旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器、高頻輔助磁記錄頭、磁頭組件及磁記錄再現(xiàn)裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的實施方式可獲得可以使向振蕩層的旋轉(zhuǎn)注入效率上升、產(chǎn)生更強的高頻磁場的高頻輔助磁記錄頭。在實施方式所涉及的高頻輔助磁記錄頭中，在與振蕩層相比靠磁道寬度方向的外側(cè)的區(qū)域或者振蕩層的相對于上浮面垂直的深度方向的外側(cè)的區(qū)域，還形成旋轉(zhuǎn)注入層，從而將旋轉(zhuǎn)注入層與振蕩層之間的區(qū)域設(shè)得寬闊，并在該區(qū)域內(nèi)形成中間層，由此可以增大中間層與振蕩層接觸的面積。
【專利說明】旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器、高頻輔助磁記錄頭、磁頭組件及磁記錄再現(xiàn)裝置
[0001]相關(guān)申請
[0002]本申請享有以日本專利申請2015-86096號(申請日:2015年4月20日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎(chǔ)申請，包含基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實施方式涉及旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器、高頻輔助磁記錄頭、高頻輔助磁記錄頭組件及磁記錄再現(xiàn)裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]作為盤裝置，例如，磁盤裝置具備:在外殼內(nèi)配設(shè)的磁盤；支撐及旋轉(zhuǎn)磁盤的轉(zhuǎn)軸馬達；對磁盤進行信息的讀/寫的磁頭；以相對于磁盤自由移動的方式支撐磁頭的滑架組件。磁頭的頭部包含寫入用的磁記錄頭和讀出用的再現(xiàn)頭。
[0005]近年，為了實現(xiàn)磁盤裝置的高記錄密度化、大容量化或者小型化，提出了垂直磁記錄用的磁頭。在這樣的磁頭中，記錄頭具有:產(chǎn)生垂直方向磁場的主磁極；與該主磁極的尾端側(cè)隔著寫間隙配置而在與磁盤之間閉合磁路的寫防護件；用于向主磁極流動磁通的線圈。
[0006]提出了在主磁極與寫防護件之間(寫間隙)配置了旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的高頻輔助磁記錄用的磁記錄頭。旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器通過將振蕩層、中間層、旋轉(zhuǎn)注入層層疊而形成，該旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器與主磁極及寫防護件電連接。該中間層具有將來自旋轉(zhuǎn)注入層的旋轉(zhuǎn)流送至振蕩層的作用。但是，在當前的構(gòu)成中，由于層疊構(gòu)成的關(guān)系，難以向振蕩層充分地注入極化了的旋轉(zhuǎn)，若使偏置電流增加，則存在旋轉(zhuǎn)注入層的磁化依來自振蕩層的旋轉(zhuǎn)扭矩而波動的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的實施方式的目的在于提供可以使向振蕩層的旋轉(zhuǎn)注入效率上升且產(chǎn)生更強的高頻磁場的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器、高頻輔助磁記錄頭、磁頭組件及磁記錄再現(xiàn)裝置。
[0008]根據(jù)實施方式，提供一種旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器，包括:旋轉(zhuǎn)注入層，其具有第I側(cè)面；中間層，其設(shè)置在上述旋轉(zhuǎn)注入層上，并具有與上述第I側(cè)面形成為一個面的第2側(cè)面；以及振蕩層，其設(shè)置在上述中間層上，并具有與第I側(cè)面設(shè)置為一個面的第3側(cè)面，
