本發(fā)明涉及布線電路基板及其制造方法。

背景技術(shù)：

以往以來，在各種電氣設(shè)備或者電子設(shè)備中使用布線電路基板。在日本特開2012－235013號公報中，作為在磁盤裝置中用于定位磁頭的布線電路基板，公開了一種帶電路的懸掛用基板。

在日本特開2012－235013號公報的布線電路基板中，在導(dǎo)電性的支承基板上形成絕緣性的基底層。在基底層上形成導(dǎo)體圖案。利用非電解鍍鎳在導(dǎo)體圖案的表面形成金屬覆膜。以將形成有金屬覆膜的導(dǎo)體圖案覆蓋的方式形成覆蓋層。以自覆蓋層暴露出來的方式在導(dǎo)體電路圖案的端部形成連接端子。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在所述布線電路基板中，通過在導(dǎo)體圖案的表面形成金屬覆膜，使導(dǎo)體圖案與覆蓋層之間的密合性得到提高。由此，可防止導(dǎo)體圖案的腐蝕。但是，日本特開2012－235013號公報的布線電路基板在高頻帶中的電信號的傳送損失較高。

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠防止導(dǎo)體圖案的腐蝕并且在高頻帶中還降低電信號的傳送損失的布線電路基板及其制造方法。

本發(fā)明人進(jìn)行了各種實驗及研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)如下內(nèi)容而想到了以下的發(fā)明：通過使導(dǎo)體圖案中的構(gòu)成布線的部分(以下，稱作布線部)與覆蓋該布線部的絕緣層之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的金屬層，從而能夠在高頻帶中降低電信號的傳送損失。

此外，本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)如下內(nèi)容而想到了以下的發(fā)明：即使在布線部與覆蓋該布線部的絕緣層之間存在具有鎳的磁性以上的磁性的金屬層的情況下，通過將該金屬層的長度相對于布線部的全長的比例設(shè)定為40％以下，也能夠在高頻帶中降低電信號的傳送損失。

(1)本發(fā)明的一技術(shù)方案的布線電路基板包括：第1絕緣層；導(dǎo)體圖案，其形成在第1絕緣層上，具有端子部和自端子部延伸的布線部；第1金屬覆蓋層，其以將布線部和端子部覆蓋并且從端子部的表面上向布線部的表面上連續(xù)地延伸的方式設(shè)置；以及第2絕緣層，其以將第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分覆蓋并且不將第1金屬覆蓋層中的覆蓋端子部的部分覆蓋的方式設(shè)在第1絕緣層上，第1金屬覆蓋層與布線部接觸，第2絕緣層與第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸，第1金屬覆蓋層具有比鎳的磁性低的磁性。

在該布線電路基板中，以覆蓋布線部的方式設(shè)置第1金屬覆蓋層，以將第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分覆蓋的方式設(shè)置第2絕緣層。第1金屬覆蓋層與布線部接觸，第2絕緣層與第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸。在該情況下，在布線部與第2絕緣層之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的層。由此，在高頻帶中也能夠降低電信號的傳送損失。

并且，第2絕緣層與第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸，從而第2絕緣層與布線部之間的密合性提高。而且，第1金屬覆蓋層形成為從端子部的表面上向布線部的表面上連續(xù)地延伸。由此，能夠防止空氣、水或者化學(xué)溶液等流體從第2絕緣層的外部進(jìn)入第1金屬覆蓋層的內(nèi)部。因而，能夠防止導(dǎo)體圖案的端子部與布線部之間的交界及其附近發(fā)生腐蝕。

(2)本發(fā)明的另一技術(shù)方案的布線電路基板包括：第1絕緣層；導(dǎo)體圖案，其形成在第1絕緣層上，具有端子部和自端子部延伸的布線部；第1金屬覆蓋層，其以將布線部的一部分和端子部覆蓋并且從端子部的表面上向布線部的表面上連續(xù)地延伸的方式設(shè)置；以及第2絕緣層，其以將第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的一部分的部分和布線部中的沒有被第1金屬覆蓋層覆蓋的其他部分覆蓋并且不將第1金屬覆蓋層中的覆蓋端子部的部分覆蓋的方式設(shè)在第1絕緣層上，第1金屬覆蓋層與布線部的一部分接觸并且在布線部的表面上延伸至距端子部與布線部之間的交界上的位置3μm以上的位置，第2絕緣層與第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸并且與布線部的其他部分接觸，第1金屬覆蓋層具有比鎳的磁性低的磁性。

在該布線電路基板中，以覆蓋布線部的一部分和端子部的方式設(shè)置第1金屬覆蓋層，以將第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的一部分的部分和布線部中的沒有被第1金屬覆蓋層覆蓋的其他部分覆蓋的方式設(shè)置第2絕緣層。第1金屬覆蓋層與布線部的一部分接觸，第2絕緣層與第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸并且與布線部的其他部分接觸。在該情況下，在布線部與第2絕緣層之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的層。由此，在高頻帶中也能夠降低電信號的傳送損失。

并且，第2絕緣層與第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸，第1金屬覆蓋層在布線部的表面上延伸至距端子部與布線部之間的交界上的位置3μm以上的位置。由此，在導(dǎo)體圖案的端子部與布線部之間的交界的附近，第2絕緣層與布線部之間的密合性提高。而且，第1金屬覆蓋層形成為從端子部的表面上向布線部的表面上連續(xù)地延伸。由此，能夠防止空氣、水或者化學(xué)溶液等流體從第2絕緣層的外部進(jìn)入第1金屬覆蓋層的內(nèi)部。因而，能夠防止導(dǎo)體圖案的端子部與布線部之間的交界及其附近發(fā)生腐蝕。

(3)本發(fā)明的又一技術(shù)方案的布線電路基板包括：第1絕緣層；導(dǎo)體圖案，其形成在第1絕緣層上，具有端子部和自端子部延伸的布線部；第1金屬覆蓋層，其以將布線部的一部分和端子部覆蓋并且從端子部的表面上向布線部的表面上連續(xù)地延伸的方式設(shè)置；以及第2絕緣層，其以將第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的一部分的部分和布線部中的沒有被第1金屬覆蓋層覆蓋的其他部分覆蓋并且不將第1金屬覆蓋層中的覆蓋端子部的部分覆蓋的方式設(shè)在第1絕緣層上，第1金屬覆蓋層與布線部的一部分接觸并且在布線部的表面上延伸至距端子部與布線部之間的交界上的位置3μm以上的位置，第2絕緣層與第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸并且與布線部的其他部分接觸，第1金屬覆蓋層的覆蓋布線部的一部分的部分的長度相對于布線部的全長的比例為40％以下。

在該布線電路基板中，以覆蓋布線部的一部分和端子部的方式設(shè)置第1金屬覆蓋層，以將第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的一部分的部分和布線部中的沒有被第1金屬覆蓋層覆蓋的其他部分覆蓋的方式設(shè)置第2絕緣層。第1金屬覆蓋層與布線部的一部分接觸，第2絕緣層與第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸并且與布線部的其他部分接觸。

這里，第1金屬覆蓋層的覆蓋布線部的一部分的部分的長度相對于布線部的全長的比例為40％以下。在該情況下，在相對于布線部的全長而言的60％以上的長度的范圍內(nèi)，在布線部與第2絕緣層之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的層。由此，在高頻帶中也能夠降低電信號的傳送損失。

并且，第2絕緣層與第1金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸，第1金屬覆蓋層在布線部的表面上延伸至距端子部與布線部之間的交界上的位置3μm以上的位置。由此，在導(dǎo)體圖案的端子部與布線部之間的交界的附近，第2絕緣層與布線部之間的密合性提高。而且，第1金屬覆蓋層形成為從端子部的表面上向布線部的表面上連續(xù)地延伸。由此，能夠防止空氣、水或者化學(xué)溶液等流體從第2絕緣層的外部進(jìn)入第1金屬覆蓋層的內(nèi)部。因而，能夠防止導(dǎo)體圖案的端子部與布線部之間的交界及其附近發(fā)生腐蝕。

(4)也可以是，第1金屬覆蓋層在布線部的表面上延伸至距端子部與布線部之間的交界上的位置5μm以上的位置。

在該情況下，在導(dǎo)體圖案的端子部與布線部之間的交界的附近，第2絕緣層與布線部之間的密合性進(jìn)一步提高。

(5)也可以是，第1金屬覆蓋層含有金、銀、鉻、錫和鉑中的至少一種金屬。

在該情況下，能夠根據(jù)布線電路基板的用途使用比較合適的金屬作為第1金屬覆蓋層。

(6)也可以是，第1金屬覆蓋層含有鎳、金、銀、鉻、錫和鉑中的至少一種金屬。

在該情況下，能夠根據(jù)布線電路基板的用途使用更合適的金屬作為第1金屬覆蓋層。

(7)也可以是，布線電路基板還包括第2金屬覆蓋層，該第2金屬覆蓋層用于將第1金屬覆蓋層中的覆蓋端子部的部分覆蓋。

在該情況下，能夠利用導(dǎo)體圖案的端子部、第1金屬覆蓋層和第2金屬覆蓋層形成連接端子。由此，能夠利用第2金屬覆蓋層使連接端子的表面狀態(tài)工整。

(8)也可以是，第1金屬覆蓋層的至少一部分包括彼此層疊的第1金屬層和第2金屬層。

在該情況下，布線電路基板的第1金屬覆蓋層的結(jié)構(gòu)的自由度提高。

(9)也可以是，布線電路基板還包括：端子阻隔層，其用于將第1金屬覆蓋層中的覆蓋端子部的部分覆蓋；以及端子表面層，其用于覆蓋端子阻隔層，導(dǎo)體圖案含有銅，端子表面層含有金，端子阻隔層含有鎳或者鈀。

在該情況下，能夠利用端子阻隔層抑制銅成分自導(dǎo)體圖案向端子表面層擴散。由此，能夠抑制由銅成分向端子表面層的金擴散引起的端子表面層的耐腐蝕性以及潤濕性的降低。

(10)也可以是，布線電路基板還包括端子表面層，該端子表面層形成為將第1金屬覆蓋層中的覆蓋端子部的部分覆蓋并且不與導(dǎo)體圖案接觸，導(dǎo)體圖案含有銅，端子表面層含有金，第1金屬覆蓋層含有鎳。

在該情況下，能夠利用第1金屬覆蓋層抑制銅成分自導(dǎo)體圖案向端子表面層擴散。由此，能夠抑制由銅成分向端子表面層的金擴散引起的端子表面層的耐腐蝕性以及潤濕性的降低。

(11)也可以是，布線電路基板還包括上部導(dǎo)體圖案，該上部導(dǎo)體圖案形成在第2絕緣層上，上部導(dǎo)體圖案的至少一部分與導(dǎo)體圖案重疊。由此，導(dǎo)體圖案與上部導(dǎo)體圖案的至少一部分上下層疊，因此能夠?qū)崿F(xiàn)布線電路基板的小型化，并且布線電路基板的設(shè)計自由度提高。

(12)也可以是，布線電路基板還包括：上部導(dǎo)體圖案，其形成在第2絕緣層上，具有上部端子部和自上部端子部延伸的上部布線部；上部金屬覆蓋層，其以將上部布線部的一部分和上部端子部覆蓋并且從上部端子部的表面上向上部布線部的表面上連續(xù)地延伸的方式設(shè)置；以及第3絕緣層，其以將上部金屬覆蓋層中的覆蓋上部布線部的一部分的部分和上部布線部中的沒有被上部金屬覆蓋層覆蓋的其他部分覆蓋并且不將上部金屬覆蓋層中的覆蓋上部端子部的部分覆蓋的方式設(shè)在第2絕緣層上，上部導(dǎo)體圖案的至少一部分與導(dǎo)體圖案重疊，上部金屬覆蓋層與上部布線部的一部分接觸并且在上部布線部的表面上延伸至距上部端子部與上部布線部之間的交界上的位置3μm以上的位置，第3絕緣層與上部金屬覆蓋層中的覆蓋上部布線部的部分接觸并且與上部布線部的其他部分接觸，上部金屬覆蓋層的覆蓋上部布線部的一部分的部分的長度相對于上部布線部的全長的比例為40％以下。

在該情況下，在相對于上部布線部的全長而言的60％以上的長度的范圍內(nèi)，在上部布線部與第3絕緣層之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的層。由此，對于導(dǎo)體圖案和上部導(dǎo)體圖案，在高頻帶中也能夠降低電信號的傳送損失。

并且，第3絕緣層與上部金屬覆蓋層中的覆蓋上部布線部的部分接觸。上部金屬覆蓋層從上部端子部的表面上向上部布線部的表面上連續(xù)地延伸，并且在上部布線部的表面上延伸至距上部端子部與上部布線部之間的交界上的位置3μm以上的位置。由此，能夠防止上部導(dǎo)體圖案的上部端子部與上部布線部之間的交界及其附近發(fā)生腐蝕。

而且，導(dǎo)體圖案與上部導(dǎo)體圖案的至少一部分上下層疊，因此能夠?qū)崿F(xiàn)布線電路基板的小型化，并且布線電路基板的設(shè)計自由度提高。

(13)也可以是，布線電路基板還包括：上部導(dǎo)體圖案，其形成在第2絕緣層上，具有上部端子部和自上部端子部延伸的上部布線部；上部金屬覆蓋層，其以將上部布線部和上部端子部覆蓋并且從上部端子部的表面上向上部布線部的表面上連續(xù)地延伸的方式設(shè)置；以及第3絕緣層，其以將上部金屬覆蓋層中的覆蓋上部布線部的部分覆蓋并且不將上部金屬覆蓋層中的覆蓋上部端子部的部分覆蓋的方式設(shè)在第2絕緣層上，上部導(dǎo)體圖案的至少一部分與導(dǎo)體圖案重疊，上部金屬覆蓋層與上部布線部接觸，第3絕緣層與上部金屬覆蓋層中的覆蓋上部布線部的部分接觸，上部金屬覆蓋層具有比鎳的磁性低的磁性。

在該情況下，在上部布線部與第3絕緣層之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的層。由此，在高頻帶中也能夠降低電信號的傳送損失。

