磁頭及磁盤裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的實施方式提供一種可提高向磁盤的寫入品質(zhì)的磁頭及磁盤裝置。實施方式的磁頭(15)與磁記錄介質(zhì)(12)相對配置，磁記錄介質(zhì)(12)具有在與介質(zhì)面大致垂直的方向上具有磁各向異性的記錄層，磁頭包括：主磁極(154c)，其包含軟磁性材料；磁軛(154a)，其配置成與主磁極接合；線圈(154b)，其繞磁軛的一部分纏繞；光照射部(155b)，其相對于主磁極配置在磁頭的行進方向上，向記錄層照射光；導光路(155a)，其向光照射部引導光；以及距離調(diào)整部(156)，其調(diào)整主磁極與光照射部之間的、在磁頭的行進方向上的距離。
【專利說明】磁頭及磁盤裝置
[0001]關(guān)聯(lián)申請
[0002]本申請享受以日本專利申請2014 — 179487號(申請日:2014年9月3日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎(chǔ)申請而包含該基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本實施方式涉及磁頭及磁盤裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]以往，公知有搭載有利用近場光(near-field light)對具有高保磁力的磁盤進行熱輔助磁記錄的磁頭的磁盤裝置。在這樣的裝置中，在該磁頭中，配置有產(chǎn)生近場光的近場光產(chǎn)生元件和對磁盤進行數(shù)據(jù)寫入的主磁極。這樣的裝置中，在對磁盤進行數(shù)據(jù)寫入時，借助由近場光產(chǎn)生元件所產(chǎn)生的近場光而臨時對磁盤進行局部加熱，對通過加熱而減弱了保磁力的磁盤的區(qū)域?qū)懭霐?shù)據(jù)。由此，可實現(xiàn)磁盤的記錄密度的高密度化。近年來，在這樣的磁盤裝置中，希望進一步提尚對磁盤與入的與入品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實施方式提供一種能夠提高對磁盤的寫入品質(zhì)的磁頭及磁盤裝置。
[0006]根據(jù)一種實施方式，磁頭與磁記錄介質(zhì)相對配置，磁記錄介質(zhì)具有在與介質(zhì)面大致垂直的方向上具有磁各向異性的記錄層。磁頭包括主磁極、磁軛、線圈、光照射部、導光路和距離調(diào)整部。主磁極包含軟磁性材料。磁軛配置成與主磁極接合。線圈繞磁軛的一部分纏繞。光照射部相對于主磁極配置在磁頭的行進方向上，向記錄層照射光。導光路向光照射部引導光。距離調(diào)整部調(diào)整主磁極與光照射部之間的、在磁頭的行進方向上的距離。
【附圖說明】
[0007]圖1是表示第一實施方式涉及的磁盤裝置的硬件構(gòu)成的框圖。
[0008]圖2是第一實施方式涉及的磁頭的剖視圖。
[0009]圖3是從磁頭的浮起面?zhèn)扔^察第一實施方式涉及的磁頭的一部分的圖。
[0010]圖4(a)?(e)是用于說明第一實施方式涉及的、在改變主磁極與近場光產(chǎn)生部之間的距離之前的信號寫入位置的圖。
[0011]圖5(a)及(b)是用于說明第一實施方式涉及的、在改變主磁極與近場光產(chǎn)生部之間的距離之后的信號寫入位置的圖。
[0012]圖6是表示第一實施方式涉及的、由MPU實現(xiàn)的功能構(gòu)成和ROM的內(nèi)部構(gòu)成的框圖。
[0013]圖7是表示第一實施方式涉及的壓電電壓設(shè)定處理的流程圖。
[0014]圖8是表示第一實施方式涉及的數(shù)據(jù)寫入處理的流程圖。
[0015]圖9是表示第二實施方式涉及的磁頭的剖視圖。
【具體實施方式】
[0016]以下，參照附圖詳細說明實施方式涉及的磁頭及磁盤裝置。此外，本發(fā)明并不限定于這些實施方式。
[0017](第一實施方式)
[0018]基于圖1至圖8說明第一實施方式。圖1是表示本實施方式的磁盤裝置I的硬件構(gòu)成的圖。磁盤裝置I具備盤盒(disk enclosure) Ia和電路基板lb。
