專利名稱：用于改進(jìn)的粗糙粒、磁頭介質(zhì)間距和/或磁頭介質(zhì)接觸檢測的電阻溫度傳感器的制作方法
用于改進(jìn)的粗糙粒、磁頭介質(zhì)間距和/或磁頭介質(zhì)接觸檢測的電阻溫度傳感器
相關(guān)專利文件本申請(qǐng)根據(jù)美國專利法35U.S.C.第119(e)要求2010年11月17日提交的臨時(shí)專利申請(qǐng)?zhí)枮?1/414，733和61/414，734的優(yōu)先權(quán)，引用上述兩篇文件的全文并在此結(jié)合。
技術(shù)方案本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種包含了磁頭換能器的設(shè)備，該磁頭換能器被配置為與磁記錄介質(zhì)交互。設(shè)置在該磁頭換能器上的傳感器具有電阻溫度系數(shù)和傳感器電阻。所述傳感器被配置為在高于環(huán)境溫度的溫度下工作，并且對(duì)傳感器與介質(zhì)之間的間距變化作出響應(yīng)。導(dǎo)電性接觸片被連接到所述傳感器并且具有接觸電阻。所述接觸片具有鄰近所述傳感器并大于所述傳感器橫截面的橫截面面積，因此上述接觸電阻相對(duì)于傳感器電阻較小并且其對(duì)傳感器產(chǎn)生的信號(hào)的影響可以忽略不計(jì)。諸個(gè)實(shí)施例涉及一種當(dāng)磁記錄介質(zhì)相對(duì)于磁頭換能器運(yùn)動(dòng)時(shí)，使用具有電阻溫度系數(shù)的傳感器在磁頭換能器上的一緊鄰點(diǎn)感測溫度的方法。所述傳感器連接到具有接觸電阻的導(dǎo)電性接觸片。所述接觸片具有鄰近所述傳感器并大于所述傳感器橫截面的橫截面面積，因此上述接觸電阻相對(duì)于傳感器電阻較小并且其對(duì)傳感器產(chǎn)生的信號(hào)的影響可以忽略不計(jì)。所述方法進(jìn)一步涉及輸出所述傳感器信號(hào)并利用所述傳感器信號(hào)來檢測介質(zhì)的粗糙粒。根據(jù)多種實(shí)施例，一種設(shè)備包括多個(gè)與磁記錄介質(zhì)交互的磁頭換能器以及多個(gè)具有電阻溫度系數(shù)的傳感器。每個(gè)磁頭換能器上設(shè)置至少一個(gè)傳感器，該至少一個(gè)傳感器對(duì)傳感器與介質(zhì)之間的間距變化作出響應(yīng)。電源被配置為向每個(gè)磁頭換能器上的每個(gè)傳感器提供偏壓電源，并且被配置為在熱傳遞變化影響傳感器時(shí)校正所述偏壓電源并將每個(gè)傳感器保持在高于環(huán)境溫度的固定溫度上。在其他實(shí)施例中，一種方法涉及當(dāng)磁記錄介質(zhì)相對(duì)于多個(gè)磁頭換能器運(yùn)動(dòng)時(shí)，使用具有電阻溫度系數(shù)的傳感器對(duì)磁頭換能器和介質(zhì)之間的間距變化進(jìn)行感測。所述方法進(jìn)一步涉及向所述傳感器提供偏壓電源，以及在熱傳遞變化影響傳感器時(shí)校正所述偏壓電源以將每個(gè)傳感器保持在高于環(huán)境溫度的固定溫度上。諸個(gè)實(shí)施例涉及一種包含了磁頭換能器的設(shè)備，該磁頭換能器被配置為與具有多個(gè)軌道的磁記錄介質(zhì)交互。所述設(shè)備還包括設(shè)置在所述磁頭換能器上的具有電阻溫度系數(shù)的傳感器，使得所述傳感器的縱軸被定向?yàn)榇笾屡c所述軌道平行，所述傳感器對(duì)所述介質(zhì)的粗糙粒以及傳感器與介質(zhì)之間的間距變化中的一種或兩種作出響應(yīng)。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，一種方法涉及當(dāng)磁記錄介質(zhì)相對(duì)于多個(gè)磁頭換能器運(yùn)動(dòng)時(shí)，使用具有電阻溫度系數(shù)的傳感器對(duì)所述介質(zhì)的粗糙粒以及磁頭換能器和介質(zhì)之間的間距變化中的一種或兩種進(jìn)行感測。所述傳感器具有方向與所述軌道大致平行的縱軸。多種實(shí)施例中的的這些或其他特征可以參照下面的具體討論和附圖來理解。


