本發(fā)明涉及薄膜制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種膜厚測量輔助定位裝置及其與膜厚檢測儀的同步方法。

背景技術(shù)：

bopp薄膜即雙向拉伸聚丙烯薄膜是由雙向拉伸所制得的，它是經(jīng)過物理、化學(xué)和機(jī)械等手段特殊成型加工而成的塑料產(chǎn)品。bopp生產(chǎn)線是一個(gè)非線性、時(shí)變、大延遲的復(fù)雜系統(tǒng)。其工藝流程主要包括：原料熔融、擠出、冷卻成型、縱向拉伸、橫向拉伸、切邊、電暈處理、卷取等。

作為bopp薄膜產(chǎn)品質(zhì)量指標(biāo)的物理機(jī)械性能如拉伸強(qiáng)度、斷裂伸長率、濁度、光澤等，因主要決定于材料本身的屬性，所以都易達(dá)到要求。而作為再加工性和使用性能的主要控制指標(biāo)，即薄膜厚度偏差和薄膜平均厚度偏差，則主要決定于薄膜的制造過程。即使制造過程中薄膜厚度控制在在標(biāo)準(zhǔn)允許的偏差范圍內(nèi)，但經(jīng)數(shù)千層膜收卷累計(jì)后，厚度偏差大的位置上就可能形成箍、暴筋或凹溝等不良缺陷，這些缺陷直接影響到用戶的再加工使用。所以bopp薄膜生產(chǎn)中最關(guān)鍵的質(zhì)量間題是如何提高和穩(wěn)定薄膜厚度精度，也正是這種薄膜厚度精度才直接影響到薄膜的使用價(jià)值，決定了薄膜的商品價(jià)值。

薄膜厚度控制基于對厚度的實(shí)時(shí)檢測，如申請?zhí)枮?014201577223的中國專利通過x射線掃描獲得薄膜厚度后，分別采用兩個(gè)pid調(diào)節(jié)器來進(jìn)行薄膜橫向和縱向厚度的控制，申請?zhí)枮?007201517097的中國專利也采用了類似的方法，其同時(shí)指出，為了得到厚度均勻的薄膜，必須要實(shí)現(xiàn)厚度測量值和測量位置精確定位。申請?zhí)枮?014204575910的中國專利則通過定邊裝置來進(jìn)行基膜的對齊。

目前，對測厚儀輸出的厚度數(shù)據(jù)進(jìn)行螺栓對應(yīng)的常用方法主要有以下兩種，一是在不同螺栓處劃線做記號，然后在測厚儀掃描架上找到對應(yīng)的地方，以確定螺栓的位置；二是在用測厚儀檢測剖面的同時(shí)，也測量出膜幅的實(shí)際寬度，參照模頭的寬度來計(jì)算薄膜的縮頸量，進(jìn)而對模頭螺栓進(jìn)行對應(yīng)。這兩種方法均需要人工根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)情況進(jìn)行輔助標(biāo)識(shí)、測量和判斷，人工判斷不但不精確，也無法穩(wěn)定。由于缺乏對薄膜剖面的連續(xù)準(zhǔn)確定位，薄膜的厚度控制效果及所生產(chǎn)產(chǎn)品的質(zhì)量往往受到影響。為此，需要解決自動(dòng)對測厚儀輸出的薄膜剖面厚度曲線進(jìn)行螺栓定位的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種能輔助測厚儀對螺栓進(jìn)行測厚定位的裝置，通過在擠出成型的鑄片預(yù)設(shè)位置上刻印印記后，對測厚儀輸出的薄膜剖面厚度曲線進(jìn)行采集和分析處理，獲取印記位置，從而對擠出機(jī)模頭螺栓進(jìn)行準(zhǔn)確定位，確定模頭螺栓在厚度曲線上的坐標(biāo)，為薄膜厚度控制系統(tǒng)提供完善準(zhǔn)確的反饋信號。

本發(fā)明的技術(shù)解決方案是，提供一種以下結(jié)構(gòu)的膜厚測量輔助定位裝置，其包括采集模塊、分析處理模塊、同步模塊，以及強(qiáng)度調(diào)節(jié)模塊、調(diào)焦模塊、驅(qū)動(dòng)模塊和執(zhí)行機(jī)構(gòu)，