[0019]盤盒Ia具備:殼體11、磁盤12、主軸13、SPM(主軸電機)14、磁頭15、滑塊16、懸架17、臂致動器18、VCM(音圈馬達)19和頭IC(integrated chip (集成芯片))20。另外，電路基板Ib具備電機驅(qū)動器IC21和SoC (system — on — a — chip) 22。此外，在圖1中為了簡化說明，將頭IC20配置于殼體11的外部，但實際上頭IC20配置于臂致動器18的預(yù)定部位。
[0020]磁盤12是記錄各種信息的圓盤狀的記錄介質(zhì)，被構(gòu)成為能夠以PMR(perpendicular magnetic recording)方式(垂直磁記錄方式)寫入。磁盤12具有在與磁盤12的介質(zhì)面大致垂直的方向具有磁各向異性的記錄層。并且，磁記錄層的磁性體通過由后述的磁頭15施加的磁場而被向與磁盤12的表面(介質(zhì)面)大致垂直的方向磁化。另外，磁盤12的磁記錄層使用在常溫下具有高保磁力的材料。
[0021]磁盤12經(jīng)由主軸13以可旋轉(zhuǎn)的方式固定于殼體11。SPM14通過對主軸賦予旋轉(zhuǎn)力而間接地使磁盤12旋轉(zhuǎn)。
[0022]關(guān)于磁頭15，詳細情況將后述，其構(gòu)成為對磁盤12進行信號和/或數(shù)據(jù)的讀寫。磁頭15設(shè)置在滑塊16的長度方向的端部，該滑塊16會受到由于磁盤12的旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的空氣流而在磁盤12上浮起。滑塊16經(jīng)由允許其浮起的懸架17而連接于臂致動器18。臂致動器18通過VCM19在沿著磁盤12的記錄面的方向上滑動。由此，磁頭15能夠?qū)Υ疟P12的任意部位進行信號和/或數(shù)據(jù)的讀寫。
[0023]頭IC20與磁頭15及SoC22電連接。頭IC20將通過磁頭15從磁盤12讀取的信號和/或數(shù)據(jù)放大，并輸出到后述的SoC22。另外，頭IC20將從SoC22輸出的信號和/或數(shù)據(jù)放大，向磁頭15輸出。進而，頭IC20將后述的測試電壓和/或壓電電壓向磁頭15輸出。
[0024]電機驅(qū)動器IC21與SPM14和VCM19、以及SoC22連接。電機驅(qū)動器IC21根據(jù)來自SoC22的控制信號來控制SPM14及VCM19，控制磁頭15相對于磁盤12的定位。
[0025]SoC22 具備:MPU (micro processing unit，微處理器)221、RAM (random accessmemory，隨機存取存儲器)222、R0M(read only memory，只讀存儲器)223、R/W(read write，讀寫)通道 224 和 HDC (hard disc controller，硬盤控制器)225。
[0026]MPU221 連接于電機驅(qū)動器 IC21、RAM222、R0M223、R/W 通道 224 和 HDC225。MPU221控制磁盤裝置I的各部的動作。具體而言，MPU221通過依次讀出R0M223所保存的固件和/或各種應(yīng)用程序并予以執(zhí)行，來控制磁盤裝置I的各部的動作。R0M223保存固件和/或各種應(yīng)用程序、以及執(zhí)行它們所需的各種數(shù)據(jù)。RAM222作為磁盤裝置I的主存儲器，提供MPU221執(zhí)行固件和/或應(yīng)用程序時的作業(yè)區(qū)域。
[0027]R/W通道224連接于MPU22UHDC225和頭IC20。R/W通道224對從HDC225輸出的數(shù)據(jù)進行預(yù)定的信號處理，并向頭IC20輸出。另外，R/W通道224將由MPU221生成的測試信號向頭IC20輸出。另外，R/W通道224生成光閘(X卜欠一卜)信號并向頭IC20輸出。另外，R/W通道224向頭IC20指示后述的測試電壓和/或壓電電壓的輸出。另外，R/W通道224對從頭IC20輸出的信號和/或數(shù)據(jù)進行預(yù)定的信號處理，并輸出到HDC225和/或 MPU221。