圖1是根據(jù)多個(gè)實(shí)施例的結(jié)合了溫度傳感器的熱致動(dòng)磁頭換能器裝置的簡化側(cè)視圖；圖2是圖1所示出的熱致動(dòng)磁頭換能器裝置的前視圖； 圖3示出了在預(yù)致動(dòng)配置和已致動(dòng)配置下的圖1和圖2中的熱致動(dòng)磁頭換能器裝置；圖4A示出了如圖1-3中所示類型的熱致動(dòng)磁頭換能器在所述磁頭換能器與磁性記錄盤表面接觸之前、接觸期間以及接觸之后的特性溫度曲線圖；圖4B示出了非熱能致動(dòng)的磁頭換能器在所述磁頭換能器與磁性記錄盤表面接觸之前、接觸期間以及接觸之后的特性溫度曲線圖；圖5是示出了根據(jù)多個(gè)實(shí)施例、使用具有低電阻接觸片的電阻溫度傳感器來檢測磁記錄介質(zhì)粗糙粒的多種處理的流程圖；圖6A示出了沒有低電阻接觸片的電阻溫度傳感器上的電壓曲線圖；圖6B示出了沒有低電阻接觸片的電阻溫度傳感器上的溫度曲線圖；圖7示出了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的電阻溫度傳感器；圖8示出了根據(jù)多個(gè)實(shí)施例的具有低電阻接觸片的電阻溫度傳感器；圖9A是示出了傳統(tǒng)電阻溫度傳感器的交叉跟蹤電阻曲線的圖形示例；圖9B是具有如圖9A所示的交叉跟蹤電阻曲線的傳統(tǒng)電阻溫度傳感器的空氣承載表面視圖；圖1OA是示出了根據(jù)多個(gè)實(shí)施例的、由于橫截接觸面積的增加而產(chǎn)生的電阻溫度傳感器的交叉跟蹤電阻的減小的圖形示例；圖1OB是具有根據(jù)多個(gè)實(shí)施例的、如圖1OA所示的交叉跟蹤電阻曲線的電阻溫度傳感器的空氣承載表面視圖；圖11是示出了根據(jù)多個(gè)實(shí)施例的、在熱傳遞變化影響傳感器時(shí)、將多個(gè)磁頭換能器上的多個(gè)電阻溫度傳感器中的每一個(gè)保持在固定溫度的多種處理的流程圖；圖12A將多個(gè)電阻溫度傳感器的接觸檢測響應(yīng)表示為傳感器偏置電流的函數(shù)；圖12B將多個(gè)電阻溫度傳感器的接觸檢測響應(yīng)表示為傳感器過熱率(OHR) /溫度的函數(shù)；圖13A將多個(gè)電阻溫度傳感器的粗糙粒檢測響應(yīng)表示為傳感器偏置電流的函數(shù)；圖13B將多個(gè)電阻溫度傳感器的粗糙粒檢測響應(yīng)表示為傳感器過熱率(OHR)/溫度的函數(shù)；圖14是電阻溫度傳感器熱導(dǎo)線的熱傳遞平衡圖例，與出自Bruun所著的《熱導(dǎo)線測速:原理和信號(hào)響應(yīng)》(1995)的類似圖一致；圖15是示出了用于多個(gè)磁頭換能器的OHR相對(duì)于電阻溫度傳感器偏壓電源的圖表，該圖表說明將多個(gè)電阻溫度傳感器運(yùn)行在固定OHR而不是固定偏壓電源、偏置電流或偏置電壓是有利的；圖16是示出了根據(jù)多個(gè)實(shí)施例的、電阻溫度傳感器電阻相對(duì)于偏壓電源的圖表；圖17示出了根據(jù)多個(gè)實(shí)施例的由多熱源熱力模型(MXTM)所預(yù)測的最大導(dǎo)線溫度相對(duì)于多種不同輸入的回歸；圖18是最大電阻溫度傳感器電阻相對(duì)于不同的磁頭換能器加熱功率的OHR的圖表;
