一種動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置和試驗(yàn)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置，其包括分別連接所要試驗(yàn)的動(dòng)態(tài)氣體鎖兩端的模擬清潔真空腔室和模擬超清潔真空腔室。模擬清潔真空腔室中有污染發(fā)射源，用于發(fā)射模擬污染物，該模擬污染物用于模擬諸如極紫外光刻機(jī)中硅片表面產(chǎn)生的污染物；模擬超清潔真空腔室中配置有測(cè)量腔內(nèi)氣體組分和分壓的設(shè)備。模擬清潔真空腔室和模擬超清潔真空腔室上分別布置有真空計(jì)組。本發(fā)明能有效驗(yàn)證動(dòng)態(tài)氣體鎖的抑制效果。
【專利說明】
一種動(dòng)態(tài)氣)體鎖的試驗(yàn)裝置和試驗(yàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于極紫外光刻機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及用于極紫外光刻機(jī)的動(dòng)態(tài)氣體鎖的 試驗(yàn)裝置和試驗(yàn)方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 由于空氣及幾乎所有的折射光學(xué)材料對(duì)13.5nm波長(zhǎng)的極紫外輻照具有強(qiáng)烈的吸 收作用，導(dǎo)致極紫外光刻機(jī)(Extreme Ultraviolet Lithography-EUVL)與普通空氣環(huán)境下 的光刻機(jī)大不相同。極紫外光刻機(jī)的主要特點(diǎn)表現(xiàn)在:光學(xué)系統(tǒng)為反射式光學(xué)系統(tǒng)；內(nèi)部環(huán) 境為真空環(huán)境，除了對(duì)13.5nm的EUV輻照有高透過率，還要能將產(chǎn)生的污染物質(zhì)迅速排出。 極紫外光刻機(jī)的光源、光學(xué)系統(tǒng)、掩模臺(tái)與工件臺(tái)等各個(gè)部件系統(tǒng)均置于真空環(huán)境中。各個(gè) 部件工作環(huán)境不同，極紫外光刻機(jī)內(nèi)不同真空腔室具有不同的真空要求。
[0003] 極紫外光刻機(jī)的照明光學(xué)系統(tǒng)、成像光學(xué)系統(tǒng)等的真空環(huán)境為超清潔真空環(huán)境， 此真空環(huán)境在一定真空度下，可滿足EUVL光學(xué)鏡片的超清潔使用環(huán)境要求。在該超清潔真 空環(huán)境中，除了要確保EUV輻照近似無(wú)損的通過，還要避免污染物在光學(xué)系統(tǒng)上的沉積、確 保光學(xué)系統(tǒng)的使用壽命，所以需要嚴(yán)格控制超清潔真空環(huán)境內(nèi)部材料的真空放氣率及所釋 放氣體組分的分壓。有文獻(xiàn)(Abneesh Srivastava，Stenio Pereira，Thomas Gaffney. Sub-Atmospheric Gas Purification for EUVL Vacuum Environment Control·SPIE，2012)指 出，超清潔真空環(huán)境要求碳?xì)浠衔?CxHy)分壓不大于I X l(T9mbar，水分壓不大于I X 1(T 7mbar，以確保光學(xué)系統(tǒng)7-10年內(nèi)的反射率損失小于1%。
[0004] 極紫外光刻機(jī)的硅片臺(tái)等部件的真空環(huán)境為清潔真空環(huán)境。此真空環(huán)境內(nèi)不包含 光學(xué)元件，只需滿足清潔真空要求。在該清潔真空環(huán)境中，不包含光學(xué)元件，EUV輻照光路只 通過很少一部分區(qū)域，所以要求不如超清潔真空環(huán)境那么高，能允許產(chǎn)生一定的雜質(zhì)(如硅 片臺(tái)的硅片上光致抗蝕劑曝光產(chǎn)生的污染物)但需嚴(yán)格控制雜質(zhì)的擴(kuò)散。
[0005] 超清潔真空環(huán)境內(nèi)開有一定孔徑的通光小孔與清潔真空環(huán)境相連，極紫外輻照通 過此小孔，對(duì)置于清潔真空環(huán)境內(nèi)的硅片進(jìn)行曝光。硅片表面的光致抗蝕劑在極紫外輻照 的作用下會(huì)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生對(duì)超清潔真空環(huán)境中光學(xué)元件有害的廢氣及污染顆粒， 必須通過真空排氣系統(tǒng)將這些廢氣及污染顆粒及時(shí)排出。
