熱輔助磁記錄的優(yōu)化記錄條件的制作方法
【專利摘要】一種裝置，包括控制器，該控制器被配置為將寫(xiě)入配置(WC)應(yīng)用到熱輔助磁記錄頭以對(duì)記錄介質(zhì)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。該記錄介質(zhì)包括多個(gè)扇區(qū)。該控制器被進(jìn)一步配置為針對(duì)該多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)確定優(yōu)化的WC并對(duì)該多個(gè)扇區(qū)中的一個(gè)開(kāi)始寫(xiě)入操作。此寫(xiě)入操作被配置為通過(guò)利用優(yōu)化的WC的該頭對(duì)相應(yīng)的扇區(qū)執(zhí)行。
【專利說(shuō)明】熱輔助磁記錄的優(yōu)化記錄條件

【發(fā)明內(nèi)容】

[0001] 本公開(kāi)的裝置包括控制器，該控制器被配置為將寫(xiě)入配置(WC)應(yīng)用到熱輔助磁記 錄頭以對(duì)記錄介質(zhì)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。記錄介質(zhì)包括多個(gè)扇區(qū)?？刂破鞅贿M(jìn)一步配置為針對(duì)多個(gè)扇 區(qū)的每一個(gè)確定優(yōu)化的WC且對(duì)多個(gè)扇區(qū)中的一個(gè)開(kāi)始寫(xiě)入操作。寫(xiě)入操作被配置為由利用 優(yōu)化的WC的頭對(duì)相應(yīng)的扇區(qū)執(zhí)行。
[0002] 本公開(kāi)的方法包括為記錄介質(zhì)的多個(gè)扇區(qū)中的每一個(gè)確定優(yōu)化的寫(xiě)入配置(WC) 以利用熱輔助磁記錄頭執(zhí)行寫(xiě)入操作。
[0003] 本公開(kāi)的另一個(gè)裝置包括控制器，該控制器被配置為將寫(xiě)入配置(WC)應(yīng)用到熱輔 助磁記錄頭以對(duì)記錄介質(zhì)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。記錄介質(zhì)包括多個(gè)扇區(qū)?？刂破鞅贿M(jìn)一步配置為針對(duì) 多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)確定優(yōu)化的WC并對(duì)多個(gè)扇區(qū)中的一個(gè)開(kāi)始寫(xiě)入操作。優(yōu)化的WC包括用于 最小化記錄介質(zhì)的多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)的三軌誤碼率（triple track bit error rate)的 WC，且寫(xiě)入操作被配置為對(duì)相應(yīng)的扇區(qū)利用優(yōu)化的WC來(lái)執(zhí)行。
[0004] 以上
【發(fā)明內(nèi)容】
并不旨在描述每個(gè)實(shí)施例或每種實(shí)現(xiàn)方式。通過(guò)參照以下結(jié)合附圖 的【具體實(shí)施方式】以及權(quán)利要求書(shū)，更完整的理解將變得明顯且可被認(rèn)識(shí)到。
【附圖說(shuō)明】
[0005] 圖1示出HAMR滑塊的示例。
[0006] 圖2示出讀/寫(xiě)頭配置的示例。
[0007] 圖3A示出具有識(shí)別的軌道和扇區(qū)的盤的示例。
[0008] 圖3B示出理想的軌道輪廓。
[0009] 圖3C示出實(shí)際的軌道輪廓。
[0010] 圖4是軌道的扇區(qū)上的誤碼率(BER)的變化的示圖。
[0011]圖5是鄰近軌道的BER的變化的示圖。
[0012]圖6、6A和7是示出根據(jù)多種示例實(shí)施例的基于扇區(qū)的激光二極管電流(SB-LDI)寫(xiě) 入方法的流程圖。
