專利名稱：：磁存儲(chǔ)裝置、頭驅(qū)動(dòng)控制裝置及頭驅(qū)動(dòng)控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及搭載了具有通過(guò)對(duì)磁存儲(chǔ)介質(zhì)施加高頻磁場(chǎng)來(lái)誘發(fā)磁化反轉(zhuǎn)的功能的記錄磁頭的磁存儲(chǔ)裝置、頭驅(qū)動(dòng)控制裝置及其控制方法。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)由于由網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的進(jìn)化、云計(jì)算的滲透等導(dǎo)致的數(shù)據(jù)中心的增設(shè)等，生成的信息量劇增。毫無(wú)疑問(wèn)，記錄密度最高且位成本方面優(yōu)異的磁盤(pán)裝置(HDD)等磁存儲(chǔ)裝置是“大數(shù)據(jù)時(shí)代”的存儲(chǔ)的主角。因此，需要磁存儲(chǔ)裝置的大容量化及支持大容量化的高密度化。高密度化的基礎(chǔ)是比例規(guī)律，需要減小磁頭的磁道寬度、頭和介質(zhì)間的間隔、介質(zhì)的晶粒等。但是若減小介質(zhì)的晶粒，則保持磁化狀態(tài)的各向異性能變小，已記錄的磁化狀態(tài)易被熱擾動(dòng)擾亂。該現(xiàn)象被稱為超順磁效應(yīng)。因此，如非專利文獻(xiàn)I所記載，若進(jìn)入ITb/in2左右的時(shí)代，則現(xiàn)有技術(shù)的單純延伸存在實(shí)用上有極限這樣的障礙。這被稱為超順磁界限、三難困境(trilemma)等。開(kāi)發(fā)超越超順磁界限的技術(shù)以實(shí)現(xiàn)高密度化是最大的課題，對(duì)此在日本特開(kāi)平7-244801號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)中提出了以下自旋(spin)加熱記錄方法，即通過(guò)使設(shè)置在外部的高頻源追隨磁頭的動(dòng)作而將滿足磁共振條件的高頻磁場(chǎng)提供給磁記錄介質(zhì)，磁記錄介質(zhì)的自旋吸收高頻磁場(chǎng)的能量而使矯頑力實(shí)際上降低，利用這一性質(zhì)，事實(shí)上不會(huì)使介質(zhì)的溫度上升，就可以在低磁場(chǎng)下在高矯頑力介質(zhì)上進(jìn)行寫(xiě)入。在這種自旋加熱記錄方法中，由于施加功率集中在滿足磁共振條件的頻率范圍內(nèi)的高頻電磁場(chǎng)，因此幾乎不激發(fā)傳導(dǎo)電子的等離子振動(dòng)或晶格振動(dòng)等自旋以外的內(nèi)部自由度，而是能選擇性地只激發(fā)自旋，即能夠自旋加熱，不會(huì)產(chǎn)生如通常加熱那樣整個(gè)介質(zhì)的溫度上升的情況。這種對(duì)磁記錄介質(zhì)施加微波波段的高頻磁場(chǎng)，利用磁共振現(xiàn)象進(jìn)行磁記錄的方法被稱為微波輔助磁記錄方法(MAMR:MicrowaveAssistedMagnetRecording)(非專利文獻(xiàn)I)。此外，作為利用高頻磁場(chǎng)的其他方法，日本特開(kāi)2008-34004號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)公開(kāi)了以下熱輔助磁記錄方法，即通過(guò)對(duì)磁記錄層的一部分或該部分附近施加高頻磁場(chǎng)而產(chǎn)生渦電流來(lái)加熱該部分，在成為使該部分的矯頑力暫時(shí)降低的狀態(tài)后，對(duì)該部分的至少一部分施加寫(xiě)入磁場(chǎng)，在磁記錄介質(zhì)上進(jìn)行寫(xiě)入。另外，作為該熱輔助磁記錄方法中簡(jiǎn)單地照射能量的方法，日本特開(kāi)2005-285242號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)3)中公開(kāi)了作為高頻振蕩器至少具有兩個(gè)磁性薄膜的自旋力矩型或自旋共振型的微小自旋波產(chǎn)生元件。近年來(lái)，在非專利文獻(xiàn)2及美國(guó)專利7616412B2(專利文獻(xiàn)8)中提出了利用借助自旋力矩使自旋高速旋轉(zhuǎn)從而產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)的高頻磁場(chǎng)產(chǎn)生層FGL(FieldGenerationLayer)的微小結(jié)構(gòu)的實(shí)用的自旋力矩型高頻振蕩元件(STO:SpinTorqueOscillator)。接著，在非專利文獻(xiàn)3中公開(kāi)了以下微波輔助記錄方法，即將同種結(jié)構(gòu)的高頻振蕩元件STO與垂直磁頭的主磁極相鄰地配置，在來(lái)自STO的微波波段的高頻磁場(chǎng)下激發(fā)介質(zhì)磁化的旋進(jìn)，在降低反轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的同時(shí)在磁各向異性較大的磁記錄介質(zhì)上磁記錄信息，從而謀求高密度化。另外，在日本專利第4255869號(hào)(專利文獻(xiàn)4)中也公開(kāi)了以下方法:通過(guò)與記錄磁場(chǎng)極性相應(yīng)地使高頻磁場(chǎng)振蕩元件產(chǎn)生向與希望產(chǎn)生磁化反轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)的磁化的旋進(jìn)方向相同的方向旋轉(zhuǎn)的高頻磁場(chǎng)，由此更高效率地誘發(fā)磁化反轉(zhuǎn)。根據(jù)這些方法，近年來(lái)面向微波輔助記錄方法的實(shí)用化的研究開(kāi)發(fā)急劇加速，在日本特開(kāi)2011-113621號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)5)中面向本方法的實(shí)用化公開(kāi)了以下頭驅(qū)動(dòng)控制裝置，即為了確保微波輔助記錄所需的高頻振蕩元件的可靠性并可靠地維持其振蕩，按照寫(xiě)入門(writegate)的輸入，在施加記錄磁場(chǎng)的狀態(tài)下只在一定有效時(shí)間提供比穩(wěn)定電平更高電平的高頻振蕩元件驅(qū)動(dòng)信號(hào)。專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)平7-244801號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2008-34004號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2005-285242號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本專利第4255869號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5:日本特開(kāi)2011-113621號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6:日本特開(kāi)2006-114159號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)7:日本特開(kāi)2007-220232號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)8:美國(guó)專利7616412B2非專利文獻(xiàn)1:Y.Shiroishi,etal,“FutureOptionsforHDDStorage，，，IEEETrans.Magn.Vol.45,n0.10,pp3816_3822(2009)非專利文獻(xiàn)2:X.ZhuandJ._G.Zhu,“Bias-field-freemicrowaveoscillatordrivenbyperpendicularlypolarizedspincurrent，，，IEEETrans.Magn.,vol.42,pp.2670-2672.2006.非專利文獻(xiàn)3:J-G.Zhu,X.Zhu,andY.Tang,“MicrowaveAssistedMagneticRecording”,IEEEtrans.Magn.，Vol44,n0.1,ppl25_131(2008)非專利文獻(xiàn)4:S.0kamoto,M.1garashi,N.Kikuchi,and0.Kitakam1:“Microwaveassistedswitchmechanismanditsstableswitchinglimit，，，J.Appl.Phys.107,ppl23914-7(2010)
發(fā)明內(nèi)容但是，在專利文獻(xiàn)1、4或非專利文獻(xiàn)2、3中，對(duì)于用于將使用了基于自旋的自旋力矩效應(yīng)的新結(jié)構(gòu)的高頻產(chǎn)生元件適用于實(shí)際的磁記錄裝置，適當(dāng)?shù)剡\(yùn)用微波輔助記錄方法進(jìn)行記錄再現(xiàn)的詳細(xì)流程沒(méi)有充分地研究，連問(wèn)題點(diǎn)也沒(méi)有公開(kāi)。如專利文獻(xiàn)2、3等所示，該情況在使用高頻磁場(chǎng)進(jìn)行加熱的熱輔助方法中也同樣存在。因此本發(fā)明人在與以往裝置相同的多種環(huán)境條件下對(duì)搭載了高頻產(chǎn)生元件的磁存儲(chǔ)裝置進(jìn)行了銳意研究和試驗(yàn)之后得知，即使能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度化，面向?qū)嵱没泊嬖谝韵轮卮蟮恼n題。最大的課題是盡管如日本特開(kāi)2006-114159號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)6)記載的以往技術(shù)中利用延伸來(lái)對(duì)磁頭實(shí)施了充分的漏磁場(chǎng)對(duì)策，但在根據(jù)外部環(huán)境的不同而在進(jìn)行信息再現(xiàn)時(shí)或查找時(shí)使記錄頭處于非動(dòng)作狀態(tài)下，也會(huì)產(chǎn)生信息消失或改寫(xiě)的情況。對(duì)于其根本原因，發(fā)明人從LLG(Landau-Lifshitz-Gilbert,朗道-利夫席茨-吉爾伯特)模擬及實(shí)驗(yàn)兩方面進(jìn)行了銳意研究，從中得知本現(xiàn)象的起因是:在以往的記錄方法中，即使是來(lái)自實(shí)施了充分對(duì)策的外部設(shè)備或磁記錄介質(zhì)中的伺服信息、記錄信息等的微小的雜散磁場(chǎng)(straymagneticfield)也會(huì)對(duì)高頻磁場(chǎng)振蕩元件產(chǎn)生很大影響,在進(jìn)行如信息再現(xiàn)或查找時(shí)的非記錄動(dòng)作時(shí)，高頻磁場(chǎng)振蕩元件也會(huì)對(duì)磁記錄介質(zhì)作用。