[0009]其中至少，上述旋轉(zhuǎn)注入層的相對于第I側(cè)面垂直方向的深度比上述振蕩層的相對于第3側(cè)面垂直方向的深度大，且上述旋轉(zhuǎn)注入層的至少一部分隔著上述中間層設(shè)置于上述振蕩層的相對于第3側(cè)面垂直的深度方向的外側(cè)的區(qū)域，或者
[0010]上述旋轉(zhuǎn)注入層的第I側(cè)面的膜面方向的幅度比上述振蕩層的第3側(cè)面的膜面方向的幅度大，上述旋轉(zhuǎn)注入層的至少一部分隔著上述中間層設(shè)置于上述振蕩層的第3側(cè)面的膜面方向的外側(cè)的區(qū)域。
【附圖說明】
[0011]圖1是對實施方式所涉及的高頻輔助磁記錄頭沿著磁盤上的磁道中心進行剖切而示意地進行表示的立體圖。
[0012]圖2是相對于圖1的剖切面從垂直方向觀察記錄頭的ABS面附近的圖。
[0013]圖3是從ABS觀察圖2的圖。
[0014]圖4A是表示實施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的制造工序的圖。
[0015]圖4B是表示實施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的制造工序的圖。
[0016]圖4C是表示實施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的制造工序的圖。
[0017]圖4D是表示實施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的制造工序的圖。
[0018]圖4E是表示實施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的制造工序的圖。
[0019]圖4F是表示實施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的制造工序的圖。
[0020]圖4G是表示實施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的制造工序的圖。
[0021]圖4H是表示實施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的制造工序的圖。
[0022]圖41是表示實施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的制造工序的圖。
[0023]圖5是實施方式所涉及的高頻輔助磁記錄頭的構(gòu)成的另一例的示意截面圖。
[0024]圖6是將圖5以主磁極為中心相對于ABS面垂直剖切、相對于剖切面從垂直方向觀察的圖。
[0025]圖7是例示實施方式所涉及的磁記錄再現(xiàn)裝置的概略構(gòu)成的主要部分立體圖。
[0026]圖8是表示實施方式所涉及的磁頭組件的一例的概略圖。
【具體實施方式】
[0027]實施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器具有層疊構(gòu)造體，該層疊構(gòu)造體包含:旋轉(zhuǎn)注入層，其具有第I側(cè)面；中間層，其設(shè)置在旋轉(zhuǎn)注入層上，并具有與第I側(cè)面形成為一個面的第2側(cè)面；以及振蕩層，其設(shè)置在中間層上，并具有與第I側(cè)面設(shè)置為一個面的第3側(cè)面。
[0028]在第I實施方式中，旋轉(zhuǎn)注入層其第I側(cè)面的膜面方向的幅度比振蕩層的第3側(cè)面的膜面方向的幅度大，且旋轉(zhuǎn)注入層的至少一部分隔著中間層設(shè)置于振蕩層的第3側(cè)面膜面方向的外側(cè)的區(qū)域。
[0029]在第2實施方式中，旋轉(zhuǎn)注入層其相對于第I側(cè)面垂直方向的深度比振蕩層的相對于第3側(cè)面垂直方向的深度大，且旋轉(zhuǎn)注入層的至少一部分隔著中間層設(shè)置于振蕩層的相對于第3側(cè)面垂直的深度方向的外側(cè)的區(qū)域。
[0030]另外，在第3實施方式中，旋轉(zhuǎn)注入層具有第I實施方式和第2實施方式雙方的特征。
[0031]實施方式所涉及的高頻輔助磁記錄頭具備:主磁極，其對磁記錄介質(zhì)施加記錄磁場；輔助磁極，其與主磁極構(gòu)成磁路；以及旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件，其設(shè)置在主磁極與輔助磁極之間，其中，旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件具有:形成于主磁極及輔助磁極之中的一方上的旋轉(zhuǎn)注入層、形成于旋轉(zhuǎn)注入層上的中間層以及形成于中間層上的振蕩層。