[0006] 為維持超清潔真空環(huán)境，非常有必要在超清潔真空環(huán)境和清潔真空環(huán)境之間建立 動(dòng)態(tài)氣體鎖(Dynamic Gas Lock-DGL)，從而將兩種不同要求的環(huán)境隔離。同時(shí)，為了更好的 確保極紫外輻照光束質(zhì)量不受動(dòng)態(tài)氣體鎖的影響，需要?jiǎng)討B(tài)氣體鎖中的清潔氣流盡量均 勻。
[0007] 在EUVL中，由動(dòng)態(tài)氣體鎖注入的清潔氣體分子與清潔真空環(huán)境中欲流向超清潔真 空環(huán)境的污染氣體分子發(fā)生近似線性彈性碰撞，使污染氣體分子回流入清潔真空環(huán)境從而 達(dá)到抑制污染氣體分子向超清潔真空環(huán)境擴(kuò)散的效果。該抑制效果取決于參與碰撞的清潔 氣體分子數(shù)目的多少(對(duì)應(yīng)宏觀的清潔氣體流量）、污染氣體分子數(shù)目的多少(對(duì)應(yīng)污染氣 體放氣率）、清潔氣體分子量的大小(對(duì)應(yīng)清潔氣體種類)和污染氣體分子量的大小(對(duì)應(yīng)污 染氣體種類）。
[0008] 動(dòng)態(tài)氣體鎖研制完畢后，需要一套動(dòng)態(tài)氣體鎖試驗(yàn)裝置，用于驗(yàn)證EUV真空下動(dòng)態(tài) 氣體鎖的抑制效果，得到抑制效果與清潔氣體流量、污染氣體放氣率、清潔氣體種類、污染 氣體種類等影響因素的關(guān)系。該試驗(yàn)裝置能夠?yàn)閯?dòng)態(tài)氣體鎖的合理選型、在EUVL中的順利 使用提供有效保障。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] (一)要解決的技術(shù)問題
[0010] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是如何驗(yàn)證動(dòng)態(tài)氣體鎖的抑制能力的問題。
[0011] (二)技術(shù)方案
[0012] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置，包括模擬清潔真 空腔室和模擬超清潔真空腔室，所述模擬清潔真空腔室和模擬超清潔真空腔室分別連接被 試動(dòng)態(tài)氣體鎖的兩個(gè)開口端，所述模擬清潔真空腔室中設(shè)有污染發(fā)射源，用于模擬產(chǎn)生污 染物。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，所述模擬清潔真空腔室和模擬超清潔真空腔室上分別 布置有真空計(jì)組；
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，所述真空計(jì)組由粗測(cè)和精測(cè)兩個(gè)真空計(jì)組成。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，所述模擬清潔真空腔室和模擬超清潔真空腔室上分別 布置有與真空栗組連接的閥門，該閥門的接口中心軸與動(dòng)態(tài)氣體鎖的接口中心軸在一條直 線上。
[0016] 根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，所述污染發(fā)射源通過發(fā)射源支撐架固定在模擬清潔真 空腔室中。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，所述污染發(fā)射源包括發(fā)射室，其通過發(fā)射管道和管道 接頭與模擬污染氣體氣源連接。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，所述發(fā)射室內(nèi)也布置有發(fā)射室勻流板。
[0019] 根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，所述發(fā)射室勻流板為多級(jí)發(fā)射室勻流板，各級(jí)發(fā)射室 勻流板的有效漏孔面積之和近似相等。
[0020] 根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，越接近發(fā)射室的氣流入口管道的發(fā)射室勻流板的漏孔 越稀疏、孔徑越大。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，正對(duì)發(fā)射管道的發(fā)射室均流板在所述發(fā)射管道內(nèi)直徑 的1~2倍直徑區(qū)域不布置漏孔。