[0028]HDC225連接于MPU22UR/W通道224和未圖示的主機計算機。HDC225構(gòu)成與主機計算機的接口，將從主機計算機接收到的數(shù)據(jù)輸出到R/W通道224，另外將從R/W通道224接收到的數(shù)據(jù)向主機計算機輸出。
[0029]接著，基于圖2至圖3說明磁頭15的構(gòu)成。圖2是磁頭15的XY面的剖視圖。另夕卜，圖3是從磁盤12側(cè)觀察磁頭15的與磁盤12相對一面的一部分的俯視圖。此外，在此所述的頭行進方向是指通過磁盤12的旋轉(zhuǎn)而磁頭15相對于磁盤12相對移動的方向，是圖2及圖3中的+X方向。此外，圖2所示的X軸、Y軸及Z軸彼此正交，圖3所示的X軸、Y軸及Z軸彼此正交，圖2所示的X軸、Y軸及Z軸與圖3所示的X軸、Y軸及Z軸分別對應(yīng)。另夕卜，在以下的說明中，將磁頭15的與磁盤12相對的一面稱為磁頭15的浮起面F。另外，雖然省略了圖示，磁頭的浮起面F整體被例如ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂等的保護膜覆蓋。
[0030]最初，參照圖2說明磁頭15的構(gòu)成。此外，圖2也是用圖3所示的剖切線A — A剖切磁頭15而得到的剖視圖。如圖2所示，磁頭15大致包括:構(gòu)成為可讀取磁盤12中所寫入的信號和/或數(shù)據(jù)的再生部15a ;和構(gòu)成為可對磁盤12寫入信號和/或數(shù)據(jù)的記錄部15b。
[0031]再生部15a具備再生元件151和2個屏蔽件152、153。再生元件151在X軸方向上配置于2個屏蔽件152、153之間。另外，再生元件151的至少一部分隔著未圖示的保護膜而露出于浮起面F。再生元件151是TMR(tunnel magneto 一 resistance，隧道磁電阻)元件，通過感應(yīng)電流來讀取在磁盤12所寫入的信號和/或數(shù)據(jù)。2個屏蔽件152、153作為磁屏蔽件發(fā)揮作用，并作為向再生元件151供給感應(yīng)電流的電極發(fā)揮作用。在各屏蔽件152、153連接有未圖示的布線，從頭IC20施加用于對再生元件151供給感應(yīng)電流的電壓。此外，在本實施方式中，作為再生元件151以TMR元件為例進行了說明，但本實施方式不限于此，例如可以是GMR(giant magneto 一 resistance，巨磁電阻)元件等，只要是能夠讀取磁盤12中所寫入的數(shù)據(jù)的元件即可，可以采用任意構(gòu)成。
[0032]記錄部15b具備磁芯部154、光產(chǎn)生部155、壓電元件部156、磁極位置控制部157、散熱部158和硬性構(gòu)件159。
[0033]磁芯部154具備磁軛154a、線圈154b和主磁極154c。
[0034]磁軛154a由分別由高飽和密度材料形成的前部磁軛(leading yoke) 154al及后部磁軛(trailing yoke) 154a2而形成為一體。前部磁軛154al在圖2所示的磁頭15的截面具有大致倒F字形狀。后部磁軛154a2在圖2所示的磁頭15的截面具有使前部磁軛154al的大致倒F字形狀繞Y軸旋轉(zhuǎn)180°而成的形狀。前部磁軛154al和后部磁軛154a2彼此相對配置，在Y軸方向的中央部分(接近線圈154b的纏繞中心的部分)彼此連接。前部磁軛154al的位于浮起面F側(cè)的頂端部隔著保護膜露出于浮起面F。后部磁軛154a2的位于浮起面F側(cè)的頂端部被后述的壓電元件部156覆蓋。此外，本實施方式的前部磁軛154al及后部磁軛154a2可以使用彼此相同的材料形成，也可以使用不同材料形成。
[0035]線圈154b繞后部磁軛154a2的Y軸方向的中央部分纏繞。該線圈154b經(jīng)由未圖示的布線而連接于頭IC20，借助從頭IC20輸出的電流而由磁軛154a產(chǎn)生磁場。由線圈154b產(chǎn)生的磁場被從主磁極154c以與磁盤12的磁記錄面大致垂直的方式施加于磁盤12。
[0036]主磁極154c在后部磁軛154a2的位于浮起面F側(cè)的頂端部的頭行進方向前方，與后部磁軛154a2相鄰配置。主磁極154c隔著保護膜露出于浮起面F。主磁極154c與后部磁軛154a2不同，由高Bs材料形成。
[0037]光產(chǎn)生部155具備導光路155a和光照射部155b。