[0032]在第4實施方式中，旋轉(zhuǎn)注入層其與上浮面(ABS:空氣支撐面)的寫間隙方向垂直的幅度比振蕩層的與上浮面的寫間隙方向垂直的幅度大，旋轉(zhuǎn)注入層的至少一部分隔著中間層設(shè)置于振蕩層的磁道寬度方向的外側(cè)的區(qū)域，且與輔助磁極絕緣。
[0033]在第5實施方式中，旋轉(zhuǎn)注入層其相對于上浮面垂直的方向的深度比振蕩層的相對于上浮面垂直方向的深度大，且旋轉(zhuǎn)注入層的至少一部分隔著中間層設(shè)置于振蕩層的相對于上浮面垂直的深度方向的外側(cè)的區(qū)域，且與輔助磁極絕緣。
[0034]另外，在第6實施方式中，旋轉(zhuǎn)注入層具有第I實施方式和第2實施方式雙方的特征。
[0035]根據(jù)實施方式，在與振蕩層相比靠磁道寬度方向的外側(cè)的區(qū)域、或者振蕩層的相對于上浮面垂直的深度方向的外側(cè)的區(qū)域，還形成旋轉(zhuǎn)注入層，從而將旋轉(zhuǎn)注入層與振蕩層之間的區(qū)域設(shè)置得寬闊，由此可以在該區(qū)域內(nèi)以更大面積形成從旋轉(zhuǎn)注入層向振蕩層轉(zhuǎn)移極化了的電子的作用的中間層。通過增大與振蕩層接觸的中間層的面積，向振蕩層注入的極化電子變得更多。結(jié)果，由于對振蕩層施加更大的旋轉(zhuǎn)扭矩，振蕩層的磁化的旋轉(zhuǎn)角上升，所以能夠產(chǎn)生更大的高頻磁場。另外，若與振蕩層相比使旋轉(zhuǎn)注入層的體積增大，則也能夠抑制從振蕩層向旋轉(zhuǎn)注入層的因旋轉(zhuǎn)扭矩的影響導致的旋轉(zhuǎn)注入層的磁化波動，可以向振蕩層穩(wěn)定地注入極化了的電子。
[0036]其他實施方式所涉及的磁頭組件分別具備:第4至第6實施方式所涉及的高頻輔助磁記錄頭中的一個；搭載了高頻輔助磁記錄頭的頭部滑塊；在一端搭載頭部滑塊的懸架；以及與懸架的另一端連接的致動器臂。
[0037]另外，其他實施方式所涉及的磁記錄再現(xiàn)裝置具備:磁記錄介質(zhì)；旋轉(zhuǎn)磁記錄介質(zhì)的驅(qū)動部；以及分別對磁記錄介質(zhì)進行信息處理的、第4至第6實施方式所涉及的高頻輔助磁記錄頭。
[0038]以下，參照【附圖說明】實施方式。
[0039]圖1是表示沿著磁盤的磁道中心剖切記錄頭的狀態(tài)的示意圖。
[0040]如圖所示，主磁極I相對于未圖示磁盤的表面及ABS大致垂直地延伸。主磁極I的磁盤側(cè)的前端部Ia朝向ABS逐漸變細地收縮，形成為相對于其他部分寬度狹小的柱狀。主磁極I的前端面露出于未圖示滑塊的ABS。在尾端防護件7連接著端子90，在該端子90連接著電源。
[0041]尾端防護件7形成為大致L字形狀，具有與主磁極I的前端部Ia相對的前端部7a。尾端防護件7的前端部7a形成為細長的矩形狀。尾端防護件7的前端面露出于未圖示滑塊的ABS。在尾端防護件7連接著端子91，在該端子91連接著電源。
[0042]在本實施方式中，記錄頭10在主磁極I的磁道寬度方向兩側(cè)具有以從主磁極I物理地切斷且與尾端防護件7連接的方式配置的側(cè)防護件82。在本實施方式中，側(cè)防護件82與尾端防護件7 —體地形成。
[0043]記錄線圈70設(shè)置在例如主磁極I與尾端防護件7之間。在記錄線圈70連接著端子95，在該端子95連接著電源。從電源供給于記錄線圈70的電流通過HDD的控制部進行控制。在對磁盤12寫入信號時，從電源向記錄線圈70供給預(yù)定的電流，向主磁極I流動磁通，產(chǎn)生磁場。
[0044]旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器2在主磁極I的前端部Ia與尾端防護件7的前端部7a之間，設(shè)置在寫間隙WG內(nèi)。
[0045]圖2是相對于圖1的剖切面從垂直方向觀察記錄頭的ABS面附近的圖。如圖所示，該高頻輔助磁記錄頭10具有在主磁極I上依次層疊了旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器2及尾端防護件7的構(gòu)造。在主磁極I的兩側(cè)，隔著絕緣層13設(shè)置有側(cè)防護件14，該側(cè)防護件14包含例如Fe、Co、Ni的單體或者含有Fe、Co、Ni中的至少2種的合金。