并且，第3絕緣層與上部金屬覆蓋層中的覆蓋上部布線部的部分接觸，上部金屬覆蓋層從上部端子部的表面上向上部布線部的表面上連續(xù)地延伸。由此，能夠防止上部導(dǎo)體圖案的上部端子部與上部布線部之間的交界及其附近發(fā)生腐蝕。

而且，導(dǎo)體圖案與上部導(dǎo)體圖案的至少一部分上下層疊，因此能夠?qū)崿F(xiàn)布線電路基板的小型化，并且布線電路基板的設(shè)計自由度提高。

(14)也可以是，布線電路基板還包括：上部導(dǎo)體圖案，其形成在第2絕緣層上，具有上部端子部和自上部端子部延伸的上部布線部；上部金屬覆蓋層，其以將上部布線部的一部分和上部端子部覆蓋并且從上部端子部的表面上向上部布線部的表面上連續(xù)地延伸的方式設(shè)置；以及第3絕緣層，其以將上部金屬覆蓋層中的覆蓋上部布線部的一部分的部分和上部布線部的沒有被上部金屬覆蓋層覆蓋的其他部分覆蓋并且不將上部金屬覆蓋層中的覆蓋上部端子部的部分覆蓋的方式設(shè)在第2絕緣層上，上部導(dǎo)體圖案的至少一部分與導(dǎo)體圖案重疊，上部金屬覆蓋層與上部布線部的一部分接觸并且在上部布線部的表面上延伸至距上部端子部與上部布線部之間的交界上的位置3μm以上的位置，第3絕緣層與上部金屬覆蓋層中的覆蓋上部布線部的部分接觸并且與上部布線部的其他部分接觸，上部金屬覆蓋層具有比鎳的磁性低的磁性。

在該情況下，在上部布線部與第3絕緣層之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的層。由此，在高頻帶中也能夠降低電信號的傳送損失。

并且，第3絕緣層與上部金屬覆蓋層中的覆蓋上部布線部的部分接觸。上部金屬覆蓋層從上部端子部的表面上向上部布線部的表面上連續(xù)地延伸，并且在上部布線部的表面上延伸至距上部端子部與上部布線部之間的交界上的位置3μm以上的位置。由此，能夠防止上部導(dǎo)體圖案的上部端子部與上部布線部之間的交界及其附近發(fā)生腐蝕。

而且，導(dǎo)體圖案與上部導(dǎo)體圖案的至少一部分上下層疊，因此能夠?qū)崿F(xiàn)布線電路基板的小型化，并且布線電路基板的設(shè)計自由度提高。

(15)也可以是，布線電路基板還包括：下部絕緣層；以及下部導(dǎo)體圖案，其形成在下部絕緣層上，第1絕緣層以覆蓋下部導(dǎo)體圖案的至少一部分的方式形成在下部絕緣層上，導(dǎo)體圖案的至少一部分與下部導(dǎo)體圖案重疊。由此，導(dǎo)體圖案與下部導(dǎo)體圖案的至少一部分上下層疊，因此能夠?qū)崿F(xiàn)布線電路基板的小型化，并且布線電路基板的設(shè)計自由度提高。

(16)本發(fā)明的又一技術(shù)方案的布線電路基板的制造方法包括以下工序：將具有端子部和自端子部延伸的布線部的導(dǎo)體圖案形成在第1絕緣層上；利用具有比鎳的磁性低的磁性的金屬以這樣的方式形成金屬覆蓋層，該金屬覆蓋層覆蓋布線部和端子部的同時，從端子部的表面上向布線部的表面上連續(xù)地延伸，并且與布線部接觸；以及在第1絕緣層上以這樣的方式形成第2絕緣層，該第2絕緣層將金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分覆蓋的同時，不將金屬覆蓋層中的覆蓋端子部的部分覆蓋，并且與金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸。

在該布線電路基板的制造方法中，以覆蓋布線部的方式設(shè)置金屬覆蓋層，以將金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分覆蓋的方式設(shè)置第2絕緣層。金屬覆蓋層與布線部接觸，第2絕緣層與金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸。在該情況下，在布線部與第2絕緣層之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的層。由此，在高頻帶中也能夠降低電信號的傳送損失。

并且，第2絕緣層與金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸，從而第2絕緣層與布線部之間的密合性提高。而且，金屬覆蓋層形成為從端子部的表面上向布線部的表面上連續(xù)地延伸。由此，能夠防止空氣、水或者化學(xué)溶液等流體從第2絕緣層的外部進(jìn)入金屬覆蓋層的內(nèi)部。因而，能夠防止導(dǎo)體圖案的端子部與布線部之間的交界及其附近發(fā)生腐蝕。

(17)本發(fā)明的再一技術(shù)方案的布線電路基板的制造方法包括以下工序：將具有端子部和自端子部延伸的布線部的導(dǎo)體圖案形成在第1絕緣層上；利用具有比鎳的磁性低的磁性的金屬以這樣的方式形成金屬覆蓋層，該金屬覆蓋層覆蓋布線部的一部分和端子部的同時，從端子部的表面上向布線部的表面上連續(xù)地延伸，并且與布線部的一部分接觸；以及在第1絕緣層上以這樣的方式形成將第2絕緣層，該第2絕緣層將金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的一部分的部分和布線部中的沒有被金屬覆蓋層覆蓋的其他部分覆蓋的同時，不將金屬覆蓋層中的覆蓋端子部的部分覆蓋，并且與金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸并且與布線部的其他部分接觸，在形成金屬覆蓋層的工序中，將金屬覆蓋層形成為在布線部的表面上延伸至距端子部與布線部之間的交界上的位置3μm以上的位置。

在該布線電路基板的制造方法中，以覆蓋布線部的一部分和端子部的方式設(shè)置金屬覆蓋層，以將金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的一部分的部分和布線部中的沒有被金屬覆蓋層覆蓋的其他部分覆蓋的方式設(shè)置第2絕緣層。金屬覆蓋層與布線部的一部分接觸，第2絕緣層與金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸并且與布線部的其他部分接觸。在該情況下，在布線部與第2絕緣層之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的層。由此，在高頻帶中也能夠降低電信號的傳送損失。

并且，第2絕緣層與金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸，金屬覆蓋層在布線部的表面上延伸至距端子部與布線部之間的交界上的位置3μm以上的位置。由此，在導(dǎo)體圖案的端子部與布線部之間的交界的附近，第2絕緣層與布線部之間的密合性提高。而且，金屬覆蓋層形成為從端子部的表面上向布線部的表面上連續(xù)地延伸。由此，能夠防止空氣、水或者化學(xué)溶液等流體從第2絕緣層的外部進(jìn)入金屬覆蓋層的內(nèi)部。因而，能夠防止導(dǎo)體圖案的端子部與布線部之間的交界及其附近發(fā)生腐蝕。

(18)本發(fā)明的再一技術(shù)方案的布線電路基板的制造方法包括以下工序：將具有端子部和自端子部延伸的布線部的導(dǎo)體圖案形成在第1絕緣層上；以這樣的方式形成金屬覆蓋層，該金屬覆蓋層覆蓋布線部的一部分和端子部的同時，從端子部的表面上向布線部的表面上連續(xù)地延伸，并且與布線部的一部分接觸；以及在第1絕緣層上以這樣的方式形成第2絕緣層，該第2絕緣層將金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的一部分的部分和布線部中的沒有被金屬覆蓋層覆蓋的其他部分覆蓋的同時，不將金屬覆蓋層中的覆蓋端子部的部分覆蓋，并且與金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸并且與布線部的其他部分接觸，在形成金屬覆蓋層的工序中，將金屬覆蓋層形成為在布線部的表面上延伸至距端子部與布線部之間的交界上的位置3μm以上的位置，金屬覆蓋層的覆蓋布線部的一部分的部分的長度相對于布線部的全長的比例被設(shè)定為40％以下。

在該布線電路基板的制造方法中，以覆蓋布線部的一部分和端子部的方式設(shè)置金屬覆蓋層，以將金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的一部分的部分和布線部中的沒有被金屬覆蓋層覆蓋的其他部分覆蓋的方式設(shè)置第2絕緣層。金屬覆蓋層與布線部的一部分接觸，第2絕緣層與金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸并且與布線部的其他部分接觸。

這里，金屬覆蓋層的覆蓋布線部的一部分的部分的長度相對于布線部的全長的比例為40％以下。在該情況下，在相對于布線部的全長而言的60％以上的長度的范圍內(nèi)，在布線部與第2絕緣層之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的層。由此，在高頻帶中也能夠降低電信號的傳送損失。

并且，第2絕緣層與金屬覆蓋層中的覆蓋布線部的部分接觸，金屬覆蓋層在布線部的表面上延伸至距端子部與布線部之間的交界上的位置3μm以上的位置。由此，在導(dǎo)體圖案的端子部與布線部之間的交界的附近，第2絕緣層與布線部之間的密合性提高。而且，金屬覆蓋層形成為從端子部的表面上向布線部的表面上連續(xù)地延伸。由此，能夠防止空氣、水或者化學(xué)溶液等流體從第2絕緣層的外部進(jìn)入金屬覆蓋層的內(nèi)部。因而，能夠防止導(dǎo)體圖案的端子部與布線部之間的交界及其附近發(fā)生腐蝕。

附圖說明

圖1是第1實施方式的懸掛基板的俯視圖，

圖2的(a)～(c)是連接端子及其周邊部分的俯視圖，

圖3的(a)～(c)是連接端子及其周邊部分的俯視圖，

圖4的(a)～(c)是連接端子及其周邊部分的俯視圖，

圖5的(a)～(c)是連接端子及其周邊部分的剖視圖，

圖6的(a)～(c)是表示圖1的懸掛基板的制造工序的示意性工序圖，

圖7的(a)和(b)是表示圖1的懸掛基板的制造工序的示意性工序圖，

圖8的(a)～(c)是表示圖1的懸掛基板的制造工序的示意性工序圖，

圖9的(a)和(b)是表示圖1的懸掛基板的制造工序的示意性工序圖，

圖10的(a)和(b)是表示第2實施方式的懸掛基板的局部的俯視圖和剖視圖，

圖11的(a)和(b)是表示第3實施方式的懸掛基板的局部的俯視圖和剖視圖，

圖12的(a)和(b)是表示第4實施方式的懸掛基板的局部的俯視圖和剖視圖，

圖13是表示第4實施方式的懸掛基板的另一例的俯視圖，

圖14的(a)和(b)是表示第5實施方式的懸掛基板的局部的俯視圖和剖視圖，

圖15的(a)和(b)是表示第1實施方式的懸掛基板的連接端子的另一構(gòu)成例的俯視圖和剖視圖，

圖16的(a)和(b)是表示第2實施方式的懸掛基板的連接端子的另一構(gòu)成例的俯視圖和剖視圖，

圖17的(a)和(b)是表示第5實施方式的懸掛基板的連接端子的另一構(gòu)成例的俯視圖和剖視圖，

圖18的(a)和(b)是表示第4實施方式的懸掛基板的連接端子的另一構(gòu)成例的俯視圖和剖視圖，

圖19的(a)和(b)是表示第4實施方式的懸掛基板的連接端子的又一構(gòu)成例的俯視圖和剖視圖，

圖20的(a)和(b)是表示第5實施方式的懸掛基板的連接端子的又一構(gòu)成例的俯視圖和剖視圖，

圖21是其他實施方式的懸掛基板的俯視圖，

圖22的(a)～(c)是圖21的懸掛基板的連接端子及其周邊部分的俯視圖，

圖23的(a)～(c)是圖21的懸掛基板的連接端子及其周邊部分的剖視圖，

圖24的(a)～(c)是表示圖21的懸掛基板的制造工序的示意性工序圖，

圖25的(a)～(c)是表示圖21的懸掛基板的制造工序的示意性工序圖，

圖26的(a)～(c)是表示圖21的懸掛基板的制造工序的示意性工序圖，

圖27的(a)～(c)是表示圖21的懸掛基板的制造工序的示意性工序圖，

圖28的(a)～(c)是表示圖21的懸掛基板的制造工序的示意性工序圖，

圖29的(a)～(c)是表示在圖21的懸掛基板的基底絕緣層的一部分上形成有開口部的例子的圖，

圖30的(a)～(c)是表示在圖21的懸掛基板的基底絕緣層的一部分上形成有開口部的例子的圖，

圖31的(a)～(c)是表示在圖30的(a)～(c)的懸掛基板中晶種層的暴露的部分被除去了的狀態(tài)的圖，

圖32的(a)和(b)是表示上下層疊的兩個導(dǎo)體圖案及與它們相對應(yīng)的兩個連接端子的第1構(gòu)成例的剖視圖，

圖33的(a)和(b)是表示上下層疊的兩個導(dǎo)體圖案及與它們相對應(yīng)的兩個連接端子的第2構(gòu)成例的剖視圖，

圖34的(a)和(b)是表示上下層疊的兩個導(dǎo)體圖案及與它們相對應(yīng)的兩個連接端子的第3構(gòu)成例的剖視圖，

圖35的(a)和(b)是表示上下層疊的兩個導(dǎo)體圖案及與它們相對應(yīng)的兩個連接端子的第4構(gòu)成例的剖視圖，

圖36的(a)和(b)是表示上下層疊的兩個導(dǎo)體圖案及與它們相對應(yīng)的兩個連接端子的第5構(gòu)成例的剖視圖，

圖37的(a)和(b)是表示上下層疊的兩個導(dǎo)體圖案及與它們相對應(yīng)的兩個連接端子的第6構(gòu)成例的剖視圖，

圖38的(a)和(b)是表示比較例2的懸掛基板的局部的俯視圖和剖視圖，

圖39是表示關(guān)于實施例10、11、12以及比較例2的參數(shù)SDD21的測量結(jié)果的圖。

具體實施方式

以下，一邊參照附圖一邊說明本發(fā)明的實施方式的布線電路基板及其制造方法。作為本發(fā)明的實施方式的布線電路基板，說明用于硬盤驅(qū)動裝置的致動器的帶電路的懸掛基板(以下，簡稱為懸掛基板)。

