專利名稱：支撐銷的制造方法、支撐銷、熱處理裝置以及基板燒成爐的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及對半導體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、光掩模用玻璃基 板、等離子顯示用玻璃基板、光盤用基板等(以下簡稱為"基板")實施加 熱處理之際，對被實施該加熱處理的基板進行支撐的支撐銷。
背景技術：
對基板實施一系列處理的基板處理裝置，具有對基板執(zhí)行各種處理的單 元處理部(例如燒成處理部、清洗處理部、抗蝕劑涂布部、顯影部等)。
在基板處理裝置中，例如基板燒成爐那樣，在對基板進行加熱處理的處 理部，設置在處理部內的部件被暴露在高溫下。因此，要求部件對熱分解、 氧化分解具有高度的耐久性。
例如，在為基板燒成爐的情況，如圖7A所示，通過容納在框體91內的 支撐架92，將多個基板W以多層狀態(tài)存放，通過加熱器等(圖中省略)將 框體91內部空間升溫至給定的燒成處理溫度，由此對基板W執(zhí)行燒成處理。 在此，在懸臂狀態(tài)支撐基板W的各個支撐部件921上，如圖7B的虛線所示， 以給定間距設置有向上頂地支撐基板背面的支撐銷922。
在這樣的基板燒成爐內支撐基板的支撐銷，由于在框體91的內部空間 中持續(xù)暴露在燒成處理溫度那樣的高溫下，所以會慢慢地被熱分解、氧化分 解。由此，支撐銷會慢慢變細，過了2-3年，就會脫落(圖7B)。
若支撐銷脫落，則不得不換新的銷。S卩，不得不暫時終止基板燒成爐的 運轉，停止制造生產線，分解支撐架并從基板燒成爐取出，更換所有的支撐 銷。 一般來說，基板燒成爐的支撐架上設置有40層左右的支撐板，在各層 上設置有數十個支撐銷。因此， 一臺基板燒成爐就要更換數百個支撐銷，難 以計算更換支撐銷所需的成本。
因此，需要一種能夠得到至少具有基板燒成爐壽命(10-15年左右)以 上的耐久性的支撐銷的技術。
以往，通過射出成形形成支撐銷(例如，專利文獻1中記載了通過射出成形來制造晶片壓緊部件的技術)。但是在一般的射出成形中，對成形材料 加熱而使其可塑化之際，成形材料與大氣接觸。因此，所得成形品的表面的 末端基被氧化分解，另外，成為在其內部擴散有氧氣的狀態(tài)。被氧化分解的 末端基不耐熱分解，所以由于存在這樣的末端基，成形材料原有的耐氧化性、 耐熱分解性就會降低。即，以往的一般的射出成形中，無法活用成形材料原 有的耐久性，無法得到在高溫下具有充分耐久性的支撐銷。關于這一點，例如專利文獻2中記載了在制造用于燒成電子部件的夾具 之際，通過真空射出成形獲得成形品的技術。根據該技術，通過在真空下進 行射出成形，不會在成形品表面上大量產生被氧化的部分。另外，關于實現真空射出成形的裝置的結構，例如記載在專利文獻3中。專利文獻1JP特開平11 — 163115號公報專利文獻2JP特開平3 _ 122043號公報專利文獻3JP特開平5—318528號公報但是，利用通過真空射出成形獲得成形品的以往技術，雖然在成形品表 面不會大量產生被氧化的部分，但是通過成形時發(fā)生的局部的熱分解，反應 性豐富的部分會露出于成形品的表面，從而有可能從這些部分開始進行氧化 分解或者熱分解。即，若通過真空射出成形制造支撐銷，則能夠得到某種程 度耐久性高的支撐銷，但無法說其耐久性充分。發(fā)明內容本發(fā)明是鑒于上述問題而做成的，其目的在于提供一種制造支撐銷的方 法，該支撐銷是對被實施加熱處理的基板進行支撐的支撐銷，且對熱分解、 氧化分解具有高度耐久性。