[0046]圖3是從ABS觀察圖2的圖。
[0047]旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器2可以在例如具備再現(xiàn)頭部的未圖示AlTiC基板上形成?？梢栽贏lTiC基板上形成主磁極I。
[0048]該旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器2是第I實施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的構(gòu)成的一例，具有在寫間隙WG方向依次形成了未圖示基底層、旋轉(zhuǎn)注入層3、中間層4及振蕩層5、未圖示覆蓋層的構(gòu)成。使用的旋轉(zhuǎn)注入層3其相對于旋轉(zhuǎn)注入層3的上浮面垂直方向的深度D2比相對于振蕩層5的上浮面垂直方向的深度Dl大。另外，旋轉(zhuǎn)注入層3的至少一部分隔著中間層4設(shè)置于相對于振蕩層5的上浮面垂直的深度方向的輪廓的外側(cè)的區(qū)域。進而，旋轉(zhuǎn)注入層3與輔助磁極7介由絕緣層6絕緣。
[0049]主磁極I包括Fe、Co、Ni的單體或含有Fe、Co及Ni中的至少2種金屬的合金等，且通過涂鍍法或濺射法制作。
[0050]主磁極I上表面通過實施CMP (Chemical Mechanical Polishing:化學機械拋光)而平坦化，在主磁極I上形成旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器2。
[0051]基底層用于使平滑性、結(jié)晶性提高，優(yōu)選使用例如Ta、Ti及Cr等浸潤性良好的材料，例如Cu、Au、Ag及Pt等電阻小的材料或它們的層疊構(gòu)造等。
[0052]旋轉(zhuǎn)注入層3可以使用以CoCrPt、CoCrTaXoCrTaPt及CoCrTaNb等CoCr類合金、TbFeCo 及 GdFeCo 等 RE-TM 類無定形合金、FeCo/N1、CoFe/N1、Co/N1、Co/Pt、Co/Pd 及 Fe/Pt等人工晶格、FePt類、FePd類、CoPt類及CoPd類的合金、SmCo類合金為代表的垂直磁化膜。
[0053]對于旋轉(zhuǎn)注入層3，例如可以使用層疊中間層4、振蕩層5的ABS12附近的層疊方向的膜厚Tl為5?20nm的膜。另外，若考慮中間層4和振蕩層5的寫間隙方向的膜厚，則振蕩層5的相對于ABS12垂直的深度方向的輪廓的外側(cè)區(qū)域的主磁極I的寫間隙方向的旋轉(zhuǎn)注入層的膜厚T2可以設(shè)為15?45nm的厚度。另外，旋轉(zhuǎn)注入層3的相對于上浮面垂直方向的深度D2可以設(shè)為50?150nm。旋轉(zhuǎn)注入層3由于從振蕩層5流入的旋轉(zhuǎn)扭矩的影響，優(yōu)選具有垂直磁化不會波動的程度的體積。例如，可以使用具有振蕩層5的體積的5?10倍的體積的旋轉(zhuǎn)注入層。
[0054]中間層4為了實現(xiàn)將來自旋轉(zhuǎn)注入層3的旋轉(zhuǎn)流送到振蕩層5的作用，中間層4優(yōu)選使用旋轉(zhuǎn)擴散長度長的材料。中間層4例如可以從Cu、Ag、Au及Al這樣的材料或它們的層疊構(gòu)造和/或合金選擇。
[0055]振蕩層5是Fe、Co、Ni單體或者包含F(xiàn)e、Co、Ni中的至少2種的合金，例如FeCo、FeNi 合金ο 另外，可以從 FeCoAl、CoFe、CoNiFe、NiFe、CoZrNb、FeN、FeS1、FeAlS1、FeCoAl、FeCoSi及CoFeB等飽和磁通密度比較大且在膜面內(nèi)方向具有磁各向異性的軟磁性層及CoIr等磁化在膜面內(nèi)方向取向的CoCr類的磁性合金膜選擇。另外，為了調(diào)整飽和磁化和/或各向異性磁場，也可以使用層疊了多種上述材料的層疊膜。例如，作為振蕩層5，可以使用高Bs軟磁性材料(FeCo/Ni層疊膜)膜。另外，振蕩層5的相對于上浮面垂直方向的深度Dl可以設(shè)為10?50nm。
[0056]覆蓋層以保護旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器2的目的而形成。作為覆蓋層，優(yōu)選使用Ta、T1、Cr、Ru、W等浸潤性良好的材料、Cu、Au、Ag等電阻小的材料或它們的層疊構(gòu)造等。
