六氟化硫氣體純度檢測(cè)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種在高壓電氣設(shè)備情況下使用的氣體檢測(cè)裝置。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種用在高壓電氣設(shè)備情況下使用的六氟化硫氣體純度檢測(cè)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]六氟化硫氣體由于具有良好的絕緣特性和滅弧特性，已在高壓電氣設(shè)備中的到廣泛應(yīng)用。
[0003]純凈的六氟化硫氣體無(wú)色無(wú)味、不燃，在常溫下化學(xué)性能非常穩(wěn)定，但是，在斷路器、開(kāi)關(guān)等分?jǐn)嗖僮鬟^(guò)程中，在電弧、電暈、電火花以及高溫等因素下，六氟化硫氣體會(huì)分解成其他氣體從而使的六氟化硫的氣體純度發(fā)生變化；另外由于六氟化硫氣體在制造環(huán)節(jié)、電氣設(shè)備制造和安裝過(guò)程、設(shè)備泄露、吸附劑等因素，導(dǎo)致水分摻入到六氟化硫氣體中，從而使絕緣物內(nèi)表面發(fā)生閃絡(luò)故障幾率增加;斷路器由于受潮或產(chǎn)生凝露，使其絕緣性能下降，六氟化硫的氣體純度發(fā)生變化將嚴(yán)重影響高壓電氣設(shè)備的運(yùn)行，導(dǎo)致設(shè)備運(yùn)行效率降低甚至損壞昂貴的電氣設(shè)備，因此，六氟化硫氣體的純度檢測(cè)在高壓電氣設(shè)備中尤為重要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的一個(gè)目的是解決至少上述問(wèn)題和/或缺陷，并提供至少后面將說(shuō)明的優(yōu)點(diǎn)。
[0005]本發(fā)明還有一個(gè)目的是提供一種用在高壓電氣設(shè)備情況下使用的六氟化硫氣體純度檢測(cè)裝置，其能夠準(zhǔn)確全面排除干擾氣體，檢測(cè)精度高以及可實(shí)現(xiàn)在線監(jiān)測(cè)的有益效果O
[0006]本發(fā)明還有一個(gè)目的是提供一種檢測(cè)六氟化硫氣體裂解形成二氧化硫的氣敏傳感器，提高了六氟化硫氣體純度的檢測(cè)精度和檢測(cè)速率，以便獲得準(zhǔn)確的氣體純度結(jié)果。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)，提供了一種六氟化硫氣體純度檢測(cè)裝置，包括:
[0008]第一氣體檢測(cè)裝置，其沿氣體流通方向設(shè)置有第一吸附柱，所述第一氣體檢測(cè)裝置的進(jìn)氣口設(shè)置有第一氣體流量計(jì)以檢測(cè)進(jìn)氣總流量，所述進(jìn)氣口與所述第一吸附柱的進(jìn)氣的一端連接；
[0009]第二氣體檢測(cè)裝置，其與所述第一氣體檢測(cè)裝置連接，所述第二氣體檢測(cè)裝置沿氣體流通方向設(shè)置有第二吸附柱，所述第二吸附柱的進(jìn)氣的一端與所述第一吸附柱的出氣的一端連接，所述第二吸附柱的出氣的一端設(shè)置有第二氣體流量計(jì)以檢測(cè)經(jīng)過(guò)所述第一吸附柱與第二吸附柱吸附后的氣體流量；
[0010]高溫裂解爐，其與所述第二氣體檢測(cè)裝置連接，所述高溫裂解爐沿氣體進(jìn)入方向設(shè)置有溫度控制區(qū)與裂解發(fā)生區(qū)，其中，所述溫度控制區(qū)控制進(jìn)入所述高溫裂解爐的氣體逐漸升溫以達(dá)到氣體裂解溫度后進(jìn)入所述裂解發(fā)生區(qū)，達(dá)到裂解溫度的氣體在所述裂解發(fā)生區(qū)發(fā)生裂解反應(yīng)；以及[0011 ]第三氣體檢測(cè)裝置，其與所述高溫裂解爐的出氣口連接，所述第三氣體檢測(cè)裝置包括依次連接的氣敏傳感器、電性質(zhì)檢測(cè)設(shè)備和數(shù)據(jù)處理設(shè)備，所述氣敏傳感器具有氣敏層和非金屬保護(hù)層，所述氣敏層通過(guò)在基材上鍍有T12-WO3復(fù)合氧化物薄膜形成，所述非金屬材質(zhì)保護(hù)層位于所述氣敏層的上方，所述非金屬保護(hù)層的面板上設(shè)置有陣列排列的多個(gè)氣體通入孔，通過(guò)所述氣體通入孔使得被檢測(cè)氣體進(jìn)入所述氣敏層；