另外，目的在于提供這樣的支撐銷。進一步，目 的在于提供具有這樣的支撐銷的熱處理裝置以及基板燒成爐。技術方案1所述發(fā)明是一種用于對被實施加熱處理的基板進行支撐的支撐銷的制造方法，具有將樹脂材料在氧氣以及/或者水分的含有濃度為10ppm以下的環(huán)境下，射出成形為給定的銷形狀來獲得成形品的射出成形工 序、以及在上述成形品的表面形成保護膜的保護膜形成工序。技術方案2所述發(fā)明是在技術方案1所述支撐銷的制造方法中，上述保 護膜形成工序具有通過靜電粉末涂裝向上述成形品的表面噴涂氟樹脂粉末的涂裝工序。技術方案3所述發(fā)明是在技術方案1或者2所述支撐銷的制造方法中，上述保護膜形成工序具有在比使用上述支撐銷時的加熱處理溫度更高的溫 度下燒成表面已被上述保護膜覆蓋的上述成形品的燒成工序。技術方案4所述發(fā)明是在技術方案1所述支撐銷的制造方法中，上述樹 脂材料為導電性聚醚醚酮。技術方案5所述發(fā)明是在技術方案1所述支撐銷的制造方法中，上述樹 脂材料為全芳香族聚酰亞胺樹脂。技術方案6所述發(fā)明是一種支撐銷，該支撐銷通過具有如下射出成形工序和保護膜形成工序的支撐銷的制造方法來制造，其中，上述射出成形工序中是將樹脂材料在氧氣以及/或者水分的含有濃度為10ppm以下的環(huán)境下， 射出成形為給定的銷形狀來獲得成形品的工序，上述保護膜形成工序是在上 述成形品的表面上形成保護膜的工序。技術方案7所述發(fā)明是一種用于對被實施加熱處理的基板進行支撐的支 撐銷，其具有由樹脂材料形成的主體部和被覆于上述主體部表面上的保護 膜。技術方案8所述發(fā)明是在技術方案7所述支撐銷中，上述保護膜為氟碳膜。技術方案9所述發(fā)明是對基板執(zhí)行加熱處理的熱處理裝置，具有用于對 被實施上述加熱處理的上述基板進行支撐的支撐銷，上述支撐銷通過具有射 出成形工序和保護膜形成工序的支撐銷的制造方法來制造，其中，上述射出 成形工序是將樹脂材料在氧氣以及/或者水分的含有濃度為10ppm以下的環(huán) 境下，射出成形為給定的銷形狀來獲得成形品的工序，上述保護膜形成工序 是在上述成形品的表面上形成保護膜的工序。技術方案10所述發(fā)明是對基板執(zhí)行燒成處理的基板燒成爐，具有用于 對被實施上述燒成處理的上述基板進行支撐的支撐銷，上述支撐銷通過具有 射出成形工序和保護膜形成工序的支撐銷的制造方法來制造，其中，上述射 出成形工序是將樹脂材料在氧氣以及/或者水分的含有濃度為10ppm以下的 環(huán)境下，射出成形為給定的銷形狀來獲得成形品的工序，上述保護膜形成工 序是在上述成形品的表面上形成保護膜的工序。發(fā)明效果在技術方案1-5記載的發(fā)明中，在氧氣以及/或者水分的含有濃度為 10ppm以下的環(huán)境下進行射出成形來獲得成形品，并且在所獲得的成形品的 表面形成保護膜。由此能夠制造即使在對基板實施加熱處理時那樣的高溫環(huán) 境下使用的情況，也難以產生熱分解或者氧化分解的支撐銷(即耐久性高)。尤其，在技術方案2所記載的發(fā)明中，通過靜電粉末涂裝將氟樹脂粉末 噴涂在成形品的表面上，所以能夠在短時間且低成本下生成均勻的保護膜。尤其，在技術方案3所記載的發(fā)明中，在比使用支撐銷時的加熱處理溫 度更高的溫度下，燒成表面已被保護膜覆蓋的成形品，因此使用時支撐銷不 會發(fā)生脫氣。