[0057]尾端防護件包含F(xiàn)e、Co及Ni等合金，用涂鍍法、濺射法等形成。
[0058]在圖4A至圖41中分別表示實施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的制造工序。
[0059]圖4A至圖41全部是以主磁極為中心相對于ABS面垂直地剖切且相對于剖切面從垂直方向觀察的圖。
[0060]首先，如圖4A所示，在主磁極I上進行旋轉(zhuǎn)注入層3、絕緣層6的成膜，在絕緣層6上通過光刻法形成用于進行圖案形成的掩模8。作為掩模，可以使用例如光致抗蝕劑。光致抗蝕劑通過旋涂法等形成?；蛘撸鳛檠谀?，可以使用硬掩模，該硬掩模使用了 C、S1、Ta、Cr、W及Mo等對離子銑削的耐性強的材料。
[0061]接著，如圖4B所示，在掩模包含光致抗蝕劑的情況下，通過曝光、顯影，在掩模包含硬掩模的情況下，使用采用了反應(yīng)性氣體的RIE (Reactive 1n Etching:反應(yīng)離子蝕刻)等，對掩模8進行圖案形成。
[0062]進而，如圖4C所示，進行用于使掩模8的圖案落入絕緣層6、旋轉(zhuǎn)注入層3的圖案形成。例如，使用離子銑削或者采用了反應(yīng)性氣體的RIE法，進行蝕刻至旋轉(zhuǎn)注入層的途中。
[0063]接著，如圖4D所示，進行中間層4及振蕩層5的成膜。
[0064]接著，如圖4E所示，作為進行揭離的前階段，通過離子銑削除去在光致抗蝕劑的側(cè)壁堆積的中間層4及振蕩層5。
[0065]接著，如圖4F所示，通過浸入溶解光致抗蝕劑的溶液來進行揭離，可以使絕緣層6露出。作為溶液，可以使用例如NMP (N-甲基-2-吡咯烷酮)。
[0066]接著，如圖4G所示，通過涂鍍法、濺射法等形成寫防護件7。
[0067]最后，如圖4H所示，通過沿著波狀線11從ABS方向進行研磨處理，如圖41所示，形成具有與圖2同樣的構(gòu)成的實施方式所涉及的高頻輔助磁記錄頭。
[0068]在圖5中示出表示第5實施方式所涉及的高頻輔助磁記錄頭的構(gòu)成的另一例的示意截面圖。
[0069]圖5表示第5實施方式所涉及的高頻輔助磁記錄頭20的ABS側(cè)的構(gòu)成。
[0070]使用的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器2是第2實施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的一例。
[0071]使用的旋轉(zhuǎn)注入層3除了下述方面以外，具有與圖3同樣的構(gòu)成，這些方面是??旋轉(zhuǎn)注入層3其與ABS12的寫間隙WG的方向垂直的幅度PW2比振蕩層5的與ABS12的寫間隙WG方向垂直的幅度即磁道寬度PWl大，且旋轉(zhuǎn)注入層3的至少一部分隔著中間層4設(shè)置于振蕩層5的磁道寬度方向的外側(cè)的區(qū)域。
[0072]另外，在圖6中表示沿著磁盤上的磁道中心對記錄頭進行剖切而相對于剖切后的面從垂直方向觀察記錄頭的ABS面附近的圖。
[0073]如圖所示，在對實施方式所涉及的高頻輔助磁記錄頭20從條紋高度方向觀察的情況下，旋轉(zhuǎn)注入層3除了下述方面以外，具有與圖1同樣的構(gòu)成，這些方面是:旋轉(zhuǎn)注入層3其與寫間隙WG方向垂直且相對于旋轉(zhuǎn)注入層3的上浮面垂直方向的深度D3與垂直于寫間隙WG方向且相對于振蕩層5的上浮面垂直方向的深度D4相同，與垂直于寫間隙WG方向且相對于中間層4的上浮面垂直方向的深度也相同，旋轉(zhuǎn)注入層3完全未設(shè)置在相對于振蕩層5的上浮面垂直的深度方向的輪廓外側(cè)的區(qū)域。
[0074]另外，通過將高頻輔助磁記錄頭的ABS側(cè)的構(gòu)成設(shè)為圖5、將從條紋高度方向觀察的圖設(shè)為圖2，可獲得第6實施方式所涉及的高頻輔助磁記錄頭。
[0075]另外，第6實施方式所涉及的高頻輔助磁記錄頭中所使用的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器成為第3實施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的一例。