[1]第1實施方式

(1)懸掛基板的構(gòu)造

圖1是第1實施方式的懸掛基板的俯視圖。在圖1中，將箭頭所朝的方向稱為前方，將其反方向稱為后方。如圖1所示，懸掛基板1包括由金屬制的長條狀的支承基板10(參照圖5)形成的懸掛主體部100。在圖1中，懸掛主體部100大致沿前后方向延伸。

懸掛基板1由長條狀的支承板50支承。在懸掛主體部100的上表面，如利用虛線所示那樣形成有寫入用布線圖案W1、W2、讀取用布線圖案R1、R2以及電源用布線圖案P1、P2。

在懸掛主體部100的前端部，通過形成U字狀的開口部11而設(shè)有磁頭搭載部(以下，稱為舌部)12。舌部12以與懸掛主體部100成規(guī)定角度的方式在虛線R的部位被彎折加工。

在懸掛主體部100的一端部的舌部12的上表面形成有四個連接端子21、22、23、24。另外，在懸掛主體部100所延伸的方向上的中央部附近的兩側(cè)部分別形成有兩個連接端子25、26。在舌部12的上表面安裝具有磁頭的磁頭滑撬(未圖示)。舌部12的連接端子21～24與磁頭滑撬的磁頭的端子相連接。連接端子25、26分別與設(shè)于支承板50的兩個壓電元件91、92相連接。

在懸掛主體部100的另一端部的上表面形成有六個連接端子31、32、33、34、35、36。連接端子31～34與前置放大器等電子電路相連接。連接端子35、36與壓電元件91、92用的電源電路相連接。連接端子21～26與連接端子31～36分別利用寫入用布線圖案W1、W2、讀取用布線圖案R1、R2以及電源用布線圖案P1、P2電連接起來。另外，在懸掛主體部100形成有多個孔部H。

支承板50具有前端區(qū)域51、后端區(qū)域52以及中央?yún)^(qū)域53。后端區(qū)域52具有矩形形狀。前端區(qū)域51具有梯形形狀，其寬度隨著從后方向前方去而逐漸減小。中央?yún)^(qū)域53具有沿前后方向延伸的矩形形狀，配置于前端區(qū)域51與后端區(qū)域52之間。在懸掛基板1支承于支承板50的上表面的狀態(tài)下，懸掛基板1的包括連接端子31～36的端部從后端區(qū)域52向后方突出。

在中央?yún)^(qū)域53的局部設(shè)有壓電元件安裝區(qū)域54。壓電元件安裝區(qū)域54與懸掛基板1的連接端子25、26重疊。壓電元件安裝區(qū)域54的兩側(cè)部以向外側(cè)彎曲的方式突出。另外，在壓電元件安裝區(qū)域54形成有沿寬度方向(與前后方向正交的方向)延伸的貫通孔54h。采用該結(jié)構(gòu)，支承板50的壓電元件安裝區(qū)域54的部分在前后方向上具有伸縮性。

以跨越貫通孔54h的方式在壓電元件安裝區(qū)域54的下表面安裝壓電元件91、92。壓電元件91、92分別位于懸掛基板1的兩側(cè)方。壓電元件91、92通過貫通孔54h分別與懸掛基板1的連接端子25、26相連接。

經(jīng)由連接端子25、35以及電源用布線圖案P1向壓電元件91施加電壓，經(jīng)由連接端子26、36以及電源用布線圖案P2向壓電元件92施加電壓。由此，支承板50伴隨著壓電元件91、92的伸縮而在前后方向上伸縮。通過對施加于壓電元件91、92的電壓進(jìn)行控制，能夠進(jìn)行懸掛基板1上的磁頭滑撬的磁頭的微小的對位。

支承于支承板50的懸掛基板1設(shè)于硬盤裝置。在向磁盤寫入信息時，電流流向一對寫入用布線圖案W1、W2。寫入用布線圖案W1與寫入用布線圖案W2構(gòu)成傳送差動的寫入信號的差動信號線路對。另外，在從磁盤讀取信息時，電流流向一對讀取用布線圖案R1、R2。讀取用布線圖案R1與讀取用布線圖案R2構(gòu)成傳送差動的讀取信號的差動信號線路對。

(2)連接端子及其周邊部分的結(jié)構(gòu)

接著，對懸掛基板1的連接端子21～26、31～36及其周邊部分進(jìn)行詳細(xì)說明。圖2～圖4是連接端子21～26、31～36及其周邊部分的俯視圖。圖5是連接端子21～26、31～36及其周邊部分的剖視圖。圖2的(a)～(c)的比例尺互不相同，圖3的(a)～(c)的比例尺互不相同，圖4的(a)～(c)的比例尺互不相同，圖5的(a)～(c)的比例尺互不相同。

圖2的(a)、圖3的(a)以及圖4的(a)表示圖1的連接端子21～24及其周邊部分，圖2的(b)、圖3的(b)以及圖4的(b)表示圖1的連接端子25及其周邊部分，圖2的(c)、圖3的(c)以及圖4的(c)表示圖1的連接端子31、32及其周邊部分。在圖2的(a)～(c)中，省略了金屬覆蓋層15(參照圖5)以及覆蓋絕緣層43(參照圖5)的圖示。在圖3的(a)～(c)中，省略了覆蓋絕緣層43(參照圖5)的圖示。連接端子26具有與連接端子25同樣的結(jié)構(gòu)，連接端子33～36具有與連接端子31、32同樣的結(jié)構(gòu)。

圖5的(a)～(c)分別表示圖2的(a)的A－A放大剖視圖、圖2的(b)的B－B放大剖視圖以及圖2的(c)的C－C放大剖視圖。在圖2的(a)～(c)、圖3的(a)～(c)以及圖4的(a)～(c)的俯視圖中，為了便于對結(jié)構(gòu)的理解，標(biāo)注有與圖5的(a)～(c)的剖視圖中標(biāo)注于各構(gòu)件的陰影或者點圖案同樣的陰影或者點圖案。后述的圖6～圖12、圖14以及圖38等也是一樣的。

如圖5的(a)～(c)所示，在由例如不銹鋼形成的金屬制的支承基板10上形成有由例如聚酰亞胺形成的基底絕緣層41。如圖2的(a)～(c)所示，在基底絕緣層41上形成有由例如銅形成的多個(在本例中為六個)導(dǎo)體圖案61。各導(dǎo)體圖案61包括兩個端子部61a和一個布線部61b。布線部61b形成為將兩個端子部61a連接起來并且自各端子部61a延伸。利用六個導(dǎo)體圖案61的布線部61b分別構(gòu)成所述的寫入用布線圖案W1、W2、讀取用布線圖案R1、R2以及電源用布線圖案P1、P2。另外，在各導(dǎo)體圖案61與基底絕緣層41之間形成有未圖示的晶種層。

如圖5的(a)～(c)所示，以將各導(dǎo)體圖案61整體覆蓋的方式形成有金屬覆蓋層15。具體而言，金屬覆蓋層15形成為將各導(dǎo)體圖案61的端子部61a以及布線部61b覆蓋并且自端子部61a的表面上向布線部61b的表面上連續(xù)地延伸。在本實施方式中，金屬覆蓋層15主要由具有比鎳的磁性低的磁性的金屬(例如非磁性體的金屬)形成，具有比鎳的磁性低的磁性。具體而言，金屬覆蓋層15由例如金形成。

在多個導(dǎo)體圖案61的兩個端子部61a分別形成有金屬覆蓋層15，從而，如圖3的(a)所示，在寫入用布線圖案W1、W2以及讀取用布線圖案R1、R2的一端部分別形成有連接端子21～24。如圖3的(b)所示，在電源用布線圖案P1的一端部形成有連接端子25。同樣地，在電源用布線圖案P2(圖1)的一端部形成有連接端子26(圖1)。如圖3的(c)所示，在寫入用布線圖案W1、W2的另一端部分別形成有連接端子31、32。同樣地，在讀取用布線圖案R1、R2(圖1)以及電源用布線圖案P1、P2(圖1)的另一端部形成有連接端子33～36(圖1)。

如圖4的(a)～(c)所示，以將形成于各導(dǎo)體圖案61的金屬覆蓋層15中的覆蓋布線部61b的部分覆蓋并且不將金屬覆蓋層15中的覆蓋端子部61a的部分覆蓋的方式，在基底絕緣層41上形成有覆蓋絕緣層43。覆蓋絕緣層43由例如聚酰亞胺形成。

在所述的構(gòu)成中，金屬覆蓋層15與布線部61b以及端子部61a相接觸，覆蓋絕緣層43與金屬覆蓋層15中的覆蓋布線部61b的部分相接觸。另外，覆蓋絕緣層43的位于連接端子21～24、33～36的附近的端部處于各導(dǎo)體圖案61的端子部61a與布線部61b之間的交界61c(參照圖5)上。

如圖5的(a)～(c)所示，在本實施方式中，金屬覆蓋層15形成為，在布線部61b的表面上延伸至距端子部61a與布線部61b之間的交界61c上的位置至少距離L0的位置。距離L0為3μm以上。

(3)懸掛基板的制造方法

以下，說明懸掛基板1的制造方法。圖6～圖9是表示圖1的懸掛基板1的制造工序的示意性工序圖。圖6以及圖7表示連接端子21～24以及相當(dāng)于其周邊的部分的俯視圖。圖8以及圖9表示圖6以及圖7的D－D剖視圖。

首先，如圖6的(a)以及圖8的(a)所示，在由例如不銹鋼形成的支承層10a上形成由例如聚酰亞胺形成的基底絕緣層41。支承層10a的厚度例如為10μm以上50μm以下?；捉^緣層41的厚度例如為5μm以上15μm以下。這里，基底絕緣層41形成為與圖1的懸掛基板1的形狀相同的形狀。

接著，如圖6的(b)以及圖8的(b)所示，在基底絕緣層41上借助未圖示的晶種層形成由例如銅形成的多個(在本例中為六個)導(dǎo)體圖案61。晶種層由例如鉻和銅的層疊膜或者鉻的單層膜形成，能夠通過濺射、非電解鍍或者蒸鍍等方法形成。各導(dǎo)體圖案61的厚度例如為1μm以上20μm以下。利用六個導(dǎo)體圖案61的布線部61b，在基底絕緣層41上形成寫入用布線圖案W1、W2、讀取用布線圖案R1、R2以及電源用布線圖案P1、P2。

寫入用布線圖案W1、W2之間的間隔以及讀取用布線圖案R1、R2之間的間隔例如分別為5μm以上100μm以下。同樣地，寫入用布線圖案W1與電源用布線圖案P1之間的間隔以及讀取用布線圖案R2與電源用布線圖案P2之間的間隔例如分別為5μm以上100μm以下。寫入用布線圖案W1、W2、讀取用布線圖案R1、R2以及電源用布線圖案P1、P2的寬度例如為5μm以上200μm以下。

接著，如圖6的(c)以及圖8的(c)所示，以覆蓋各導(dǎo)體圖案61的端子部61a以及布線部61b并且從端子部61a的表面上向布線部61b的表面上連續(xù)地延伸的方式形成金屬覆蓋層15。利用六個導(dǎo)體圖案61的端子部61a和覆蓋這些端子部61a的金屬覆蓋層15，形成圖1的連接端子21～26、31～36。

金屬覆蓋層15主要由具有比鎳的磁性低的磁性的金屬形成，例如通過電解鍍形成。另外，金屬覆蓋層15也能夠通過非電解鍍或者濺射形成。作為金屬覆蓋層15的材料，例如能夠使用金。另外，作為金屬覆蓋層15的材料，也能夠使用銀、鉻、錫以及鉑中的任意一種。金屬覆蓋層15的厚度例如為0.005μm以上5μm以下，優(yōu)選為0.01μm以上3μm以下。

之后，如圖7的(a)以及圖9的(a)所示，以將金屬覆蓋層15中的覆蓋布線部61b的部分覆蓋并且不將金屬覆蓋層15中的覆蓋端子部61a的部分覆蓋的方式，在基底絕緣層41上形成由例如聚酰亞胺形成的覆蓋絕緣層43。由此，連接端子21～26、31～36從覆蓋絕緣層43暴露出來。覆蓋絕緣層43的厚度例如為2μm以上10μm以下。

之后，如圖7的(b)以及圖9的(b)所示，以支承層10a的與基底絕緣層41重疊的部分殘留的方式對支承層10a進(jìn)行加工，從而形成支承基板10。支承層10a的加工例如通過蝕刻來進(jìn)行。由此，懸掛基板1完成。

(4)第1實施方式的效果

在本實施方式的懸掛基板1中，以覆蓋各導(dǎo)體圖案61的布線部61b的方式設(shè)置金屬覆蓋層15，以覆蓋金屬覆蓋層15中的覆蓋布線部61b的部分的方式設(shè)置覆蓋絕緣層43。金屬覆蓋層15與布線部61b相接觸，覆蓋絕緣層43與金屬覆蓋層15中的覆蓋布線部61b的部分相接觸。在該情況下，在布線部61b與覆蓋絕緣層43之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的金屬層(例如由強磁性體的金屬形成的層)。本發(fā)明人的實驗及研究的結(jié)果得知：在布線部61b與覆蓋該布線部61b的覆蓋絕緣層43之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的金屬層，從而能夠在高頻帶中降低電信號的傳送損失。因而，采用所述懸掛基板1，能夠降低在高頻帶中的電信號的傳送損失。

另外，在所述結(jié)構(gòu)中，覆蓋絕緣層43與金屬覆蓋層15中的覆蓋布線部61b的部分相接觸，從而，與覆蓋絕緣層43和布線部61b相接觸的情況相比，覆蓋絕緣層43與布線部61b之間的密合性得到提高。因而，覆蓋絕緣層43與金屬覆蓋層15之間難以產(chǎn)生較大的空隙。另外，金屬覆蓋層15形成為從端子部61a的表面上向布線部61b的表面上連續(xù)地延伸。由此，能夠防止空氣、水或者化學(xué)溶液等流體從覆蓋絕緣層43的外部進(jìn)入金屬覆蓋層15的內(nèi)部。因而，能夠防止導(dǎo)體圖案61的端子部61a與布線部61b之間的交界61c及其附近發(fā)生腐蝕。