[0022] 根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，所述模擬超清潔真空腔室上配置有測(cè)量腔內(nèi)氣體組分 和分壓的設(shè)備。
[0023] 本發(fā)明還提出一種動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)方法，利用前述的動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置對(duì) 動(dòng)態(tài)氣體鎖進(jìn)行試驗(yàn)，該方法包括如下步驟:關(guān)閉動(dòng)態(tài)氣體鎖的清潔氣流和污染發(fā)射源的 污染氣流，對(duì)動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置抽真空，使模擬清潔真空腔室和模擬超清潔真空腔室 的真空度接近極限本底，測(cè)量模擬超清潔真空腔室內(nèi)污染氣體的分壓值PO 1;對(duì)模擬清潔真 空腔室和模擬超清潔真空腔室抽真空，通過污染發(fā)射源向模擬清潔真空腔室內(nèi)注入污染氣 體，在動(dòng)態(tài)氣體鎖不工作的情況下，測(cè)量模擬超清潔真空腔室內(nèi)污染氣體的分壓值Pll;關(guān) 閉污染發(fā)射源，對(duì)模擬清潔真空腔室和模擬超清潔真空腔室抽真空，再次使真空度接近極 限本底，測(cè)量模擬超清潔真空腔室內(nèi)污染氣體的分壓值P02;打開動(dòng)態(tài)氣體鎖，以一定氣體 流量注入一定種類清潔氣體，以測(cè)量Pl 1時(shí)相同的流量再次打開污染發(fā)射源，經(jīng)一定時(shí)間后 使模擬清潔真空腔室和模擬超清潔真空腔室的真空度穩(wěn)定，測(cè)量模擬超清潔真空腔室內(nèi)污 染氣體的分壓值P12;計(jì)算所述動(dòng)態(tài)氣體鎖的抑制率為[(Pll-POD^PU-PC^UAPll-pOl)。
[0024](三)有益效果
[0025] 本發(fā)明提出動(dòng)態(tài)氣體鎖試驗(yàn)裝置能夠驗(yàn)證動(dòng)態(tài)氣體鎖的抑制效果，能夠得到其抑 制效果和清潔氣體流量、污染氣體放氣率、清潔氣體種類、污染氣體種類等影響因素的關(guān) 系。
【附圖說明】
[0026] 圖1是本發(fā)明的動(dòng)態(tài)氣體鎖試驗(yàn)裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖2是圖1的試驗(yàn)裝置的剖面圖；
[0028] 圖3是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的污染發(fā)射源的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4是圖3的污染發(fā)射源的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030] 本發(fā)明提出的動(dòng)態(tài)氣體鎖試驗(yàn)裝置，主要由分別連接動(dòng)態(tài)氣體鎖的模擬清潔真空 腔室和模擬超清潔真空腔室組成。模擬清潔真空腔室中有污染發(fā)射源，用于發(fā)射模擬污染 物，該模擬污染物用于模擬諸如極紫外光刻機(jī)中硅片表面產(chǎn)生的污染物;模擬超清潔真空 腔室中配置有測(cè)量腔內(nèi)氣體組分和分壓的設(shè)備(如質(zhì)譜計(jì)）。污染發(fā)射源通過其支撐架固定 在模擬清潔真空腔室中，其發(fā)射室通過管道與污染氣體氣源連接，發(fā)射室內(nèi)布置有多級(jí)勻 流板，面向動(dòng)態(tài)氣體鎖均勻向外噴射污染氣體。
[0031] 為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照 附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0032] 圖1是本發(fā)明的動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是該試驗(yàn) 裝置的剖面圖。如圖1和2所示，該試驗(yàn)裝置包括模擬清潔真空腔室5和模擬超清潔真空腔室 6，模擬清潔真空腔室5和模擬超清潔真空腔室6分別連接被試動(dòng)態(tài)氣體鎖L的兩個(gè)開口端。