[0038]導光路155a在浮起面F的近旁在X軸方向上配置于光照射部155b與硬性構(gòu)件159之間。另外，導光路155a從浮起面F的近旁向圖2中的+Y方向延伸而與光源連接，將從光源供給的光(例如激光)向光照射部155b引導。此外，導光路155a的浮起面?zhèn)鹊亩瞬颗渲贸稍?Y方向從浮起面F離開。
[0039]光照射部155b在浮起面F的近旁，相對于主磁極154c被配置在頭行進方向的前方。更具體而言，光照射部155b在X軸方向上配置在后述的散熱部158與導光路155a之間。該光照射部155b具有長度為從光源供給的光的波長以下的開口部，通過從導光路155a導入的光而在開口部周邊形成近場光。并且，光照射部155b將所形成的近場光局部照射于磁盤12。S卩，光照射部155b產(chǎn)生近場光。由此，對于被局部照射了近場光的部位，對利用由主磁極154c產(chǎn)生的磁場進行的對磁盤12的信號和/或數(shù)據(jù)的寫入進行輔助。此外，導光路155a被配置成相對于浮起面F向離開磁盤12的方向上從浮起面F離開(相對于浮起面F凹陷)。
[0040]壓電兀件部156具備壓電兀件156a、兩個壓電電極156b、156c和兩個壓電端子156d、156e。
[0041]兩個壓電電極156b、156c相對于壓電兀件156a分別配置在X軸方向的兩端部，作為用于對壓電元件156a施加電壓的電極發(fā)揮作用。
[0042]兩個壓電端子156d、156e分別與電極156b、156c連接，經(jīng)由未圖示的布線而連接于頭IC20。
[0043]壓電元件156a以其長度方向沿著X軸方向的方式配置在浮起面F上。另外，壓電元件156a相對于主磁極154c配置在頭行進方向的后方。此外，在本實施方式中，壓電元件(匕。工'/素子)156a是壓電元件(圧電素子)。壓電元件156a按照來自頭IC20的指示而經(jīng)由壓電電極156b、156c施加電壓，由此在其長度方向伸長。其結(jié)果，壓電元件156a向頭行進方向推壓主磁極154c。換言之，壓電元件156a能夠使主磁極154c向+X方向移動。也就是說，壓電元件部156在頭行進方向上調(diào)整主磁極154c與光照射部155b之間的距離。
[0044]磁極位置控制部157在浮起面F的近旁，在X軸方向上配置于主磁極154c與散熱部158之間。磁極位置控制部157例如由Si02和/或LiAlSi04等形成，具有負的熱膨脹率。此外，在本實施方式中，說明了磁極位置控制部157因在向磁盤12進行數(shù)據(jù)寫入時的主磁極154c周邊的發(fā)熱而收縮的例子，但本實施方式不限于此。
[0045]散熱部158在浮起面F的近旁，X軸方向上配置在磁極位置控制部157與光照射部155b之間。散熱部158例如由金(Au)和/或銅(Cu)等高傳熱導體形成，例如將由在光照射部155b產(chǎn)生的近場光所致的多余熱量向外部散熱。
[0046]硬性構(gòu)件159在浮起面F的近旁，相對于光照射部155b而言配置在頭行進方向的前方。另外，硬性構(gòu)件159從浮起面F的近旁向圖2中的+Y方向延伸。硬性構(gòu)件159例如由低熱膨脹材料形成，這是為了在通過壓電元件156a的伸長使主磁極154c的位置向頭行進方向變動時，利用硬性構(gòu)件159防止光照射部155b的位置被向頭行進方向推壓而變動。
[0047]接著，說明浮起面F處的磁頭的主要構(gòu)成的配置。如圖3所示，磁頭15中，在其浮起面F，從磁頭15的頭行進方向的后方朝向前方，依次配置有壓電端子156d、壓電電極156b、壓電元件156a、壓電電極156c、主磁極154c、磁極位置控制部157、散熱部158、光照射部155b、硬性構(gòu)件159和前部磁軛154al。在此，在光照射部155b與硬性構(gòu)件159之間配置有導光路155a，但由于導光路155a從浮起面F凹陷，因此在浮起面F上未顯現(xiàn)出導光路155a0
[0048]另外，在安裝了利用近場光進行熱輔助磁記錄的磁頭的磁盤裝置中，考慮基于近場光的加熱與施加磁場的時機而配置近場光產(chǎn)生元件和主磁極。然而，由于磁盤裝置的制造時的誤差和/或磁盤的保磁力的微妙區(qū)別等，存在在溫度分布的梯度陡峭的位置無法施加磁場的情況。