所述執(zhí)行機(jī)構(gòu)包括一個(gè)刻印單元，所述刻印單元設(shè)置在用來將從擠出機(jī)擠出的薄膜原料熔體貼在激冷輥上的主氣刀的前方；所述采集模塊從測厚儀獲取薄膜剖面厚度曲線數(shù)據(jù)，由分析處理模塊進(jìn)行處理后向強(qiáng)度調(diào)節(jié)模塊、調(diào)焦模塊并通過同步模塊向驅(qū)動(dòng)模塊發(fā)出指令信息，由所述強(qiáng)度調(diào)節(jié)模塊、調(diào)焦模塊和驅(qū)動(dòng)模塊控制執(zhí)行機(jī)構(gòu)動(dòng)作，使刻印單元在由擠出機(jī)擠出后冷卻成型的鑄片的預(yù)設(shè)位置上刻印出v形或u形缺口印記。

作為優(yōu)選，所述刻印單元刻印的印記由多個(gè)深度不同的矩形刻槽組成，所述同步模塊為驅(qū)動(dòng)模塊提供刻印開始的時(shí)間信息，使得所有的所述矩形刻槽均能被測厚儀檢測到。

作為優(yōu)選，所述刻印單元包括兩個(gè)其刻印頭分別與擠出機(jī)模頭兩端部螺栓位置相固定連接的刻印模塊，所述刻印模塊采用激光刻印模塊。

作為優(yōu)選，所述刻印單元包括一個(gè)與擠出機(jī)模頭唇口平行的導(dǎo)軌以及一個(gè)刻印模塊，所述刻印模塊包括一個(gè)可沿所述導(dǎo)軌移動(dòng)的刻印頭，所述導(dǎo)軌上有多個(gè)與模頭螺栓有固定位置關(guān)系的停靠點(diǎn)，所述刻印模塊采用激光刻印模塊。

作為優(yōu)選，所述刻印單元刻印的印記最大深度為所刻印鑄片厚度的0.05至0.1倍。

本發(fā)明的另一技術(shù)解決方案是，提供一種膜厚測量輔助定位裝置與膜厚檢測儀的同步方法，其特征在于，該膜厚測量輔助定位裝置包括采集模塊、分析處理模塊、同步模塊，以及強(qiáng)度調(diào)節(jié)模塊、調(diào)焦模塊、驅(qū)動(dòng)模塊和執(zhí)行機(jī)構(gòu)，所述執(zhí)行機(jī)構(gòu)包括一個(gè)刻印單元，所述刻印單元在由擠出機(jī)擠出后冷卻成型的鑄片的預(yù)設(shè)位置上刻印出v形或u形缺口印記，所述印記由多個(gè)深度不同的矩形刻槽組成，為使得所有的所述矩形刻槽均能被測厚儀檢測到，所述同步模塊采用如下步驟為所述膜厚測量輔助定位裝置中的驅(qū)動(dòng)模塊提供刻印開始的時(shí)間信息：

s1)根據(jù)測厚儀掃描周期設(shè)定單個(gè)矩形刻槽的刻印周期，設(shè)定刻槽的寬度、長度和單次橫向刻槽群的刻槽數(shù)m，隨機(jī)選擇t0值；

s2)初始工位準(zhǔn)備，從t0時(shí)刻開始刻印第一個(gè)刻槽，記錄下開始時(shí)刻t0＝t；

s3)刻槽深度按增量增加，根據(jù)深度值控制強(qiáng)度調(diào)節(jié)模塊、調(diào)焦模塊，在與上一工位橫向和縱向上均相鄰的新工位上刻印矩形刻槽；

s4)判斷m個(gè)刻槽是否均已刻印完畢？如果是轉(zhuǎn)下一步s5，否則轉(zhuǎn)s3；

s5)獲取測厚儀的剖面曲線，判斷是否檢測到刻槽？如果是則轉(zhuǎn)下一步s6，否則等待；

s6)判斷在一個(gè)刻槽群刻印周期tq內(nèi)，是否僅檢測到兩個(gè)不同深度的刻槽？如果是則轉(zhuǎn)下一步s7，否則轉(zhuǎn)s8；

s7)提取被連續(xù)檢測到的兩個(gè)刻槽的深度值，判斷第一刻槽深度是否大于第二刻槽深度？如果是，則將每周期的刻印開始時(shí)刻提前：t0＝t0-t1，否則，將每周期的刻印開始時(shí)刻推后：t0＝t0+t2，其中，t1和t2均小于tq/2；然后，轉(zhuǎn)步驟s2，重復(fù)開始一次刻槽群的刻??；