另外，在進(jìn)行面向量產(chǎn)的試制時(shí)，也得知存在將新結(jié)構(gòu)的高頻磁場(chǎng)產(chǎn)生元件組裝到磁記錄裝置并使裝置動(dòng)作時(shí)的磁記錄裝置的制造成品率與以往的頭相比非常低的課題。根據(jù)運(yùn)用了LLG模擬的發(fā)明人的研究可知起因如下:在使用了自旋力矩效應(yīng)的高頻產(chǎn)生元件的高頻磁場(chǎng)強(qiáng)度和振蕩頻率中存在很強(qiáng)的元件尺寸依賴性，進(jìn)而在這些對(duì)振蕩特性有很強(qiáng)影響的記錄頭磁場(chǎng)中，對(duì)記錄電流的響應(yīng)時(shí)間產(chǎn)生偏差，因此要求比以往的頭更高的磁疇結(jié)構(gòu)控制技術(shù)和加工精度；另外基于高頻磁場(chǎng)的介質(zhì)磁化的旋進(jìn)的動(dòng)態(tài)激發(fā)過(guò)程極其復(fù)雜，輔助效果自身也強(qiáng)烈地依賴于磁記錄介質(zhì)或磁頭的制造工序的偏差、物性常數(shù)的溫度依賴性。如上所述，為了將微波輔助記錄方法適用于信息存儲(chǔ)裝置，最大的課題是克服消除、誤記錄(記錄狀態(tài)變?yōu)榕c記錄時(shí)不同的狀態(tài))的問(wèn)題，以及基于本方法的磁存儲(chǔ)裝置的制造成品率特別低的問(wèn)題。如上所述，該課題的本質(zhì)是:利用高頻振蕩元件來(lái)激發(fā)介質(zhì)磁化的旋進(jìn)的過(guò)程因?yàn)榉浅?fù)雜的動(dòng)態(tài)概率現(xiàn)象而要求遠(yuǎn)超以往技術(shù)范圍的工藝技術(shù)。因此，為了微波輔助記錄方法的實(shí)用化，需要立足于該本質(zhì)尋求裝置水平的改進(jìn)作為對(duì)策，這也是本發(fā)明要解決的課題。即，本發(fā)明的目的在于提供一種具有高的可靠性、制造成品率及記錄密度的大容量、高可靠性的磁存儲(chǔ)裝置。本申請(qǐng)包含多個(gè)解決上述課題，實(shí)現(xiàn)目的的方法，舉出其中的一個(gè)例子如下，本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置包括:磁記錄介質(zhì)；微波輔助記錄磁頭，其至少具有產(chǎn)生用于在該磁記錄介質(zhì)上進(jìn)行寫(xiě)入的記錄磁場(chǎng)的記錄磁極和產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)的高頻磁場(chǎng)振蕩元件；再現(xiàn)磁頭，其從磁記錄介質(zhì)讀取信息；以及控制、處理所述記錄磁頭的記錄動(dòng)作、所述再現(xiàn)磁頭的再現(xiàn)動(dòng)作的機(jī)構(gòu)，及控制該高頻磁場(chǎng)振蕩元件與該磁記錄介質(zhì)的空隙(clearance、間隙、間隔)的機(jī)構(gòu)。其特征在于，在本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置中，至少在信息再現(xiàn)的主要時(shí)(實(shí)質(zhì)上讀取信號(hào)的時(shí)間)，通過(guò)將與動(dòng)作時(shí)相反極性的電流向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電、或者完全不通電電流等方法，在記錄時(shí)以外不使所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件動(dòng)作。此外，在向裝置的記錄動(dòng)作切換時(shí)，優(yōu)選在流向主磁極的記錄電流通電前完成向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件的通電，更優(yōu)選在制造裝置時(shí)、進(jìn)而裝置動(dòng)作時(shí)，實(shí)施該記錄動(dòng)作時(shí)流向記錄磁極的記錄電流、流向高頻振蕩元件的動(dòng)作電流、以及空隙控制機(jī)構(gòu)的調(diào)整。本發(fā)明通過(guò)在記錄時(shí)以外抑制基于高頻磁場(chǎng)振蕩元件的微波輔助效果，從而使微波輔助磁記錄方法中的信息消除、誤記錄等的概率小于以往的垂直記錄方法，而且，通過(guò)在記錄磁頭勵(lì)磁電流的通電之前、即施加記錄磁場(chǎng)之前，預(yù)先將驅(qū)動(dòng)電流向微波輔助元件通電，進(jìn)而在裝置制造時(shí)、更優(yōu)選為在裝置動(dòng)作時(shí)也調(diào)整其定時(shí)，由此能夠提供具有高的可靠性、制造成品率、記錄密度的大容量、高可靠性的磁存儲(chǔ)裝置。圖1A是基于本發(fā)明的磁頭和磁記錄介質(zhì)的概念圖的例子。圖1B表示高頻磁場(chǎng)產(chǎn)生元件的各層的磁化狀態(tài)。圖1C表示磁頭勵(lì)磁電流和高頻磁場(chǎng)的關(guān)系的一個(gè)例子。圖2是基于本發(fā)明的頭驅(qū)動(dòng)控制裝置及磁存儲(chǔ)裝置的概念圖的例子。圖3是基于本發(fā)明的磁頭和磁記錄介質(zhì)的實(shí)施例。圖4是基于本發(fā)明的微波輔助記錄效果和抑制輔助效果的例子。圖5是基于本發(fā)明的參數(shù)控制的流程圖的例子。圖6是由本發(fā)明實(shí)施例的圖5決定的參數(shù)控制的概念圖的例子。圖7是基于本發(fā)明的參數(shù)控制的其他流程圖的例子。圖8是由本發(fā)明實(shí)施例的圖7決定的參數(shù)控制的概念圖的例子。圖9是由本發(fā)明決定的參數(shù)控制的其他概念圖的例子。圖10是基于本發(fā)明的高頻振蕩元件電流動(dòng)作定時(shí)的設(shè)定流程圖的例子。圖11是由本發(fā)明實(shí)施例的圖10決定的定時(shí)的設(shè)定的概念圖的例子。附圖標(biāo)記說(shuō)明100:磁頭的行走方向101:磁頭和磁記錄介質(zhì)的空隙102:熱膨脹元件(TFC)102a、b:熱膨脹元件(TFC)102c、d:熱膨脹長(zhǎng)元件(TFC)110:再現(xiàn)頭部111:屏蔽層112:傳感器元件113:上部磁屏蔽部114:下部磁屏蔽部120:記錄頭部121:記錄磁場(chǎng)122:記錄磁極(主磁極)123:線圈124:輔助磁極125:記錄間隙部126:振蕩控制磁場(chǎng)130:磁記錄介質(zhì)131:潤(rùn)滑層132:保護(hù)層133:第二磁性層134:第一磁性層135:軟磁性基底層136:非磁性基板137:記錄在磁記錄介質(zhì)上的向上的磁化138:記錄在磁記錄介質(zhì)上的向下的磁化140:高頻振蕩元件部(STO)141:高頻磁場(chǎng)產(chǎn)生層(FGL)142:中間層143:自旋注入固定層144=STO驅(qū)動(dòng)用直流電源145:高頻磁場(chǎng)146:自旋注入固定層的磁化147:高頻磁場(chǎng)產(chǎn)生層(FGL)的磁化148:高頻磁場(chǎng)產(chǎn)生層(FGL)的磁化的旋轉(zhuǎn)方向149:STO驅(qū)動(dòng)電流150:滑塊151:頭保護(hù)膜152:記錄再現(xiàn)磁頭浮起面(ABS)200:主軸馬達(dá)201:磁記錄介質(zhì)202:臂203:磁記錄再現(xiàn)元件搭載滑塊204:懸架205:HGA206:執(zhí)行機(jī)構(gòu)207:用于驅(qū)動(dòng)STO的驅(qū)動(dòng)信號(hào)208:頭放大集成電路(R/W-1C)209:信號(hào)處理電路(R/W通道)210:微處理器(CPU)211:磁盤(pán)控制器(HDC)212:系統(tǒng)集成電路具體實(shí)施例方式以下，使用附圖來(lái)說(shuō)明實(shí)施例。實(shí)施例1圖1A中表示本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置的結(jié)構(gòu)例的一部分、即記錄再現(xiàn)磁頭的概略圖。記錄再現(xiàn)磁頭主要由在以空隙101在磁記錄介質(zhì)130上沿方向100行進(jìn)的滑塊150上形成的再現(xiàn)頭部110、記錄頭部120，以及如日本專利第4255869號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)4)記載的空隙控制用熱膨脹元件部TFC(ThermalFlyingHeightController)102構(gòu)成。這里TFC102由NiFe合金等高電阻率、高熱膨脹材料形成，由用氧化鋁膜等絕緣的50150Ω左右的發(fā)熱電阻薄膜構(gòu)成。頭保護(hù)層151由CVD_C、FCAC(FilteredCathodicArcCarbon,過(guò)濾陰極碳弧)等構(gòu)成，底面152是記錄再現(xiàn)磁頭的浮起面(ABS:AirBaringSurface)0如日本特開(kāi)2007-220232號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)7)所記載，對(duì)滑塊150實(shí)施蝕刻加工以在Al2O3-TiC陶瓷的ABS面產(chǎn)生負(fù)壓,從而使磁頭磁極部的浮起量在磁記錄介質(zhì)全周范圍內(nèi)為IOnm左右，因此用femto模具成型滑塊150的大小為0.85mmX0.7mmX0.23mm左右。在本實(shí)施例中采用記錄再現(xiàn)磁頭以再現(xiàn)頭部110為前頭、記錄頭部120為后方的朝向在磁記錄介質(zhì)130上相對(duì)移動(dòng)的結(jié)構(gòu)，但也可以是相反的結(jié)構(gòu)，而且也可以沒(méi)有頭保護(hù)層。再現(xiàn)頭部110包括:屏蔽層111、再現(xiàn)傳感器元件112、上部磁屏蔽部113及下部磁屏蔽部114。再現(xiàn)傳感器元件112承擔(dān)再現(xiàn)來(lái)自介質(zhì)的信號(hào)的作用，作為其結(jié)構(gòu)，可以是具有TMR(TunnelingMagneto-Resistive,穿隧磁電阻)效應(yīng)、CPP(CurrentPerpendiculartoPlane,電流方向垂直于膜面)_GMR(GiantMagneto-Resistance,巨磁阻)效應(yīng)、或EMR(ExtraordinaryMagneto-Resistive,特異磁電阻)效應(yīng)的元件，也可以是還應(yīng)用了STO(SpinTorqueOscillator,自旋力矩振蕩器)效應(yīng)的元件，或所謂的差動(dòng)型。其元件寬度Tfe根據(jù)作為目標(biāo)的記錄磁場(chǎng)、記錄密度被設(shè)計(jì)、加工,其大小為80nm5nm左右。此外，在該圖中省略記載輸出的輸出端子。