[0049]圖4是用于說明由于磁盤裝置的制造時的誤差等而主磁極154c與光照射部155b離開地配置，在磁盤12的表面溫度的溫度分布的梯度陡峭的位置無法施加磁場的例子的圖。在該例中，如圖4(a)所示，在頭行進方向上，光照射部155b的位置xl與主磁極154c的位置x2離開了距離dl。
[0050]圖4(b)是將由圖4(a)所示的光照射部155b加熱后的磁盤12的表面溫度的溫度分布作為曲線H而示出的圖。另外，圖4(c)是將由于加熱而減弱了保磁力的磁盤12的磁性體磁化所需的磁場強度(以下，稱為反轉(zhuǎn)必要磁場強度)的分布作為曲線I而示出的圖。另外，圖4(d)是將主磁極154c所形成的寫入時的磁場強度的分布作為曲線J而示出的圖。圖4(e)是用同一圖示出曲線I和曲線J的圖。此外，圖4(a)至(e)中的X軸方向的位置彼此對應(yīng)。
[0051]從圖4明確可知，由光照射部155b加熱后的磁盤的反轉(zhuǎn)必要磁場強度的分布是圖4(c)的曲線I，主磁極154c所形成的寫入時的磁場強度的分布為圖4(d)的曲線J。因此，在主磁極154c和光照射部155b具有圖4(a)所不的位置關(guān)系時，關(guān)于寫入時的磁場，如圖4(e)所示，與反轉(zhuǎn)必要磁場強度的分布(曲線I)的梯度為最陡峭的梯度相比，在具有比較平緩的梯度的位置A施加寫入時的磁場。其結(jié)果，存在信噪比和/或比特錯誤率等的數(shù)據(jù)寫入時的品質(zhì)降低的隱患。
[0052]因此，在本實施方式中，在磁盤裝置組裝后、出廠前進行的測試等中，利用壓電元件部156調(diào)整主磁極154c與光照射部155b之間的距離。由此，可以在磁盤12的表面溫度的溫度分布的梯度陡峭的位置施加磁場。
[0053]圖5是用于說明利用壓電元件部156調(diào)整了主磁極154c與光照射部155b之間的距離后的例子的圖。在該例中，如圖5(a)所示，位于x2的虛線所示的距離調(diào)整前的主磁極154c向頭行進方向(圖5(a)的箭頭方向)移動到x3，主磁極154c與光照射部155b之間的距離改變?yōu)閐2。其結(jié)果，如圖5(b)所示，關(guān)于寫入時的磁場，能夠在反轉(zhuǎn)必要磁場強度的分布(曲線K)的梯度與其他位置的梯度相比、比較陡峭的位置B施加寫入時的磁場。由此，能夠提高信噪比和/或比特錯誤率等的數(shù)據(jù)寫入時的品質(zhì)。此外，圖5b中的曲線K是由光照射部155b加熱后的磁盤的反轉(zhuǎn)必要磁場強度的分布。另外，圖5b中的曲線L是主磁極154c所形成的寫入時的磁場強度的分布。
[0054]接著，說明在執(zhí)行用于調(diào)整主磁極154c與光照射部155b之間的距離的處理(以下，稱為壓電電壓設(shè)定處理)時由MPU221所實現(xiàn)的功能、和該處理時所參照的R0M223的各部。通過保存于R0M223的程序來執(zhí)行壓電電壓設(shè)定處理。
[0055]MPU221通過執(zhí)行R0M223中保存的程序，實現(xiàn)圖6所示的各功能(測試信號生成部2211、光閘控制部2212、壓電電壓控制部2213、R/W控制部2214、比特錯誤率運算部2215、比較運算部2216)。換言之，MPU221具備圖6所示的多個功能部。另外，R0M223包括壓電電壓保存部2231、壓電電壓.比特錯誤率保存部2232和信號保存部2233。在壓電電壓保存部2231預(yù)先保持有例如在磁盤裝置I的制造時確定的多個候選電壓值。在壓電電壓保存部2231保存有由壓電電壓設(shè)定處理特定的壓電電壓。測試電壓值和比特錯誤率相關(guān)聯(lián)地保存于測試電壓.比特錯誤率保存部2232。另外，從磁盤12讀取到的測試信號保存于信號保存部2233。