[0013]圖8-9是將基于軌道的激光二極管電流(TB-LDI)寫(xiě)入與SB-LDI寫(xiě)入相比較的示 圖。
[0014] 這些附圖不一定按比例繪制。附圖中使用的相同數(shù)字表示相同部件。然而，將理解 在給定附圖中使用數(shù)字來(lái)指代部件不旨在限制用另一附圖中同一數(shù)字標(biāo)記的部件。
【具體實(shí)施方式】
[0015] 在熱輔助磁記錄(HAMR)(也稱為熱學(xué)輔助磁記錄(TAMR))中，熱能與應(yīng)用到磁記錄 介質(zhì)（例如，硬盤）的磁場(chǎng)結(jié)合使用以克服限制了傳統(tǒng)磁介質(zhì)的面數(shù)據(jù)密度的超順磁效應(yīng)。 在HAMR記錄中，以升高的溫度將信息位記錄在存儲(chǔ)層上。存儲(chǔ)層中的加熱面積確定數(shù)據(jù)位 尺寸并且線性記錄密度由數(shù)據(jù)位之間的磁轉(zhuǎn)變來(lái)確定。
[0016] 為了獲得期望的數(shù)據(jù)密度，HAMR記錄頭(也被稱為HAMR滑塊)包括光學(xué)組件，該光 學(xué)組件將光能從能量源引導(dǎo)、集中且轉(zhuǎn)換為記錄介質(zhì)上的熱量。HAMR滑塊的示例配置在圖1 中示出。HAMR滑塊100包括能量源102,例如激光二極管，配置為產(chǎn)生用于激勵(lì)近場(chǎng)換能器 (NFT) 106的光學(xué)天線112的激光。能量源102所產(chǎn)生的激光經(jīng)由光波導(dǎo)110引導(dǎo)至NFT 106。 頭介質(zhì)接觸面(HMI)(也被稱為空氣承載表面(ABS))用項(xiàng)目編號(hào)108來(lái)指示。
[0017]在圖2中，框圖示出根據(jù)示例實(shí)施例的滑塊200的截面圖。如圖所示，波導(dǎo)202從能 量源接收電磁能量204,此能量耦合到近場(chǎng)換能器(NFTUC^NFTSOe由金屬(例如，銀、金、銅 等）制成，響應(yīng)于施加的能量204而獲得表面等離子體共振。NFT 206定形（shape)并傳輸此 能量以在介質(zhì)214的表面210上創(chuàng)建小熱點(diǎn)208。響應(yīng)于施加的電流，磁寫(xiě)極216導(dǎo)致面向滑 塊的表面218的介質(zhì)附近的磁通量變化。當(dāng)熱點(diǎn)208沿下行軌道(downtrack)方向（z方向）移 動(dòng)經(jīng)過(guò)寫(xiě)極216時(shí)，來(lái)自寫(xiě)極216的通量改變了熱點(diǎn)208的磁取向。施加到NFT 206以創(chuàng)建熱 點(diǎn)的能量204可導(dǎo)致局部區(qū)域中的顯著溫度上升。如此，NFT206可包括散熱器220以將一些 熱量吸走到例如寫(xiě)極216或其他附近的熱導(dǎo)組件。
[0018]在HAMR中，磁屬性和熱屬性確定優(yōu)選的寫(xiě)入配置(下文中的"WC"）（LDI Iop/LDI-OSA/LDI-OSD/Iw/OSA/OSD/加熱器設(shè)置等）以獲得最佳性能。通常，HAMR驅(qū)動(dòng)器期望地以WC 工作，該WC產(chǎn)生可接受的三軌BER。在一個(gè)配置中，HAMR激光二極管電流寫(xiě)入方法包括基于 軌道的激光二極管電流(TB-LDI)寫(xiě)入方法，其中整個(gè)軌道由固定的LDI以WC來(lái)寫(xiě)入。此寫(xiě)入 方法假設(shè)軌道上均勻的優(yōu)選的L DI。然而，HAM R介質(zhì)可顯示軌道上的非均勻性，也被稱為一 次一圈（once around，0AR)。對(duì)于具有0AR問(wèn)題的介質(zhì)，TB-LDI寫(xiě)入方法可導(dǎo)致不均勾的軌 道輪廓以及不均勻的三軌BER。通常，盤的材料分布可導(dǎo)致盤內(nèi)的變化，可以是熱學(xué)變化或 磁性變化，如此，期望針對(duì)這些變化而調(diào)節(jié)。