技術方案6所記載的發(fā)明所述支撐銷，在氧氣以及/或者水分的含有濃 度為10ppm以下的環(huán)境下射出成形而成的成形品的表面形成有保護膜，所以 即使在高溫環(huán)境下使用，也難以產生熱分解或者氧化分解。即具有高耐久性。技術方案7、 8所記載的發(fā)明所述支撐銷，由樹脂材料形成的主體部被 保護膜所被覆，所以即使在高溫環(huán)境下使用，也難以產生熱分解或者氧化分 解。即具有高耐久性。技術方案9所記載的發(fā)明所述熱處理裝置中，對被實施加熱處理的基板 進行支撐的支撐銷具有高耐熱性，所以無需更換支撐銷。技術方案10所記載的發(fā)明所述基板燒成爐中，對被實施燒成處理的基 板進行支撐的支撐銷具有高耐熱性，所以無需更換支撐銷。


圖l是支撐銷的剖面圖。圖2是表示支撐銷的制造工序的流程圖。圖3是基板燒成爐的概略立體圖。圖4是基板燒成爐的橫向剖面圖。圖5是基板燒成爐的縱向剖面圖。圖6是支撐部件的放大立體圖。圖7A、圖7B是模式表示以往支撐銷脫落狀態(tài)的圖。
具體實施方式
<1、支撐銷>說明本發(fā)明實施方式的支撐銷100。支撐銷100是構成對基板執(zhí)行各種處理的基板處理裝置的部件。尤其在對基板執(zhí)行加熱處理的處理部(例如對基板執(zhí)行燒成處理的基板燒成爐1 (參考圖4))中，適用于作為對被實施 加熱處理的基板進行支撐的部件。如圖1所示，支撐銷100具有主體部101和被覆主體部101的作為保護 膜的氟碳膜(CFx膜)102。圖1是支撐銷100的斷面圖。參考圖2說明該 支撐銷100的制造方法。但是圖2是表示支撐銷100的制造工序的流程圖。在制造支撐銷100之際，在給定的環(huán)境下，將主體部IOI的成形材料射 出形成為銷形狀來形成支撐銷100的主體部101 (步驟S1)。所謂"給定的 環(huán)境"是指氧氣以及/或者水分的含有濃度為10ppm以下的環(huán)境。其中，作為主體部101的成形材料使用樹脂材料。尤其優(yōu)選使用導電性 PEEK (導電性聚醚醚酮)或者全芳香族聚酰亞胺樹脂(例如導電性Vespel (注冊商標Dupont公司))。PEEK為芳香族塑料，具有優(yōu)異的高耐熱性、 耐藥性、耐損耗性、尺寸穩(wěn)定性。另外，加工性也優(yōu)良，可以通過射出成形 進行加工。另外，全芳香族聚酰亞胺樹脂為超耐熱性塑料，也具有優(yōu)異的高 摩擦性、耐藥品。步驟Sl的處理具體按照以下所述進行。S卩，首先，將填充成形材料前 的模具內調整為給定的環(huán)境(步驟Sll)。更具體地，用隔離了氧氣(02) 和水分(H20)的高純度惰性氣體(例如氮氣)取代模具內的環(huán)境，由此， 使模具內的環(huán)境成為氧氣(02)的含有濃度為10ppm以下的環(huán)境?；蛘叱蔀?水分(H20)的含有濃度為10ppm以下的環(huán)境。特別優(yōu)選成為氧氣(02)以 及水分(H20)的總含有濃度為10ppm以下的環(huán)境。接著，對支撐銷100的成形材料加熱使其可塑化，通過擠壓裝置將可塑 化了的成形材料射出填充到成為給定環(huán)境的(即氧氣以及/或者水分的含有濃 度為10ppm以下的環(huán)境)的模具內(步驟S12)?？伤芑说牟牧显谀＞邇?固化，由此，得到銷形狀的成形品(即主體部101)。其中，成形材料的塑 化也在氧氣以及/或者水分的含有濃度為10ppm以下的環(huán)境下進行。g卩，不 僅僅在射出之際防止與氧氣等的接觸，在進行被可塑化之際也要防止成形材料與氧氣等的接觸。