[0056]測試信號生成部2211在特定壓電電壓時，生成試驗性寫入磁盤12的預(yù)定的測試信號。光閘控制部2212控制基于R/W通道152的光閘信號的輸出。壓電電壓控制部2213進行從壓電電壓保存部2231獲取候選電壓值和/或壓電電壓值、并將與這些電壓值相應(yīng)的電壓施加于壓電元件部156的控制。R/W控制部2214進行將由測試信號生成部2211生成的測試信號寫入磁盤12的控制。另外，R/W控制部2214進行讀出寫入了磁盤12的測試信號并保存于信號保存部2233的控制。另外，比特錯誤率運算部2215對在信號保存部2233所保存的測試信號計算比特錯誤率。另外，比特錯誤率運算部2215將計算出的比特錯誤率與在寫入對應(yīng)的測試信號時所用的候選電壓值相關(guān)聯(lián)地保存于壓電電壓.比特錯誤率保存部2232。比較運算部2216將在壓電電壓?比特錯誤率保存部2232中保存的多個比特錯誤率相互比較，將與最低比特錯誤率相關(guān)聯(lián)的候選電壓值特定為壓電電壓值，將其保存于壓電電壓保存部2231。
[0057]接著，參照圖7說明壓電電壓設(shè)定處理的流程。圖7是壓電電壓設(shè)定處理的流程圖。首先，測試信號生成部2211生成測試信號(S1001)。光閘控制部2212控制R/W通道152而打開光閘(S1002)。
[0058]接著，壓電電壓控制部2213參照壓電電壓保存部2231，獲取所保存的多個候選電壓值中的任一個作為測試電壓值，基于獲取到的電壓值控制壓電元件部156的驅(qū)動(S1003)ο
[0059]接著，R/W控制部2214控制對磁盤12的測試信號的寫入(S1004)。具體而言，R/W控制部2214進行根據(jù)由測試信號生成部2211生成的測試信號來向磁頭15的線圈154b流入電流的控制。然后，R/W控制部2214判斷對磁盤12的測試信號的寫入是否已完成(S1005) ο在判斷為測試信號的寫入未完成的情況下(否:S1005)，R/W控制部2214重復(fù)進行S1005的處理直到測試信號的寫入完成。另一方面，在判斷為測試信號的寫入已完成的情況下(是:S1005)，光閘控制部2212關(guān)閉光閘(S1006)。
[0060]接著，R/W控制部2214進行讀出在磁盤12所寫入的測試信號的控制(S1007)。然后，R/W控制部2214將所讀出的測試信號保存于信號保存部2233(S1008)。其后，比特錯誤率運算部2215從信號保存部2233獲取測試信號，基于所獲取的測試信號算出比特錯誤率(S1009)。另外，比特錯誤率運算部2215，將向磁盤12寫入在S1009計算出比特錯誤率的測試信號時所使用的測試電壓值，與在S1009計算出的比特錯誤率相關(guān)聯(lián)地保存于測試電壓.比特錯誤率保存部2232 (SlOlO)。
[0061]接著，比較運算部2216判斷是否使用了在壓電電壓保存部2231中保存的多個候選電壓值的全部值進行了測試信號的寫入(SlOll)。在判斷為未使用候選電壓值的全部值進行了測試信號的寫入的情況下(否:S1011)，壓電電壓控制部2213將壓電電壓保存部2231中保存的候選電壓值中的尚未測試的候選電壓值設(shè)定為測試電壓值(S卩，改變測試電壓)(S1012)，重復(fù)從S1003開始的處理。
[0062]另一方面，比較運算部2216在判斷為使用了在壓電電壓保存部2231中保存的多個候選電壓值的全部值進行了測試信號的寫入的情況下(是:S1011)，比較在測試電壓?比特錯誤率保存部2232中保存的比特錯誤率，將與最低的比特錯誤率相關(guān)聯(lián)的候選電壓值特定為壓電電壓值(S1013)。然后，比較運算部2216將特定的壓電電壓值保存于壓電電壓保存部2231 (S1014)。由此，結(jié)束壓電電壓設(shè)定處理。
[0063]接著，參照圖8說明使用由壓電電壓設(shè)定處理設(shè)定的壓電電壓值來寫入數(shù)據(jù)時的處理。圖8是使用所保存的壓電電壓值的數(shù)據(jù)寫入處理的流程圖。此外，在此所述的數(shù)據(jù)的寫入處理是指將從個人計算機等指示了寫入的用戶數(shù)據(jù)寫入磁盤的處理。
[0064]最初，MPU221進行打開光閘的控制(S1021)。接著MPU221進行如下控制:獲取壓電電壓設(shè)定處理的結(jié)果、保存于壓電電壓保存部2231的壓電電壓值，并將與獲取到的壓電電壓值相應(yīng)的電壓施加于壓電元件部156(S1022)。由此，在頭行進方向上調(diào)整主磁極154c與光照射部155b之間的距離。