記錄頭部120包括:用于產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)145的高頻磁場(chǎng)振蕩元件部140、用于產(chǎn)生記錄頭磁場(chǎng)145的記錄磁極(主磁極)122、用于控制高頻磁場(chǎng)振蕩元件140的磁化旋轉(zhuǎn)方向等的輔助磁極124以及用于勵(lì)磁記錄磁極的由Cu等構(gòu)成的線圈123。此外，磁間隙125設(shè)置于記錄磁極122和輔助磁極124之間，振蕩控制磁場(chǎng)126控制高頻磁場(chǎng)振蕩元件140的磁化方向及磁化旋轉(zhuǎn)方向等。這里,記錄磁極122是用電鍍法或噴鍍法等形成FeCoN1、CoFe合金等高飽和磁通軟磁性膜，呈斜角(bevelangle)為1020度的梯形狀，且形成為截面積隨著接近ABS面而變小。而且呈梯形狀的記錄磁極較寬的一側(cè)的記錄元件的寬度Twff根據(jù)作為目標(biāo)的記錄磁場(chǎng)、記錄密度被設(shè)計(jì)、加工，其大小為160nmIOnm左右。此外,本發(fā)明中的記錄磁極122連同輔助磁極124優(yōu)選由CoNiFe合金、NiFe合金等軟磁性合金薄膜形成,并形成用非磁性層包圍其周圍的所謂WAS結(jié)構(gòu)(WrapAroundStructure,環(huán)繞結(jié)構(gòu))。高頻磁場(chǎng)振蕩元件部140包括:高頻磁場(chǎng)產(chǎn)生層FGL141，其由FeCo、NiFe等軟磁性合金、CoPt>CoCr等硬磁性合金、Fea4Coa6、Fe001Co0.99>Co08Ir02等具有負(fù)垂直磁各向異性的磁性合金，CoFeGe>CoMnGe>CoFeAl>CoFeSi>CoMnSi等惠斯勒合金，TbFeCo等Re-TM系非晶類合金，或Co/Fe、Co/Ir等磁性人工晶格等構(gòu)成；中間層142,其由Au、Ag、Pt、Ta、Ir、Al、S1、Ge、T1、Cu等非磁性傳導(dǎo)材料等構(gòu)成；以及自旋注入固定層143等，自旋固定層143用于對(duì)高頻磁場(chǎng)產(chǎn)生層FGL施加自旋力矩。這里，F(xiàn)GL141的寬度WFa根據(jù)作為目標(biāo)的記錄磁場(chǎng)、記錄密度被設(shè)計(jì)、加工，其大小為150nm5nm左右。此外，為了得到高自旋效率，非磁性中間層142的膜厚優(yōu)選0.24nm左右，通過(guò)將具有垂直磁各向異性的材料用作自旋注入固定層143，能夠使FGL的振蕩穩(wěn)定，因此優(yōu)選使用Co/Pt、Co/N1、Co/Pd、CoCrTa/Pd等人工磁性材料。另外，為使FGL141的高頻磁化旋轉(zhuǎn)穩(wěn)定化，可以與FGL141相鄰地設(shè)置與自旋注入固定層143相同結(jié)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)引導(dǎo)強(qiáng)磁性層。此外，自旋注入固定層143和FGL141的層疊順序可以是相反的。另外，自旋從直流電源144提供到FGL141等，但在圖1A中為表示其結(jié)構(gòu)而省略電流的提供端子，簡(jiǎn)化記載。圖1B中示意地表示在磁記錄介質(zhì)130上進(jìn)行記錄時(shí)的高頻磁場(chǎng)產(chǎn)生元件140各層的磁化狀態(tài)。這里，箭頭146、147分別是自旋注入固定層143、高頻磁場(chǎng)產(chǎn)生層(FGL)141的磁化，箭頭148是高頻磁場(chǎng)產(chǎn)生層(FGL)的磁化147的旋轉(zhuǎn)方向，箭頭149是從電源144向聞?lì)l廣生兀件提供的直流電流。在圖1B的(b-Ι)中表示將記錄在磁記錄介質(zhì)130的磁性層133、134上的向上的磁化137改寫(xiě)為向下的情況的概念圖。在該情況下，將記錄電流向記錄頭的線圈123通電以使得從記錄磁極122產(chǎn)生圖1A中向下的記錄磁場(chǎng)121a。此時(shí)，在間隙部125也產(chǎn)生朝向輔助磁極124的來(lái)自記錄磁極122的磁場(chǎng)的一部分126。如圖1A所示，為了產(chǎn)生使自旋注入固定層143及高頻磁場(chǎng)產(chǎn)生層(FGL)141的磁化向右地取向所需的足夠強(qiáng)的振蕩控制磁場(chǎng)126a而預(yù)先設(shè)計(jì)記錄磁極122、輔助磁極124、磁間隙125等的結(jié)構(gòu)、材料以及高頻產(chǎn)生元件140的結(jié)構(gòu)、材料等。如圖1B的(b-Ι)所示,通過(guò)如上所述地設(shè)定,高頻磁場(chǎng)產(chǎn)生層141的磁化147a逆時(shí)針(箭頭148a的方向)高速旋轉(zhuǎn)，產(chǎn)生具有輔助磁記錄介質(zhì)130向上的記錄磁化137逆時(shí)針地旋進(jìn)的性質(zhì)的高頻磁場(chǎng)。最終，借助該高頻磁場(chǎng)145的輔助效果，磁記錄介質(zhì)130向上的磁化137被向下的記錄磁場(chǎng)121a反轉(zhuǎn)為向下，進(jìn)行信息的改寫(xiě)。另外這里，上述振蕩頻率由振蕩控制磁場(chǎng)126a和FGL141的各向異性磁場(chǎng)之和決定。因此，在例如由軟磁性材料或負(fù)垂直磁各向異性材料構(gòu)成FGL141的情況下，由于該各向異性磁場(chǎng)很小，因此FGL141的振蕩頻率根據(jù)振蕩控制磁場(chǎng)126a的強(qiáng)度而決定。此外來(lái)自記錄頭的振蕩控制磁場(chǎng)對(duì)于記錄頭勵(lì)磁電流有0.1ns左右的延遲。該延遲時(shí)間根據(jù)記錄頭的制造偏差、環(huán)境溫度等而變化，因此如后所述，希望補(bǔ)償該延遲。接著，利用圖1B的(b-2)的概念圖來(lái)說(shuō)明與此相反地將記錄在磁記錄介質(zhì)130的磁性層133、134上的向下的磁化138改寫(xiě)為向上的情況。首先，對(duì)自旋注入固定層143及FGL141施加與圖1B的(b-Ι)相反(向左)的強(qiáng)振蕩控制磁場(chǎng)126b，使自旋注入固定層143及FGL141的磁化147b的朝向高速地轉(zhuǎn)換為與圖1B的(b_l)相反的朝向(向左)。成為該狀態(tài)后，F(xiàn)GL141的磁化147b吸收從自旋注入固定層143注入的自旋能量，從磁記錄介質(zhì)130觀察，以與圖1B的(b-Ι)相反的旋轉(zhuǎn)(箭頭148b的方向)而高速旋轉(zhuǎn)。從該相反旋轉(zhuǎn)的FGL141的磁化147b產(chǎn)生具有與圖1B的(b_l)相反的性質(zhì)、即輔助向下的記錄磁化138的旋進(jìn)(輔助向上的反轉(zhuǎn))的性質(zhì)的高頻磁場(chǎng)。最終，利用該高頻磁場(chǎng)145的輔助效果，借助向上的記錄磁場(chǎng)121b，磁記錄介質(zhì)130向下的磁化138反轉(zhuǎn)為向上，進(jìn)行信息的改寫(xiě)。在圖1C中表示由LLG模擬解析的本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)的磁頭中的磁頭勵(lì)磁電流和高頻磁場(chǎng)的關(guān)系的一個(gè)例子。在改變記錄電流的極性時(shí)，由于其定時(shí)和高頻振蕩頻率的均衡，在0.1ns的時(shí)間范圍內(nèi)STO的振蕩波形多少被擾亂，但之后穩(wěn)定并廣生聞?lì)l磁場(chǎng)。通常，高頻磁場(chǎng)的振蕩頻率、強(qiáng)度與記錄電流、或磁場(chǎng)的反轉(zhuǎn)后的時(shí)間一同變化。因此，如非專利文獻(xiàn)4中所討論，若適當(dāng)設(shè)計(jì)、調(diào)整磁頭的結(jié)構(gòu)、材料，磁記錄介質(zhì)的材料、制造工藝或構(gòu)造等，則能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)行介質(zhì)磁化的旋進(jìn)和高頻磁場(chǎng)的同步、及來(lái)自旋進(jìn)的高頻磁場(chǎng)的能量的吸收、及介質(zhì)反轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的降低的微波輔助記錄。根據(jù)LLG模擬可知，為了高效率地產(chǎn)生上述高頻磁場(chǎng)，F(xiàn)GL141優(yōu)選其膜厚為IIOOnm,更優(yōu)選為530nm,并且為了使磁疇結(jié)構(gòu)難以形成,磁化能夠穩(wěn)定地旋轉(zhuǎn),優(yōu)選其元件寬度、元件高度大致相等。此外，確認(rèn)若元件尺寸在4020nm左右以下，則抑制磁疇結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生，若施加強(qiáng)磁場(chǎng)，則軟磁性材料、硬磁性材料、或負(fù)垂直磁各向異性材料中任一種材料都穩(wěn)定地振蕩。由此，可以說(shuō)微波輔助記錄方法特別適用于高密度記錄。但是，也可知在該高頻磁場(chǎng)強(qiáng)度或振蕩頻率中，存在很強(qiáng)的元件尺寸依賴性、來(lái)自磁頭的振蕩控制磁場(chǎng)的方向或強(qiáng)度的依賴性。這些不僅依賴于制造工藝的偏差，也依賴于環(huán)境溫度。因此，在微波輔助方法的實(shí)用化中，需要結(jié)合磁頭加工精度的飛躍性的提高，開(kāi)發(fā)、導(dǎo)入難以依賴頭加工尺寸的偏差或環(huán)境條件的裝置水平下的調(diào)整方法，關(guān)于后者將在以后的本實(shí)施例中詳細(xì)地說(shuō)明。磁記錄介質(zhì)130包括:在由玻璃或NiP鍍Al等構(gòu)成的非磁性基板136上由FeCoTaZr等形成的軟磁性基底層135，由以CoCrPt、Ll2-Co3Pt基合金、Ll2-(CoCr)3Pt基合金、Ll1-Co5ciPt5tl基合金、CoCrB/Pt、CoB/Pd磁性人工晶格、LI。型FePt等為主要構(gòu)成要素的磁性膜形成的第一及第二記錄層134、133，由C等形成的保護(hù)層132，以及潤(rùn)滑層131等。箭頭137、138分別表示記錄在磁記錄介質(zhì)上的向上、向下的磁化。這里，優(yōu)選為記錄層的至少一層是具有垂直磁各向異性的材料，優(yōu)選為其磁化的共振頻率和高頻振蕩元件140的高頻磁場(chǎng)的振蕩頻率差別不大。此外,可以在兩層之間設(shè)置用于控制磁結(jié)合的中間層。而且，可以在軟磁性基底層135和基板136之間設(shè)置至少一層非磁性層，而且，可以在軟磁性基底層135和磁性層134之間設(shè)置Ru等至少一層非磁性中間層或在其基礎(chǔ)上設(shè)置磁性中間層。另外，可以使軟磁性基底層135為夾著Ru等的兩層結(jié)構(gòu)，使磁性層133、134為單層或三層以上的多層結(jié)構(gòu)。此外，在本實(shí)施例中表示了在基板136的單面上設(shè)置磁性層133、134等的例子，但也可以在非磁性基板136的兩面設(shè)置這些層。