[0076]在高頻輔助磁記錄頭中，旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器通過主磁極、寫防護件發(fā)揮電極的作用，可以施加電流I。進而，通過對旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器從主磁極按箭頭101的方向施加膜面垂直的外部磁場(H)，以與膜面大致垂直的軸作為旋轉(zhuǎn)軸，如箭頭102所示振蕩層進行旋進運動，由此在外部產(chǎn)生高頻磁場。為了產(chǎn)生更強的高頻磁場，可以增加振蕩層的飽和磁通密度Bs和振蕩層的體積(面積X膜厚)。為了使振蕩層穩(wěn)定地振蕩，需要更高的能量即提高所施加的電流密度，從旋轉(zhuǎn)注入層大量地注入極化了的電子。但是，若提高電流密度，則從振蕩層向旋轉(zhuǎn)注入層的旋轉(zhuǎn)扭矩也同時增大，旋轉(zhuǎn)注入層的磁化會波動，變得不穩(wěn)定，由此存在使振蕩層的振蕩不穩(wěn)定化、難以獲得充分的高頻磁場的趨勢。另外，為了使振蕩層的磁化Bs和厚度t大的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器振蕩，需要高電流密度，由于由旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器產(chǎn)生的焦耳熱，依元素擴散等會導致旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的層疊構(gòu)造破壞，會喪失作為旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器的功能，所以作為旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器而工作的可靠性會降低。雖然提出了增加旋轉(zhuǎn)注入層的體積、避免由來自振蕩層的旋轉(zhuǎn)扭矩產(chǎn)生的磁化的不穩(wěn)定性的構(gòu)造，但是對于產(chǎn)生高的高頻磁場而言是不充分的，需要向振蕩層注入更多的旋轉(zhuǎn)扭矩。
[0077]相對于此，使用實施方式所涉及的高頻輔助磁記錄頭，若在與振蕩層相比靠磁道寬度方向的外側(cè)的區(qū)域或者振蕩層的相對于上浮面垂直的深度方向的輪廓的外側(cè)區(qū)域還形成旋轉(zhuǎn)注入層，來將旋轉(zhuǎn)注入層與振蕩層之間的區(qū)域設(shè)得寬闊，則可以在該區(qū)域內(nèi)以更大面積形成中間層，由此由于能夠增大中間層與振蕩層接觸的面積，所以注入于振蕩層的旋轉(zhuǎn)變得更多。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定地產(chǎn)生更大的高頻磁場這一情況。
[0078]圖7是例示可以搭載實施方式所涉及的高頻輔助磁記錄頭的磁記錄再現(xiàn)裝置的概略構(gòu)成的主要部分立體圖。
[0079]即，磁記錄再現(xiàn)裝置150是使用了旋轉(zhuǎn)致動器的形式的裝置。在該圖中，記錄用介質(zhì)盤180安裝到轉(zhuǎn)軸157，由對來自未圖示驅(qū)動裝置控制部的控制信號進行響應(yīng)的未圖示馬達沿著箭頭A的方向進行旋轉(zhuǎn)。磁記錄再現(xiàn)裝置150也可以具備多個介質(zhì)盤180。
[0080]進行介質(zhì)盤180中存儲的信息的記錄再現(xiàn)的頭部滑塊103具備具有例如前面關(guān)于圖2及圖3所述構(gòu)成的磁頭10，安裝到薄膜狀的懸架154的前端。這里，頭部滑塊103例如在其前端附近搭載有實施方式所涉及的磁頭。
[0081]若介質(zhì)盤180旋轉(zhuǎn)，則頭部滑塊103的空氣支撐面(ABS)距介質(zhì)盤180的表面隔著預(yù)定的上浮量被保持。或者，也可以是滑塊與介質(zhì)盤180接觸的所謂“接觸行進型”。
[0082]懸架154連接于致動器臂155的一端，該致動器臂155具有保持未圖示的驅(qū)動線圈的線圈架部等。在致動器臂155的另一端設(shè)置有音圈馬達156。音圈馬達156包括:卷繞于致動器臂155的線圈架部的未圖示的驅(qū)動線圈、和包括以夾著該線圈的方式相對地配置的永久磁體及相對軛的磁路。
[0083]致動器臂155由設(shè)置于轉(zhuǎn)軸157的上下2個位置的未圖示的滾珠軸承保持，能夠通過音圈馬達156自由地進行旋轉(zhuǎn)滑動。
[0084]在圖8中示出表示實施方式涉及的磁頭組件的一例的概略圖。