[0033] 該實(shí)施例中，該兩個(gè)真空腔室5、6上都布置有真空計(jì)組51、61，其用于測(cè)量真空腔 室內(nèi)部的真空度;如但不限如的舉例，每個(gè)腔室的真空計(jì)組都由粗測(cè)和精測(cè)兩個(gè)真空計(jì)組 成，粗測(cè)真空計(jì)大量程低精度，用于較大范圍內(nèi)（包括從一個(gè)大氣壓到腔室極限真空的范 圍）腔內(nèi)真空度的初步評(píng)估，精測(cè)真空計(jì)小量程高精度，用于較小范圍內(nèi)（包括所有試驗(yàn)過 程中所涉及到的工作真空)腔內(nèi)真空度的精確評(píng)估。
[0034]該實(shí)施例中，該兩個(gè)真空腔室5、6上都布置有與真空栗組（圖中未顯示)連接的閥 門53、63，閥門53、63的接口法蘭中心軸與動(dòng)態(tài)氣體鎖的接口法蘭4的中心軸在一條直線上。 即對(duì)真空腔室5，閥門53布置在動(dòng)態(tài)氣體鎖的正對(duì)面;對(duì)真空腔室6，閥門63布置在動(dòng)態(tài)氣體 鎖的正對(duì)面。這樣能夠使該試驗(yàn)裝置腔內(nèi)的抽真空氣流近似對(duì)稱，排除掉因真空栗組抽氣 口位置的不同引起的試驗(yàn)誤差，能夠更加真實(shí)的進(jìn)行動(dòng)態(tài)氣體鎖的抑制效果試驗(yàn)。
[0035] 所述模擬清潔真空腔室中設(shè)有污染發(fā)射源7,用于發(fā)射模擬污染物，該模擬污染物 用于模擬諸如極紫外光刻機(jī)中硅片表面產(chǎn)生的污染物。污染發(fā)射源7的結(jié)構(gòu)如圖3所示，通 過發(fā)射源支撐架8固定在模擬清潔真空腔室中。污染發(fā)射源7包括發(fā)射室71，其通過發(fā)射管 道72、管道接頭73和閥門（圖中未畫出）與模擬污染氣體氣源（圖中未畫出）連接，用于向發(fā) 射室71內(nèi)部注入模擬污染氣體并調(diào)節(jié)其注入流量(極限情況下控制氣流通斷）；為了得到更 高控制精度的流量，可以在該發(fā)射管道72和外部模擬污染氣體氣源之間增加一個(gè)氣體質(zhì)量 流量控制器(圖中未畫出），用于精確控制模擬污染氣體注入流量。具體連接方式可以為:模 擬清潔真空腔室5的腔壁上設(shè)有法蘭，法蘭上焊接有通氣硬管道(如銅管、不銹鋼管等），法 蘭外硬管道通過氣體質(zhì)量流量控制器、閥門等連接到模擬污染氣體氣瓶上，法蘭內(nèi)硬管道 通過管道接頭連接到金屬軟管(如波紋管)再連接到發(fā)射室氣流入口管道上。污染發(fā)射源剖 面如圖4所示，發(fā)射室71內(nèi)布置有發(fā)射室勻流板(其可以為一個(gè)，也可以是多級(jí)，圖中顯示共 3級(jí)，即74、75、76)。所述發(fā)射室71面向動(dòng)態(tài)氣體鎖均勻向外噴射污染氣體。發(fā)射室勻流板 74、75、76可為金屬網(wǎng)格板，其上可均勻布置有漏孔且不同級(jí)的發(fā)射室勻流板其漏孔數(shù)量和 孔徑不同；各級(jí)發(fā)射室勻流板的有效漏孔(放置在發(fā)射室中能夠有效通過污染氣流)面積之 和近似相等，且越接近發(fā)射室氣流入口管道的發(fā)射室勻流板漏孔越稀疏、孔徑越大;對(duì)于其 最靠近發(fā)射室氣流入口管道的一級(jí)發(fā)射室勻流板74,為避免從管道流入的污染氣流的直接 沖擊，也為了使污染氣流盡量均勻，正對(duì)發(fā)射管道的發(fā)射室均流板74在所述發(fā)射管道內(nèi)直 徑的1~2倍直徑區(qū)域不布置漏孔。
[0036] 如圖1所述，模擬超清潔真空腔室6上可配置有測(cè)量腔內(nèi)氣體組分和分壓的設(shè)備， 如四極質(zhì)譜計(jì)62。
[0037] 在實(shí)際EUV光刻機(jī)中，娃片釋放的污染物成分主要是水蒸氣和碳?xì)浠衔铮覍?duì)大 分子碳?xì)浠衔锏姆謮阂蟊人叩枚?。為獲得穩(wěn)定的污染氣體氣源，如但不限如的舉 例，污染發(fā)射源通入的污染氣體設(shè)定為干燥無(wú)雜的二氧化碳?xì)怏w。
[0038]本動(dòng)態(tài)氣體鎖試驗(yàn)裝置的工作原理介紹如下：
[0039] 1)針對(duì)本動(dòng)態(tài)氣體鎖試驗(yàn)裝置，由動(dòng)態(tài)氣體鎖注入的清潔氣體分子與污染發(fā)射源 釋放的欲流向超清潔真空腔室的污染氣體分子發(fā)生近似線性彈性碰撞，使污染氣體分子回 流入清潔真空腔室從而達(dá)到抑制污染氣體分子向超清潔真空腔室擴(kuò)散的效果;該抑制效果 取決于參與碰撞的清潔氣體分子數(shù)目的多少(對(duì)應(yīng)宏觀的清潔氣體流量）、污染氣體分子數(shù) 目的多少(對(duì)應(yīng)污染氣體放氣率）、清潔氣體分子量的大小(對(duì)應(yīng)清潔氣體種類)和污染氣體 分子量的大小(對(duì)應(yīng)污染氣體種類）。