[0012]其中，所述高溫裂解爐裂解的六氟化硫氣體產(chǎn)物二氧化硫通過(guò)所述第三氣體檢測(cè)裝置的氣敏傳感器中的氣敏層發(fā)生作用引起其電性質(zhì)發(fā)生變化，所述電性質(zhì)檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)氣敏傳感器的電性質(zhì)變化并將數(shù)據(jù)傳輸至所述數(shù)據(jù)處理設(shè)備，所述數(shù)據(jù)處理設(shè)備分析處理輸出被檢測(cè)氣體二氧化硫的含量數(shù)據(jù)，通過(guò)所述第三氣體檢測(cè)裝置檢測(cè)計(jì)算出六氟化硫氣體的含量，將六氟化硫的含量與所述第一氣體流量計(jì)檢測(cè)的進(jìn)氣總流量對(duì)應(yīng)的總氣體含量進(jìn)行對(duì)比得出總氣體中六氟化硫氣體的純度。
[0013]優(yōu)選的是，其中，所述第一吸附柱為填充有碳酸鈣顆粒吸附材料的吸附柱。
[0014]優(yōu)選的是，其中，所述第二吸附柱為填充有氫氧化鈉顆粒吸附材料的吸附柱。
[0015]優(yōu)選的是，其中，所述高溫裂解爐的出氣口與所述第三氣體檢測(cè)裝置之間設(shè)置有氣體抽吸栗，所述氣體抽吸栗的出口與多個(gè)氣體通入孔對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述氣體抽吸栗與微控制器連接以實(shí)現(xiàn)被檢測(cè)氣體的自控抽吸。
[0016]優(yōu)選的是，其中，所述氣敏層與所述非金屬保護(hù)層為活動(dòng)連接，以便于所述氣敏層的更換。
[0017]優(yōu)選的是，其中，所述電性質(zhì)檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)的所述氣敏傳感器的電性質(zhì)變化為電阻變化。
[0018]優(yōu)選的是，其中，所述氣敏傳感器中設(shè)置有用于固定所述氣敏層的固定座，所述固定座與所述氣敏層卡扣活動(dòng)連接。
[0019]優(yōu)選的是，其中，所述溫度控制區(qū)控制進(jìn)入所述高溫裂解爐的氣體逐漸升溫以達(dá)到氣體裂解溫度的范圍為3500?3600°C。
[0020]優(yōu)選的是，其中，所述第一吸附柱與所述第一氣體檢測(cè)裝置的內(nèi)壁可拆卸連接，以便于所述第一吸附柱的更換。
[0021]優(yōu)選的是，其中，所述第二吸附柱與所述第二氣體檢測(cè)裝置的內(nèi)壁可拆卸連接，以便于所述第一吸附柱的更換。
[0022]本發(fā)明至少包括以下有益效果:
[0023]1、由于設(shè)置有第一氣體檢測(cè)裝置和第二氣體檢測(cè)裝置，因此能夠排除進(jìn)入高溫裂解爐的水蒸氣以及酸性氣體的干擾，全面排出雜質(zhì)氣體干擾，提高了檢測(cè)精度；
[0024]2、通過(guò)在高溫裂解爐中設(shè)置溫度控制區(qū)，能夠保證六氟化硫氣體的加熱溫度的穩(wěn)定性好，使六氟化硫的裂解速度較為穩(wěn)定，進(jìn)而使氣敏傳感器檢測(cè)到較為穩(wěn)定的信號(hào)，有助于提高整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性；
[0025]3、通過(guò)高溫裂解爐直接進(jìn)行高溫裂解，避免了采用其他方法帶入其他氣體雜質(zhì)，影響檢測(cè)精度和檢測(cè)速度；
[0026]4、通過(guò)在基材上鍍有T12-WO3復(fù)合氧化物薄膜形成氣敏層與六氟化硫氣體裂解形成的二氧化硫氣體反應(yīng)，通過(guò)電性質(zhì)檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)氣敏傳感器的變化，實(shí)現(xiàn)快速在線檢測(cè)，檢測(cè)靈敏度高；
[0027]5、通過(guò)在氣敏層上設(shè)置非金屬材質(zhì)保護(hù)層對(duì)氣敏層起到保護(hù)作用，避免其他氣體對(duì)氣敏層靈敏度的影響；
[0028]6、通過(guò)高溫裂解爐的出氣口與所述第三氣體檢測(cè)裝置之間設(shè)置有氣體抽吸栗，實(shí)現(xiàn)被檢測(cè)氣體的自控抽吸，提高了氣體的檢測(cè)速度；