[0085]圖8是從致動器臂155開始從盤側(cè)眺望前部的磁頭組件的放大立體圖。S卩，磁頭組件160具有致動器臂155，該致動器臂155例如具有保持驅(qū)動線圈的線圈架部等，在致動器臂155的一端連接著懸架154。
[0086]在懸架154的前端，安裝有具備例如圖2及圖3中所示的磁頭10的頭部滑塊103。懸架154具有信號的寫入以及讀取用的導線164，該導線164與組裝于頭部滑塊103的磁頭的各電極電連接。圖中，165是磁頭組件160的電極盤。
[0087]雖然說明了本發(fā)明的幾個實施方式，但是這些實施方式只是作為例子而提示的，并非要限定發(fā)明的范圍。這些新實施方式能夠以其他各種方式實施，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍，可以進行各種省略、置換、改變。這些實施方式和/或其變形包含于發(fā)明的范圍和/或主旨，也包含于權(quán)利要求所記載的發(fā)明及其均等的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器，包括: 旋轉(zhuǎn)注入層，其具有第I側(cè)面；中間層，其設(shè)置在上述旋轉(zhuǎn)注入層上，并具有與上述第I側(cè)面形成為一個面的第2側(cè)面；以及振蕩層，其設(shè)置在上述中間層上，并具有與第I側(cè)面設(shè)置為一個面的第3側(cè)面， 其中至少， 上述旋轉(zhuǎn)注入層的相對于第I側(cè)面垂直方向的深度比上述振蕩層的相對于第3側(cè)面垂直方向的深度大，且上述旋轉(zhuǎn)注入層的至少一部分隔著上述中間層設(shè)置于上述振蕩層的相對于第3側(cè)面垂直的深度方向的外側(cè)的區(qū)域，或者 上述旋轉(zhuǎn)注入層的第I側(cè)面的膜面方向的幅度比上述振蕩層的第3側(cè)面的膜面方向的幅度大，上述旋轉(zhuǎn)注入層的至少一部分隔著上述中間層設(shè)置于上述振蕩層的第3側(cè)面的膜面方向的外側(cè)的區(qū)域。2.一種高頻輔助磁記錄頭，具備: 主磁極，其對磁記錄介質(zhì)施加記錄磁場； 輔助磁極，其與該主磁極構(gòu)成磁路；以及 旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件，其設(shè)置在該主磁極與該輔助磁極之間， 其中，上述旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件包括:形成于上述主磁極及上述輔助磁極之中的一方上的旋轉(zhuǎn)注入層、形成于該旋轉(zhuǎn)注入層上的中間層以及形成于該中間層上的振蕩層， 其中至少， 上述旋轉(zhuǎn)注入層的與上浮面垂直的方向的深度比上述振蕩層的相對于上浮面垂直的深度大，上述旋轉(zhuǎn)注入層的至少一部分隔著上述中間層設(shè)置于上述振蕩層的相對于上浮面垂直的深度方向的外側(cè)的區(qū)域，且與上述輔助磁極絕緣，或者 上述旋轉(zhuǎn)注入層的與上浮面的寫間隙方向垂直的幅度比上述振蕩層的與上浮面的寫間隙方向垂直的幅度大，上述旋轉(zhuǎn)注入層的至少一部分隔著上述中間層設(shè)置于上述振蕩層的磁道寬度方向的外側(cè)的區(qū)域，且與上述輔助磁極絕緣。3.—種磁頭組件，具備: 權(quán)利要求2所述的高頻輔助磁記錄頭； 搭載了上述高頻輔助磁記錄頭的頭部滑塊； 在一端搭載上述頭部滑塊的懸架；以及 與上述懸架的另一端連接的致動器臂。4.一種磁記錄再現(xiàn)裝置，具備: 磁記錄介質(zhì)； 旋轉(zhuǎn)上述磁記錄介質(zhì)的驅(qū)動部；以及 對上述磁記錄介質(zhì)進行信息處理的、權(quán)利要求2所述的高頻輔助磁記錄頭。
【文檔編號】G11B5/23GK106067306SQ201510450671
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2015年7月28日 公開號201510450671.2, CN 106067306 A, CN 106067306A, CN 201510450671, CN-A-106067306, CN106067306 A, CN106067306A, CN201510450671, CN201510450671.2
【發(fā)明人】藤田倫仁, 鴻井克彥, 白鳥聰志, 清水真理子, 村上修一
【申請人】株式會社東芝