在步驟S1的處理中，在填充材料之前，預先使模具內成為氧氣以及/或 者水分的含有濃度為10ppm以下的環(huán)境，所以可塑化了的材料難以與氧氣或 者水分接觸。因此，成形時材料難以氧化。因此，露出于成形品即主體部101 表面的末端基難以氧化，并且，氧氣難以擴散到主體部101的內部。由此能 夠得到即使暴露在燒成處理溫度那樣的高溫下也難以產生熱分解或者氧化 分解的主體部101。進而可以得到耐氧化特性、耐熱分解特性高的支撐銷100。接著，在步驟Sl中得到的主體部101的表面上，通過靜電粉末涂裝形 成作為保護膜的氟碳膜102 (步驟S2)。步驟S2的處理具體如下所述。g卩，首先，對主體部IOI，噴涂通過施加 電壓而帶電了的氟樹脂粉末，使氟樹脂附著在主體部101的表面(步驟S21)。 作為氟樹脂，例如使用FEP系(四氟乙烯-六氟丙烯共聚物)氟樹脂或者PFA 系(四氟乙烯-全氟垸基乙烯基醚共聚物)氟樹脂。另外，通過變化靜電量， 可以將所生成的氟碳膜102的膜厚控制為任意厚度。在此優(yōu)選控制靜電量來 生成膜厚為20pm以上的氟碳膜102。接著，退火處理表面附著有氟樹脂的主體部101 (步驟S22)。更具體 來說，在給定的惰性氣體(例如氮氣、氬氣、氦氣等)中，在給定時間(優(yōu) 選20分鐘)、給定燒成溫度下，燒成表面附著有氟樹脂的主體部101。但是， 該燒成溫度至少高于使用所制造的支撐銷100時的加熱處理溫度。因此，為 了得到通用性更高的支撐銷100，優(yōu)選該燒成溫度高于在各種基板處理工藝 中設定的加熱處理的溫度條件中的最高溫度(通常30(TC左右)。優(yōu)選在380 'C下進行燒成。通過步驟S2的處理，在主體部101的表面形成了氟碳膜102。在通過步 驟Sl得到的主體部101的表面，有時會有在熱分解的作用下露出反應性豐 富的部分的情況。通過在這種狀態(tài)的主體部101的表面形成氟碳膜102，形 成了覆蓋主體部101表面上被熱分解了的部分的保護膜。S卩，通過在主體部 101表面形成比氧氣氧化能力更強的氟膜，主體部101的表面成為難以被進 一步氧化的狀態(tài)。由此，可以進一步提高支撐銷100的耐氧化特性、耐熱分 解特性。另外，在步驟S2的處理中，使氟樹脂附著在表面上之后，退火處理主體部101，由此能夠在主體部101的表面形成強固的氟碳膜102。另外，通 過進行退火處理，可以升華在主體部101生成氟碳膜102之際產生于氟碳膜 102中的不要成分(例如分子量變小的氟碳)。由此，可以進一步提高支撐 銷100的耐久性。另外，在將支撐銷100用于基板燒成爐等之際，不會產生 這些不要成分作為脫氣從支撐銷IOO排出的現象，可以防止起因于脫氣的被 處理基板的污染。尤其，通過在比使用溫度更高的溫度下燒成支撐銷100， 可以可靠地防止在使用支撐銷IOO之際產生脫氣。另外，通過采用靜電粉末涂裝法作為在主體部101上形成氟碳膜102的 方法，可以在短時間且低成本下生成均勻的氟碳膜102。<2、基板燒成爐>如上所述，支撐銷IOO適于作為對被實施加熱處理的基板進行支撐的部 件。接著，說明具有作為對被實施加熱處理的基板進行支撐的部件的支撐銷 100的基板燒成爐1。<2-1、結構>參考圖3-圖5說明基板燒成爐1的結構。圖3是顯示基板燒成爐1的外 觀的概略立體圖。圖4是圖3所示基板燒成爐1的橫向截面圖(K1-K1剖面 圖)。另外，圖5是圖3所示基板燒成爐1的縱向截面圖(K2-K2剖面圖)?；鍩蔂t1包括具有開口部的箱形爐體IO和用于堵塞爐體10的開口 部的百葉式的風門(shutter) 30。