)離子刻蝕所述多層膜； 去除所述第一磁層和所述Al2O3絕緣膜上的所述第一抗蝕劑圖案； 使用所述多層膜作為掩模反應(yīng)離子刻蝕所述第一磁層； 在所述第一磁層、所述絕緣膜和所述硬掩模層上沉積非磁膜； 在所述非磁膜上沉積下鍍層膜和鍍層以構(gòu)成主磁極； 去除所述多層膜上的所述鍍層； 蝕刻和去除所述多層膜，并且同時(shí)蝕刻所述主磁極； 蝕刻所述第一磁層； 在所述非磁膜、所述第一磁層和所述主磁極上沉積微波振蕩層； 在所述微波振蕩層上沉積第二抗蝕劑圖案； 在磁道寬度方向上蝕刻所述微波振蕩層的前部； 在所述微波振蕩層的兩側(cè)上都形成絕緣膜； 去除所述第二抗蝕劑圖案； 在所述微波振蕩層的所述前部上沉積第三抗蝕劑圖案； 在高度方向上蝕刻所述微波振蕩層的后部； 在所述高度方向上在所述主磁極上形成絕緣膜； 去除所述第三抗蝕劑圖案； 在所述微波振蕩層和所述絕緣膜上鍍第二磁層;和 形成空氣軸承表面(ABS)，該空氣軸承表面相對(duì)于所述主磁極的尾側(cè)表面以銳角傾斜。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中 所述阻擋層包括DLC或者Ta。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中 利用Ar離子銑削來蝕刻所述硬掩模層。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中 以采用CF4或者CHF3的RIE來蝕刻包含Ta的所述阻擋層。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中 以采用O2或者CO2的RIE來蝕刻包含類金剛石碳的所述阻擋層。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中 以采用甲醇或者氨的反應(yīng)離子來蝕刻而蝕刻所述第一磁層。17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中 通過O2灰化來去除包含類金剛石碳的所述阻擋層。18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中 在從所述微波振蕩層沿所述磁道寬度方向延伸的區(qū)域中去除所述微波振蕩層的兩側(cè)的絕緣膜。19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中 所述第一磁層和所述第二磁層被電連接。20.一種制作微波輔助磁記錄(MAMR)磁頭的方法，包括: 形成MAMR磁頭體，該MAMR磁頭體具有被配置成發(fā)出記錄磁場(chǎng)的主磁極，所述主磁極用作電極并且具有前部，該前部平行于空氣軸承表面(ABS)或者形成該空氣軸承表面的一部 分； 形成位于所述主磁極的尾側(cè)表面上的微波振蕩器;和 使所述MAMR磁頭體對(duì)于所述ABS成銳角傾斜，使得在所述MAMR磁頭體的尾側(cè)表面和所述ABS之間形成銳角。
【文檔編號(hào)】G11B5/127GK105895120SQ201610086220
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年2月15日
【發(fā)明人】木村久志, 杉浦健二, 有動(dòng)雄太, 渡邊克朗
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