在本實(shí)施例中表示了磁記錄介質(zhì)130為各存儲(chǔ)位連續(xù)地存在的連續(xù)介質(zhì)的例子，但也可以是在基板上設(shè)置IOnm左右的磁性圖形的圖形介質(zhì)。在圖2中表示適用了本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置的結(jié)構(gòu)例。即，本實(shí)施例包括:主軸馬達(dá)200,磁記錄介質(zhì)201,臂202,包括具有高頻振蕩元件(STO)、記錄再現(xiàn)元件、空隙控制元件TFC等的磁頭滑塊203和懸架204的磁頭HGA(HeadGimbalAssembly)205，執(zhí)行機(jī)構(gòu)206，具有生成用于驅(qū)動(dòng)STO的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)或驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào))207的高頻振蕩元件驅(qū)動(dòng)控制裝置等的本發(fā)明的頭驅(qū)動(dòng)控制裝置(R/W-1C)208，R/W通道209，微處理器(CPU)210，以及磁盤(pán)控制器(HDC)211等。此外，從磁存儲(chǔ)裝置的小型輕量化方面考慮優(yōu)選為執(zhí)行機(jī)構(gòu)206是旋轉(zhuǎn)型的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。這里，CPU210是磁存儲(chǔ)裝置的主控制裝置，進(jìn)行記錄再現(xiàn)動(dòng)作或磁頭的定位所需的伺服控制。例如，CPU在包括R/W-1C在內(nèi)的各種寄存器設(shè)定其動(dòng)作所需的參數(shù)。如后所述，在各種寄存器中，獨(dú)立地設(shè)定規(guī)定的溫度、每個(gè)磁記錄介質(zhì)區(qū)域的記錄電流值、空隙控制值、STO驅(qū)動(dòng)電流值、記錄電流、STO驅(qū)動(dòng)電流的過(guò)調(diào)量值、或定時(shí)時(shí)間等。HDC211構(gòu)成磁存儲(chǔ)裝置和上位的主系統(tǒng)(未圖示)的界面，通過(guò)向R/W通道209輸出用于指示在磁記錄介質(zhì)上寫(xiě)入記錄數(shù)據(jù)213的信息記錄的開(kāi)始(記錄的定時(shí))的寫(xiě)入門來(lái)進(jìn)行記錄再現(xiàn)信息的傳輸控制。R/W通道209是信號(hào)處理電路，在信息記錄時(shí)向R/W-1C輸出將從磁盤(pán)控制器211傳輸?shù)挠涗浶畔⒕幋a化后的信號(hào)213,在信息再現(xiàn)時(shí)向磁盤(pán)控制器211輸出將從磁頭205輸出的再現(xiàn)信號(hào)譯碼化后的再現(xiàn)信息。R/W-1C208是按照上述寫(xiě)入門的輸入，至少生成與從R/W通道209提供的記錄數(shù)據(jù)213相對(duì)應(yīng)的記錄信號(hào)(記錄電流)，并將該記錄信號(hào)與控制通電定時(shí)的高頻振蕩元件(STO)驅(qū)動(dòng)信號(hào)(驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)或驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào))一同提供給磁頭的驅(qū)動(dòng)集成電路，具有設(shè)定來(lái)自CPU的記錄電流值、STO驅(qū)動(dòng)電流值、TFC輸入電力值等的寄存器，更優(yōu)選為具有由寄存器構(gòu)成的設(shè)定表，并生成根據(jù)這些值的記錄電流、STO驅(qū)動(dòng)電流、過(guò)調(diào)量、TFC輸入電力等。這里各寄存器值能夠按照磁記錄介質(zhì)的區(qū)域、環(huán)境溫度、氣壓等各條件而變化。此外，R/W通道209、CPU210、HDC211等通常被組裝入一個(gè)芯片的系統(tǒng)集成電路(SoC=SystemonChip)212中。以下，說(shuō)明本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置中的記錄再現(xiàn)動(dòng)作的概略。按照來(lái)自計(jì)算機(jī)等主機(jī)、上位系統(tǒng)的信息的記錄、再現(xiàn)的命令，通過(guò)作為磁存儲(chǔ)裝置的主控制裝置的CPU210的控制，磁記錄介質(zhì)201以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)數(shù)借助主軸馬達(dá)200而旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而，由再現(xiàn)元件利用來(lái)自預(yù)先在磁存儲(chǔ)裝置的制造工序中記錄在磁記錄介質(zhì)上的伺服信息的信號(hào)來(lái)檢測(cè)介質(zhì)上的位置，并且通過(guò)由執(zhí)行機(jī)構(gòu)206經(jīng)由臂202來(lái)控制磁頭HGA205，從而使磁頭HGA205在磁記錄介質(zhì)的規(guī)定的記錄磁道上移動(dòng)(查找動(dòng)作)，在該位置進(jìn)行磁頭的之后的動(dòng)作。接著在該磁道上如下所述地進(jìn)行信息的記錄。在信息記錄時(shí)，從磁盤(pán)控制器211向R/W通道209輸出用于指示在磁記錄介質(zhì)上寫(xiě)入記錄數(shù)據(jù)213的數(shù)據(jù)記錄的開(kāi)始(記錄的定時(shí))的寫(xiě)入門。按照該寫(xiě)入門的輸入，生成與從R/W通道209提供的記錄數(shù)據(jù)213相對(duì)應(yīng)的記錄信號(hào)(記錄電流)，并且驅(qū)動(dòng)信號(hào)207與控制通電定時(shí)的高頻振蕩元件(STO)驅(qū)動(dòng)信號(hào)(驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)或驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào))一同被提供給磁頭203的記錄頭部120，用微波輔助方法記錄在磁記錄介質(zhì)上的規(guī)定記錄磁道上。另一方面，在信息再現(xiàn)時(shí)，從讀取記錄在磁記錄介質(zhì)上的磁化信息的磁頭203的再現(xiàn)頭部110輸出的再現(xiàn)信號(hào)在R/W-1C中被放大，被傳輸?shù)絉/W通道209，并被譯碼化。再現(xiàn)信息被輸出到磁盤(pán)控制器211。在本實(shí)施例中表示了磁記錄介質(zhì)為一個(gè)，磁頭滑塊為兩個(gè)的情況，但相對(duì)于一個(gè)磁記錄介質(zhì)磁頭滑塊可以是一個(gè)，而且也可以按照目的而適當(dāng)?shù)卦黾佣鄠€(gè)磁記錄介質(zhì)、磁頭。以下，包括最優(yōu)化方法及效果在內(nèi)來(lái)說(shuō)明實(shí)施例的詳細(xì)情況。(最優(yōu)化方法及效果)以下說(shuō)明本發(fā)明的特征，即用于補(bǔ)償由于漏磁場(chǎng)及記錄頭120或高頻振蕩元件140的制造工序偏差而引起的性能偏差的、流向記錄頭120(線圈123)的記錄電流Iw、高頻振蕩元件140的動(dòng)作電流144、以及基于熱膨脹元件TFC102的空隙補(bǔ)正的方法及其效果。如圖3的實(shí)施例la、lb、Ic所示地改變上述結(jié)構(gòu)中記錄頭部120中的記錄磁極122的磁道寬度Tw、高頻磁場(chǎng)產(chǎn)生元件140的磁化高速旋轉(zhuǎn)體FGL141的元件寬度WFa、及再現(xiàn)頭部110中的再現(xiàn)元件112的元件寬度TWr、以及各自的主要結(jié)構(gòu)、熱膨脹元件TFC102的位置和個(gè)數(shù)、以及磁盤(pán)130的結(jié)構(gòu)，試制磁頭和磁記錄介質(zhì)，并將其搭載于磁存儲(chǔ)裝置。在采用了微波磁記錄方法的本磁存儲(chǔ)裝置中，作為比較例，為了抑制產(chǎn)生與以往技術(shù)相同地FGL層中的不穩(wěn)定磁結(jié)構(gòu)、即為使元件穩(wěn)定動(dòng)作，在使高頻振蕩元件始終動(dòng)作的狀態(tài)下進(jìn)行記錄再現(xiàn)，雖然能夠?qū)崿F(xiàn)高的記錄密度，但存在由于外部環(huán)境而在信息再現(xiàn)或查找時(shí)產(chǎn)生信息消除、或誤記錄的情況。以往眾所周知的是，來(lái)自主軸馬達(dá)、計(jì)算機(jī)等外部設(shè)備的雜散磁場(chǎng)被磁記錄介質(zhì)的軟磁性基底層吸收，集中在記錄磁極，而且該磁場(chǎng)與來(lái)自記錄在磁記錄介質(zhì)上的復(fù)雜的記錄圖形的漏磁場(chǎng)重疊，磁場(chǎng)集中在記錄磁極。于是，在本發(fā)明中，盡管根據(jù)日本特開(kāi)2006-114159號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)6)所記載的以往技術(shù)，采用充分地實(shí)施了雜散磁場(chǎng)對(duì)策的結(jié)構(gòu)，并確認(rèn)了在模擬中也具有充分的外部磁場(chǎng)耐性，但仍會(huì)產(chǎn)生上述問(wèn)題，因此認(rèn)為上述問(wèn)題是微波輔助記錄方法中固有的問(wèn)題。于是，對(duì)于本現(xiàn)象的根本原因，從LLG模擬及實(shí)驗(yàn)兩方面進(jìn)行了銳意研究。其結(jié)果是，可知除了來(lái)自在以往技術(shù)中已實(shí)施了對(duì)策的記錄磁極的微弱磁場(chǎng)之外，由其他機(jī)構(gòu)誘發(fā)的磁場(chǎng)與高頻振蕩元件的輔助效果重疊，從而在信息再現(xiàn)時(shí)或查找時(shí)引起信息消除、誤記錄。這里，由其他機(jī)構(gòu)誘發(fā)的磁場(chǎng)是指磁記錄介質(zhì)的漏磁場(chǎng)中經(jīng)由記錄頭的間隙部被吸收并強(qiáng)化類型的記錄圖形的磁場(chǎng)引起的磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)具有與圖1所示的振蕩控制磁場(chǎng)126相同的成分，因此會(huì)對(duì)FGL141和輔助效果產(chǎn)生影響。即，被插入間隙部125的高頻振蕩元件140由于非記錄動(dòng)作時(shí)本來(lái)不應(yīng)該存在的磁場(chǎng)而誤動(dòng)作，誘發(fā)輔助效果。該機(jī)制在以往的記錄方法中完全不會(huì)成為問(wèn)題，是在磁間隙部125設(shè)置高頻振蕩元件140的本微波輔助記錄方法中固有的問(wèn)題，是在由軟磁性體形成記錄磁極122、輔助磁極124，且有很大可能性吸入來(lái)自介質(zhì)130的漏磁場(chǎng)的記錄頭中，是以單獨(dú)的部件水平不能避免的本質(zhì)性的課題。