圖19是示出了根據(jù)多個(gè)實(shí)施例的、使用具有平行于磁記錄介質(zhì)軌道的縱軸的TCR導(dǎo)線傳感器來感測粗糙粒、磁頭介質(zhì)間距變化、和/或磁頭介質(zhì)接觸的多種處理的流程圖；圖20是傳統(tǒng)的交叉跟蹤方向的電阻溫度傳感器圖像；圖21是根據(jù)多個(gè)實(shí)施例的軌道平行電阻溫度傳感器的圖像；圖22圖例示出了根據(jù)多個(gè)實(shí)施例的用于檢測粗糙粒、磁頭介質(zhì)接觸、和磁頭介質(zhì)間距變化的裝置。
具體實(shí)施例方式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)通常包括一個(gè)或更多個(gè)從磁記錄介質(zhì)讀取和寫入信息的記錄磁頭換能器。通常希望在記錄磁頭換能器和其關(guān)聯(lián)的介質(zhì)之間具有相對(duì)小的距離或間距。這個(gè)距離或間距被稱為“飛行高度”或“磁頭介質(zhì)間距”。通過減小所述磁頭介質(zhì)間距，記錄磁頭換能器通常能夠更好地向介質(zhì)寫入數(shù)據(jù)以及從介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)。減小所述磁頭介質(zhì)間距也允許對(duì)記錄介質(zhì)地形的勘測，例如檢測記錄介質(zhì)表面的粗糙?；蚱渌卣鳌８鶕?jù)多個(gè)實(shí)施例，并且參考圖1-3，示出了由懸臂101支持的、與旋轉(zhuǎn)的磁存儲(chǔ)介質(zhì)160緊鄰的滑塊100。所述滑塊100支持著記錄磁頭換能器103以及熱耦合到該磁頭換能器103的加熱器102。所述加熱器102可能是當(dāng)電流流過該加熱器102時(shí)就產(chǎn)生熱量的電阻加熱器。所述加熱器102不限于是電阻加熱器，也可能包括任何形式的加熱源。所述加熱器102產(chǎn)生的熱能導(dǎo)致所述磁頭換能器103的熱膨脹。這種熱膨脹可以被用作減小數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的磁頭介質(zhì)間距107。應(yīng)注意到，在一些實(shí)施例中，非熱能致動(dòng)器可以被用于減小所述磁頭介質(zhì)間距107。示出了位于所述磁頭換能器103上、在所述緊鄰點(diǎn)處或接近于所述緊鄰點(diǎn)的電阻溫度傳感器105。所述電阻溫度傳感器105最好是具有電阻溫度系數(shù)(TCR)的傳感器，并在此稱為TCR傳感器105。如前所述，所述磁頭換能器103的致動(dòng)可由熱致動(dòng)器(諸如加熱器102)或其他致動(dòng)器(例如，寫入器)來實(shí)現(xiàn)。將偏壓電源應(yīng)用于所述TCR傳感器105來提高傳感器105和磁頭換能器103鄰近部分的表面溫度，使其顯著高于所述磁記錄介質(zhì)160的溫度。所述TCR傳感器105較佳地被配置為感測熱流中的變化來檢測磁頭-介質(zhì)接觸的發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施例的、關(guān)于磁頭介質(zhì)間距和接觸判定的細(xì)節(jié)由在此結(jié)合引用的2010年11月8日申請(qǐng)的、申請(qǐng)?zhí)枮?2/941，461的共有美國專利來提供。如圖3的描述，在磁頭-介質(zhì)接觸之前，在所述熱的磁頭表面和相關(guān)的冷的磁盤160之間具有空氣間隙107。所述磁頭換能器103、空氣間隙107和磁記錄盤160定義了一個(gè)熱傳遞率水平。