s8)同步完成，結(jié)束。

作為優(yōu)選，所述步驟s3中刻槽深度線性增加，每次增加一個(gè)相同的量，且使得最大刻槽深度為所刻印鑄片厚度的0.05至0.1倍。

作為優(yōu)選，所述步驟s3中刻槽深度按倒拋物線非線性增加，且使得最大刻槽深度為所刻印鑄片厚度的0.05至0.1倍。

作為優(yōu)選，假設(shè)所檢測到的刻槽的深度對應(yīng)為m個(gè)序列中的第p個(gè)，則所述時(shí)間提前量t1和推后量t2均可按下式計(jì)算：

采用本發(fā)明的方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明應(yīng)用于薄膜生產(chǎn)在線厚度檢測的輔助定位，通過在鑄片的兩個(gè)或多個(gè)與模頭兩端螺栓相對固定的預(yù)設(shè)位置上進(jìn)行深槽刻印，從而在薄膜剖面厚度曲線上定位出所有螺栓位置，實(shí)現(xiàn)了對薄膜厚度測量位置的自動(dòng)準(zhǔn)確定位，有效防止了人為判斷錯(cuò)誤的影響，為進(jìn)行薄膜厚度一致性控制提供了實(shí)時(shí)依據(jù)。本發(fā)明能快速實(shí)現(xiàn)刻印單元與測厚儀的同步，并且通過同步能減少刻印量。

附圖說明

圖1為bopp生產(chǎn)工藝流程示意圖；

圖2為本發(fā)明膜厚測量輔助定位裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明中刻印單元及擠出機(jī)模頭局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明中刻印頭及周邊局部結(jié)構(gòu)示意圖圖；

圖5為本發(fā)明中刻印印記示意圖；

圖6為本發(fā)明中刻槽群結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明中矩形刻槽結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明中刻印工作流程圖；

圖9為本發(fā)明中刻印印記被測厚儀檢測過程示意圖；

圖10為本發(fā)明中同步模塊工作流程圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，但本發(fā)明并不僅僅限于這些實(shí)施例。本發(fā)明涵蓋任何在本發(fā)明的精神和范圍上做的替代、修改、等效方法以及方案。

為了使公眾對本發(fā)明有徹底的了解，在以下本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中詳細(xì)說明了具體的細(xì)節(jié)，而對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說沒有這些細(xì)節(jié)的描述也可以完全理解本發(fā)明。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。需說明的是，附圖均采用較為簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

如圖1所示，bopp生產(chǎn)從原材料熔融開始，經(jīng)擠出成型為厚片即鑄片，鑄片再經(jīng)縱向和橫向拉伸展寬展薄為寬卷薄膜，然后在牽引過程中進(jìn)行切邊和電暈等處理，最后收卷為大母卷，后續(xù)按訂單要求對母卷進(jìn)行分切和包裝。由于厚度對產(chǎn)品質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用，因此，在bopp生產(chǎn)中往往用兩臺(tái)測厚儀分別對鑄片和寬卷薄膜進(jìn)行厚度實(shí)時(shí)監(jiān)測，兩臺(tái)測厚儀均可對外輸出剖面的厚度數(shù)據(jù)集，同時(shí)它們均還連接顯示器以顯示鑄片或?qū)捑肀∧さ钠拭鎴D像。兩臺(tái)測厚儀中前面對鑄片測厚的那一臺(tái)在薄膜初拉出時(shí)使用，等到后面第二測厚儀投入后便暫停使用。

如圖2所示，本發(fā)明膜厚測量輔助定位裝置100，其包括采集模塊110、分析處理模塊120、同步模塊130，以及強(qiáng)度調(diào)節(jié)模塊140、調(diào)焦模塊150、驅(qū)動(dòng)模塊160和執(zhí)行機(jī)構(gòu)170。

結(jié)合圖2和圖3所示，本發(fā)明膜厚測量輔助定位裝置100，還包括固定于機(jī)架200的支架180，所述執(zhí)行機(jī)構(gòu)170包括一個(gè)刻印單元。擠出機(jī)300的模頭包括上下兩個(gè)唇片310，唇片之間形成唇口330，唇口開度大小由橫向排列的加熱螺栓320來調(diào)節(jié)。所述刻印單元中有刻印模塊171，所述刻印模塊171采用激光刻印模塊，其在由擠出機(jī)擠出后冷卻成型的鑄片的預(yù)設(shè)位置上刻印出v形或u形缺口印記。