于是首先，在裝置水平反復(fù)地銳意研究在記錄動(dòng)作時(shí)以外的裝置動(dòng)作時(shí)抑制輔助效果的技術(shù)。在由本實(shí)施例的磁頭、磁記錄介質(zhì)組裝成圖2所示的裝置后，首先在規(guī)定的磁記錄介質(zhì)的區(qū)域R內(nèi)使高頻振蕩元件以規(guī)定的電流值工作，然后向主磁極的線圈通電記錄電流，對(duì)主磁極勵(lì)磁，從而將伺服信號(hào)記錄在磁記錄介質(zhì)上。接著，在圖4中表示基于該伺服信號(hào)將正負(fù)的電流值Isra向高頻振蕩元件通電，同時(shí)向主磁極122的線圈123通電來(lái)記錄規(guī)定的檢查信號(hào)等，評(píng)價(jià)在再現(xiàn)檢查信號(hào)時(shí)的各自的Istc下的S/N的結(jié)果。圖4所示的S/N表示相對(duì)值。如圖4所示，其結(jié)果是，根據(jù)流向主磁極的記錄電流(假定外部記錄磁場(chǎng))，在信號(hào)的再現(xiàn)時(shí)，即使使該驅(qū)動(dòng)電流為零(高頻振蕩元件非工作)，也殘余基于微波輔助磁頭的輔助效果，因此由于記錄磁場(chǎng)121和FGL141的相互作用，在記錄動(dòng)作時(shí)以外的裝置動(dòng)作時(shí)也殘余影響。但是，其大小十分小，是在實(shí)用上能夠無(wú)視的程度，但更優(yōu)選為將相反極性的電流-1d在信號(hào)再現(xiàn)之前(或緊接信號(hào)記錄結(jié)束之后)向高頻振蕩元件通電來(lái)抑制該影響，由此能夠完全抑制輔助效果。實(shí)際上，停止向高頻振蕩元件140的通電，或在各區(qū)域R通電相反極性的電流-1d，在與引起了信息消除、誤記錄的比較例相同的條件下以規(guī)定的臺(tái)數(shù)評(píng)價(jià)磁記錄裝置，則能夠確認(rèn)無(wú)論在任何情況下，都完全觀測(cè)不到信息消除或誤記錄等問(wèn)題。于是接著，關(guān)于用于使高頻振蕩元件從上述非動(dòng)作狀態(tài)再現(xiàn)性良好且穩(wěn)定地向動(dòng)作狀態(tài)過(guò)度，并且引出頭和介質(zhì)的最高性能，緩和制造偏差和環(huán)境條件變化的影響的方法，利用本發(fā)明的頭驅(qū)動(dòng)控制制造進(jìn)行了銳意研究。為了得到高效率的輔助效果，使高頻振蕩兀件穩(wěn)定地振蕩，得到聞?lì)l振蕩兀件的聞?lì)l磁場(chǎng)和磁記錄介質(zhì)的介質(zhì)旋進(jìn)各自的頻率和相位的整合性很重要。但是，與FGL層的磁疇結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性相同，這些頻率和相位也由于制造工序的偏差、物性常數(shù)的溫度依賴性、以及來(lái)自磁頭的振蕩控制磁場(chǎng)的相對(duì)方位、強(qiáng)度而產(chǎn)生變化。本發(fā)明人銳意研究的結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)對(duì)于ECC(Exchange-coupledcomposite,交換稱合介質(zhì))介質(zhì)，在用微波輔助記錄頭向其記錄磁極通電的至少0.1ns以上、更優(yōu)選為Ins以上之前，向所述非記錄動(dòng)作或相反極性通電狀態(tài)的高頻磁場(chǎng)振蕩元件140開(kāi)始元件動(dòng)作所需的通電，并按照磁記錄介質(zhì)和外部環(huán)境適當(dāng)調(diào)整對(duì)于記錄電流通電開(kāi)始的定時(shí)，由此能夠使FGL層內(nèi)的磁化旋轉(zhuǎn)固定化且穩(wěn)定化，而且對(duì)于磁記錄介質(zhì)能夠得到最優(yōu)的輔助效果，其結(jié)果是能夠始終穩(wěn)定地保持錯(cuò)誤率。此外，記錄磁場(chǎng)通常對(duì)記錄電流存在0.20.5ns左右的延遲，因此為了適當(dāng)?shù)靥幚碓撗舆t，STO驅(qū)動(dòng)電流的切斷定時(shí)調(diào)整也同樣重要。從通過(guò)LLG模擬等詳細(xì)研究的結(jié)果可知，本效果由以下的條件得到。(I)電流在尺寸為數(shù)十nm的元件內(nèi)固定且穩(wěn)定的流動(dòng)，且為了在施加磁場(chǎng)后使高頻磁場(chǎng)振蕩元件的振蕩穩(wěn)定化，需要0.1Ins左右，若考慮相位整合的定時(shí)，則多出相當(dāng)于其5%左右的時(shí)間的富余再控制定時(shí)是有效的。(2)在適當(dāng)?shù)卦O(shè)定了高頻磁場(chǎng)振蕩元件140和磁記錄介質(zhì)130的定時(shí)常數(shù)α等的系統(tǒng)中，高頻磁場(chǎng)振蕩元件140和磁記錄介質(zhì)130的磁化旋轉(zhuǎn)頻率和時(shí)間一起變化,易于得到相位整合，能夠由適當(dāng)?shù)恼{(diào)諧實(shí)現(xiàn)更高效率的輔助效果。(3)另外，若設(shè)置輔助磁極124，對(duì)磁記錄介質(zhì)施加具有面內(nèi)磁場(chǎng)成分的記錄磁場(chǎng)，同時(shí)施加高頻磁場(chǎng)，則特別是在ECC型的介質(zhì)中，晶粒內(nèi)磁化間的偶極相互作用有效地發(fā)揮作用，以使各自的介質(zhì)晶粒中的磁化的旋進(jìn)的相位相符。S卩，認(rèn)為使用本發(fā)明的頭驅(qū)動(dòng)控制裝置和方法，在磁存儲(chǔ)裝置水平進(jìn)行相對(duì)于記錄電流的STO驅(qū)動(dòng)電流的導(dǎo)通、切斷的適當(dāng)定時(shí)調(diào)整等，由此使高頻產(chǎn)生元件140從非動(dòng)作狀態(tài)再現(xiàn)性良好且穩(wěn)定地向動(dòng)作狀態(tài)過(guò)渡，進(jìn)而能夠提高得到高頻磁場(chǎng)與位于決定介質(zhì)記錄位的磁化反轉(zhuǎn)區(qū)域內(nèi)的晶粒磁化群的旋進(jìn)同步的概率，能夠得到所希望的高輔助效果。(裝置調(diào)整的步驟)在圖5中表示基于在上述見(jiàn)解下發(fā)明的本發(fā)明的頭驅(qū)動(dòng)控制裝置的磁存儲(chǔ)裝置調(diào)整的流程圖。在本實(shí)施例的頭驅(qū)動(dòng)控制裝置中，同時(shí)設(shè)定向高頻振蕩元件140的通電定時(shí)、該通電的電流波形和電流值、空隙控制電力、以及流向記錄磁極的記錄電流(501)。在使用本頭驅(qū)動(dòng)控制裝置及四個(gè)所述磁頭和兩張磁記錄介質(zhì)來(lái)組裝成圖2的磁存儲(chǔ)裝置后，首先在規(guī)定的磁記錄介質(zhì)的區(qū)域內(nèi)，調(diào)整熱膨脹元件TFC102的輸入電力以首先使高頻振蕩元件相對(duì)于磁記錄介質(zhì)確保規(guī)定的空隙(Pttc(I))。該調(diào)整例如通過(guò)順次向膨脹元件TFC102輸入電力，檢測(cè)到與磁記錄介質(zhì)130的接觸后，從那時(shí)的輸入電力中減去與規(guī)定的空隙相當(dāng)?shù)碾娏ΧM(jìn)行。此外，在事前弄清空隙、熱膨脹量、向TFC的輸入電力量之間的關(guān)系。而且，在事前預(yù)先評(píng)價(jià)STO驅(qū)動(dòng)電流的相對(duì)于記錄電流的導(dǎo)通、切斷的定時(shí)tKW(l)、tEWB(l)、電流波形(過(guò)調(diào)量)OS(I)等，預(yù)先決定適當(dāng)值。接著，如圖6所示，使高頻振蕩元件140以規(guī)定的電流值Isto(I)、規(guī)定的定時(shí)⑴、⑴、電流波形(過(guò)調(diào)量)OS(I)動(dòng)作,進(jìn)而將記錄電流Iw(I)向記錄磁極122通電，進(jìn)行勵(lì)磁，將伺服信號(hào)記錄在磁記錄介質(zhì)130的所述規(guī)定區(qū)域內(nèi)(502)。此外，過(guò)調(diào)量(OS)是用于旋轉(zhuǎn)的旋進(jìn)初始加速的電流波形。接著，基于該伺服信號(hào)，在上述規(guī)定的區(qū)域內(nèi)，以圖5的表5a所記載的Iw(m)、Isto(η)的各組合進(jìn)行規(guī)定的檢查信號(hào)的記錄再現(xiàn)(503)。這些值作為參數(shù)控制用表存儲(chǔ)在寄存器中。此外這里，進(jìn)行使電流值Isto恒定，改變Iw來(lái)進(jìn)行向主磁極122的線圈123通電的過(guò)程，進(jìn)而，一邊改變電流值Isto—邊重復(fù)該過(guò)程。測(cè)定各組合下的位錯(cuò)誤率、覆蓋、再現(xiàn)輸出、及相鄰磁道記錄干涉特性(ATI:AdjacentTrackInterference)等記錄再現(xiàn)特性,決定得到最高特性的最優(yōu)的Iw(m)、Istc(η)的組合。接著，在該狀態(tài)下，再次測(cè)量向熱膨脹元件TFC102的輸入電力Ptfc、及空隙(504)，若空隙變得比規(guī)定的值小(輸入電力PTFC(i)不在規(guī)定值以下)(505)，則一邊將記錄電流Iff降低一個(gè)水準(zhǔn)并測(cè)量記錄再現(xiàn)特性，一邊將向高頻振蕩元件140的通電量最優(yōu)化(506)，再次評(píng)價(jià)空隙是否為規(guī)定值。重復(fù)該過(guò)程直到在空隙變?yōu)橐?guī)定值以下，決定Iw、IST0>Ptfc的最終的最優(yōu)值(507)。此外，這里，記錄電流1定時(shí)的事前補(bǔ)償(所謂的寫(xiě)前補(bǔ)償(writepre-compensation))也按照記錄數(shù)據(jù)自動(dòng)地進(jìn)行。若過(guò)調(diào)量(OS)較高，則存在定時(shí)tKW及其偏差很少也沒(méi)問(wèn)題的傾向，但若過(guò)調(diào)量過(guò)高，則元件動(dòng)作不穩(wěn)定，因此優(yōu)選進(jìn)行調(diào)整。于是，最后，為了謀求高頻振蕩元件140內(nèi)的電流分布和振蕩狀態(tài)的穩(wěn)定化，如圖5的表5b記載的組合地改變流向高頻振蕩元件的電流波形OS和通電定時(shí)tKW，并同樣測(cè)定位錯(cuò)誤率、覆蓋、再現(xiàn)輸出、及相鄰磁道記錄干涉特性(ATI)等記錄再現(xiàn)特性(508)，決定得到最高特性的最優(yōu)的0S(h)、tKW(k)的組合(509)。此夕卜，雖然在圖5中省略，但如圖6所示，與tKW(k)的設(shè)定相同，也實(shí)施切斷STO驅(qū)動(dòng)電流的定時(shí)tKWB(k)的調(diào)整。上述最優(yōu)值作為參數(shù)控制用表儲(chǔ)存在頭驅(qū)動(dòng)控制裝置的寄存器中，用于磁存儲(chǔ)裝置動(dòng)作的控制。