<i 、爐體內部結構>爐體10是構成基板燒成爐1的主體的框體，使用絕熱材料成形。在爐 體10的內部容納有基板容納部11、加熱器12、風扇13、耐熱HEPA過濾器 14。在爐體10內側面的一個面(內側面Sl)上，設有向基板容納部11的內 部空間V (以下稱為"燒成空間V")供應熱量的加熱器12。另外，在另一 個內側面(內側面S2)上設有風扇13。另外，在風扇13和基板容納部11 之間，插入設置有耐熱HEPA過濾器14。 g卩，通過風扇13使爐體10內的氣 流按照箭頭AR1-AR4所示方向循環(huán)，可以使燒成空間V內的溫度均勻地保 持在給定的燒成處理溫度。另外，風扇13和加熱器12的位置顛倒也可以。<基板容納部>基板容納部11是用于將多個基板以多層狀態(tài)容納的容納部，構成主體
的壁面110中，特別是側壁面110a、 110b通過沖壓金屬而成型。
在構成基板容納部11的框體的內背面T1上，分別固定有多個爐內支撐 部件111的基端部。爐內支撐部件111是在基板容納部11內以懸臂狀態(tài)支 撐基板W的基板支撐部件。爐內支撐部件111的長度方向的長度，如圖4 所示，具有與容納在基板容納部ll中的基板W的進深方向的長度相同程度 的長度。
構成基板容納部11的框體的內側面T2、 T3由沖壓板構成，分別固定有 多個輔助支撐部件112的基端部。輔助支撐部件112是用于在基板容納部11 內對被爐內支撐部件111支撐的基板W進行輔助支撐的支撐部件。輔助支 撐部件112的長度方向的長度是與相對基板燒成爐1搬出或搬入基板的基板 板送裝置的搬送叉不產生干涉程度的長度。
在基板容納部11的內背面T1的同一水平位置，固定有多個爐內支撐部 件111 (圖4中為3個)的基端部。另外，分別在基板容納部11的內側面 T2、 T3的同一水平位置上，分別固定有多個輔助支撐部件112 (圖4中為5 個)的基端部。在相互同一水平位置上固定了該基端部的這些支撐部件的集 合體是為了支撐同一基板W而提供的。S卩，每個容納在基板容納部ll內的 多個基板W，如圖5所示，由固定在同一水平位置上的支撐部件的集合體水 平支撐。
進一步，如圖5所示，在基板容納部11的內背面Tl以及內側面T2、 T3上，沿著垂直方向，以給定設置間隔(架間距)d設定有給定個數(圖5 中簡單略化了，實際上例如為40層左右)的被固定在它們的同一水平位置 上的支撐部件的集合體。由此，基板容納部11可以將分別被水平支撐的基 板W以多層狀態(tài)容納多個。
<支撐銷>
分別在爐內支撐部件lll以及輔助支撐部件112上，作為支撐放置在支 撐部件lll、 112上的基板W的背面的部件，設置有多個支撐銷100。更具 體來說，如圖6所示，在支撐部件lll、 112上，以給定間距形成有用于插 入支撐銷100的插入孔K，在各插入孔K上插入設置有支撐銷100，由此， 在支撐部件111、 112上以給定間距設置多個支撐銷100。支撐銷100的具體構成及其制造方法，如下所述。
<ii、開門的結構>
再次參考圖3。風門30具有整體位置控制部件31和在整體位置控制部 31上垂直方向層疊放置的多個遮板32a、 32b、 32c。
在整體位置控制部件31上設置有升降機構(圖中省略)，可在上下方 向(箭頭AR5)進行升降。通過控制安裝在整體位置控制部件31上的升降 機構，可以一體升降整體位置控制部件31以及層疊放置在其上的多個遮板 32a、 32b、 32c。