作為優(yōu)選，該刻印模塊設(shè)置為兩個(gè)，它們的刻印頭分別與模頭兩端部螺栓位置相固定，如可以使得刻印頭基座或其基準(zhǔn)位置與兩端部第一個(gè)或第二個(gè)的螺栓中心線沿唇口垂線對齊且嚴(yán)格固定，使其基座或其基準(zhǔn)位置在橫向方向上不能移位。

作為優(yōu)選，還可以僅設(shè)置一個(gè)刻印模塊，但在支架180上設(shè)置一個(gè)與模頭唇口平行的導(dǎo)軌190，刻印模塊171的刻印頭可沿此導(dǎo)軌橫向移動(dòng)，且該導(dǎo)軌上有多個(gè)與模頭螺栓有固定位置關(guān)系的停靠點(diǎn)，從而可以在鑄片的多個(gè)預(yù)設(shè)橫向位置上形成一個(gè)v形或u形缺口印記。

圖4為本發(fā)明中刻印頭及周邊局部結(jié)構(gòu)示意圖圖，其中，圖4a為側(cè)視圖，圖4b為正視圖。結(jié)合圖2至圖4所示，bopp薄膜生產(chǎn)線中，擠出機(jī)300之后有冷卻成型單元500，其中包括激冷輥501、主氣刀502等模塊，擠出的熔體離開擠出機(jī)300的模頭唇片后，在主氣刀502等的外力作用下，迅速貼在低溫、高光潔度的激冷輥501上，熔體被快速冷卻并形成固體厚片即鑄片，刻印模塊171設(shè)置在沿熔體前進(jìn)方向上主氣刀502的前方。

結(jié)合圖1和圖4所示，鑄片經(jīng)拉伸牽引后形成寬卷薄膜，期間通過測厚儀400對其進(jìn)行厚度檢測；采集模塊110從測厚儀400獲取薄膜剖面厚度曲線數(shù)據(jù)，由分析處理模塊120進(jìn)行處理后向強(qiáng)度調(diào)節(jié)模塊140、調(diào)焦模塊150并通過同步模塊130向驅(qū)動(dòng)模塊160發(fā)出指令信息，由所述強(qiáng)度調(diào)節(jié)模塊140、調(diào)焦模塊150和驅(qū)動(dòng)模塊160控制執(zhí)行機(jī)構(gòu)170動(dòng)作，刻印模塊171基于執(zhí)行機(jī)構(gòu)170的動(dòng)作在快速冷卻成型的鑄片上進(jìn)行刻印。

作為優(yōu)選，所述刻印模塊171還可以采用與主氣刀相匹配的輔助氣刀模塊。

結(jié)合圖1和圖5、6、7所示，測厚儀輸出的剖面厚度曲線的橫向采樣密度足夠高，當(dāng)刻印單元在鑄片上形成v形或倒拋物線的u形缺口印記時(shí)，由于刻印頭基座與螺栓的固定位置關(guān)系如刻印時(shí)使得印記的中心點(diǎn)與螺栓中心線沿唇口垂線對齊，經(jīng)采集模塊110采集厚度曲線，分析處理模塊120通過對所述曲線的極值點(diǎn)搜索和判斷，將獲得模頭螺栓在曲線上的準(zhǔn)確定位。此定位最少需要兩個(gè)，假設(shè)第u1和u2兩個(gè)螺栓對應(yīng)的兩個(gè)定位端點(diǎn)在厚度曲線的橫軸坐標(biāo)分別為x1和x2，則可以獲得其他螺栓的定位。對第uk個(gè)螺栓，其對應(yīng)的橫軸坐標(biāo)xk為：

其中，round()為四舍五入取整函數(shù)。

本發(fā)明膜厚測量輔助定位裝置還可以設(shè)置一個(gè)模塊，輸出上述處理過程獲得的所有模頭螺栓在厚度曲線上的橫坐標(biāo)xk。

如圖5所示，以v形缺口印記為例，印記整體深度lz設(shè)定為所刻印鑄片厚度的0.05至0.1倍。

為了刻印出所述印記，可以選擇一次性形成，或用多次疊加的形成方法。如果用一次性形成法，需要較大功率的刻印模塊，且若連續(xù)在同一橫向位置刻印，對鑄片本身可能造成一些影響。為此，選擇如圖6所示的刻槽群形成法，假設(shè)薄膜以vy速度向下移動(dòng)，刻槽群中的刻槽印記以vx速度進(jìn)行橫向來回移動(dòng)，如圖中所示的刻槽群形成為v形印記的右半部分，即刻槽群總共含n＝2k個(gè)矩形刻槽。