在圖6中表示按照本實(shí)施例的流程圖而被最優(yōu)化的記錄電流、及高頻元件驅(qū)動(dòng)電流的動(dòng)作概念圖。圖6是比較記錄電流電流值Isto各自的通電開(kāi)始的定時(shí)的圖。比記錄電流Iw的通電開(kāi)始前只提前通電定時(shí)tKW開(kāi)始流向高頻振蕩元件140的電流值Istc的通電。此外，通電定時(shí)tKW是為了在將電流值Istc向高頻振蕩元件140通電后謀求元件內(nèi)的電流分布和振蕩狀態(tài)的穩(wěn)定化或記錄等的穩(wěn)定化所需的時(shí)間。此外，在如硬盤(pán)裝置(HDD)那樣的磁存儲(chǔ)裝置中，記錄和再現(xiàn)的切換時(shí)間為50ns左右，在本實(shí)施例中，為了使切換在該時(shí)間內(nèi)完成，進(jìn)而使聞?lì)l振湯兀件驅(qū)動(dòng)電路的啟動(dòng)完成時(shí)期比記錄頭驅(qū)動(dòng)電路的從再現(xiàn)向記錄切換的時(shí)期至少提前0.1ns以上，從而調(diào)整了各自的啟動(dòng)定時(shí)。而且各自的電路系統(tǒng)的開(kāi)始時(shí)間為IOns左右。在本實(shí)施例中，在圖3的實(shí)施例la、lb、lc的組合中，確認(rèn)任一個(gè)都在與以往技術(shù)等同的制造成品率下，各自的記錄密度為1.2Tb/in2、l.6Tb/in2、2.0Tb/in2，能夠?qū)崿F(xiàn)以往技術(shù)的23倍的記錄密度。另外，能夠確認(rèn)對(duì)于外部磁場(chǎng)的耐力也在與以往制造同等以上。而且即使通電定時(shí)tKW為O也得到了同樣的效果。實(shí)施例2圖7中表示特別是對(duì)記錄密度更高，更加擔(dān)心外部磁場(chǎng)耐力的情況有效的實(shí)施例。首先，在利用實(shí)施例1中所述的頭驅(qū)動(dòng)控制裝置、六個(gè)磁頭、以及三張磁記錄介質(zhì)組裝成圖2所示的磁存儲(chǔ)裝置后，首先與實(shí)施例1相同地，在規(guī)定的磁記錄介質(zhì)的區(qū)域內(nèi)，調(diào)整熱膨脹元件TFC102的輸入電力(PTrc(l))以使高頻振蕩元件相對(duì)于磁記錄介質(zhì)確保規(guī)定的空隙(701)。接著，使高頻振蕩元件以規(guī)定的電流值Istc(I)、電流波形OS(I)動(dòng)作，進(jìn)而將記錄電流Iw(I)向記錄磁極通電，進(jìn)行勵(lì)磁，將伺服信號(hào)記錄在磁記錄介質(zhì)130上(702)。此外這里，為了謀求元件內(nèi)的電流分布和振蕩狀態(tài)的穩(wěn)定化、及穩(wěn)定記錄，將Isto(I)的穩(wěn)定電流部分只比Iw(I)的通電開(kāi)始提前在事前的實(shí)驗(yàn)中求出的平均值tKW(l)而進(jìn)行通電，而且，考慮記錄磁場(chǎng)比記錄電流延遲0.2ns0.5ns左右的情況,只延遲tKWB(l)再結(jié)束通電。該tKW根據(jù)溫度而變化，而且，tEWB根據(jù)記錄頻率和溫度而變化，因此需要分別最優(yōu)化。接著，如圖4所示，基于該伺服信號(hào)，將正負(fù)的電流值Istc向高頻振蕩元件140通電，同時(shí)向主磁極122通電來(lái)記錄規(guī)定的檢查信號(hào),評(píng)價(jià)各自的Isio下的S/N,決定高頻振蕩元件140的輔助效果抑制電流-1d(703)。這些值作為參數(shù)控制用表被存儲(chǔ)在頭驅(qū)動(dòng)控制裝置的寄存器中。接著，使高頻振蕩元件140以規(guī)定的電流值Istc(I)、過(guò)調(diào)量OS(I)動(dòng)作，進(jìn)而將記錄電流Iw(I)向記錄磁極通電，進(jìn)行勵(lì)磁，將伺服信號(hào)記錄在磁記錄介質(zhì)130的所述規(guī)定區(qū)域內(nèi)，然后，基于該伺服信號(hào)在上述規(guī)定區(qū)域內(nèi)，以圖7的表7a所記載的Iw(m)、Isra(η)的各組合來(lái)進(jìn)行規(guī)定的檢查信號(hào)的記錄再現(xiàn)(704)。這里，進(jìn)行使Iw恒定，改變Istc來(lái)進(jìn)行記錄的過(guò)程，進(jìn)而，一邊改變記錄電流Iw—邊重復(fù)該過(guò)程。測(cè)定各組合下的位錯(cuò)誤率、覆蓋、再現(xiàn)輸出、及相鄰磁道記錄干涉特性(ATI)等記錄再現(xiàn)特性，決定得到最高特性的最優(yōu)的Iw(m)、Isxo(η)的組合(705)。此外，即使使1和Istc可變的順序與上述相反，也同樣能夠決定最優(yōu)的組合。接著，在該狀態(tài)下，再次測(cè)量向熱膨脹元件的輸入電力PTrc及空隙，若空隙與規(guī)定值的差(輸入電力Ptfc與規(guī)定值之差的絕對(duì)值)變大(706)，則一邊將記錄電流Iw降低一個(gè)水準(zhǔn)并測(cè)量記錄再現(xiàn)特性，一邊將向高頻振蕩元件的通電量最優(yōu)化(707)，再次評(píng)價(jià)空隙是否為規(guī)定值。重復(fù)該過(guò)程直到空隙變?yōu)橐?guī)定值以下，決定IW、ISTC、PTTC最終的最優(yōu)值(708)。這些最優(yōu)值作為參數(shù)控制用表被存儲(chǔ)在頭驅(qū)動(dòng)控制裝置的寄存器中，并用于頭驅(qū)動(dòng)裝置的控制。此外這里，相對(duì)于特殊記錄參數(shù)的記錄電流Iw的定時(shí)的事前補(bǔ)償(所謂的寫(xiě)前補(bǔ)償)也自動(dòng)地進(jìn)行。圖8中表示按照本實(shí)施例的流程圖而被最優(yōu)化的記錄電流、及高頻元件驅(qū)動(dòng)電流的動(dòng)作概念圖。在本實(shí)施例中，確認(rèn)能夠?qū)崿F(xiàn)與實(shí)施例1同等的裝置制造成品率、記錄密度，另外，確認(rèn)對(duì)外部磁場(chǎng)的耐力改善為實(shí)施例1的1.5倍以上。此外，與實(shí)施例1相同地，對(duì)通電定時(shí)tKW、切斷定時(shí)t.、輔助效果抑制電流Id和過(guò)調(diào)量OS進(jìn)行最優(yōu)化，得到實(shí)施例1的兩倍左右的、對(duì)于外部環(huán)境變化的高可靠性(沒(méi)有再現(xiàn)時(shí)的錯(cuò)誤)，特別優(yōu)選對(duì)通電定時(shí)tKW、切斷定時(shí)t.、輔助效果抑制電流Id和過(guò)調(diào)量OS進(jìn)行最優(yōu)化。實(shí)施例3作為實(shí)施例3，表示性價(jià)比最高的系統(tǒng)。首先，在利用實(shí)施例1中所述的頭驅(qū)動(dòng)控制裝置、一個(gè)磁頭、以及一張磁記錄介質(zhì)組裝成圖2所示的磁存儲(chǔ)裝置后，與實(shí)施例1相同地，在規(guī)定的磁記錄介質(zhì)130的區(qū)域內(nèi)，調(diào)整熱膨脹元件的輸入電力(PTrc(l))以使高頻振蕩元件140從磁記錄介質(zhì)130確保規(guī)定的空隙(501)。接著，使高頻振蕩元件140以規(guī)定的電流值Istc(I)動(dòng)作，進(jìn)而將記錄電流Iw(I)向記錄磁極122的線圈123通電，進(jìn)行勵(lì)磁，將伺服信號(hào)記錄在磁記錄介質(zhì)上(502)。在本實(shí)施例中,在高頻振蕩元件驅(qū)動(dòng)電路中省略過(guò)調(diào)量功能和相反極性電流通電功能。此外這里，Ist^I)的通電定時(shí)與其他實(shí)施例相同，將穩(wěn)定電流部分只比Iw(I)的通電定時(shí)提前tRW(l)地開(kāi)始通電，并只延遲tRWB(I)地結(jié)束通電。接著，與圖7的流程相同，使高頻振蕩元件140以規(guī)定的電流值Istq(I)動(dòng)作，進(jìn)而將記錄電流Iw(I)向記錄磁極122的線圈123通電，進(jìn)行勵(lì)磁，將伺服信號(hào)記錄在磁記錄介質(zhì)130的所述規(guī)定區(qū)域內(nèi)，然后，基于該伺服信號(hào)在上述規(guī)定區(qū)域內(nèi)，以圖7的Iff(m)-1sto(η)的表所記載的各組合來(lái)進(jìn)行規(guī)定的檢查信號(hào)的記錄再現(xiàn)(704)。這里，進(jìn)行使Iw恒定，改變Isra來(lái)進(jìn)行記錄的過(guò)程，進(jìn)而，一邊改變記錄電流Iw—邊重復(fù)該過(guò)程。測(cè)定各組合下的位錯(cuò)誤率、覆蓋、再現(xiàn)輸出、及相鄰磁道記錄干涉特性(ATI)等記錄再現(xiàn)特性，決定得到最聞特性的最優(yōu)的Iw(m)、Isio(η)的組合(705)。此外，即使使I1^PIsio可變的順序與上述相反，也同樣能夠決定最優(yōu)的組合。接著，在該狀態(tài)下，再次測(cè)量向熱膨脹元件的輸入電力PTrc、及空隙，若空隙與規(guī)定值的差(輸入電力Ptfc與規(guī)定值之差的絕對(duì)值)變大(706)，則一邊將記錄電流Iw降低一個(gè)水準(zhǔn)并測(cè)量記錄再現(xiàn)特性，一邊將向高頻振蕩元件140的通電量最優(yōu)化(707)，再次評(píng)價(jià)空隙是否為規(guī)定值。重復(fù)該過(guò)程直到空隙變?yōu)橐?guī)定值以下，決定Iw、Isxo>Ptfc的最終的最優(yōu)值(708)。這些最優(yōu)值作為參數(shù)控制用表被存儲(chǔ)在頭驅(qū)動(dòng)控制裝置的寄存器中，并用于頭驅(qū)動(dòng)裝置的控制。此外這里，相對(duì)于特殊記錄參數(shù)的記錄電流Iw的定時(shí)的事前補(bǔ)償(所謂的寫(xiě)前補(bǔ)償)也按照記錄參數(shù)自動(dòng)地進(jìn)行。圖9中表示按照本實(shí)施例的流程圖而被最優(yōu)化的記錄電流、及高頻元件驅(qū)動(dòng)電流的動(dòng)作概念圖。在本實(shí)施例中，雖然制造成品率和記錄密度比實(shí)施例1差數(shù)％，但確認(rèn)能夠?qū)崿F(xiàn)與以往技術(shù)相比外部磁場(chǎng)耐力特性同等，且記錄密度特性壓倒性地優(yōu)異的磁存儲(chǔ)裝置。而且與實(shí)施例1相同，進(jìn)行通電定時(shí)tKW、切斷定時(shí)的最優(yōu)化，則成品率改善為與實(shí)施例I同等的制造成品率，優(yōu)選進(jìn)行通電定時(shí)tKW、切斷定時(shí)t.的最優(yōu)化。實(shí)施例4在本實(shí)施例中說(shuō)明能夠提供不僅在室溫下動(dòng)作，在裝置保證溫度范圍全區(qū)域內(nèi)都具有優(yōu)良特性的裝置的磁存儲(chǔ)裝置的例子。圖10中以動(dòng)作開(kāi)始時(shí)的定時(shí)tKW為例來(lái)表示裝置動(dòng)作環(huán)境發(fā)生了變化的情況下的以記錄電流通電開(kāi)始時(shí)為基準(zhǔn)時(shí)的高頻振蕩元件140中的電流動(dòng)作定時(shí)的本發(fā)明的設(shè)定流程圖。