[0019]參考圖3A-3C可更好地理解軌道輪廓中的變化。圖3A示出具有軌道302和多個(gè)扇區(qū) 304的簡(jiǎn)化磁記錄介質(zhì)300。圖3B表示當(dāng)使用TB-LDI寫(xiě)入方法時(shí)對(duì)于軌道302和扇區(qū)304的理 想軌道輪廓，具有均勻的寫(xiě)入寬度(WW)。圖3C示出當(dāng)使用TB-LDI寫(xiě)入方法時(shí)對(duì)于軌道302和 扇區(qū)304的實(shí)際軌道輪廓。如圖所示，WW可在單次回轉(zhuǎn)上顯著地變化，導(dǎo)致不均勻的三軌 BER。圖4通過(guò)單個(gè)軌道的多個(gè)扇區(qū)上的三軌BER的變化的示圖進(jìn)一步例證了上述變化。
[0020]在TB-LDI寫(xiě)入方法中，對(duì)于具有0AR的磁介質(zhì)，同一軌道上的扇區(qū)必須平衡 (compromise)BER以在固定的LDI lop下共同工作。因此，軌道上的三軌BER不在最佳值處。 此外，在多次寫(xiě)入之后，相鄰軌道對(duì)BER的影響顯示軌道上不均勻性，或0AR(在10次寫(xiě)入之 后觀察到相鄰的0AR，如圖5所示）。由于更寬的寫(xiě)入寬度，相鄰軌道對(duì)BER的影響對(duì)于需要比 固定Iqp更少的Iqp的扇區(qū)可以是每十個(gè)單位差〇.5(見(jiàn)圖5)。圖5是當(dāng)磁介質(zhì)具有0AR問(wèn)題時(shí)， 在中心軌道的0到1000次寫(xiě)入之后，相鄰軌道的軌道上三軌BER的示圖。
[0021]為了獲得來(lái)自給定介質(zhì)的最佳三軌BER，且為了減小相鄰軌道影響0AR效應(yīng)，本發(fā) 明公開(kāi)了一種基于扇區(qū)的WC(SB-WC)寫(xiě)入方法。方法通常包括尋找優(yōu)化的WC，針對(duì)記錄介質(zhì) 的多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)確定優(yōu)選的優(yōu)化WC，以及當(dāng)HAMR頭對(duì)扇區(qū)寫(xiě)入時(shí)調(diào)節(jié)HAMR頭的WC。在 SB-WC中，可掃描任意WC參數(shù)（下文中的"WCP"），例如，將影響HAMR寫(xiě)入的任何參數(shù)，包括但 不限于激光二極管工作電流(LDI lop)、磁寫(xiě)入電流（Iw)、激光二極管電流的過(guò)沖（over shoot)幅度(LDI-0SA)、激光二極管電流的過(guò)沖持續(xù)時(shí)間（LSI-0SD)、磁寫(xiě)入電流的過(guò)沖幅 度(0SA)、磁寫(xiě)入電流的過(guò)沖持續(xù)時(shí)間（0SD)等。可選擇優(yōu)化單個(gè)WCP或多個(gè)WCP，每次優(yōu)化一 個(gè)WCP。LDI是HAMR中最獨(dú)特的WCP之一。在以下方法600中，SB-LDI寫(xiě)入被給出作為SB-WC寫(xiě) 入的明顯示例?？捎孟鄳?yīng)SB-WC寫(xiě)入的其他WCP在方法600中替換lop。
[0022] 參考圖6的流程圖示出了方法600。在SB-LDI寫(xiě)入方法600中，對(duì)于給定的介質(zhì)軌 道，軌道的每個(gè)扇區(qū)通過(guò)相應(yīng)的Iqp來(lái)寫(xiě)入，相應(yīng)的Iqp允許每個(gè)扇區(qū)產(chǎn)生最佳的三軌BER。圖 6和6A中示出的方法使用多種字母標(biāo)識(shí)符以供參考，包括下列字母標(biāo)識(shí)符：（l)j是軌道編 號(hào)；（2)m是介質(zhì)上的軌道的總數(shù)；（3)k是扇區(qū)編號(hào)；（4)n是軌道j上的扇區(qū)的總數(shù)；以及(5)i 是計(jì)數(shù)器。