[0040] 2)本動(dòng)態(tài)氣體鎖試驗(yàn)裝置用污染發(fā)射源替代硅片室中因 EUV輻照而放氣的硅片， 用縮比的模擬清潔真空腔室和模擬超清潔真空腔室替代EUV光刻機(jī)中的真實(shí)真空腔室，并 將一套動(dòng)態(tài)氣體鎖裝置連接到兩模擬腔室之間。通過高精度流量控制系統(tǒng)（高精度氣體質(zhì) 量流量計(jì))來(lái)精確控制污染發(fā)射源的污染氣體放氣率和動(dòng)態(tài)氣體鎖的清潔氣體流量;通過 四極質(zhì)譜計(jì)來(lái)監(jiān)測(cè)模擬超清潔真空腔室中的氣體組分和分壓力。這樣，當(dāng)污染氣體發(fā)射源 以一定的放氣率釋放污染氣體時(shí)，可以通過四極質(zhì)譜計(jì)測(cè)得動(dòng)態(tài)氣體鎖工作前后模擬超清 潔真空腔室中的污染氣體分壓力相對(duì)真空腔室本底的增量，可求得在該種條件下的動(dòng)態(tài)氣 體鎖抑制率匕為： η Λ 動(dòng)態(tài)氣體鎖工作時(shí)流入模擬超清潔真空腔室的污染氣體量
[0041 ] = 1--： ：-----：---：-- s 動(dòng)態(tài)氣體鎖不工作時(shí)流入模擬超清潔真空腔室的污染氣體量
[0042] 本動(dòng)態(tài)氣體鎖試驗(yàn)裝置的具體試驗(yàn)流程介紹如下：
[0043] 關(guān)閉動(dòng)態(tài)氣體鎖的清潔氣流和污染發(fā)射源的污染氣流，用真空栗組對(duì)本試驗(yàn)裝置 抽真空，使兩模擬腔室的真空度接近極限本底，使用四極質(zhì)譜計(jì)測(cè)量模擬超清潔真空腔室 內(nèi)污染氣體的分壓值POl;
[0044] 保持兩模擬腔室的真空栗組正常工作，通過污染發(fā)射源向模擬清潔真空腔室內(nèi)注 入污染氣體，在動(dòng)態(tài)氣體鎖不工作的情況下，使用四極質(zhì)譜計(jì)測(cè)量模擬超清潔真空腔室內(nèi) 污染氣體的分壓值Pll;
[0045] 關(guān)閉污染發(fā)射源，對(duì)兩模擬腔室抽真空，再次使真空度接近極限本底，使用四極質(zhì) 譜計(jì)測(cè)量模擬超清潔真空腔室內(nèi)污染氣體的分壓值P02;
[0046] 打開動(dòng)態(tài)氣體鎖，以一定氣體流量注入一定種類清潔氣體，同時(shí)以測(cè)量Pl 1時(shí)相同 的污染氣體流量再次打開污染發(fā)射源，經(jīng)一定時(shí)間后兩腔室的真空度穩(wěn)定，使用四極質(zhì)譜 計(jì)測(cè)量模擬超清潔真空腔室內(nèi)污染氣體的分壓值Pl 2;
[0047] 這樣可以得到該種類清潔氣體在該清潔氣體流量下針對(duì)該污染氣體流量的動(dòng)態(tài) 氣體鎖抑制率為[(P11-P01)-(P12-P02) V(PII-POi);
[0048] 連續(xù)上述試驗(yàn)過程，通過改變污染氣體種類、污染氣體放氣率、清潔氣體種類和清 潔氣體流量等條件，可以得到一系列的動(dòng)態(tài)氣體鎖抑制率;通過分析這些抑制率的規(guī)律，可 以驗(yàn)證動(dòng)態(tài)氣體鎖的抑制效果，能夠得到其抑制效果和清潔氣體流量、污染氣體放氣率、清 潔氣體種類、污染氣體種類等影響因素的關(guān)系。
[0049] 以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳 細(xì)說明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在 本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù) 范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置，包括模擬清潔真空腔室和模擬超清潔真空腔室，所述 模擬清潔真空腔室(5)和模擬超清潔真空腔室(6)分別連接被試動(dòng)態(tài)氣體鎖(L)的兩個(gè)開口 端，其中， 所述模擬清潔真空腔室中設(shè)有污染發(fā)射源(7 )，用于模擬產(chǎn)生污染物； 所述模擬超清潔真空腔室中配置有測(cè)量腔內(nèi)氣體組分和分壓的設(shè)備。2. 