[0065]接著，MPU221控制對磁盤12的預(yù)定數(shù)據(jù)的寫入(S1023)。具體而言，MPU221進行將利用HDC225從主機計算機接收到的預(yù)定數(shù)據(jù)寫入磁盤12的控制。其后，MPU221判斷數(shù)據(jù)的寫入是否已完成(S1024)。其結(jié)果，在判斷為數(shù)據(jù)的寫入未完成的情況下(否:S1024)，重復(fù)進行S1024的處理直到數(shù)據(jù)的寫入完成。
[0066]另一方面，在判斷為數(shù)據(jù)的寫入已完成的情況下(是:S1024)，MPU221進行關(guān)閉光閘的控制(S1025)，結(jié)束處理。
[0067]如此，根據(jù)第一實施方式的磁盤裝置1，在磁頭15具備可調(diào)整主磁極154c與光照射部155b之間的距離的壓電元件部156。由此，可以在磁盤12的表面溫度的溫度分布的梯度陡峭的位置施加磁場，可獲得能夠提高信噪比和/或比特錯誤率等的對磁盤的寫入品質(zhì)這一效果。
[0068](第二實施方式)
[0069]接著，基于圖9說明第二實施方式。圖9是第二實施方式的磁頭25的剖視圖。本實施方式的磁頭25與第一實施方式的磁頭15的不同點在于，壓電元件部300的至少一部分在向+Y方向上配置在從浮起面F離開的位置。因而，在以下的說明中，對與第一實施方式相同的部分用相同符號表不，并省略說明。
[0070]如圖9所示，磁頭25在與磁盤12相對的一側(cè)，具備大致平坦的浮起面F和位于在+Y方向上從浮起面F離開的位置的大致平坦的面G。換言之，磁頭25在圖9的剖視下，在頭行進方向的后端具有凹部。并且，壓電元件部300中的至少一部分配置在面G上。另外，該凹部被ABS等保護膜400填充。保護膜400的浮起面?zhèn)扰c主磁極154c和/或光照射部155b等的浮起面?zhèn)榷夹纬蔀榇笾缕教?。[0071 ] 如此，根據(jù)第二實施方式的磁盤裝置，在磁頭25具備可調(diào)整主磁極154c與光照射部155b之間的距離的壓電元件部300。由此，可以在磁盤12的表面溫度的溫度分布的梯度陡峭的位置施加磁場，可獲得能夠提高信噪比和/或比特錯誤率等的對磁盤的寫入品質(zhì)這一效果。
[0072]另外，根據(jù)第二實施方式，將壓電元件部300的一部分配置成在離開磁盤12的方向上從浮起面F離開，在該浮起面?zhèn)仍O(shè)置保護膜400，由此利用保護膜400來保護壓電元件部300的一部分。由此，可獲得能夠保護較容易腐蝕的壓電電極等這一效果。
[0073]在第一及第二實施方式中，說明了在磁盤裝置組裝后、磁盤裝置出廠前的測試時進行壓電電壓設(shè)定處理的情況。但是，本實施方式不限于此，也可以在磁盤裝置出廠后進行壓電電壓設(shè)定處理。由此，即使在由于例如壓電元件的經(jīng)年劣化等而利用磁盤裝置出廠設(shè)定的壓電電壓無法適當?shù)鼐S持主磁極與近場光產(chǎn)生部之間的距離的情況下，也能重新設(shè)定適當?shù)膲弘婋妷骸?br>[0074]另外，在第一及第二實施方式中，說明了作為調(diào)整主磁極與近場光產(chǎn)生部之間的距離的構(gòu)成而使用壓電元件的情況。但是，本實施方式不限于此，只要是能夠調(diào)整主磁極與近場光產(chǎn)生部之間的距離的構(gòu)成、例如任意的壓電元件和/或電流驅(qū)動的元件等，可以采用任意的構(gòu)成。
[0075]另外，在第一及第二實施方式中，說明了通過對壓電元件施加電壓來縮短主磁極與近場光產(chǎn)生部之間的距離的情況。但是，本實施方式不限于此，只要是能夠?qū)⒅鞔艠O與近場光產(chǎn)生部之間的距離調(diào)整為可提高寫入品質(zhì)的距離的構(gòu)成、例如加長主磁極與近場光產(chǎn)生部之間的距離等，可以采用任意的構(gòu)成。
[0076]另外，在第一及第二實施方式中，說明了 MPU通過執(zhí)行ROM中保存的程序而具備測試信號生成部、光閘控制部、壓電電壓控制部、R/W控制部、比特錯誤率運算部、比較運算部(以下，稱為測試信號生成部等)的各部的例子。但是，本實施方式不限于此，測試信號生成部等中的至少任一個可以構(gòu)成為與MPU不同的1C。