[0023]按照方法600,軌道編號(hào)j被建立為等于一 (602)。然后對(duì)于包含元素集[l，n]的所 有扇區(qū)k(604)，i被設(shè)定為等于一 (606)。隨后，利用工作電流IQP(i-1;j)對(duì)每個(gè)軌道j、j-l和j+ 1寫(xiě)入，其中1_』是初始工作電流Iqp，并且測(cè)量BER，其中BER_I〇 P(i-是I〇P(i-1;j)下的軌 道j上的扇區(qū)k的BER。將認(rèn)識(shí)到，在框604處選擇的扇區(qū)可以是軌道的所有扇區(qū)的子集，且在 框602處選擇的軌道可以是介質(zhì)的所有軌道的子集。然后，利用工作電流I QP(1』對(duì)每個(gè)軌道 j、j-l和j+1寫(xiě)入，其中IciPU.j)等于IQP(i- 1;j)+DAC，且DAC是被用戶以與IciPU,」)相同的單位限定 的（例如，〇.20511^)，并且8￡1?再一次被測(cè)量為8￡1?_1〇 [^,1^)(610)。然后根據(jù)方程（1)計(jì)算工 作電流與工作電流+DAC的BER值之間的差別(612):
[0024] % (1)
[0025] 如果差異產(chǎn)生不大于零的A BER(1,k』值(614)，那么計(jì)數(shù)器i增加一(615)，且循環(huán) 的控制返回到步驟610,其中利用反映新i值的工作電流IQP(1d對(duì)每個(gè)軌道j、j_l和j + 1寫(xiě) 入，且再一次測(cè)量反映新i值的BER BER_IQP(i,k,j)。根據(jù)方程（1)再一次確定BER值之間的差 異(612)〇
[0026]如果此差異產(chǎn)生大于零的ABER(i,k,j)值(614)，那么k值（即扇區(qū)編號(hào)）被儲(chǔ)存在扇 區(qū)子集A(u)中，且記錄相應(yīng)的工作電流Iop且知曉作為扇區(qū)子集的所有扇區(qū)編號(hào)k，其 中ABERhkjXMopu-1;j)是最佳的I〇p(616)。隨后，每一次判定框618,對(duì)于包含元素集[1， n]的扇區(qū)編號(hào)k，詢問(wèn)是否A BER(i,k,j)小于零。如果任一 A BER(i,k,j)小于零，那么計(jì)數(shù)器i增 加一 (615)，且控制再一次返回步驟610,如上所述從那進(jìn)行。
[0027] 如果沒(méi)有A BER(i,k,j)小于零，方法600進(jìn)行到判定框620。在判定框620處，詢問(wèn)軌 道編號(hào)j小于軌道的總數(shù)m。如果軌道編號(hào)j小于軌道的總數(shù)m，那么軌道編號(hào)j增加一（或一 些其他值，例如2、3、4一）（621)，并且控制返回到步驟604進(jìn)行而反映新的」值，如上所述。如 此，方法600在介質(zhì)的每一個(gè)扇區(qū)和軌道上重復(fù)以針對(duì)每一個(gè)軌道j，的每一個(gè)扇區(qū)k找到最 佳的工作電流I〇p(k,j)，這將還產(chǎn)生最佳的三軌BER。因?yàn)榉椒?00在各扇區(qū)k和各軌道j上重 復(fù)，可基于所有扇區(qū)子集和相應(yīng)的Icip記錄Icip(k,j)的工作電流查找表(622)。
[0028] 在找到IQP(k,j)之后，可針對(duì)軌道j的扇區(qū)k計(jì)算最終工作激光電流IQP。首先，扇區(qū)k 和軌道的j計(jì)數(shù)器被設(shè)定回到一 (621，623)。然后，對(duì)于所有軌道」（軌道_]_6[1，111](11 1是軌道 的總數(shù)））的所有扇區(qū)k，IQPG)被設(shè)定為等于最小值[Iopo^)]并且根據(jù)方程(2)計(jì)算AIqpo^) (624) 〇
[0029] ,KC|. ( j. ) ^ ?