在懸掛基板1的所述制造方法中，在布線部61b上形成用于防止發(fā)生腐蝕的金屬覆蓋層15，同時，在端子部61a上形成連接端子21～26、31～36用的金屬覆蓋層15。在該情況下，布線部61b上的金屬覆蓋層15的形成和端子部61a上的金屬覆蓋層15的形成不需要分別進(jìn)行，因此能夠減少懸掛基板1的制造工序數(shù)。

[2]第2實施方式

關(guān)于第2實施方式的懸掛基板，說明與第1實施方式的懸掛基板1的不同之處。圖10是表示第2實施方式的懸掛基板的局部的俯視圖和剖視圖。在圖10的(a)、(b)分別表示俯視圖和剖視圖。圖10的(a)的俯視圖與第1實施方式的圖3的(a)的俯視圖相對應(yīng)。圖10的(b)的剖視圖表示圖10的(a)的E－E放大剖視圖，與第1實施方式的圖5的(a)的剖視圖相對應(yīng)。

在本實施方式的懸掛基板中，與第1實施方式同樣地，也在支承基板10上形成基底絕緣層41，在基底絕緣層41上借助未圖示的晶種層形成多個導(dǎo)體圖案61。以覆蓋多個導(dǎo)體圖案61的布線部61b的方式在基底絕緣層41上形成覆蓋絕緣層43(參照圖4的(a))。在圖10的(a)中，省略了覆蓋絕緣層43的圖示。

如圖10的(a)、(b)所示，在本實施方式中，以將各導(dǎo)體圖案61的布線部61b的一部分和端子部61a覆蓋并且從端子部61a的表面上向布線部61b的表面上連續(xù)地延伸的方式設(shè)置金屬覆蓋層15。并且，金屬覆蓋層15在布線部61b的表面上延伸至距端子部61a與布線部61b之間的交界61c上的位置距離L1的位置。

在本實施方式的懸掛基板中，以將各導(dǎo)體圖案61的布線部61b的一部分覆蓋的方式設(shè)置金屬覆蓋層15。并且，以將金屬覆蓋層15中的覆蓋布線部61b的部分和布線部61b中的沒有被金屬覆蓋層15覆蓋的其他部分覆蓋的方式設(shè)置覆蓋絕緣層43。金屬覆蓋層15與布線部61b的一部分相接觸，覆蓋絕緣層43與金屬覆蓋層15中的覆蓋布線部61b的部分相接觸并且與布線部61b的其他部分相接觸。在該情況下，在布線部61b與覆蓋絕緣層43之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的金屬層。因而，本實施方式也能夠降低在高頻帶中的電信號的傳送損失。

在本實施方式中，所述距離L1設(shè)定為3μm以上。在該情況下，在導(dǎo)體圖案61的端子部61a與布線部61b之間的交界61c的附近，利用金屬覆蓋層15，覆蓋絕緣層43與布線部61b之間的密合性得到提高。由此，與第1實施方式同樣地，能夠防止空氣、水或者化學(xué)溶液等流體從覆蓋絕緣層43的外部進(jìn)入金屬覆蓋層15的內(nèi)部。因而，能夠防止導(dǎo)體圖案61的端子部61a與布線部61b之間的交界61c及其附近發(fā)生腐蝕。

所述距離L1優(yōu)選設(shè)定為5μm以上。在該情況下，在導(dǎo)體圖案61的端子部61a與布線部61b之間的交界61c的附近，覆蓋絕緣層43與布線部61b之間的密合性能夠得到進(jìn)一步提高。因而，覆蓋絕緣層43與金屬覆蓋層15之間更加難以產(chǎn)生較大的空隙。結(jié)果，能夠進(jìn)一步防止導(dǎo)體圖案61發(fā)生腐蝕。

[3]第3實施方式

關(guān)于第3實施方式的懸掛基板，說明與第2實施方式的懸掛基板的不同之處。圖11是表示第3實施方式的懸掛基板的局部的俯視圖和剖視圖。圖11的(a)、(b)分別表示俯視圖和剖視圖。圖11的(a)的俯視圖與第2實施方式的圖10的(a)的俯視圖相對應(yīng)。圖11的(b)的剖視圖表示圖11的(a)的F－F放大剖視圖，與第2實施方式的圖10的(b)的剖視圖相對應(yīng)。與圖10的(a)的例子同樣地，在圖11的(a)中，省略了覆蓋絕緣層43的圖示。

如圖11的(a)、(b)所示，在本實施方式中，以將形成于各導(dǎo)體圖案61的金屬覆蓋層15中的覆蓋端子部61a的部分覆蓋的方式形成有由例如金形成的金屬覆蓋層16。金屬覆蓋層16的厚度例如為0.005μm以上5μm以下，優(yōu)選為0.01μm以上3μm以下。

在本實施方式的懸掛基板的制造方法中，在形成覆蓋絕緣層43之后(參照圖7的(a)以及圖9的(a))，在暴露的金屬覆蓋層15上通過例如電解鍍形成金屬覆蓋層16。在該情況下，圖1的連接端子21～26、31～36由導(dǎo)體圖案61的端子部61a、金屬覆蓋層15以及金屬覆蓋層16形成。

采用所述結(jié)構(gòu)，在懸掛基板的制造過程中，即使金屬覆蓋層15的表面狀態(tài)不穩(wěn)定的情況下，也能夠利用金屬覆蓋層16將端子部61a中的金屬覆蓋層15的表面覆蓋。由此，能夠使連接端子21～26、31～36的表面狀態(tài)工整。

在本實施方式中，作為金屬覆蓋層16的材料，使用金。但是不限于所述例子，作為金屬覆蓋層16的材料，也能夠使用鎳、銀、鉻、錫以及鉑中的任一種。

[4]第4實施方式

關(guān)于第4實施方式的懸掛基板，說明與第2實施方式的懸掛基板的不同之處。圖12是表示第4實施方式的懸掛基板的局部的俯視圖和剖視圖。圖12的(a)、(b)分別表示俯視圖和剖視圖。圖12的(a)的俯視圖與第2實施方式的圖10的(a)的俯視圖相對應(yīng)。圖12的(b)的剖視圖表示圖12的(a)的G－G放大剖視圖，與第2實施方式的圖10的(b)的剖視圖相對應(yīng)。與圖10的(a)的例子同樣地，在圖12的(a)中，省略了覆蓋絕緣層43的圖示。

如圖12的(a)、(b)所示，在本實施方式中，替代圖10的金屬覆蓋層15設(shè)有由例如鎳形成的金屬覆蓋層17。在本實施方式中，金屬覆蓋層17主要由具有鎳的磁性以上的磁性的金屬形成，例如利用電解鍍、非電解鍍或者濺射而形成。金屬覆蓋層17的厚度例如為0.005μm以上5μm以下，優(yōu)選為0.01μm以上3μm以下。

金屬覆蓋層17在布線部61b的表面上延伸至距端子部61a與布線部61b之間的交界61c上的位置距離L2的位置。距離L2設(shè)定為3μm以上。由此，與第2實施方式同樣地，在導(dǎo)體圖案61的端子部61a與布線部61b之間的交界61c的附近，利用金屬覆蓋層17，覆蓋絕緣層43與布線部61b之間的密合性得到提高。因而，能夠防止導(dǎo)體圖案61的端子部61a與布線部61b之間的交界61c及其附近發(fā)生腐蝕。

圖13是表示第4實施方式的懸掛基板的另一例的俯視圖。在圖13中，寫入用布線圖案W1、W2、讀取用布線圖案R1、R2以及電源用布線圖案P1、P2中的形成有金屬覆蓋層17的部分用粗實線表示。在圖13的懸掛基板中，金屬覆蓋層17的距離L2比圖12的(a)、(b)的例子長。

這里，對于構(gòu)成寫入用布線圖案W1、W2、讀取用布線圖案R1、R2以及電源用布線圖案P1、P2的多個導(dǎo)體圖案61中的各導(dǎo)體圖案61，將沿布線部61b的軸心線的、一端子部61a與另一端子部61a之間的距離稱作布線部61b的全長。

在該情況下，所述距離L2設(shè)定為覆蓋布線部61b的全部金屬覆蓋層17的長度相對于該布線部61b的全長的比例為40％以下。

在所述結(jié)構(gòu)中，以將布線部61b的一部分和端子部61a覆蓋的方式設(shè)置金屬覆蓋層17，以將金屬覆蓋層17中的覆蓋布線部61b的一部分的部分和布線部61b中的沒有被金屬覆蓋層17覆蓋的其他部分覆蓋的方式設(shè)置有覆蓋絕緣層43。金屬覆蓋層17與布線部61b的一部分相接觸，覆蓋絕緣層43與金屬覆蓋層17中的覆蓋布線部61b的部分相接觸并且與布線部61b的其他部分相接觸。

在該情況下，在布線部61b的相對于全長而言的60％以上的長度的范圍內(nèi)，在布線部61b與覆蓋絕緣層43之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的金屬層。本發(fā)明人的實驗及研究的結(jié)果得知：即使在布線部61b與覆蓋該布線部61b的覆蓋絕緣層43之間存在具有鎳的磁性以上的磁性的金屬層的情況下，通過將該金屬層的長度相對于布線部61b的全長的比例設(shè)定為40％以下，也能夠在高頻帶中降低電信號的傳送損失。由此，本實施方式也能夠降低在高頻帶中的電信號的傳送損失。

[5]第5實施方式

關(guān)于第5實施方式的懸掛基板，說明與第4實施方式的懸掛基板的不同之處。圖14是表示第5實施方式的懸掛基板的局部的俯視圖和剖視圖。圖14的(a)、(b)分別表示俯視圖和剖視圖。圖14的(a)的俯視圖與第4實施方式的圖12的(a)的俯視圖相對應(yīng)。圖14的(b)的剖視圖表示圖14的(a)的J－J放大剖視圖，與第4實施方式的圖12的(b)的剖視圖相對應(yīng)。與圖12的(a)的例子同樣地，在圖14的(a)中，省略了覆蓋絕緣層43的圖示。

如圖14的(a)、(b)所示，在本實施方式中，以將圖12中的金屬覆蓋層17整體覆蓋的方式形成有金屬覆蓋層18。金屬覆蓋層18的厚度例如為0.005μm以上5μm以下，優(yōu)選為0.01μm以上3μm以下。作為金屬覆蓋層18的材料，使用例如金。并且，作為金屬覆蓋層18的材料，還能夠使用鎳、銀、鉻、錫和鉑中的任意一者。

在第5實施方式的懸掛基板的制造方法中，在基底絕緣層41上借助未圖示的晶種層形成多個導(dǎo)體圖案61之后，在各導(dǎo)體圖案61的一部分上依次層疊金屬覆蓋層17和金屬覆蓋層18。金屬覆蓋層17例如利用非電解鍍或者濺射形成，金屬覆蓋層18例如利用電解鍍形成。之后，以將金屬覆蓋層18中的覆蓋布線部61b的部分和布線部61b中的沒有被金屬覆蓋層17、18覆蓋的其他部分覆蓋的方式，在基底絕緣層41上形成覆蓋絕緣層43。

在本實施方式中，覆蓋絕緣層43與金屬覆蓋層18中的覆蓋布線部61b的部分相接觸。金屬覆蓋層18在布線部61b的表面上延伸至距端子部61a與布線部61b之間的交界61c上的位置距離L2的位置。距離L2設(shè)定為3μm以上。由此，與第4實施方式同樣地，在導(dǎo)體圖案61的端子部61a與布線部61b之間的交界61c的附近，利用金屬覆蓋層18，覆蓋絕緣層43與布線部61b之間的密合性得到提高。因而，能夠防止導(dǎo)體圖案61的端子部61a與布線部61b之間的交界61c及其附近發(fā)生腐蝕。

[6]其他實施方式

(1)在第1實施方式的懸掛基板1中，連接端子21～24也可以具有以下的結(jié)構(gòu)替代圖2～圖5的結(jié)構(gòu)。圖15是表示第1實施方式的懸掛基板1的連接端子21～24的另一構(gòu)成例的俯視圖和剖視圖。圖15的(a)、(b)分別表示俯視圖和剖視圖。圖15的(a)的俯視圖與第1實施方式的圖3的(a)的俯視圖相對應(yīng)。圖15的(b)的剖視圖表示圖15的(a)的A1－A1放大剖視圖，與第1實施方式的圖5的(a)的剖視圖相對應(yīng)。與圖3的(a)的例子同樣地，在圖15的(a)中，省略了覆蓋絕緣層43的圖示。

如圖15的(a)、(b)所示，以將形成于各導(dǎo)體圖案61的金屬覆蓋層15中的覆蓋端子部61a的部分覆蓋的方式形成有阻隔層70。并且，以覆蓋阻隔層70的方式形成有金層71。在該情況下，連接端子21～24由導(dǎo)體圖案61的端子部61a、金屬覆蓋層15、阻隔層70以及金層71形成。

阻隔層70的厚度例如為0.2μm以上4.0μm以下，優(yōu)選為0.5μm以上3.0μm以下。并且，金層71的厚度例如為0.02μm以上1.5μm以下，優(yōu)選為0.05μm以上1.0μm以下。

這里，阻隔層70具有抑制從導(dǎo)體圖案61的表面向金屬覆蓋層15擴散的銅成分進(jìn)一步向金層71擴散的功能。為了實現(xiàn)這樣的功能，在本例中，作為阻隔層70的材料，使用鎳。另外，阻隔層70也能夠使用鈀來代替鎳。

采用所述結(jié)構(gòu)，在連接端子21～24中，導(dǎo)體圖案61的銅成分不會向暴露于外部的金層71擴散。由此，能夠抑制由銅成分向金層71擴散引起的金層71的耐腐蝕性以及潤濕性的降低。因而，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的耐腐蝕性和潤濕性的連接端子21～24。

連接端子25、26、31～36也可以與圖15的連接端子21～24同樣地設(shè)有阻隔層70以及金層71。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的耐腐蝕性和潤濕性的連接端子25、26、31～36。