[0077]另外，在第一及第二實施方式中，說明了基于測試信號計算比特錯誤率、基于比特錯誤率設(shè)定壓電電壓的例子。但是，本實施方式不限于此，可以構(gòu)成為:只要是例如HSC等、可驗證測試信號的寫入品質(zhì)的值，可計算任意的值。
[0078]說明了本發(fā)明的幾個實施方式，但這些實施方式是作為例子而示出，并不意圖限定發(fā)明的保護范圍。這些新實施方式可以用其他各種形態(tài)來實施，在不脫離發(fā)明要旨的范圍內(nèi)可進行各種省略、置換、變更。這些實施方式和/或其變形也包含于發(fā)明的保護范圍和/或要旨，并包含于權(quán)利要求書記載的發(fā)明和其等同的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種磁頭，與磁記錄介質(zhì)相對配置，所述磁記錄介質(zhì)具有在與介質(zhì)面大致垂直的方向上具有磁各向異性的記錄層，所述磁頭具備: 主磁極，其包含軟磁性材料； 磁軛，其配置成與所述主磁極接合； 線圈，其繞所述磁軛的一部分纏繞； 光照射部，其相對于所述主磁極配置在所述磁頭的行進方向，向所述記錄層照射光； 導光路，其向所述光照射部引導光；以及 距離調(diào)整部，其調(diào)整所述主磁極與所述光照射部之間的、所述磁頭的行進方向上的距離。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭， 所述光照射部，相對于所述主磁極配置在所述磁頭的行進方向的前方， 所述距離調(diào)整部，相對于所述主磁極配置在所述磁頭的行進方向的后方。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭， 所述磁頭還具備磁極位置控制部，所述磁極位置控制部具有負的熱膨脹系數(shù)，配置在所述主磁極與所述光照射部之間。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭， 所述磁頭還具備硬性構(gòu)件，所述硬性構(gòu)件相對于所述光照射部配置在所述磁頭的行進方向的前方，由低熱膨脹材料構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭， 所述距離調(diào)整部是壓電元件。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭， 所述光照射部基于從所述磁頭的外部導入的激光而產(chǎn)生近場光。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭， 所述磁頭在與所述磁記錄介質(zhì)相對的一側(cè)，具有大致平坦的第一面、和位于在離開所述磁記錄介質(zhì)的方向上從所述第一面離開的位置的大致平坦的第二面， 所述主磁極、所述光照射部以及所述距離調(diào)整部的一部分分別配置于所述第一面上， 所述距離調(diào)整部的另一部分配置在所述第二面上。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁頭， 所述磁頭還具備保護膜，所述保護膜在所述磁頭的與所述磁記錄介質(zhì)相對的一側(cè)覆蓋所述第二面， 所述保護膜的與所述磁記錄介質(zhì)相對的面，與所述第一面一起形成大致平坦的面。9.一種磁盤裝置，具備: 磁記錄介質(zhì)；和 權(quán)利要求1?8中任一項所述的磁頭。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁盤裝置， 所述磁盤裝置還具備存儲部和控制器， 在所述存儲部中，保存有與再生信號相關(guān)的信息， 所述控制器，基于在所述存儲部中保存的所述信息來控制所述距離調(diào)整部，由此在頭行進方向上調(diào)整所述主磁極與所述光照射部之間的距離。
【文檔編號】G11B5/56GK105989855SQ201510087766
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月26日
【發(fā)明人】井貝敏幸, 田口知子, 青木健郎, 青木健一郎
【申請人】株式會社東芝