[0029]7、通過(guò)氣敏層和非金屬保護(hù)層活動(dòng)連接，以及氣敏層在氣敏傳感器中可拆卸連接，便于氣敏層更換，使用方便。
[0030]本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)和特征將部分通過(guò)下面的說(shuō)明體現(xiàn)，部分還將通過(guò)對(duì)本發(fā)明的研究和實(shí)踐而為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解。
【附圖說(shuō)明】
[0031]圖1為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中六氟化硫氣體純度檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖2為本發(fā)明中第一氣體檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖3為本發(fā)明中第二氣體檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照說(shuō)明書文字能夠據(jù)以實(shí)施。
[0035]應(yīng)當(dāng)理解，本文所使用的諸如“具有”、“包含”以及“包括”術(shù)語(yǔ)并不配出一個(gè)或多個(gè)其它元件或其組合的存在或添加。
[0036]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)現(xiàn)形式，其中包括:第一氣體檢測(cè)裝置，其沿氣體流通方向設(shè)置有第一吸附柱，所述第一氣體檢測(cè)裝置的進(jìn)氣口設(shè)置有第一氣體流量計(jì)以檢測(cè)進(jìn)氣總流量，所述進(jìn)氣口與所述第一吸附柱的進(jìn)氣的一端連接；
[0037]第二氣體檢測(cè)裝置，其與所述第一氣體檢測(cè)裝置連接，所述第二氣體檢測(cè)裝置沿氣體流通方向設(shè)置有第二吸附柱，所述第二吸附柱的進(jìn)氣的一端與所述第一吸附柱的出氣的一端連接，所述第二吸附柱的出氣的一端設(shè)置有第二氣體流量計(jì)以檢測(cè)經(jīng)過(guò)所述第一吸附柱與第二吸附柱吸附后的氣體流量；
[0038]高溫裂解爐，其與所述第二氣體檢測(cè)裝置連接，所述高溫裂解爐沿氣體進(jìn)入方向設(shè)置有溫度控制區(qū)與裂解發(fā)生區(qū)，其中，所述溫度控制區(qū)控制進(jìn)入所述高溫裂解爐的氣體逐漸升溫以達(dá)到氣體裂解溫度后進(jìn)入所述裂解發(fā)生區(qū)，達(dá)到裂解溫度的氣體在所述裂解發(fā)生區(qū)發(fā)生裂解反應(yīng)；以及
[0039]第三氣體檢測(cè)裝置，其與所述高溫裂解爐的出氣口連接，所述第三氣體檢測(cè)裝置包括依次連接的氣敏傳感器、電性質(zhì)檢測(cè)設(shè)備和數(shù)據(jù)處理設(shè)備，所述氣敏傳感器具有氣敏層和非金屬保護(hù)層，所述氣敏層通過(guò)在基材上鍍有T12-WO3復(fù)合氧化物薄膜形成，所述非金屬材質(zhì)保護(hù)層位于所述氣敏層的上方，所述非金屬保護(hù)層的面板上設(shè)置有陣列排列的多個(gè)氣體通入孔，通過(guò)所述氣體通入孔使得被檢測(cè)氣體進(jìn)入所述氣敏層；
[0040]其中，所述高溫裂解爐裂解的六氟化硫氣體產(chǎn)物二氧化硫通過(guò)所述第三氣體檢測(cè)裝置的氣敏傳感器中的氣敏層發(fā)生作用引起其電性質(zhì)發(fā)生變化，所述電性質(zhì)檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)氣敏傳感器的電性質(zhì)變化并將數(shù)據(jù)傳輸至所述數(shù)據(jù)處理設(shè)備，所述數(shù)據(jù)處理設(shè)備分析處理輸出被檢測(cè)氣體二氧化硫的含量數(shù)據(jù)，通過(guò)所述第三氣體檢測(cè)裝置檢測(cè)計(jì)算出六氟化硫氣體的含量，將六氟化硫的含量與所述第一氣體流量計(jì)檢測(cè)的進(jìn)氣總流量對(duì)應(yīng)的總氣體含量進(jìn)行對(duì)比得出總氣體中六氟化硫氣體的純度。
[0041]其中，所述第一吸附柱為填充有碳酸鈣顆粒吸附材料的吸附柱，通過(guò)所述第一