(2)在第2實施方式的懸掛基板中，連接端子21～24也可以具有以下的結(jié)構(gòu)替代圖10的結(jié)構(gòu)。圖16是表示第2實施方式的懸掛基板的連接端子21～24的另一構(gòu)成例的俯視圖和剖視圖。圖16的(a)、(b)分別表示俯視圖和剖視圖。圖16的(a)的俯視圖與第2實施方式的圖10的(a)的俯視圖相對應(yīng)。圖16的(b)的剖視圖表示圖16的(a)的A2－A2放大剖視圖，與第2實施方式的圖10的(b)的剖視圖相對應(yīng)。與圖10的(a)的例子同樣地，在圖16的(a)中省略了覆蓋絕緣層43的圖示。

如圖16的(a)、(b)所示，在本例中，與圖15的例子同樣地，以將形成于各導(dǎo)體圖案61的金屬覆蓋層15中的覆蓋端子部61a的部分覆蓋的方式形成有阻隔層70。并且，以覆蓋阻隔層70的方式形成有金層71。由此，能夠抑制由導(dǎo)體圖案61的銅成分向金層71擴散引起的金層71的耐腐蝕性以及潤濕性的降低。因而，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的耐腐蝕性和潤濕性的連接端子21～24。

連接端子25、26、31～36也可以與圖16的連接端子21～24同樣地設(shè)有阻隔層70以及金層71。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的耐腐蝕性和潤濕性的連接端子25、26、31～36。

(3)在第5實施方式的懸掛基板中，連接端子21～24也可以具有以下的結(jié)構(gòu)替代圖14的結(jié)構(gòu)。圖17是表示第5實施方式的懸掛基板的連接端子21～24的另一構(gòu)成例的俯視圖和剖視圖。圖17的(a)、(b)分別表示俯視圖和剖視圖。圖17的(a)的俯視圖與第5實施方式的圖14的(a)的俯視圖相對應(yīng)。圖17的(b)的剖視圖表示圖17的(a)的A3－A3放大剖視圖，與第5實施方式的圖14的(b)的剖視圖相對應(yīng)。與圖14的(a)的例子同樣地，在圖17的(a)中，省略了覆蓋絕緣層43的圖示。

如圖17的(a)、(b)所示，以將形成于各導(dǎo)體圖案61的金屬覆蓋層17、18中的覆蓋端子部61a的部分覆蓋的方式，形成有與圖15以及圖16的例子同樣的阻隔層70。并且，以覆蓋阻隔層70的方式形成有金層71。在該情況下，連接端子21～24由導(dǎo)體圖案61的端子部61a、金屬覆蓋層17、18、阻隔層70以及金層71形成。

本例的阻隔層70具有能夠抑制從導(dǎo)體圖案61的表面向金屬覆蓋層17、18擴散的銅成分進(jìn)一步向金層71擴散的功能。由此，能夠抑制由導(dǎo)體圖案61的銅成分向金層71擴散而引起的金層71的耐腐蝕性以及潤濕性的降低。因而，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的耐腐蝕性和潤濕性的連接端子21～24。

連接端子25、26、31～36也可以與圖17的連接端子21～24同樣地設(shè)有阻隔層70以及金層71。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的耐腐蝕性和潤濕性的連接端子25、26、31～36。

(4)在第4實施方式的懸掛基板中，連接端子21～24也可以具有以下的結(jié)構(gòu)替代圖12的結(jié)構(gòu)。圖18是表示第4實施方式的懸掛基板的連接端子21～24的另一構(gòu)成例的俯視圖和剖視圖。圖18的(a)、(b)分別表示俯視圖和剖視圖。圖18的(a)的俯視圖與第4實施方式的圖12的(a)的俯視圖相對應(yīng)。圖18的(b)的剖視圖表示圖18的(a)的A4－A4放大剖視圖，與第4實施方式的圖12的(b)的剖視圖相對應(yīng)。與圖12的(a)的例子同樣地，在圖18的(a)中，省略了覆蓋絕緣層43的圖示。

在本例中，作為金屬覆蓋層17的材料，使用鎳。如圖18的(a)、(b)所示，以將形成于各導(dǎo)體圖案61的金屬覆蓋層17中的覆蓋端子部61a的部分覆蓋的方式形成有由鎳形成的阻隔層70。并且，以覆蓋阻隔層70的方式形成有金層71。在該情況下，連接端子21～24由導(dǎo)體圖案61的端子部61a、金屬覆蓋層17、阻隔層70以及金層71形成。

在本例的懸掛基板的制造過程中，在支承層10a上形成基底絕緣層41，在形成于基底絕緣層41上的導(dǎo)體圖案61的一部分上形成金屬覆蓋層17。以與導(dǎo)體圖案61的布線部61b重疊的方式形成覆蓋絕緣層43，在支承層10a上形成圖1的開口部11以及孔部H。之后，在金屬覆蓋層17的覆蓋端子部61a的部分上依次形成阻隔層70以及金層71，以形成支承基板10的外形的方式對支承層10a進(jìn)行加工。

在所述制造過程中，在形成覆蓋絕緣層43后到形成金層71為止的期間，例如由于用于去除晶種層的軟蝕刻等，存在金屬覆蓋層17的沒有被覆蓋絕緣層43覆蓋的部分的表面狀態(tài)變得不穩(wěn)定的情況。即使在這樣的情況下，也會在后續(xù)工序中利用阻隔層70將金屬覆蓋層17的沒有被覆蓋絕緣層43覆蓋的部分覆蓋。因而，能夠在表面狀態(tài)工整的阻隔層70上連續(xù)地形成金層71。

由此，能夠利用金屬覆蓋層17和阻隔層70的鎳充分抑制銅成分從導(dǎo)體圖案61向金層71擴散。因而，能夠抑制由導(dǎo)體圖案61的銅成分向金層71擴散而引起的金層71的耐腐蝕性以及潤濕性的降低。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的耐腐蝕性和潤濕性的連接端子21～24。

連接端子25、26、31～36也可以與圖18的連接端子21～24同樣地設(shè)有阻隔層70以及金層71。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的耐腐蝕性和潤濕性的連接端子25、26、31～36。

另外，在所述制造過程中，在從形成覆蓋絕緣層43到形成金層71為止的期間，在金屬覆蓋層17的部分的表面狀態(tài)不會變得不穩(wěn)定的情況下，也可以不設(shè)置阻隔層70。也可以在金屬覆蓋層17的覆蓋端子部61a的部分上形成金層71。

(5)在第4實施方式的懸掛基板中，連接端子21～24也可以具有以下的結(jié)構(gòu)替代圖12的結(jié)構(gòu)。圖19是表示第4實施方式的懸掛基板的連接端子21～24的又一構(gòu)成例的俯視圖和剖視圖。圖19的(a)、(b)分別表示俯視圖和剖視圖。圖19的(a)的俯視圖與第4實施方式的圖12的(a)的俯視圖相對應(yīng)。圖19的(b)的剖視圖表示圖19的(a)的A5－A5放大剖視圖，與第4實施方式的圖12的(b)的剖視圖相對應(yīng)。與圖12的(a)的例子同樣地，在圖19的(a)中，省略了覆蓋絕緣層43的圖示。

在本例中，與圖18的例子同樣地，作為金屬覆蓋層17的材料，使用鎳。如圖19的(a)、(b)所示，金屬覆蓋層17形成為覆蓋導(dǎo)體圖案61中的布線部61b的除了交界61c及其附近之外的一部分。以將沒有被金屬覆蓋層17覆蓋的導(dǎo)體圖案61的交界61c及其附近、端子部61a覆蓋的方式形成有阻隔層70。本例的阻隔層70由與金屬覆蓋層17的材料相同的材料形成。以將阻隔層70中的覆蓋端子部61a的部分覆蓋的方式形成有金層71。在該情況下，連接端子21～24由導(dǎo)體圖案61的端子部61a、阻隔層70以及金層71形成。

在本例的懸掛基板的制造過程中，在支承層10a上形成基底絕緣層41，在形成于基底絕緣層41上的導(dǎo)體圖案61的一部分上形成金屬覆蓋層17。以與導(dǎo)體圖案61的布線部61b重疊的方式形成覆蓋絕緣層43后，利用蝕刻將金屬覆蓋層17的沒有被覆蓋絕緣層43覆蓋的部分除去。此時，金屬覆蓋層17的位于交界61c的附近的部分也被除去。接著，在支承層10a上形成圖1的開口部11以及孔部H。之后，以將導(dǎo)體圖案61的暴露的交界61c及其附近、端子部61a覆蓋的方式形成阻隔層70以及金層71，以形成支承基板10的外形的方式對支承層10a進(jìn)行加工。

在所述制造過程中，在從形成覆蓋絕緣層43到形成阻隔層70為止的期間，將導(dǎo)體圖案61的交界61c及其附近、端子部61a覆蓋的金屬覆蓋層17被除去。之后，阻隔層70和金層71被依次形成于導(dǎo)體圖案61的暴露的部分。在該情況下，能夠在表面狀態(tài)工整的阻隔層70上連續(xù)地形成金層71。因而，能夠利用阻隔層70的鎳充分地抑制銅成分從導(dǎo)體圖案61向金層71擴散。由此，能夠抑制由導(dǎo)體圖案61的銅成分向金層71擴散而引起的金層71的耐腐蝕性以及潤濕性的降低。因而，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的耐腐蝕性和潤濕性的連接端子21～24。

在圖19的例子中，形成于導(dǎo)體圖案61上的金屬覆蓋層17和阻隔層70同樣地由鎳形成，一體地構(gòu)成。覆蓋端子部61a的阻隔層70作為金屬覆蓋層17的一部分發(fā)揮作用。利用金屬覆蓋層17和阻隔層70將導(dǎo)體圖案61的交界61c及其附近部分連續(xù)地覆蓋。由此，在本例中也能夠防止空氣、水或者化學(xué)溶液等流體從覆蓋絕緣層43的外部進(jìn)入金屬覆蓋層17的內(nèi)部。

連接端子25、26、31～36也可以具有與圖19的連接端子21～24同樣的結(jié)構(gòu)。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的耐腐蝕性和潤濕性的連接端子25、26、31～36。

(6)在第5實施方式的懸掛基板中，連接端子21～24也可以具有以下的結(jié)構(gòu)替代圖14的結(jié)構(gòu)。圖20是表示第5實施方式的懸掛基板的連接端子21～24的又一構(gòu)成例的俯視圖和剖視圖。圖20的(a)、(b)分別表示俯視圖和剖視圖。圖20的(a)的俯視圖與第5實施方式的圖14的(a)的俯視圖相對應(yīng)。圖20的(b)的剖視圖表示圖20的(a)的A6－A6放大剖視圖，與第5實施方式的圖14的(b)的剖視圖相對應(yīng)。與圖14的(a)的例子同樣地，在圖20的(a)中，省略了覆蓋絕緣層43的圖示。

在本例中，作為金屬覆蓋層17的材料，使用鎳，作為金屬覆蓋層18的材料，使用金。如圖20的(b)所示，金屬覆蓋層18以不與導(dǎo)體圖案61接觸的方式形成。在該情況下，由鎳形成的金屬覆蓋層17抑制導(dǎo)體圖案61的銅成分向金屬覆蓋層18擴散。

由此，能夠抑制由導(dǎo)體圖案61的銅成分向金屬覆蓋層18擴散而引起的金屬覆蓋層18的耐腐蝕性以及潤濕性的降低。因而，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的耐腐蝕性和潤濕性的連接端子21～24。

在本例的懸掛基板的制造過程中，在導(dǎo)體圖案61的一部分上形成金屬覆蓋層17后，在形成金屬覆蓋層18時，在金屬覆蓋層17的端面以及沒有被金屬覆蓋層17覆蓋的導(dǎo)體圖案61的表面部分形成掩模。在該狀態(tài)下，以將金屬覆蓋層17覆蓋的方式形成金屬覆蓋層18。之后，除去掩模。由此，能夠以金屬覆蓋層18與導(dǎo)體圖案61不接觸的方式形成金屬覆蓋層18。

連接端子25、26、31～36也可以具有與圖20的連接端子21～24同樣的結(jié)構(gòu)。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的耐腐蝕性和潤濕性的連接端子25、26、31～36。

(7)在所述第1～第5實施方式的懸掛基板中，支承基板10的與連接端子21～26、31～36重疊的部分具有一定的厚度，但是本發(fā)明不限于此。也可以在支承基板10的與連接端子21～26、31～36中的任一者重疊的部分形成開口部。另外，在所述第1～第5實施方式的懸掛基板中，基底絕緣層41的與連接端子21～26、31～36重疊的部分具有一定的厚度，但是本發(fā)明不限于此。也可以在基底絕緣層41的與連接端子21～26、31～36中的任一者重疊的部分形成凹部。

圖21是其他實施方式的懸掛基板的俯視圖。圖21的懸掛基板基本上具有與第5實施方式的懸掛基板相同的結(jié)構(gòu)。在圖21中，寫入用布線圖案W1、W2、讀取用布線圖案R1、R2以及電源用布線圖案P1、P2中的形成有金屬覆蓋層18的部分利用粗實線表示。以下，對于圖21的懸掛基板，說明與第5實施方式的懸掛基板的不同之處。

圖22是連接端子21～26、31～36及其周邊部分的俯視圖。圖23是連接端子21～26、31～36及其周邊部分的剖視圖。圖22的(a)～(c)的比例尺互不相同，圖23的(a)～(c)的比例尺互不相同。

圖22的(a)表示圖21的連接端子21～24及其周邊部分，圖22的(b)表示圖21的連接端子25及其周邊部分，圖22的(c)表示圖21的連接端子31、32及其周邊部分。在圖22的(a)～(c)中，省略了覆蓋絕緣層43(參照圖23)的圖示。連接端子26具有與連接端子25同樣的結(jié)構(gòu)，連接端子33～36具有與連接端子31、32同樣的結(jié)構(gòu)。圖23的(a)～(c)分別表示圖22的(a)的B1－B1放大剖視圖、圖22的(b)的B2－B2放大剖視圖以及圖22的(c)的B3－B3放大剖視圖。