進一步，在多個遮板32a、 32b、 32c上分別安裝有升降機構(圖中省略)， 各個遮板32a、 32b、 32c可以沿上下方向(箭頭AR6、 7、 8)升降。例如， 通過控制安裝在遮板32b上的升降機構，可以使遮板32b以及層疊放置于其 上的遮板32a—體升降。g卩，通過使遮板32b向上方移動，可以在遮板32c 和遮板32b之間形成開口部Q (圖5)。
艮P，通過對遮板32a、 32b、 32c以及整體位置控制部31分別進行升降控 制，可以形成與基板容納部11的多層結構中的任意層相對向的開口部。由 此，如圖5所示，具有對基板燒成爐1進行基板的搬出或搬入的基板搬送裝 置(總體圖省略)的搬送叉24可以訪問(更具體來說，取出放置在任意層 上的基板W，或者將基板W放置在任意層上)基板容納部11的多層結構中 的任意層。另外，通過適當設置遮板32a、 32b、 32c的移動距離，可以使所 形成的開口部的垂直方向的長度成為適當值(更具體來說，搬送叉24在放 置有基板W的狀態(tài)可以插入通過的最小值)。
<2-2、基板燒成處理>
如下所述執(zhí)行基板燒成爐1中的基板燒成處理。
首先，基板搬送裝置1在執(zhí)行基板燒成處理之前，首先通過加熱器12 開始向燒成空間V供應熱，將燒成空間V升溫至燒成處理溫度(例如300 。C)。
燒成空間V被升溫至燒成處理溫度后，開始進行基板的燒成處理。艮卩， 基板搬送裝置(圖中省略)開始對基板燒成爐1搬出或搬入基板W。更具體 來說，基板搬送裝置通過搬送叉24 (參考圖5)將未處理基板搬入到基板燒 成爐1內，并放置到基板燒成爐1內的給定的爐內支撐部件111上，同時支撐放置在爐內支撐部件111上的燒成處理結束的基板(即，在基板燒成爐1 內被燒成了給定時間的基板)，將其從基板燒成爐l內搬出。由此，對多個 基板W依次執(zhí)行燒成處理。
<3、效果>
上述實施例所述支撐銷100具有由氟碳膜102被覆主體部101的結構， 該主體部101是在氧氣以及/或者水分的含有濃度為10ppm以下的環(huán)境下通 過射出成形而成形的。因此，即使在高溫環(huán)境下(例如基板燒成爐l的燒成 空間V內)使用，也難以產生熱分解或者氧化分解。即耐久性高。
另外，上述實施方式所述基板燒成爐1,作為對被實施燒成處理的基板 進行支撐的部件，具有耐久性高的支撐銷100，所以至少到一般的基板燒成 爐的壽命(10-15年左右)終止為止，不會發(fā)生支撐銷100脫落的情況。艮口， 無需更換支撐基板的部件。因此，不會發(fā)生更換部件所涉及的成本、為了更 換部件而停止生產線而引起的損失等。
<4、變形例>
在上述實施方式中，通過靜電粉末涂裝在主體部101上生成氟碳膜102， 但是也可以通過熱CVD (化學氣相成長)、等離子CVD (等離子體激勵CVD (PECVD)、等離子化學氣相成長法)在主體部101上生成氟碳膜102。
另外，在上述實施方式中，說明了具有支撐銷100的基板燒成爐1 ，但 是支撐銷IOO也可以在基板燒成爐1以外的各種裝置中，用作支撐被實施加 熱處理的基板的部件。例如，可以實現作為支撐被實施氧化擴散處理的基板 的部件具有支撐銷100的氧化擴散爐、作為支撐被實施CVD處理的基板的 部件具有支撐銷100的CVD爐、在其面上具有支撐銷100的加熱板(hot plate)、作為安裝在搬送叉上用來支撐被搬送基板的部件具有支撐銷100的 基板搬送裝置等。不論用于哪一種裝置，與上述基板燒成爐l相同，由于支 撐基板的部件是耐久性高的支撐銷100，所以無需更換支撐基板的部件，不 會產生更換部件相關的成本、為了更換部件停止生產線而引起的損失等問 題。