本實(shí)施例的磁存儲(chǔ)裝置與實(shí)施例1、2及3相同地組裝，但作為追加功能，具有在外部環(huán)境檢測(cè)功能和基于檢測(cè)到外部環(huán)境的信息，以圖5或圖7所記載的過(guò)程而再調(diào)整各參數(shù)的補(bǔ)正功能。以下說(shuō)明在外部環(huán)境檢測(cè)功能和基于檢測(cè)到的信息將記錄電流和高頻振蕩元件的動(dòng)作定時(shí)tKW進(jìn)行再調(diào)整的補(bǔ)正功能。以下，外部環(huán)境的檢測(cè)對(duì)象是溫度。首先，將整個(gè)溫度區(qū)域根據(jù)1\、T2.....Tp的邊界溫度分割成Q+1(Q:0、1、2、...)的區(qū)域。在Q=O的情況下不進(jìn)行分割。將各溫度區(qū)域T彡T1.....Ttrl<T彡Tq.....Tq<T定義為各自的溫度條件A[I].....A[q].....A[Q+1]。首先，開(kāi)始、結(jié)束高頻振蕩元件140的動(dòng)作的定時(shí)根據(jù)磁存儲(chǔ)裝置的制造工序中圖5等所示的流程決定，并將其值設(shè)定為tKW(IN)及(IN)。然后，在其制造和檢查工序中，決定上述溫度區(qū)域內(nèi)的適當(dāng)?shù)拇睃c(diǎn)，在這些代表溫度下預(yù)先根據(jù)圖5等所示的流程在事前求出最優(yōu)的參數(shù)，并儲(chǔ)存在頭驅(qū)動(dòng)控制裝置的寄存器中(1001)，用于磁存儲(chǔ)裝置的控制。接著，在野外的實(shí)際動(dòng)作環(huán)境中，若環(huán)境溫度發(fā)生變化，包圍磁存儲(chǔ)裝置的記錄磁頭、及磁記錄介質(zhì)的環(huán)境溫度T變?yōu)闇囟葪l件A[q](10031006)，則將使高頻振蕩元件140動(dòng)作的定時(shí)變更為與各自的溫度條件相對(duì)應(yīng)的通電定時(shí)tKW(q)(10071010)，進(jìn)行記錄再現(xiàn)。高頻振蕩元件的動(dòng)作結(jié)束的定時(shí)tRWB(q)也相同。圖11(a)、(b)中分別關(guān)于高頻振蕩元件的動(dòng)作開(kāi)始的定時(shí)tKW(q)地表示圖10所示的實(shí)施例的Q=3、1的例子。高頻振蕩元件的動(dòng)作結(jié)束的定時(shí)tKTO(q)也相同。如圖8所示，若在再現(xiàn)動(dòng)作時(shí)設(shè)定抑制電流則可靠性進(jìn)一步提高，因此特別優(yōu)選在再現(xiàn)動(dòng)作時(shí)設(shè)定抑制電流。在上述實(shí)施例1、2及3中以溫度環(huán)境變化為例說(shuō)明了本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，但毫無(wú)疑問(wèn)，能夠通過(guò)根據(jù)對(duì)空隙產(chǎn)生影響的氣壓變化來(lái)決定最優(yōu)參數(shù)，并且進(jìn)行調(diào)整從而根據(jù)環(huán)境溫度用這些參數(shù)來(lái)進(jìn)行磁記錄，從而提供在動(dòng)作保證環(huán)境下具有更優(yōu)異特性的磁存儲(chǔ)裝置。此外，在上述實(shí)施例中說(shuō)明了高頻振蕩元件140位于記錄磁極122和輔助磁極124之間的間隙部的情況，但如果高頻振蕩元件140位于記錄磁極122附近，則不需要間隙部，此外以磁盤(pán)裝置(HDD)為例說(shuō)明了本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，但也能夠適用于磁帶裝置等其他的磁存儲(chǔ)裝置。權(quán)利要求1.一種磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括:磁記錄介質(zhì)；微波輔助記錄磁頭，其包括:產(chǎn)生用于寫(xiě)入所述磁記錄介質(zhì)的記錄磁場(chǎng)的記錄磁極、產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)的高頻磁場(chǎng)振蕩元件、及向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的機(jī)構(gòu)；再現(xiàn)磁頭，其從所述磁記錄介質(zhì)讀取信息；以及控制、處理所述記錄磁頭的記錄動(dòng)作和所述再現(xiàn)磁頭的再現(xiàn)動(dòng)作的機(jī)構(gòu)，在進(jìn)行對(duì)所述磁記錄介質(zhì)的記錄動(dòng)作時(shí)，借助向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的機(jī)構(gòu)向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電，在來(lái)自所述磁記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)時(shí)的至少規(guī)定期間及查找時(shí)的至少一方，停止向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件的通電。2.一種磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括:磁記錄介質(zhì)；微波輔助記錄磁頭，其包括:產(chǎn)生用于寫(xiě)入所述磁記錄介質(zhì)的記錄磁場(chǎng)的記錄磁極、產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)的高頻磁場(chǎng)振蕩元件、及向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的機(jī)構(gòu)；再現(xiàn)磁頭，該再現(xiàn)磁頭從所述磁記錄介質(zhì)讀取信息；以及控制、處理所述記錄磁頭的記錄動(dòng)作和所述再現(xiàn)磁頭的再現(xiàn)動(dòng)作的機(jī)構(gòu)，在進(jìn)行對(duì)所述磁記錄介質(zhì)的記錄動(dòng)作時(shí)，借助向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的機(jī)構(gòu)向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電，在來(lái)自所述磁記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)之前，向與所述記錄動(dòng)作時(shí)相反的方向，向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電。3.—種磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括:磁記錄介質(zhì)；微波輔助記錄磁頭，其包括:產(chǎn)生用于寫(xiě)入所述磁記錄介質(zhì)的記錄磁場(chǎng)的記錄磁極、產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)的高頻磁場(chǎng)振蕩元件、及向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的機(jī)構(gòu)；再現(xiàn)磁頭，其從所述磁記錄介質(zhì)讀取信息；以及控制、處理所述記錄磁頭的記錄動(dòng)作和所述再現(xiàn)磁頭的再現(xiàn)動(dòng)作的機(jī)構(gòu)，在進(jìn)行對(duì)所述磁記錄介質(zhì)的記錄動(dòng)作時(shí)，借助向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的機(jī)構(gòu)向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電，在緊接所述記錄之后，向與所述記錄動(dòng)作時(shí)相反的方向，向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電。4.一種磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括:磁記錄介質(zhì)；微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括:產(chǎn)生用于寫(xiě)入所述磁記錄介質(zhì)的記錄磁場(chǎng)的記錄磁極、產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)的高頻磁場(chǎng)振蕩元件、及向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的機(jī)構(gòu)；再現(xiàn)磁頭，該再現(xiàn)磁頭從所述磁記錄介質(zhì)讀取信息；以及控制、處理所述記錄磁頭的記錄動(dòng)作和所述再現(xiàn)磁頭的再現(xiàn)動(dòng)作的機(jī)構(gòu)，在記錄動(dòng)作時(shí)，比向所述記錄磁極的通電提前規(guī)定期間，借助向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的機(jī)構(gòu)向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述微波輔助記錄磁頭具有記錄磁極和輔助磁極，且在記錄磁極和輔助磁極之間的間隙部具有所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件。6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于，向所述磁存儲(chǔ)裝置的記錄再現(xiàn)特性被調(diào)整為最優(yōu)化的所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的定時(shí)和向所述記錄磁極通電的定時(shí)存儲(chǔ)在所述磁存儲(chǔ)裝置的動(dòng)作控制所用的寄存器中。7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述磁存儲(chǔ)裝置還包括控制所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件和所述磁記錄介質(zhì)的空隙的機(jī)構(gòu)，并將使所述磁記錄裝置的記錄再現(xiàn)特性調(diào)整為最優(yōu)化的空隙的值存儲(chǔ)在寄存器中。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于，在所述磁存儲(chǔ)裝置的環(huán)境發(fā)生了變化的情況下，再調(diào)整向所述高頻振蕩元件通電的定時(shí)。