當(dāng)所述磁頭換能器103與所述盤160接觸時(shí)，例如在所述熱致動(dòng)器或加熱器102的作用之后，所述磁頭換能器103的高導(dǎo)熱材料和盤160的直接接觸顯著提高了所述率熱傳遞率。這樣，在所述磁頭換能器103上的所述TCR傳感器105感測到溫度的下降或溫度軌跡的擺幅，從而檢測到磁頭-介質(zhì)接觸。圖4A示出了如圖1-3中所示類型的記錄磁頭換能器103在所述磁頭換能器103與磁記錄盤160表面接觸之前、接觸期間以及接觸之后的特性溫度曲線圖。在此非限制性的圖示中，為解釋的目的將所述溫度曲線表現(xiàn)為平穩(wěn)狀態(tài)的DC信號(hào)。當(dāng)所述磁頭換能器103被熱致動(dòng)器102致動(dòng)時(shí)，由于熱致動(dòng)器102所產(chǎn)生的熱量，所述磁頭換能器的表面溫度隨著致動(dòng)而上升。所述磁頭換能器的溫度將高于所述盤160的溫度。如此，所述盤160在這種方式下起到散熱片的作用。當(dāng)所述磁頭換能器103接觸所述盤160時(shí)，由于接觸所導(dǎo)致的率熱傳遞率變化使得所述磁頭換能器表面溫度下降。由于熱致動(dòng)器的加熱和摩擦生熱使得所述磁頭換能器表面溫度將繼續(xù)上升。溫度的變化或溫度軌跡的擺幅可被用于斷定磁頭-介質(zhì)接觸。圖4B示出了由非熱能致動(dòng)器進(jìn)行致動(dòng)的記錄磁頭換能器103的特性溫度曲線圖。在此圖示中，所述TCR傳感器偏壓電源對(duì)所述TCR傳感器105進(jìn)行自加熱以使得頭到盤界面處的溫度上升到顯著高于所述盤160的溫度。所述盤160在這種方式下起到散熱片的作用。當(dāng)所述磁頭換能器103被朝著所述盤160向下致動(dòng)時(shí)，所述熱傳遞率逐漸上升，導(dǎo)致所述傳感器105溫度的逐漸下降。當(dāng)所述磁頭換能器103開始與所述盤160接觸，熱傳遞率將有變化，使得磁頭換能器表面溫度波動(dòng)。所述磁頭換能器表面的TCR傳感器105測量此溫度波動(dòng)以檢測磁頭-介質(zhì)接觸。當(dāng)對(duì)磁頭-介質(zhì)接觸進(jìn)行進(jìn)一步的致動(dòng)時(shí)，所述溫度將會(huì)由于摩擦生熱而最終上升。在下面的討論中，根據(jù)多個(gè)實(shí)施例參考了電阻線的溫度系數(shù)，該電阻線表示一合適的電阻溫度傳感器的實(shí)施例?？梢岳斫膺@里所用的術(shù)語“線”是為了解釋性的目的，而不是將電阻溫度傳感器或傳感器元件局限于線結(jié)構(gòu)。也可考慮其他TCR結(jié)構(gòu)和傳感器配置?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖5，根據(jù)多個(gè)實(shí)施例示出了感測磁頭介質(zhì)間距變化和接觸活動(dòng)的多種處理。隨著所述磁頭換能器相對(duì)于磁記錄介質(zhì)的移動(dòng)(140)，圖5A所示的方法包括利用連接到低電阻接觸片的電阻溫度傳感器來感測所述磁頭換能器的緊鄰點(diǎn)處的溫度(142)。所述方法還包括輸出沒有被接觸所產(chǎn)生的信號(hào)分量混淆的傳感器信號(hào)(144)。可利用所述傳感器信號(hào)來實(shí)現(xiàn)多種處理，包括檢測所述介質(zhì)粗糙粒(146)、測量磁頭介質(zhì)間距變化(147)和檢測磁頭-介質(zhì)接觸(148)。當(dāng)電阻溫度傳感器的TCR導(dǎo)線熱運(yùn)行時(shí)(例如高于環(huán)境溫度，尤其是，高于相關(guān)的磁記錄介質(zhì)的溫度)，所述線產(chǎn)生的熱量的一部分流失到鄰近的導(dǎo)電接觸片中。