如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述模擬清潔真空腔室 (5)和模擬超清潔真空腔室(6)上分別布置有真空計(jì)組(51、61)。3. 如權(quán)利要求2所述的動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述真空計(jì)組由粗測(cè)和精 測(cè)兩個(gè)真空計(jì)組成。4. 如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述模擬清潔真空腔室 (5)和模擬超清潔真空腔室(6)上分別布置有與真空栗組連接的閥門（53、63)，該閥門（53、 63)的接口中心軸與動(dòng)態(tài)氣體鎖的接口中心軸在一條直線上。5. 如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述污染發(fā)射源（7)包括 發(fā)射室(71)，其通過發(fā)射管道(72)、管道接頭(73)、閥門、氣體質(zhì)量流量控制器與模擬污染 氣體氣源連接。6. 如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述發(fā)射室(71)內(nèi)布置有 發(fā)射室勻流板。7. 如權(quán)利要求6所述的動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述發(fā)射室勻流板為多級(jí) 發(fā)射室勻流板，各級(jí)發(fā)射室勻流板的有效漏孔面積之和近似相等。8. 如權(quán)利要求7所述的動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置，其特征在于，越接近發(fā)射室(71)的氣流 入口管道的發(fā)射室勻流板的漏孔越稀疏、孔徑越大。9. 如權(quán)利要求8所述的動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置，其特征在于，正對(duì)發(fā)射管道的發(fā)射室勻 流板(74)在所述發(fā)射管道內(nèi)直徑的1~2倍直徑區(qū)域不布置漏孔。10. -種動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)方法，利用權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的動(dòng)態(tài)氣體鎖的試 驗(yàn)裝置對(duì)動(dòng)態(tài)氣體鎖進(jìn)行試驗(yàn)，該方法包括如下步驟： 51、 關(guān)閉動(dòng)態(tài)氣體鎖的清潔氣流和污染發(fā)射源的污染氣流，對(duì)動(dòng)態(tài)氣體鎖的試驗(yàn)裝置 抽真空，使模擬清潔真空腔室和模擬超清潔真空腔室的真空度接近極限本底，測(cè)量模擬超 清潔真空腔室內(nèi)污染氣體的分壓值P01; 52、 對(duì)模擬清潔真空腔室和模擬超清潔真空腔室抽真空，通過污染發(fā)射源向模擬清潔 真空腔室內(nèi)注入污染氣體，在動(dòng)態(tài)氣體鎖不工作的情況下，測(cè)量模擬超清潔真空腔室內(nèi)污 染氣體的分壓值P11; 53、 關(guān)閉污染發(fā)射源，對(duì)模擬清潔真空腔室和模擬超清潔真空腔室抽真空，再次使真空 度接近極限本底，測(cè)量模擬超清潔真空腔室內(nèi)污染氣體的分壓值P02; 54、 打開動(dòng)態(tài)氣體鎖，以一定氣體流量注入一定種類清潔氣體，以測(cè)量P11時(shí)相同的流 量再次打開污染發(fā)射源，經(jīng)一定時(shí)間后使模擬清潔真空腔室和模擬超清潔真空腔室的真空 度穩(wěn)定，測(cè)量模擬超清潔真空腔室內(nèi)污染氣體的分壓值P12; 55、 計(jì)算當(dāng)前種類清潔氣體在當(dāng)前清潔氣體流量下針對(duì)當(dāng)前污染氣體流量的動(dòng)態(tài)氣體 鎖抑制率[(P11-P01)-(P12-P02)]/(P11-P01); 56、 改變污染氣體種類、污染氣體放氣率、清潔氣體種類和清潔氣體流量，重復(fù)步驟S1
【文檔編號(hào)】G03F7/20GK105842997SQ201610390695
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年6月3日
【發(fā)明人】陳進(jìn)新, 崔惠絨, 張立佳, 謝婉露, 吳曉斌, 王宇
【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院光電研究院