如圖22的(a)和圖23的(a)所示，連接端子21～24及其周邊部分的結(jié)構(gòu)與第5實施方式的連接端子21～24及其周邊部分的結(jié)構(gòu)相同(參照圖14)。

如圖22的(b)和圖23的(b)所示，連接端子25形成為透過被形成于覆蓋絕緣層43的圓形的開口部43x(圖23的(b))而向上方暴露。并且，連接端子25由導(dǎo)體圖案61的端子部61a和金屬覆蓋層17、18形成。構(gòu)成本例的連接端子25的端子部61a具有圓環(huán)形狀。并且，金屬覆蓋層17、18形成為覆蓋該端子部61a的內(nèi)周面和上表面。在基底絕緣層41中的與端子部61a重疊的部分形成有與導(dǎo)體圖案61的交界61c相對應(yīng)的圓形的凹部41u。另外，在支承基板10中的與端子部61a重疊的部分形成有與導(dǎo)體圖案61的交界61c相對應(yīng)的圓形的開口部10x。

如圖22的(c)和圖23的(c)所示，在連接端子31及其周邊部，在基底絕緣層41中的與端子部61a重疊的矩形區(qū)域形成有凹部41v。另外，在支承基板10中的與端子部61a重疊的部分形成有矩形的開口部10y。

說明圖21的懸掛基板的制造方法。圖24～圖28是表示圖21的懸掛基板的制造工序的示意性工序圖。圖24的(a)、圖25的(a)、圖26的(a)、圖27的(a)以及圖28的(a)與圖22的(a)的B1－B1放大剖視圖相對應(yīng)，圖24的(b)、圖25的(b)、圖26的(b)、圖27的(b)以及圖28的(b)與圖22的(b)的B2－B2放大剖視圖相對應(yīng)，圖24的(c)、圖25的(c)、圖26的(c)、圖27的(c)以及圖28的(c)與圖22的(c)的B3－B3放大剖視圖相對應(yīng)。

首先，如圖24的(a)～(c)所示，在由不銹鋼形成的支承層10a上形成由聚酰亞胺形成的基底絕緣層41，從而形成由支承層10a和基底絕緣層41形成的雙層基板。另外，如圖24的(b)、(c)所示，在基底絕緣層41中的要與連接端子25、26、31～36重疊的預(yù)先確定的區(qū)域形成凹部41u、41v。凹部41u、41v能夠使用例如灰度曝光技術(shù)、激光加工技術(shù)或者蝕刻技術(shù)形成。

接著，如圖25的(a)～(c)所示，在基底絕緣層41上借助未圖示的晶種層形成由銅形成的多個導(dǎo)體圖案61。利用六個導(dǎo)體圖案61的布線部61b在基底絕緣層41上形成寫入用布線圖案W1、W2、讀取用布線圖案R1、R2以及電源用布線圖案P1、P2。

接著，如圖26的(a)～(c)所示，以覆蓋各導(dǎo)體圖案61的端子部61a和布線部61b并且從端子部61a的表面上向布線部61b的一部分的表面上連續(xù)地延伸的方式形成由鎳形成的金屬覆蓋層17。并且，以覆蓋金屬覆蓋層17的方式形成由金形成的金屬覆蓋層18。由此，形成連接端子21～26、31～36。

接著，如圖27的(a)～(c)所示，以將金屬覆蓋層17、18中的覆蓋布線部61b的部分覆蓋并且不將金屬覆蓋層17、18中的覆蓋端子部61a的部分覆蓋的方式，在基底絕緣層41上形成由例如聚酰亞胺形成的覆蓋絕緣層43。

之后，如圖28的(a)～(c)所示，在支承層10a上形成圖1的開口部11以及孔部H，同時在支承層10a中的與端子部61a重疊的預(yù)先確定的部分上形成開口部10x、10y。

最后，以將支承層10a的與基底絕緣層41重疊的部分殘留的方式對支承層10a進(jìn)行加工，從而形成支承基板10。由此，懸掛基板完成。

在所述圖21的懸掛基板中，金屬覆蓋層18也可以形成為與導(dǎo)體圖案61不接觸。由此，與圖20的例子同樣地，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的耐腐蝕性和潤濕性的連接端子21～26、31～36。此外，在所述圖21的懸掛基板中，在形成覆蓋絕緣層43之前的工序中完成連接端子21～26、31～36。由此，在圖28的(a)～(c)的工序之后且在對支承層10a進(jìn)行加工而形成支承基板10的工序之前，沒有必要進(jìn)行端子用的鍍處理。因而，抑制了制造工序數(shù)的增加。

另外，本例的連接端子21～26、31～36具有在導(dǎo)體圖案61上層疊兩個金屬覆蓋層17、18而成的簡單構(gòu)造。因此，即使在懸掛基板使用超聲波進(jìn)行清洗的情況下，連接端子21～26、31～36中的各連接端子也難以因超聲波的沖擊而破損。

在所述的圖21的懸掛基板中，也可以在基底絕緣層41的與連接端子21～26、31～36中的任一者重疊的部分形成開口部來替代凹部41u、41v。圖29和圖30是表示在圖21的懸掛基板中的基底絕緣層41的一部分上形成開口部的例子的圖。

圖29的(a)～(c)的俯視圖分別與圖22的(a)～(c)的俯視圖相對應(yīng)。圖30的(a)～(c)的放大剖視圖分別與圖23的(a)～(c)的放大剖視圖相對應(yīng)。

如圖29的(a)和圖30的(a)所示，連接端子21～24及其周邊部分的結(jié)構(gòu)與第5實施方式的連接端子21～24及其周邊部分的結(jié)構(gòu)相同(參照圖14)。如圖29的(b)和圖30的(b)所示，在本例中，在基底絕緣層41中的與端子部61a重疊的部分上形成有與導(dǎo)體圖案61的交界61c相對應(yīng)的圓形的開口部41x。另外，如圖29的(c)和圖30的(c)所示，在連接端子31及其周邊部，在基底絕緣層41中的與端子部61a重疊的一部分的矩形區(qū)域形成有開口部41y?；捉^緣層41的開口部41x、41y在例如圖28的工序之后且對支承層10a進(jìn)行加工而形成支承基板10的工序之前形成。

在圖30的(a)～(c)中，作為導(dǎo)體圖案61的基底在基底絕緣層41上形成的晶種層利用粗實線表示。在該情況下，如圖30的(b)、(c)所示，在連接端子25、26、31～36，形成于導(dǎo)體圖案61的下表面的晶種層透過基底絕緣層41的開口部41x、41y以及支承基板10的開口部10x、10y向下方暴露出來。由此，能夠在該暴露部連接電子設(shè)備的端子等。

這里，在圖30的結(jié)構(gòu)中，也可以將晶種層中的向下方暴露的部分除去。圖31是表示在圖30的懸掛基板中晶種層的暴露的部分被除去了的狀態(tài)的圖。圖31的(a)～(c)分別與圖30的(a)～(c)的放大剖視圖相對應(yīng)。如圖31的(b)、(c)所示，在本例中，導(dǎo)體圖案61的下表面透過基底絕緣層41的開口部41x、41y以及支承基板10的開口部10x、10y向下方暴露出來。由此，能夠在該暴露部連接電子設(shè)備的端子等。晶種層的位于基底絕緣層41的開口部41x、41y內(nèi)的部分例如能夠在形成基底絕緣層41的開口部41x、41y后除去。

(8)所述的實施方式的懸掛基板基本上具有將基底絕緣層41、導(dǎo)體圖案61以及覆蓋絕緣層43以該順序?qū)盈B在支承基板10上而成的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不限定于此。也可以在支承基板10上交替層疊多個基底絕緣層41和多個導(dǎo)體圖案61。對上下重疊的多個導(dǎo)體圖案61以及與它們相應(yīng)的多個連接端子的構(gòu)成例進(jìn)行說明。

圖32是表示上下層疊的兩個導(dǎo)體圖案及與它們相對應(yīng)的兩個連接端子的第1構(gòu)成例的剖視圖。圖32的(a)表示兩個導(dǎo)體圖案61A、61B的兩個連接端子及它們的周邊構(gòu)件的縱剖視圖。圖32的(b)表示圖32的(a)的C1－C1縱剖視圖。

在圖32的第1構(gòu)成例中，在支承基板10上形成有絕緣層41A。在絕緣層41A上形成有由銅形成的導(dǎo)體圖案61A。導(dǎo)體圖案61A包括端子部61a和布線部61b。導(dǎo)體圖案61A中的布線部61b的一部分和端子部61a自絕緣層41A的端部突出。

以將導(dǎo)體圖案61A的布線部61b的一部分覆蓋的方式形成有由鎳形成的金屬覆蓋層17。金屬覆蓋層17在導(dǎo)體圖案61A的上表面及兩側(cè)面上延伸至距導(dǎo)體圖案61A的交界61c3μm以上的位置。以將導(dǎo)體圖案61A的端子部61a覆蓋的方式形成有由與金屬覆蓋層17的材料相同的材料形成的阻隔層70。另外，阻隔層70在導(dǎo)體圖案61A的下表面上從導(dǎo)體圖案61A的端部延伸至絕緣層41A的端部的位置。覆蓋導(dǎo)體圖案61A的布線部61b的全部金屬覆蓋層17的長度相對于該布線部61b的全長的比例設(shè)定為40％以下。其中，從導(dǎo)體圖案61A的端部到絕緣層41A的端部的位置為止的長度與導(dǎo)體圖案61A的布線部61b的全長相比極小。

以將金屬覆蓋層17和導(dǎo)體圖案61A的布線部61b中的沒有被金屬覆蓋層17覆蓋的其他部分覆蓋并且不將阻隔層70覆蓋的方式在絕緣層41A上形成有絕緣層41B。在絕緣層41B上形成有由銅形成的導(dǎo)體圖案61B。導(dǎo)體圖案61B包括端子部61a和布線部61b。導(dǎo)體圖案61B的一部分與導(dǎo)體圖案61A重疊。以將導(dǎo)體圖案61B的布線部61b整體覆蓋的方式形成有由鎳形成的金屬覆蓋層17。以將導(dǎo)體圖案61B的端子部61a覆蓋的方式形成有由與金屬覆蓋層17的材料相同的材料形成的阻隔層70。以與導(dǎo)體圖案61B的布線部61b重疊且覆蓋金屬覆蓋層17的方式在絕緣層41B上形成有覆蓋絕緣層43。

以將在位于下方的導(dǎo)體圖案61A上設(shè)置的阻隔層70覆蓋的方式形成有金層71。由此，形成了具有飛跨構(gòu)造(日文：フライング構(gòu)造)的連接端子TA。以將在位于上方的導(dǎo)體圖案61B上設(shè)置的阻隔層70覆蓋的方式形成有金層71。由此，形成了連接端子TB。

如所述那樣，覆蓋位于下方的導(dǎo)體圖案61A的布線部61b的全部金屬覆蓋層17的長度相對于該布線部61b的全長的比例設(shè)定為40％以下。由此，導(dǎo)體圖案61A的布線部61b與第4實施方式同樣地能夠降低在高頻帶中的電信號的傳送損失。因而，導(dǎo)體圖案61A的布線部61b能夠作為高頻信號用的傳送線路有效地使用。

另外，在所述結(jié)構(gòu)中，金屬覆蓋層17與阻隔層70相同地由鎳形成，金屬覆蓋層17與阻隔層70一體地構(gòu)成。阻隔層70作為金屬覆蓋層17的一部分發(fā)揮作用。能夠利用金屬覆蓋層17和阻隔層70將導(dǎo)體圖案61A、61B的交界61c及其附近部分連續(xù)地覆蓋。由此，能夠防止空氣、水或者化學(xué)溶液等流體從覆蓋絕緣層43的外部進(jìn)入金屬覆蓋層17和阻隔層70的內(nèi)部。因而，能夠防止導(dǎo)體圖案61A、61B的交界61c及其附近發(fā)生腐蝕。

以將位于上方的導(dǎo)體圖案61B的布線部61b整體覆蓋的方式形成有由鎳形成的金屬覆蓋層17，因此導(dǎo)體圖案61B與覆蓋絕緣層43之間的密合性得到提高。導(dǎo)體圖案61B的布線部61b優(yōu)選例如作為低頻信號用的傳送線路、接地導(dǎo)體層或者屏蔽層使用。

另外，在圖32的第1構(gòu)成例中，也可以與圖18的例子同樣地，在導(dǎo)體圖案61A、61B的端子部61a與阻隔層70之間形成有金屬覆蓋層17。

圖33是表示上下層疊的兩個導(dǎo)體圖案及與它們相對應(yīng)的兩個連接端子的第2構(gòu)成例的剖視圖。圖33的(a)表示兩個導(dǎo)體圖案61A、61B的兩個連接端子及它們的周邊構(gòu)件的縱剖視圖。圖33的(b)表示圖33的(a)的C2－C2縱剖視圖。以下，關(guān)于第2構(gòu)成例，說明與圖32的第1構(gòu)成例的不同之處。

在圖33的第2構(gòu)成例中，以將導(dǎo)體圖案61A的布線部61b整體和端子部61a覆蓋的方式形成有金屬覆蓋層15。金屬覆蓋層15主要由具有比鎳的磁性低的磁性的金屬(例如非磁性體的金屬)形成，具有比鎳的磁性低的磁性。在本例中，作為金屬覆蓋層15的材料，能夠使用金或者銀。以將金屬覆蓋層15的覆蓋端子部61a的部分覆蓋的方式形成有由鎳形成的阻隔層70。并且，阻隔層70在導(dǎo)體圖案61A的下表面上從導(dǎo)體圖案61A的端部延伸至絕緣層41A的端部的位置。

以將金屬覆蓋層15的覆蓋導(dǎo)體圖案61A的布線部61b的部分覆蓋且不將金屬覆蓋層15的覆蓋端子部61a的其他部分覆蓋的方式，在絕緣層41A形成有絕緣層41B。在絕緣層41B上形成有由銅形成的導(dǎo)體圖案61B。在導(dǎo)體圖案61B上與圖32的第1構(gòu)成例同樣地形成有由鎳形成的金屬覆蓋層17和阻隔層70。