傳統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)方式在鄰近所述熱的傳感器的接觸片中通常具有相對(duì)高的電阻。因此，鄰近所述TCR導(dǎo)線的接觸片也最終對(duì)測量到的信號(hào)有貢獻(xiàn)，并使得所述“有效傳感器”比設(shè)計(jì)的TCR導(dǎo)線傳感器的幾何形狀更大。這里有包括但不限于下述的幾個(gè)問題。所述TCR傳感器的有效尺寸比所期望的大。在粗糙粒檢測的情況下，比所述TCR傳感器的有效長度更小的粗糙粒尺寸不能被精確表征。因?yàn)樗鼋佑|片的電阻也影響著所測量的電阻變化，所以實(shí)際的TCR導(dǎo)線/僅傳感器的過熱率OHR不能被設(shè)置。這將隨著設(shè)計(jì)而改變，除非所述接觸片的電阻或所述接觸片面臨的溫度是可以忽略的。最后，相比于所述小的TCR導(dǎo)線，大接觸片將有明顯不同的頻率響應(yīng)。如果所述接觸片也影響著所述測量的信號(hào)，其將污染所述TCR導(dǎo)線自身的所測量的響應(yīng)。通常，期望將所述TCR導(dǎo)線傳感器運(yùn)行至熱，意味著所述TCR導(dǎo)線上放置了足夠的電偏置以將其加熱到比周圍環(huán)境高。則所述傳感器信號(hào)來自測量由于電阻元件傳感器上的熱傳遞變化所產(chǎn)生的溫度變化。因?yàn)樗霾牧暇哂须娮铚囟认禂?shù)，則溫度變化導(dǎo)致所述傳感器電阻的變化。下列等式(I)示出了對(duì)于給定的TCR(a J所述TCR導(dǎo)線的電阻如何隨
著溫度變化:
權(quán)利要求
1.一種設(shè)備，包括: 磁頭換能器，被配置為與磁性記錄介質(zhì)進(jìn)行交互； 傳感器，被設(shè)置在所述磁頭換能器上，并具有電阻溫度系數(shù)和傳感器電阻，所述傳感器被配置為在高于環(huán)境溫度的溫度下工作，并且對(duì)所述傳感器和所述介質(zhì)之間的間距變化作出響應(yīng)；以及 導(dǎo)電接觸片，連接到所述傳感器，并具有接觸電阻，所述接觸片具有鄰近于所述傳感器的橫截面，所述接觸片的橫截面大于所述傳感器的橫截面，因此所述接觸電阻相對(duì)于所述傳感器電阻更小，并且所述接觸電阻對(duì)所述傳感器產(chǎn)生的信號(hào)的影響可以忽略不計(jì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述接觸電阻相對(duì)于所述傳感器電阻可以忽略不計(jì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中影響所述傳感器信號(hào)的所述傳感器有效尺寸與所述傳感器的物理尺寸大致相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中信號(hào)中由所述接觸片貢獻(xiàn)的分量沒有混淆所述傳感器信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中: 所述接觸片的區(qū)域暴露于所述傳感器和所述磁頭換能器的加熱器中的一個(gè)或兩者所產(chǎn)生的熱量之下；以及 所述接觸片區(qū)域的接觸電阻相對(duì)于所述傳感器電阻更小，并且所述接觸電阻對(duì)所述傳感器產(chǎn)生的信號(hào)的影響可以忽略不計(jì)。