權利要求
1、一種支撐銷的制造方法，該支撐銷用于對被實施加熱處理的基板進行支撐，其特征在于，具有射出成形工序，將樹脂材料在氧氣以及/或者水分的含有濃度為10ppm以下的環(huán)境下，射出成形為給定的銷形狀來獲得成形品；保護膜形成工序，在上述成形品的表面上形成保護膜。
2、 如權利要求1所述的支撐銷的制造方法，其特征在于，上述保護膜 形成工序具有通過靜電粉末涂裝向上述成形品的表面噴涂氟樹脂粉末的涂 裝工序。
3、 如權利要求1或2的所述支撐銷的制造方法，其特征在于，上述保 護膜形成工序具有在比使用上述支撐銷時的加熱處理溫度更高的溫度下， 燒成表面已被上述保護膜覆蓋的上述成形品的燒成工序。
4、 如權利要求1所述的支撐銷的制造方法，其特征在于，上述樹脂材 料為導電性聚醚醚酮。
5、 如權利要求1所述的支撐銷的制造方法，其特征在于，上述樹脂材 料為全芳香族聚酰亞胺樹脂。
6、 一種支撐銷，其特征在于，通過具有射出成形工序和保護膜形成工 序的支撐銷的制造方法制造，所述射出成形工序是將樹脂材料在氧氣以及/ 或者水分的含有濃度為10ppm以下的環(huán)境下，射出成形為給定的銷形狀來獲 得成形品的工序，所述保護膜形成工序是在上述成形品的表面上形成保護膜 的工序。
7、 一種支撐銷，該支撐銷用于對被實施加熱處理的基板進行支撐，其 特征在于，具有由樹脂材料形成的主體部和被覆于上述主體部表面上的保護 膜。
8、 如權利要求7所述的支撐銷，其特征在于，上述保護膜為氟碳膜。
9、 一種熱處理裝置，用于對基板執(zhí)行加熱處理，其特征在于， 具有對被實施上述加熱處理的上述基板進行支撐的支撐銷； 上述支撐銷通過具有射出成形工序和保護膜形成工序的支撐銷的制造方法來制造，所述射出成形工序是將樹脂材料在氧氣以及/或者水分的含有濃度為10ppm以下的環(huán)境下，射出成形為給定的銷形狀來獲得成形品的工序， 保護膜形成工序是在上述成形品的表面上形成保護膜的工序。 10、 一種基板燒成爐，用于對基板執(zhí)行燒成處理，其特征在于， 具有對被實施上述燒成處理的上述基板進行支撐的支撐銷， 上述支撐銷通過具有射出成形工序和保護膜形成工序的支撐銷的制造方法來制造，所述射出成形工序是將樹脂材料在氧氣以及/或者水分的含有濃度為 10ppm以下的環(huán)境下，射出成形為給定的銷形狀來獲得成形品的工序， 保護膜形成工序是在上述成形品的表面上形成保護膜的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種支撐銷的制造方法、支撐銷、熱處理裝置以及基板燒成爐，該支撐銷對被實施加熱處理的基板進行支撐，對熱分解、氧化分解具有高度的耐久性。首先，將主體部(101)的成形材料(優(yōu)選樹脂)在氧氣以及/或者水分的含有濃度為10ppm以下的環(huán)境下射出成形為給定的銷形狀來形成支撐銷(100)的主體部(101)。接著，在所得到的主體部(101)的表面，通過靜電粉末涂裝形成氟碳膜(102)。由此，得到對被實施加熱處理的基板進行支撐的支撐銷(100)。
文檔編號F27B17/00GK101290902SQ20081009335
公開日2008年10月22日 申請日期2008年4月18日 優(yōu)先權日2007年4月18日
發(fā)明者大見忠弘, 宮路恭祥, 村岡祐介 申請人:國立大學法人東北大學;株式會社未來視野