以將在位于下方的導(dǎo)體圖案61A上設(shè)置的阻隔層70覆蓋的方式形成有金層71。由此，形成了具有飛跨構(gòu)造的連接端子TA。以將在位于上方的導(dǎo)體圖案61B上設(shè)置的阻隔層70覆蓋的方式形成有金層71。由此，形成了連接端子TB。

在所述結(jié)構(gòu)中，在位于下方的導(dǎo)體圖案61A的布線部61b與絕緣層41B之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的金屬層。由此，導(dǎo)體圖案61A的布線部61b與第1實施方式同樣地能夠降低在高頻帶中的電信號的傳送損失。因而，導(dǎo)體圖案61A的布線部61b能夠作為高頻信號用的傳送線路有效地使用。另外，利用金屬覆蓋層15將導(dǎo)體圖案61A的交界61c及其附近部分連續(xù)地覆蓋，因此能夠防止空氣、水或者化學(xué)溶液等流體從覆蓋絕緣層43的外部進(jìn)入金屬覆蓋層15的內(nèi)部。因而，能夠防止導(dǎo)體圖案61A的交界61c及其附近發(fā)生腐蝕。

以將位于上方的導(dǎo)體圖案61B的布線部61b整體覆蓋的方式形成有由鎳形成的金屬覆蓋層17，因此導(dǎo)體圖案61B與覆蓋絕緣層43之間的密合性得到提高。導(dǎo)體圖案61B的布線部61b優(yōu)選例如作為低頻信號用的傳送線路、接地導(dǎo)體層或者屏蔽層使用。

另外，在圖33的第2構(gòu)成例中，也可以與圖10的第2實施方式的例子同樣地，將金屬覆蓋層15形成為并非將導(dǎo)體圖案61A整體覆蓋，而是覆蓋導(dǎo)體圖案61A的布線部61b的一部分和端子部61a。另外，也可以與圖18的例子同樣地，在導(dǎo)體圖案61B的端子部61a與阻隔層70之間形成金屬覆蓋層17。

圖34是表示上下層疊的兩個導(dǎo)體圖案及與它們相對應(yīng)的兩個連接端子的第3構(gòu)成例的剖視圖。圖34的(a)表示兩個導(dǎo)體圖案61A、61B的兩個連接端子及它們的周邊構(gòu)件的縱剖視圖。圖34的(b)表示圖34的(a)的C3－C3縱剖視圖。以下，對于第3構(gòu)成例，說明與圖32的第1構(gòu)成例的不同之處。

在圖34的第3構(gòu)成例中，以將導(dǎo)體圖案61A的布線部61b整體覆蓋的方式形成有由鎳形成的金屬覆蓋層17。以將導(dǎo)體圖案61A的端子部61a覆蓋的方式形成有由鎳形成的阻隔層70。阻隔層70在導(dǎo)體圖案61A的下表面上從導(dǎo)體圖案61A的端部延伸至絕緣層41A的端部的位置。

以與導(dǎo)體圖案61A的布線部61b重疊并且將金屬覆蓋層17覆蓋的方式在絕緣層41A上形成有絕緣層41B。在絕緣層41B上形成有由銅形成的導(dǎo)體圖案61B。以將導(dǎo)體圖案61B的布線部61b的一部分覆蓋的方式形成有由鎳形成的金屬覆蓋層17。金屬覆蓋層17延伸至距導(dǎo)體圖案61B的交界61c3μm以上的位置。以將導(dǎo)體圖案61B的端子部61a覆蓋的方式形成有由與金屬覆蓋層17的材料相同的材料形成的阻隔層70。覆蓋導(dǎo)體圖案61B的布線部61b的全部金屬覆蓋層17的長度相對于該布線部61b的全長的比例設(shè)定為40％以下。

以將在位于下方的導(dǎo)體圖案61A上設(shè)置的阻隔層70覆蓋的方式形成有金層71。由此形成了具有飛跨構(gòu)造的連接端子TA。以將在位于上方的導(dǎo)體圖案61B上設(shè)置的阻隔層70覆蓋的方式形成有金層71。由此，形成了連接端子TB。

如所述那樣，覆蓋位于上方的導(dǎo)體圖案61B的布線部61b的全部金屬覆蓋層17的長度相對于該布線部61b的全長的比例設(shè)定為40％以下。由此，導(dǎo)體圖案61B的布線部61b與第4實施方式同樣地能夠降低在高頻帶中的電信號的傳送損失。因而，導(dǎo)體圖案61B的布線部61b能夠作為高頻信號用的傳送線路有效地使用。

另外，在所述結(jié)構(gòu)中，金屬覆蓋層17與阻隔層70相同地由鎳形成，金屬覆蓋層17與阻隔層70一體地構(gòu)成。阻隔層70作為金屬覆蓋層17的一部分發(fā)揮作用。能夠利用金屬覆蓋層17和阻隔層70將導(dǎo)體圖案61A、61B的交界61c及其附近部分連續(xù)地覆蓋。由此，能夠防止空氣、水或者化學(xué)溶液等流體從覆蓋絕緣層43的外部進(jìn)入金屬覆蓋層17和阻隔層70的內(nèi)部。因而，能夠防止導(dǎo)體圖案61A、61B的交界61c及其附近發(fā)生腐蝕。

以將位于下方的導(dǎo)體圖案61A的布線部61b整體覆蓋的方式形成有由鎳形成的金屬覆蓋層17，因此導(dǎo)體圖案61A與絕緣層41B之間的密合性得到提高。導(dǎo)體圖案61A的布線部61b優(yōu)選例如作為低頻信號用的傳送線路、接地導(dǎo)體層或者屏蔽層使用。

另外，在圖34的第3構(gòu)成例中，也可以與圖18的例子同樣地，在導(dǎo)體圖案61A、61B的端子部61a與阻隔層70之間形成有金屬覆蓋層17。

圖35是表示上下層疊的兩個導(dǎo)體圖案及與它們相對應(yīng)的兩個連接端子的第4構(gòu)成例的剖視圖。圖35的(a)表示兩個導(dǎo)體圖案61A、61B的兩個連接端子及它們的周邊構(gòu)件的縱剖視圖。圖35的(b)表示圖35的(a)的C4－C4縱剖視圖。以下，對于第4構(gòu)成例，說明與圖32的第1構(gòu)成例的不同之處。

在圖35的第4構(gòu)成例中，與圖32的第1構(gòu)成例同樣地，以將位于下方的導(dǎo)體圖案61A的布線部61b的一部分覆蓋的方式形成有由鎳形成的金屬覆蓋層17。覆蓋導(dǎo)體圖案61A的布線部61b的全部金屬覆蓋層17的長度相對于該布線部61b的全長的比例設(shè)定為40％以下。

另外，在圖35的第4構(gòu)成例中，與圖34的第3構(gòu)成例同樣地，以將位于上方的導(dǎo)體圖案61B的布線部61b的一部分覆蓋的方式形成有由鎳形成的金屬覆蓋層17。覆蓋導(dǎo)體圖案61B的布線部61b的全部金屬覆蓋層17的長度相對于該布線部61b的全長的比例設(shè)定為40％以下。

由此，導(dǎo)體圖案61A、61B的布線部61b與第4實施方式同樣地能夠降低在高頻帶中的電信號的傳送損失。因而，導(dǎo)體圖案61A、61B的布線部61b能夠作為高頻信號用的傳送線路有效地使用。

另外，在圖35的第4構(gòu)成例中，也可以與圖18的例子同樣地，在導(dǎo)體圖案61A、61B的端子部61a與阻隔層70之間形成金屬覆蓋層17。

圖36是表示上下層疊的兩個導(dǎo)體圖案及與它們相對應(yīng)的兩個連接端子的第5構(gòu)成例的剖視圖。圖36的(a)表示兩個導(dǎo)體圖案61A、61B的兩個連接端子及它們的周邊構(gòu)件的縱剖視圖。圖36的(b)表示圖36的(a)的C5－C5縱剖視圖。以下，對于第5構(gòu)成例，說明與圖34的第3構(gòu)成例的不同之處。

在圖36的第5構(gòu)成例中，與圖34的第3構(gòu)成例同樣地，以將位于下方的導(dǎo)體圖案61A的布線部61b整體覆蓋的方式形成有由鎳形成的金屬覆蓋層17。

而關(guān)于位于上方的導(dǎo)體圖案61B，以將布線部61b整體和端子部61a覆蓋的方式形成有金屬覆蓋層15。金屬覆蓋層15主要由具有比鎳的磁性低的磁性的金屬(例如非磁性體的金屬)形成，具有比鎳的磁性低的磁性。在本例中，作為金屬覆蓋層15的材料，能夠使用金或者銀。

以將金屬覆蓋層15的覆蓋導(dǎo)體圖案61B的布線部61b的部分覆蓋并且不將金屬覆蓋層15的覆蓋端子部61a的其他部分覆蓋的方式，在絕緣層41B上形成有覆蓋絕緣層43。以將金屬覆蓋層15的覆蓋端子部61a的部分覆蓋的方式形成有由鎳形成的阻隔層70。以覆蓋該阻隔層70的方式形成有金層71。由此，形成了連接端子TB。

在所述結(jié)構(gòu)中，在位于上方的導(dǎo)體圖案61B的布線部61b與覆蓋絕緣層43之間不存在具有鎳的磁性以上的磁性的金屬層。由此，導(dǎo)體圖案61B的布線部61b與第1實施方式同樣地能夠降低在高頻帶中的電信號的傳送損失。因而，導(dǎo)體圖案61B的布線部61b能夠作為高頻信號用的傳送線路有效地使用。另外，能夠利用金屬覆蓋層15將導(dǎo)體圖案61B的交界61c及其附近部分連續(xù)地覆蓋，因此能夠防止空氣、水或者化學(xué)溶液等流體從覆蓋絕緣層43的外部進(jìn)入金屬覆蓋層15的內(nèi)部。因而，能夠防止導(dǎo)體圖案61B的交界61c及其附近發(fā)生腐蝕。

另外，在圖36的第5構(gòu)成例中，也可以與圖10的第2實施方式的例子同樣地，將金屬覆蓋層15形成為并非將導(dǎo)體圖案61B整體覆蓋，而是覆蓋導(dǎo)體圖案61B的布線部61b的一部分和端子部61a。另外，也可以與圖18的例子同樣地，在導(dǎo)體圖案61A的端子部61a與阻隔層70之間形成金屬覆蓋層17。

圖37是表示上下層疊的兩個導(dǎo)體圖案及與它們相對應(yīng)的兩個連接端子的第6構(gòu)成例的剖視圖。圖37的(a)表示兩個導(dǎo)體圖案61A、61B的兩個連接端子及它們的周邊構(gòu)件的縱剖視圖。圖37的(b)表示圖37的(a)的C6－C6縱剖視圖。以下，對于第6構(gòu)成例，說明與圖33的第2構(gòu)成例的不同之處。

在圖37的第6構(gòu)成例中，與圖33的第2構(gòu)成例同樣地，以將位于下方的導(dǎo)體圖案61A的布線部61b整體和端子部61a覆蓋的方式形成有金屬覆蓋層15。如所述那樣，金屬覆蓋層15具有比鎳的磁性低的磁性。

另外，在圖37的第6構(gòu)成例中，與圖36的第5構(gòu)成例同樣地，以將位于上方的導(dǎo)體圖案61B的布線部61b整體和端子部61a覆蓋的方式形成有金屬覆蓋層15。

由此，導(dǎo)體圖案61A、61B的布線部61b與第1實施方式同樣地能夠降低在高頻帶中的電信號的傳送損失。因而，導(dǎo)體圖案61A、61B的布線部61b能夠作為高頻信號用的傳送線路有效地使用。另外，能夠利用金屬覆蓋層15將導(dǎo)體圖案61A、61B的交界61c及其附近部分連續(xù)地覆蓋，因此能夠防止導(dǎo)體圖案61A、61B的交界61c及其附近發(fā)生腐蝕。

另外，在圖37的第6構(gòu)成例中，也可以與圖10的第2實施方式的例子同樣地，將金屬覆蓋層15形成為并非將導(dǎo)體圖案61A整體覆蓋，而是覆蓋導(dǎo)體圖案61A的布線部61b的一部分和端子部61a。另外，也可以將金屬覆蓋層15形成為并非將導(dǎo)體圖案61B整體覆蓋，而是覆蓋導(dǎo)體圖案61B的布線部61b的一部分和端子部61a。

(9)在所述實施方式中，布線電路基板是包括支承基板10的懸掛基板1，但是本發(fā)明不限定于此。布線電路基板也可以是例如不包括支承基板10的撓性布線電路基板。

(10)在所述實施方式中，金屬覆蓋層15、17例如利用電解鍍、非電解鍍或者濺射形成，但是本發(fā)明不限于此。金屬覆蓋層15、17也可以使用半添加法或者減去法等其他方法形成。

另外，在所述實施方式中，金屬覆蓋層16、18利用電解鍍形成，但是本發(fā)明不限定于此。金屬覆蓋層16、18也可以使用非電解鍍、濺射、半添加法或者減去法等其他方法形成。

(11)在第1實施方式中，也可以與第3實施方式同樣地，在金屬覆蓋層15中的覆蓋導(dǎo)體圖案61的端子部61a的部分上形成圖11的金屬覆蓋層16。另外，在第4實施方式中，也可以與第3實施方式同樣地，在金屬覆蓋層17中的覆蓋導(dǎo)體圖案61的端子部61a的部分上形成圖11的金屬覆蓋層16。此外，在第5實施方式中，也可以與第3實施方式同樣地，在金屬覆蓋層18中的覆蓋導(dǎo)體圖案61的端子部61a的部分上形成圖11的金屬覆蓋層16。在這些情況下，能夠使連接端子21～26、31～36的表面狀態(tài)工整。