6.根據(jù)權(quán)利要 求1所述的設(shè)備，其中: 所述傳感器包括傳感器元件和在所述傳感器元件之間的相對(duì)端； 所述傳感器的相對(duì)端具有橫截面，相對(duì)端的橫截面大于所述傳感器的橫截面；以及 所述傳感器接觸片包括所述傳感器的相對(duì)端。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述接觸片具有鄰近于所述傳感器的橫截面，所述接觸片的橫截面比所述傳感器的橫截面大I到1000倍。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述接觸電阻比所述傳感器電阻小I到1000倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中: 所述接觸片和所述傳感器中的每一個(gè)都包含前沿和后沿；和 所述傳感器的前沿相對(duì)于所述接觸片的前沿凹進(jìn)去。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述傳感器被配置為在約0°C到300°C的溫度中工作。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述傳感器位于所述磁頭換能器的緊鄰點(diǎn)處或接近于所述磁頭換能器的緊鄰點(diǎn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述傳感器被定義尺寸以感測所述介質(zhì)的粗糙粒。
13.—種方法,包括: 隨著磁記錄介質(zhì)相對(duì)于磁頭換能器移動(dòng): 使用具有電阻溫度系數(shù)的傳感器來感測所述磁頭換能器的緊鄰點(diǎn)上的溫度，該傳感器與具有接觸電阻的導(dǎo)電接觸片連接，所述接觸片具有鄰近所述傳感器的橫截面，所述接觸片的橫截面大于所述傳感器的橫截面，因此所述接觸電阻相對(duì)于所述傳感器電阻更小，并且所述接觸電阻對(duì)所述傳感器產(chǎn)生的信號(hào)的影響可以忽略不計(jì)； 輸出所述傳感器信號(hào)；和 使用所述傳感器信號(hào)來檢測所述介質(zhì)上的粗糙粒。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中信號(hào)中由所述接觸片貢獻(xiàn)的分量沒有混淆所述傳感器信號(hào)。
15.一種設(shè)備，包括: 多個(gè)磁頭換能器，被配置為與磁記錄介質(zhì)互相作用； 多個(gè)傳感器，具有電阻溫度系數(shù)的，其中每個(gè)磁頭換能器上設(shè)置至少一個(gè)傳感器，該至少一個(gè)傳感器對(duì)所述傳感器和所述介質(zhì)之間的間距變化作出響應(yīng)；以及 電源，被配置為對(duì)每個(gè)磁頭換能器上的每個(gè)傳感器提供偏壓電源，并且在熱傳遞變化影響著所述傳感器時(shí)調(diào)整所述偏壓電源以將每個(gè)傳感器保持在高于環(huán)境溫度的固定溫度上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述至少一個(gè)傳感器設(shè)置在每個(gè)磁頭換能器的緊鄰點(diǎn)處。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述電源被配置為調(diào)整所述偏壓電源，因此在熱傳遞變化影響著 所述傳感器時(shí)，所有傳感器上都保持了大致固定的過熱率(OHR)。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括: 加熱器，設(shè)置在每個(gè)所述磁頭換能器上并被配置為致動(dòng)所述磁頭換能器； 其中所述電源被配置為在包括那些由于供電給所述加熱器而產(chǎn)生的熱傳遞影響著所述傳感器時(shí)，調(diào)整所述偏壓電源以將每個(gè)傳感器保持在所述固定溫度上。