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述記錄再現(xiàn)特性為再現(xiàn)輸出或錯(cuò)誤率。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述環(huán)境的變化為溫度變化。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述環(huán)境的變化為氣壓變化。12.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述磁記錄介質(zhì)為圖形介質(zhì)。13.一種頭驅(qū)動(dòng)控制裝置，其驅(qū)動(dòng)微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括:產(chǎn)生用于寫(xiě)入磁記錄介質(zhì)的記錄磁場(chǎng)的記錄磁極、產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)的高頻磁場(chǎng)振蕩元件、以及向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的機(jī)構(gòu)，該頭驅(qū)動(dòng)控制裝置的特征在于，包括:提供記錄信號(hào)的記錄信號(hào)提供機(jī)構(gòu)；向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)控制機(jī)構(gòu)；以及以在提供所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)之后，開(kāi)始向所述記錄磁極的記錄電流通電的方式進(jìn)行控制的機(jī)構(gòu)。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的頭驅(qū)動(dòng)控制裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)控制機(jī)構(gòu)包括調(diào)整過(guò)調(diào)量的機(jī)構(gòu)。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的頭驅(qū)動(dòng)控制裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)控制機(jī)構(gòu)包括切換正、負(fù)極性的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的頭驅(qū)動(dòng)控制裝置，其特征在于，該頭驅(qū)動(dòng)控制裝置還包括控制所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件和所述磁記錄介質(zhì)的空隙的機(jī)構(gòu)。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的頭驅(qū)動(dòng)控制裝置，其特征在于，該頭驅(qū)動(dòng)控制裝置還包括寄存器，該寄存器保持所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)的值、所述過(guò)調(diào)量的值、所述記錄信號(hào)提供信號(hào)的值、以及這些信號(hào)的動(dòng)作定時(shí)的值。18.一種頭驅(qū)動(dòng)控制裝置，其驅(qū)動(dòng)微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括:產(chǎn)生用于寫(xiě)入磁記錄介質(zhì)的記錄磁場(chǎng)的記錄磁極、產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)的高頻磁場(chǎng)振蕩元件、以及向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的機(jī)構(gòu)，該頭驅(qū)動(dòng)控制裝置的特征在于，包括:提供記錄信號(hào)的記錄信號(hào)提供機(jī)構(gòu)；以及向高頻磁場(chǎng)振蕩元件提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)控制機(jī)構(gòu)，所述驅(qū)動(dòng)控制機(jī)構(gòu)以如下方式控制:在進(jìn)行對(duì)磁記錄介質(zhì)的記錄動(dòng)作時(shí)，向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電，在信息再現(xiàn)時(shí)的至少規(guī)定期間及查找時(shí)的至少一方，停止向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件的通電。19.一種頭驅(qū)動(dòng)控制裝置，其驅(qū)動(dòng)微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括:產(chǎn)生用于寫(xiě)入磁記錄介質(zhì)的記錄磁場(chǎng)的記錄磁極、產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)的高頻磁場(chǎng)振蕩元件、以及向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的機(jī)構(gòu)，該頭驅(qū)動(dòng)控制裝置的特征在于，包括:提供記錄信號(hào)的記錄信號(hào)提供機(jī)構(gòu)；以及向高頻磁場(chǎng)振蕩元件提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)控制機(jī)構(gòu)，所述驅(qū)動(dòng)控制機(jī)構(gòu)以如下方式控制:在信息再現(xiàn)之前，將與記錄時(shí)相反極性的電流向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電。20.一種頭驅(qū)動(dòng)控制裝置，其驅(qū)動(dòng)微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括:產(chǎn)生用于寫(xiě)入磁記錄介質(zhì)的記錄磁場(chǎng)的記錄磁極、產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)的高頻磁場(chǎng)振蕩元件、以及向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的機(jī)構(gòu)，該頭驅(qū)動(dòng)控制裝置的特征在于，包括:提供記錄信號(hào)的記錄信號(hào)提供機(jī)構(gòu)；以及向高頻磁場(chǎng)振蕩元件提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)控制機(jī)構(gòu)，所述驅(qū)動(dòng)控制機(jī)構(gòu)以如下方式控制:緊接所述記錄信號(hào)的提供結(jié)束之后，將與記錄時(shí)相反極性的電流向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電。21.一種頭驅(qū)動(dòng)控制方法，其驅(qū)動(dòng)微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括:產(chǎn)生用于寫(xiě)入磁記錄介質(zhì)的記錄磁場(chǎng)的記錄磁極、產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)的高頻磁場(chǎng)振蕩元件、以及向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的機(jī)構(gòu)，該頭驅(qū)動(dòng)控制方法的特征在于，向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)，之后，對(duì)所述記錄磁頭提供記錄信號(hào)。22.—種頭驅(qū)動(dòng)控制方法，其驅(qū)動(dòng)微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括:產(chǎn)生用于寫(xiě)入磁記錄介質(zhì)的記錄磁場(chǎng)的記錄磁極、產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)的高頻磁場(chǎng)振蕩元件、以及向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電的機(jī)構(gòu)，該頭驅(qū)動(dòng)控制方法的特征在于，進(jìn)行如下控制:在進(jìn)行對(duì)所述磁記錄介質(zhì)的記錄動(dòng)作時(shí)，向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件通電，在信息再現(xiàn)時(shí)的至少規(guī)定期間及查找時(shí)的至少一方，停止向所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件的通電。全文摘要本發(fā)明提供一種磁存儲(chǔ)裝置。該磁存儲(chǔ)裝置包括磁記錄介質(zhì)；微波輔助記錄磁頭，其至少具有產(chǎn)生用于在該磁記錄介質(zhì)上進(jìn)行寫(xiě)入的記錄磁場(chǎng)的記錄磁極和產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)的高頻磁場(chǎng)振蕩元件；再現(xiàn)磁頭，其從磁記錄介質(zhì)讀取信息；以及處理所述記錄磁頭寫(xiě)入的信號(hào)、所述再現(xiàn)磁頭讀取的信號(hào)的信號(hào)處理機(jī)構(gòu)，及控制該高頻磁場(chǎng)振蕩器與該磁記錄介質(zhì)的空隙的機(jī)構(gòu)，在該磁存儲(chǔ)裝置中，其特征在于，在記錄時(shí)以外不會(huì)使所述高頻磁場(chǎng)振蕩元件動(dòng)作。根據(jù)本發(fā)明，能夠解決在基于以往的微波輔助記錄方法的磁存儲(chǔ)裝置中，若根據(jù)外部環(huán)境在信息再現(xiàn)時(shí)或查找時(shí)使高頻磁場(chǎng)振蕩元件處于動(dòng)作狀態(tài)，則產(chǎn)生信息消失或重寫(xiě)的課題。文檔編號(hào)G11B5/127GK103106904SQ201210379728公開(kāi)日2013年5月15日申請(qǐng)日期2012年9月28日優(yōu)先權(quán)日2011年9月29日發(fā)明者城石芳博,福田宏,田河育也,岡田智弘申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所