結(jié)合圖5～7所示，寬度lx設(shè)定為一個(gè)值，使得能從測厚儀獲得的剖面厚度曲線上獲得足夠多的點(diǎn)，如在lx范圍內(nèi)，可采樣出ns＝2n個(gè)點(diǎn)。作為優(yōu)選，可以設(shè)定lx為與lz在相同數(shù)量級上。每個(gè)矩形刻槽的寬度dx和深度增量dz分別為印記整體寬度lx和深度lz的1/k，而其長度dy則可以選擇為：

使得相鄰矩形刻槽在縱向上相鄰或部分重合，從而使得同步后測厚儀能連續(xù)檢測到矩形刻槽。

如圖8所示為本發(fā)明中刻印工作流程圖，整個(gè)刻槽群周期為tq，測厚儀單程從一邊移動(dòng)到另一邊的時(shí)間等于tq的整數(shù)倍。系統(tǒng)初始化后，從t0時(shí)刻開始刻印v形刻槽群，每個(gè)矩形刻槽的刻印周期為tr，且tr＝tq/k。每刻印一個(gè)矩形刻槽，都要判斷是否已將k個(gè)刻槽刻印完畢，如果是，則等待下一刻槽群周期的到來，否則，要準(zhǔn)備下一次刻印：刻印頭復(fù)位準(zhǔn)備、驅(qū)動(dòng)模塊控制執(zhí)行機(jī)構(gòu)中的精密運(yùn)動(dòng)模塊進(jìn)行工位準(zhǔn)備、強(qiáng)度調(diào)節(jié)模塊配合進(jìn)行刻印功率的調(diào)整、調(diào)焦模塊改變聚焦點(diǎn)的高度，待到下一刻印周期tr到來后，刻印當(dāng)前矩形刻槽?？逃r(shí)，執(zhí)行機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)模塊要對薄膜移動(dòng)進(jìn)行縱向速度補(bǔ)償?？逃≡阼T片上的印記隨鑄片被牽引后被測厚儀檢測到，并通過同步模塊進(jìn)行同步。

由于刻印單元刻印的印記由多個(gè)深度不同的矩形刻槽組成，為了使得所有這些刻槽均能被測厚儀檢測到，需要同步模塊為驅(qū)動(dòng)模塊提供刻印開始時(shí)刻的對齊。如圖9所示為本發(fā)明中刻印印記被測厚儀檢測過程的示意圖，其中，圖9a為一個(gè)刻槽群tq周期內(nèi)的檢測，圖中箭頭a給出了薄膜被牽引的方向；箭頭b為測厚儀往返移動(dòng)示意，測厚儀軌跡如實(shí)線折線所示；兩條縱向?qū)嵕€為薄膜邊緣；箭頭c為刻印頭往返移動(dòng)示意，刻印頭所刻印刻槽的中點(diǎn)的連線如虛線折線所示。圖9中，測厚儀單程從一邊移動(dòng)到另一邊的時(shí)間等于tq的5倍，實(shí)際刻印時(shí)此倍數(shù)可根據(jù)模頭調(diào)節(jié)螺栓數(shù)量進(jìn)行優(yōu)選。

如圖9a所示，當(dāng)刻印單元沒有與測厚儀同步時(shí)，在每個(gè)刻槽群tq周期內(nèi)，測厚儀僅能檢測到兩個(gè)刻槽，在圖中用圈進(jìn)行了示意。

圖9b與9a類似，不同的是兩個(gè)被測厚儀檢測到的刻槽位置不同。圖9c為刻印單元實(shí)現(xiàn)了與測厚儀同步時(shí)的情況，從圖中可見首尾兩個(gè)刻槽群中的刻槽均被測厚儀檢測到。圖9d為圖9a中虛線往下移，但移動(dòng)量過大而超出圖9c的示意圖。