[0030] 因?yàn)榉椒?00在各扇區(qū)k和各軌道j上重復(fù)(分別使用判定框632，634和增加量633， 635)，所有可在查找表中記錄相應(yīng)的工作電流I QP(j)和AIQP(k,j)(628)?？稍诖鎯?chǔ)設(shè)備的制造 階段(例如合格性試驗(yàn))期間執(zhí)行直到框628的程序。因此，當(dāng)對(duì)介質(zhì)寫(xiě)入時(shí)，可使用從查找 表中獲得的相應(yīng)的1(^0^) = 1(^)+八1(^(1^)逐一扇區(qū)地對(duì)介質(zhì)的每個(gè)軌道寫(xiě)入(630)。注意 到寫(xiě)入電流Iw與工作電流IQP結(jié)合用作（Iop/Iw)以表示對(duì)HAMR記錄頭的優(yōu)選寫(xiě)入配置電流 以從該頭獲得最佳的性能。
[0031]在SB-LDI寫(xiě)入方法的另一個(gè)示例實(shí)施例中，此方法利用角度和半徑來(lái)確定對(duì)介質(zhì) 寫(xiě)入的最佳工作電流。返回參考圖3A，可看出每個(gè)軌道對(duì)應(yīng)于半徑r，且每個(gè)扇區(qū)對(duì)應(yīng)于角 度0?？赏ㄟ^(guò)半徑r替換軌道編號(hào)j且角度0替換扇區(qū)編號(hào)k與此實(shí)施例一起使用圖6和6A的流 程圖，以及根據(jù)需要的其他修改。利用所述的替換，可在方程3中發(fā)現(xiàn)由r所限定的軌道的角 度9所限定的扇區(qū)的最終工作激光電流：
[0032] Lq、g f-4 -
[0033] 項(xiàng)A ^叫…是通過(guò)以下方程4定義的：
[0034] Eq, (4) ?
[0035] 其中：A(k,e,r)是階數(shù)k的系數(shù)
[0036] 應(yīng)該注意到，上述工作電流查找表可通過(guò)適合的存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)來(lái)實(shí)施，或者可 在特別保留的域中對(duì)介質(zhì)附加地/可選地寫(xiě)入上述工作電流查找表。還應(yīng)該注意到，最佳工 作電流的計(jì)算可包括一些因子以適應(yīng)盤驅(qū)動(dòng)器的工作條件中的變化，例如溫度補(bǔ)償因子。 此外，對(duì)于lop和Iw，可提供附加的優(yōu)化以減少存儲(chǔ)器分配，諸如基于使用區(qū)域的、契形的或 基于扇區(qū)的值。
[0037] 圖7示出本公開(kāi)的SB-WC的簡(jiǎn)化流程圖。方法700包括：（1)確定優(yōu)化的WC以利用 HAMR頭為記錄介質(zhì)的多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)執(zhí)行寫(xiě)入操作(702)。方法700可附加地包括保留多 個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)的單個(gè)WCP或多個(gè)WCP的查找表706;使用查找表來(lái)調(diào)節(jié)WC706;和/或?qū)τ涗?介質(zhì)寫(xiě)入查找表708。可按需對(duì)專門的應(yīng)用納入其他步驟。708查找表可以在介質(zhì)上或存儲(chǔ) 器上。第一步，尋找多個(gè)扇區(qū)中的每個(gè)扇區(qū)（區(qū)域)的經(jīng)優(yōu)化的WC。
[0038]圖8和9示出使用本文所公開(kāi)的SB-LDI寫(xiě)入方法的益處中的一些。具體地，圖8提供 與基于軌道的LDI寫(xiě)入方法和基于扇區(qū)的LDI寫(xiě)入方法相關(guān)的軌道上的三軌BER的比較。如 圖所示，基于扇區(qū)的LDI寫(xiě)入方法獲得了最佳的扇區(qū)BER、最佳的軌道上BER，從而獲得最佳 的面密度能力(ADC)。圖9提供使用基于軌道的LDI (TB-LDI)寫(xiě)入方法和基于扇區(qū)的LDI (SB-LDI)寫(xiě)入方法兩者的中心軌道的1000寫(xiě)入之后的相鄰軌道的軌道上的三軌BER的比較。如 圖所示，SB-LDI寫(xiě)入方法顯著地減小鄰近軌道影響一次一圈(ATI 0AR)效果，導(dǎo)致減少總體 的鄰近軌道影響效果。
[0039] 本文中所公開(kāi)的系統(tǒng)、設(shè)備或方法可包括本文中所描述的特征結(jié)構(gòu)、方法或其組 合中的一個(gè)或多個(gè)。例如，設(shè)備或方法可被實(shí)現(xiàn)成包括以上的特征和/或過(guò)程中的一個(gè)或多 個(gè)。意味著這樣的設(shè)備或方法不需要包括本文中所描述的所有特征和/或過(guò)程，但可被實(shí)現(xiàn) 成包括提供有用的結(jié)構(gòu)和/或功能的選擇的特征和/或過(guò)程。