19.一種方法,包括: 隨著磁記錄介質(zhì)相對(duì)于多個(gè)磁頭換能器運(yùn)動(dòng): 使用具有電阻溫度系數(shù)的傳感器來感測所述磁頭換能器和所述介質(zhì)之間的間距變化； 對(duì)所述傳感器供應(yīng)偏壓電源；以及 在熱傳遞變化影響著所述傳感器時(shí)，調(diào)整所述偏壓電源以將每個(gè)傳感器保持在高于環(huán)境溫度的固定溫度上。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包括: 熱力致動(dòng)所述磁頭換能器來使得所述磁頭換能器朝向所述介質(zhì)運(yùn)動(dòng)；以及 在包括那些由于熱力致動(dòng)所述磁頭換能器而產(chǎn)生的熱傳遞影響著所述傳感器時(shí)，調(diào)整所述偏壓電源以將每個(gè)傳感器保持在所述固定溫度上。
21.—種設(shè)備,包括: 磁頭換能器，被配置為與具有多個(gè)軌道的磁記錄介質(zhì)相互作用；以及 傳感器，具有電阻溫度系數(shù)，并設(shè)置在所述磁頭換能器上，因此所述傳感器的縱軸在方向上大致平行于所述軌道，所述傳感器對(duì)所述介質(zhì)上的粗糙粒以及所述傳感器和所述介質(zhì)之間的間距變化中的或兩者作出響應(yīng)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其中所述傳感器在高于環(huán)境溫度的溫度中工作。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其中所述傳感器被配置為感測所述傳感器和所述介質(zhì)之間的接觸。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其中所述傳感器包括具有電阻溫度系數(shù)的導(dǎo)線，該導(dǎo)線在相對(duì)端連接到第一接觸片和第二接觸片，所述第一接觸片和第二接觸片在方向上大約垂直于所述TCR導(dǎo)線，并且彼此軸向偏移。
25.—種方法,包括: 使具有軌道的磁記錄介質(zhì)相對(duì)于磁頭換能器運(yùn)動(dòng)；以及 使用具有電阻溫度系數(shù)的傳感器來感測所述介質(zhì)的粗糙粒以及所述磁頭換能器和所述介質(zhì)之間的間距變化中的或兩者，所述傳感器具有在方向上大致平行于所述介質(zhì)的軌道的縱軸 。
全文摘要
由磁頭換能器支撐的傳感器具有電阻溫度系數(shù)(TCR)和傳感器電阻。所述傳感器工作在高于環(huán)境的溫度中并且響應(yīng)于傳感器-介質(zhì)間距的變化。連接到所述傳感器的導(dǎo)電接觸片具有接觸電阻和鄰近于所述傳感器的橫截面，其大于所述傳感器的橫截面，因此所述接觸電阻比所述傳感器電阻小并且可以忽略不計(jì)其對(duì)所述傳感器產(chǎn)生的信號(hào)的影響。多個(gè)磁頭換能器中的每一個(gè)支撐TCR傳感器，電源可以對(duì)每個(gè)磁頭的每個(gè)傳感器供應(yīng)偏壓電源，以在熱傳遞變化影響著所述傳感器時(shí)將每個(gè)傳感器保持在高于環(huán)境溫度的固定溫度上。磁頭換能器的TCR傳感器可以包括軌道方向的TCR傳感器導(dǎo)線，用于感測所述介質(zhì)上的粗糙粒中的或兩者。
文檔編號(hào)G11B5/60GK103151050SQ201210599048
公開日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2012年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月17日
發(fā)明者M·C·艾納亞-杜弗瑞斯恩, B·W·卡爾, G·J·昆克爾, 魏臻 申請(qǐng)人:希捷科技有限公司