如圖10所示，膜厚測量輔助定位裝置與膜厚檢測儀的同步流程為：

s1)根據(jù)測厚儀掃描周期設(shè)定單個(gè)矩形刻槽的刻印周期，設(shè)定刻槽的寬度、長度和單次橫向刻槽群的刻槽數(shù)m，隨機(jī)選擇t0值；

s2)初始工位準(zhǔn)備，從t0時(shí)刻開始刻印第一個(gè)刻槽，記錄下開始時(shí)刻t0＝t；

s3)刻槽深度按增量增加，根據(jù)深度值控制強(qiáng)度調(diào)節(jié)模塊、調(diào)焦模塊，在與上一工位橫向和縱向上均相鄰的新工位上刻印矩形刻槽；

s4)判斷m個(gè)刻槽是否均已刻印完畢？如果是轉(zhuǎn)下一步s5，否則轉(zhuǎn)s3；

s5)獲取測厚儀的剖面曲線，判斷是否檢測到刻槽？如果是則轉(zhuǎn)下一步s6，否則等待；

s6)判斷在一個(gè)刻槽群刻印周期tq內(nèi)，是否僅檢測到兩個(gè)不同深度的刻槽？如果是則轉(zhuǎn)下一步s7，否則轉(zhuǎn)s8；

s7)提取被連續(xù)檢測到的兩個(gè)刻槽的深度值，判斷第一刻槽深度是否大于第二刻槽深度？如果是，則將每周期的刻印開始時(shí)刻提前：t0＝t0-t1，否則，將每周期的刻印開始時(shí)刻推后：t0＝t0+t2，其中，t1和t2均小于tq/2；然后，轉(zhuǎn)步驟s2，重復(fù)開始一次刻槽群的刻?。?/p>

s8)同步完成，結(jié)束。

在同步期間，兩個(gè)相鄰矩形刻槽在縱軸上不需要部分重疊而采用緊鄰布置，m個(gè)刻槽最大刻槽深度為所刻印鑄片厚度的0.05至0.1倍。

作為優(yōu)選，刻槽的深度線性增加，每次增加一個(gè)相同的量，m個(gè)刻槽疊加后從正面看形成一個(gè)直線斜坡。

作為優(yōu)選，刻槽的深度非線性增加，每次增加量逐步減小，m個(gè)刻槽疊加后從正面看形成一個(gè)倒拋物線斜坡。

在步驟s7中時(shí)間提前量t1和推后量t2均可按下式計(jì)算：

其中，假設(shè)所檢測到的刻槽的深度對應(yīng)為m個(gè)序列中的第p個(gè)。

結(jié)合圖9和圖10所示，在同步過程中出現(xiàn)圖9a所示的檢測結(jié)果時(shí)，在下一次刻印時(shí)，將開始時(shí)刻在原定時(shí)基礎(chǔ)上提前，如圖中箭頭d所示，按式(3)移動(dòng)，則刻印后下一次檢測將出現(xiàn)圖9c的情況；但如果提前量過大，則將出現(xiàn)圖9d的情況。如果出現(xiàn)圖9b的檢測結(jié)果，則應(yīng)該如其中箭頭e所示，將刻印開始時(shí)間推后。

觀察圖9c可以發(fā)現(xiàn)，一旦實(shí)現(xiàn)刻印單元與測厚儀的同步后，并不需要連續(xù)不斷的刻印。結(jié)合圖5所示，同步后，在測厚儀的一個(gè)單程掃描時(shí)間內(nèi)，僅需要刻印一個(gè)刻槽群，即所刻印的n個(gè)刻槽疊加后從正面看形成一個(gè)v形或u形缺口印記，就能實(shí)現(xiàn)輔助定位目的。

本發(fā)明膜厚測量輔助定位裝置通過刻印和檢測，能對模頭螺栓進(jìn)行準(zhǔn)確定位，所獲得的標(biāo)記有所有模頭螺栓位置的薄膜剖面厚度值數(shù)對集合，將傳送給控制器進(jìn)行薄膜厚度控制，以實(shí)現(xiàn)薄膜厚度的均勻。

除此之外，雖然以上將實(shí)施例分開說明和闡述，但涉及部分共通之技術(shù)，在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員看來，可以在實(shí)施例之間進(jìn)行替換和整合，涉及其中一個(gè)實(shí)施例未明確記載的內(nèi)容，則可參考有記載的另一個(gè)實(shí)施例。

以上所述的實(shí)施方式，并不構(gòu)成對該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實(shí)施方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。