[0040] 可利用相互作用以提供特定結(jié)果的電路和/或軟件模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)以上所描述的各種 實(shí)施例。計(jì)算領(lǐng)域的技術(shù)人員可利用本領(lǐng)域通常已知的知識(shí)在模塊化級(jí)別上或作為整體地 實(shí)現(xiàn)這種描述的功能。例如，本文中所示的流程圖可被用于創(chuàng)建用于由處理器執(zhí)行的計(jì)算 機(jī)可讀指令/代碼。這樣的指令可被存儲(chǔ)在非瞬態(tài)的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上并且被轉(zhuǎn)移至處理 器以供執(zhí)行，如本領(lǐng)域已知的那樣。
[0041] 除非另外指示，否則在說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中使用的表示特征大小、數(shù)量和物理 性質(zhì)的所有數(shù)字應(yīng)當(dāng)被理解為在任何情況下均由術(shù)語(yǔ)大約摂來(lái)修飾。因此，除非相反地指 明，否則在上述說(shuō)明書(shū)和所附權(quán)利要求中闡述的數(shù)值參數(shù)是近似值，這些近似值可根據(jù)利 用本文中公開(kāi)的示教的本領(lǐng)域技術(shù)人員所尋求的期望性質(zhì)而變化。通過(guò)端點(diǎn)對(duì)數(shù)值范圍的 使用包括該范圍內(nèi)的所有數(shù)值(例如1到5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4以及5)以及該范圍 內(nèi)的任何范圍。
[0042] 可對(duì)以上討論的所公開(kāi)的實(shí)施例作出各種變形和添加。因此，本公開(kāi)的范圍不應(yīng) 受到以上所描述的具體實(shí)施例的限制，而只應(yīng)由下面闡述的權(quán)利要求和其等效物進(jìn)行限 定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種裝置，包括： 控制器，配置為將寫(xiě)入配置(WC)應(yīng)用到熱輔助磁記錄頭以對(duì)記錄介質(zhì)寫(xiě)入數(shù)據(jù)，所述 記錄介質(zhì)包含多個(gè)扇區(qū)，其中所述控制器被配置為： 針對(duì)所述多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)確定優(yōu)化的WC;以及 對(duì)所述多個(gè)扇區(qū)中的一個(gè)開(kāi)始寫(xiě)入操作，其中所述寫(xiě)入操作被配置為由利用優(yōu)化的WC 的頭對(duì)相應(yīng)的扇區(qū)執(zhí)行。2. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，優(yōu)化的WC包括多個(gè)寫(xiě)入配置參數(shù)(WCP)，所述 多個(gè)寫(xiě)入配置參數(shù)最小化了所述記錄介質(zhì)的多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)的三軌誤碼率。3. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，優(yōu)化的WC包括單個(gè)WCP，所述單個(gè)WCP最小化 了所述記錄介質(zhì)的多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)的三軌誤碼率。4. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述控制器被配置為儲(chǔ)存對(duì)所述多個(gè)扇區(qū)的 每一個(gè)的優(yōu)化的WC的查找表。5. 如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，經(jīng)由對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)的角度參 數(shù)和半徑參數(shù)對(duì)所述查找表做索引。6. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述扇區(qū)的每一個(gè)包括基于伺服契的扇區(qū)或 基于數(shù)據(jù)的扇區(qū)。7. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)的材料屬性變化，且 其中優(yōu)化的WC響應(yīng)于所述材料屬性的變化。8. 一種方法，包括： 為記錄介質(zhì)的多個(gè)扇區(qū)中的每一個(gè)確定優(yōu)化的寫(xiě)入配置(WC)以利用熱輔助磁記錄頭 執(zhí)行寫(xiě)入操作。9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，優(yōu)化的WC包括優(yōu)化的激光二極管電流(LDI)。10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，優(yōu)化的LDI包括最小化所述記錄介質(zhì)的多個(gè) 扇區(qū)的每一個(gè)的三軌誤碼率的LDI。11. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在查找表中儲(chǔ)存所述多個(gè)扇區(qū) 的每一個(gè)的優(yōu)化的WC。12. 如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，經(jīng)由對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)的角度 參數(shù)和半徑參數(shù)對(duì)所述查找表做索引。13. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述扇區(qū)的每一個(gè)包括基于伺服契的扇區(qū) 或基于數(shù)據(jù)的扇區(qū)。14. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)的材料屬性變化，且 其中優(yōu)化的WC響應(yīng)于所述材料屬性的變化。15. -種裝置，包括： 控制器，配置為將寫(xiě)入配置(WC)應(yīng)用到熱輔助磁記錄頭以對(duì)記錄介質(zhì)寫(xiě)入數(shù)據(jù)，所述 記錄介質(zhì)包含多個(gè)扇區(qū)，其中所述控制器被配置為： 為所述多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)確定優(yōu)化的WC，其中優(yōu)化的WC包括最小化所述記錄介質(zhì)的多 個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)的三軌誤碼率的WC;以及 對(duì)所述多個(gè)扇區(qū)中的一個(gè)開(kāi)始寫(xiě)入操作，其中所述寫(xiě)入操作被配置為利用優(yōu)化的WC對(duì) 相應(yīng)的扇區(qū)執(zhí)行。16. 如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，優(yōu)化的WC包括優(yōu)化的激光二極管電流 (LDI)017. 如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述控制器被配置為儲(chǔ)存對(duì)所述多個(gè)扇區(qū) 的每一個(gè)優(yōu)化的WC的查找表。18. 如權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，經(jīng)由對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)的角度 參數(shù)和半徑參數(shù)對(duì)所述查找表做索引。19. 如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述扇區(qū)的每一個(gè)包括基于伺服契的扇區(qū) 或基于數(shù)據(jù)的扇區(qū)。20. 如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述多個(gè)扇區(qū)的每一個(gè)的材料屬性變化， 且其中優(yōu)化的WC響應(yīng)于所述材料屬性的變化。
【文檔編號(hào)】G11B5/55GK105895118SQ201610086585
【公開(kāi)日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年2月16日
【發(fā)明人】馬敏潔, E·C·蓋琦, 高凱中
【申請(qǐng)人】希捷科技有限公司