(12)在第1～第3實施方式中，也可以與第5實施方式同樣地，以將金屬覆蓋層15整體覆蓋的方式形成圖14的金屬覆蓋層18。在該情況下，作為金屬覆蓋層18的材料，使用具有比鎳的磁性低的磁性的金屬。

(13)在第4實施方式中，以自多個導(dǎo)體圖案61的布線部61b的兩端部延伸的方式形成金屬覆蓋層17，但是本發(fā)明不限定于所述例子。只要覆蓋布線部61b的金屬覆蓋層17的長度相對于該布線部61b的全長的比例為40％以下，則也可以形成為金屬覆蓋層17的一部分與金屬覆蓋層17的位于該布線部61b的兩端部的部分分離。例如，也可以是金屬覆蓋層17的一部分形成于布線部61b的中央部。

(14)所述第1～第5實施方式的懸掛基板基本上具有在金屬制的支承基板10上將基底絕緣層41、導(dǎo)體圖案61以及覆蓋絕緣層43按該順序?qū)盈B而成的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不限定于此。懸掛基板在所述結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，還可以進(jìn)一步具有設(shè)于支承基板10與基底絕緣層41之間的其他絕緣層以及其他導(dǎo)體圖案(參照圖32～圖37的第1～第6構(gòu)成例)。該懸掛基板基本上具有在金屬制的支承基板10上將其他絕緣層、其他導(dǎo)體圖案、基底絕緣層41、導(dǎo)體圖案61以及覆蓋絕緣層43按該順序?qū)盈B而成的結(jié)構(gòu)。在該情況下，對于其他導(dǎo)體圖案，也可以與所述的實施方式同樣地，以將布線部的至少一部分和端子部覆蓋的方式形成金屬覆蓋層15、17、18中的任一者。另外，也可以是，以將其他導(dǎo)體圖案的布線部覆蓋的方式在其他絕緣層上形成基底絕緣層41。由此，其他導(dǎo)體圖案也能夠獲得與所述實施方式同樣的效果。

[7]權(quán)利要求的各構(gòu)成要素與實施方式的各部之間的対応關(guān)系

以下，說明權(quán)利要求的各構(gòu)成要素與實施方式的各部之間的對應(yīng)例，但本發(fā)明并不限定于下述的例子。

在所述實施方式中，基底絕緣層41和絕緣層41A、41B是第1絕緣層的例子，導(dǎo)體圖案61、61A、61B是導(dǎo)體圖案的例子，端子部61a是端子部的例子，布線部61b是布線部的例子，金屬覆蓋層15、17、18和由與金屬覆蓋層17的材料相同的材料形成的阻隔層70是第1金屬覆蓋層的例子，覆蓋絕緣層43和絕緣層41B是第2絕緣層的例子，金屬覆蓋層16是第2金屬覆蓋層的例子，金屬覆蓋層17是第1金屬層的例子，金屬覆蓋層18是第2金屬層的例子，懸掛基板1是布線電路基板的例子。

并且，阻隔層70是端子阻隔層的例子，金層71是端子表面層的例子，導(dǎo)體圖案61B是上部導(dǎo)體圖案的例子，導(dǎo)體圖案61B的端子部61a是上部端子部的例子，導(dǎo)體圖案61B的布線部61b是上部布線部的例子，金屬覆蓋層15、17和由與金屬覆蓋層17的材料相同的材料形成的阻隔層70是上部金屬覆蓋層的例子，覆蓋絕緣層43是第3絕緣層的例子，絕緣層41A是下部絕緣層的例子，導(dǎo)體圖案61A是下部導(dǎo)體圖案的例子。

作為權(quán)利要求的各構(gòu)成要素，也能夠使用具有權(quán)利要求中記載的特征或者功能的其他的各種要素。

[8]實施例和比較例

本發(fā)明人制作出具有與第1實施方式的懸掛基板1(參照圖1和圖5)相同的結(jié)構(gòu)的懸掛基板作為實施例1，制作出具有與第2實施方式的懸掛基板(參照圖10)相同的結(jié)構(gòu)的懸掛基板作為實施例2、3、4、5。在實施例2、3、4、5中，將圖10的(b)中的距離L1分別設(shè)定為3μm、5μm、10μm和50μm。

并且，本發(fā)明人制作出具有與第3實施方式的懸掛基板(參照圖11)相同的結(jié)構(gòu)的懸掛基板作為實施例6。在實施例6中，將圖11的(b)中的距離L1設(shè)定為5μm。

而且，本發(fā)明人制作出具有與第5實施方式的懸掛基板相同的結(jié)構(gòu)的懸掛基板(參照圖14)作為實施例7、8、9、10、11、12。在實施例7、8、9、10、11、12中，將圖14的(b)中的距離L2分別設(shè)定為5μm、10μm、50μm、950μm、3800μm和7600μm。

并且，在實施例7～12中，將構(gòu)成寫入用布線圖案W1、W2和讀取用布線圖案R1、R2的四個布線部61b的全長分別設(shè)定為38mm。將被金屬覆蓋層17覆蓋的部分的長度相對于布線部61b的全長的比率稱作強磁性覆蓋層占有率。在該情況下，關(guān)于寫入用布線圖案W1、W2和讀取用布線圖案R1、R2，實施例7、8、9、10、11、12中的強磁性覆蓋層占有率分別為0.03％、0.05％、0.26％、5％、20％和40％。另一方面，實施例1～6中的強磁性覆蓋層占有率全部為0％。

另外，本發(fā)明人制作出除圖10的(b)中的距離L1的設(shè)定值之外具有與第2實施方式的懸掛基板基本相同的結(jié)構(gòu)的懸掛基板作為比較例1。在比較例1的懸掛基板中，將圖10的(b)中的距離L1設(shè)定為1μm。

并且，本發(fā)明人制作出具有以下結(jié)構(gòu)的懸掛基板作為比較例2。圖38是表示比較例2的懸掛基板的局部的俯視圖和剖視圖。圖38的(a)、(b)分別表示俯視圖和剖視圖。圖38的(a)的俯視圖與第1實施方式的圖3的(a)的俯視圖相對應(yīng)。圖38的(b)的剖視圖表示圖38的(a)中的K－K放大剖視圖，與第1實施方式的圖5的(a)的剖視圖相對應(yīng)。

比較例2的懸掛基板也與第1實施方式同樣地，在支承基板10上形成有基底絕緣層41，在基底絕緣層41上形成有多個導(dǎo)體圖案61。以覆蓋多個導(dǎo)體圖案61的布線部61b的方式在基底絕緣層41上形成有覆蓋絕緣層43(參照圖4的(a))。在圖38的(a)中，省略了覆蓋絕緣層43的圖示。

如圖38的(a)、(b)所示，以覆蓋各導(dǎo)體圖案61的布線部61b整體且不覆蓋端子部61a的方式形成有金屬覆蓋層17。以覆蓋端子部61a的方式形成有金屬覆蓋層19。這樣，在比較例2的懸掛基板中，金屬覆蓋層17、19均未形成為從端子部61a的表面上向布線部61b的表面上連續(xù)地延伸。金屬覆蓋層17與金屬覆蓋層19之間的交界位于同導(dǎo)體圖案61的端子部61a與布線部61b之間的交界61c重疊的位置。在比較例2中，金屬覆蓋層17覆蓋布線部61b整體，因此強磁性覆蓋層占有率為100％。

在所述實施例1～12和比較例1、2的懸掛基板中，作為支承基板10的材料，使用了不銹鋼，作為基底絕緣層41和覆蓋絕緣層43的材料，使用了聚酰亞胺，作為導(dǎo)體圖案61的材料，使用了銅。并且，作為實施例1～6和比較例1的金屬覆蓋層15、實施例6的金屬覆蓋層16以及實施例7～12的金屬覆蓋層18的材料，使用了金。并且，作為實施例7～12和比較例2的金屬覆蓋層17的材料，使用了鎳，作為比較例2的金屬覆蓋層19的材料，使用了金。

為了對實施例1～12以及比較例1、2進(jìn)行電氣特性的評價，本發(fā)明人測量了表示利用寫入用布線圖案W1、W2傳送電信號時的透過特性的參數(shù)SDD21。參數(shù)SDD21表示差動模式輸入以及差動模式輸出下的衰減量。

圖39是表示對于實施例10、11、12以及比較例2的參數(shù)SDD21的測量結(jié)果的圖。在圖39中，縱軸表示參數(shù)SDD21[dB]，橫軸表示電信號的頻率[GHz]。另外，在圖39中，對于實施例10、11、12的測量結(jié)果分別利用實線、單點劃線以及粗實線表示，對于比較例2的測量結(jié)果利用虛線表示。

根據(jù)圖39的測量結(jié)果，實施例10、11、12的懸掛基板即使在傳送4.5GHz以上的頻率的信號的情況下，參數(shù)SDD21(衰減量)也能夠保持為－3dB(50％)以上，即，可知高頻帶的衰減量較小。另一方面，比較例2的懸掛基板在傳送4.5GHz以上的頻率的信號的情況下，參數(shù)SDD21(衰減量)低于－3dB(50％)，即，可知高頻帶的衰減量較大。

對實施例1～12以及比較例1進(jìn)行了所述測量的結(jié)果可知，對于任一懸掛基板，在傳送4.5GHz以上的頻率的信號的情況下，參數(shù)SDD21保持為－3dB以上。即，可知在高頻帶中的電信號的傳送損失降低。而對于比較例2，可知：在傳送4.5GHz以上的頻率的信號的情況下，參數(shù)SDD21低于－3dB。即，可知在高頻帶中電信號的傳送損失變高。

實施例1～12以及比較例1的懸掛基板的強磁性覆蓋層占有率為40％以下。因而，可知：在布線部61b的全長的至少60％以上的范圍內(nèi)在布線部61b與覆蓋絕緣層43之間不存在鎳，從而電信號的傳送損失減低。

另外，從所述測量結(jié)果可知：對于實施例1～11以及比較例1，在任一懸掛基板中傳送5GHz以上的頻率的信號的情況下，參數(shù)SDD21都能夠保持為－3dB以上。即，可知在高頻帶中的電信號的傳送損失進(jìn)一步降低。因而，優(yōu)選強磁性覆蓋層占有率設(shè)定為20％以下。

本發(fā)明人對實施例1～12以及比較例1、2的覆蓋絕緣層43與導(dǎo)體圖案61的布線部61b之間的密合性進(jìn)行了評價。具體而言，本發(fā)明人在導(dǎo)體圖案61的端子部61a與布線部61b之間的交界61c附近對覆蓋絕緣層43的端部與導(dǎo)體圖案61之間是否產(chǎn)生較大的空隙進(jìn)行了確認(rèn)。

結(jié)果，對于實施例1～12和比較例2，在覆蓋絕緣層43的端部與布線部61b之間沒有產(chǎn)生較大的空隙。另一方面，對于比較例1，在覆蓋絕緣層43的端部與導(dǎo)體圖案61之間產(chǎn)生了較大的空隙。從這些結(jié)果可知：形成為金屬覆蓋層15、17、18均在布線部61b上延伸至距導(dǎo)體圖案61的交界61c上的位置3μm以上的位置，從而覆蓋絕緣層43與布線部61b之間的密合性得到提高。

本發(fā)明人對實施例1～12和比較例1、2的各導(dǎo)體圖案61的端子部61a與布線部61b之間的交界61c及其附近有無腐蝕進(jìn)行了確認(rèn)。

結(jié)果，在實施例1～12的情況下，在導(dǎo)體圖案61沒有發(fā)生腐蝕。另一方面，在比較例1、2的情況下，在導(dǎo)體圖案61發(fā)生了腐蝕。在比較例1的懸掛基板的情況下，空氣、水或者化學(xué)溶液等流體經(jīng)由形成在覆蓋絕緣層43與導(dǎo)體圖案61之間的空隙進(jìn)入覆蓋絕緣層43的內(nèi)部。另一方面，在比較例2的懸掛基板的情況下，空氣、水或者化學(xué)溶液等流體經(jīng)由金屬覆蓋層17、19的交界進(jìn)入金屬覆蓋層17、19的內(nèi)部。

根據(jù)所述結(jié)果可知：形成為覆蓋布線部61b的金屬覆蓋層15、17、18中的任意一者延伸至距交界61c上的位置3μm以上的位置，并且形成為金屬覆蓋層15、17、18中的任意一者從端子部61a的表面上向布線部61b的表面上連續(xù)地延伸，由此，能夠防止導(dǎo)體圖案61發(fā)生腐蝕。

下述表1表示針對實施例1～12和比較例1、2的電氣特性的評價結(jié)果、密合性的評價結(jié)果以及有無腐蝕的確認(rèn)結(jié)果。另外，在表1中，連同各評價結(jié)果一起示出了金屬覆蓋層15、17、18的覆蓋布線部61b的一端的部分的長度(距交界61c的距離)。并且，示出了與覆蓋絕緣層43接觸的金屬覆蓋層15、17、18是否從端子部61a的表面上向布線部61b的表面上連續(xù)地延伸。而且，在表1中，還示出了強磁性覆蓋層占有率。

在表1的電氣特性的評價結(jié)果中，參數(shù)SDD21表現(xiàn)為－3dB(50％)時的頻率為5.0GHz以上的懸掛基板利用“◎”表示。并且，參數(shù)SDD21表現(xiàn)為－3dB(50％)時的頻率為4.5GHz以上且小于5.0GHz的懸掛基板利用“○”表示，參數(shù)SDD21表現(xiàn)為－3dB(50％)時的頻率小于4.5GHz的懸掛基板利用“×”表示。

在表1的覆蓋絕緣層43的密合性的評價結(jié)果中，在覆蓋絕緣層43與導(dǎo)體圖案61之間未產(chǎn)生較大的空隙的懸掛基板利用“○”表示，產(chǎn)生了較大的空隙的懸掛基板利用“×”表示。

在表1的導(dǎo)體圖案61的可靠性的評價結(jié)果中，在導(dǎo)體圖案61未發(fā)生腐蝕的懸掛基板利用“○”表示，發(fā)生腐蝕了的懸掛基板利用“×”表示。

[表1]

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本發(fā)明能夠有效地利用于各種布線電路基板。