一種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉及其制備方法和應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉，該釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的化學(xué)通式為Zr1-x-yS2：xYb3+，yNd3+，其中，ZrS2為基質(zhì)，Yb和Nd為摻雜元素，x的取值范圍為0.01～0.1，y的取值范圍為0.004～0.06，該熒光粉可以實現(xiàn)由紅外至綠光的長波輻射激發(fā)出藍光短波發(fā)光，可彌補目前發(fā)光材料中藍光材料的不足；本發(fā)明還提供了該釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，該制備方法簡單，生產(chǎn)成本低，可推廣應(yīng)用；此外，本發(fā)明還提供了該釹鐿共摻雜二硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉在制備有機電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。
【專利說明】一種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉及其制備方法和應(yīng)用

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及熒光粉領(lǐng)域，尤其涉及一種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉及其制備方法和應(yīng)用。

【背景技術(shù)】
[0002]OLED的全稱Organic Light Emitting D1de,即有機發(fā)光二極管。它有很多的優(yōu)勢，如組件結(jié)構(gòu)簡單、生產(chǎn)成本低、具有自發(fā)光的特性，加上OLED的反應(yīng)時間短，以及可彎曲的特性，讓它的應(yīng)用范圍極廣。但由于目前穩(wěn)定高效的OLED藍光材料比較缺乏，使得白光OLED器件及光源行業(yè)的發(fā)展受到極大的限制。
[0003]上轉(zhuǎn)換熒光材料能夠在長波(如紅外)輻射激發(fā)下發(fā)射出可見光，甚至紫外光，在光纖通訊技術(shù)、纖維放大器、三維立體顯示、生物分子熒光標(biāo)識、紅外輻射探測等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。但是，可由紅外，紅綠光等長波輻射激發(fā)出藍光發(fā)射的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料，仍未見報道。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉及其制備方法和應(yīng)用，該熒光粉可以實現(xiàn)由紅外至綠光的長波輻射激發(fā)出藍光短波發(fā)光，可彌補目前發(fā)光材料中藍光材料的不足；本發(fā)明提供的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法簡單，能耗小且無工業(yè)三廢，生產(chǎn)成本低，可推廣應(yīng)用；本發(fā)明還提供了該釹鐿共摻雜二硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉在制備有機電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。
[0005]第一方面，本發(fā)明提供了一種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉，所述釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的化學(xué)通式為ZiwyS2:xYb3+, yNd3+，其中，ZrS2為基質(zhì)，Yb3+和Nd3+為摻雜離子，X和y為摩爾系數(shù)，X的取值范圍為0.01?0.l,y的取值范圍為0.004?0.06。
[0006]優(yōu)選地，所述X的取值為0.06，所述y的取值為0.02。
[0007]本發(fā)明提供的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉，以ZrS2S基質(zhì)，Yb3+和Nd3+為摻雜離子；其中，稀土離子Nd3+具有豐富的能級和窄的發(fā)射譜線，由于受4f能級外層電子的屏蔽作用，Nd3+的能級壽命較長，很適合作為上轉(zhuǎn)換發(fā)射中心；此外，稀土離子Yb3+的吸收光譜的最大峰值在980nm，其吸收截面遠大于Nd3+，Yb3+與Nd3+之間某些能級的匹配使得Yb3+與Nd3+之間能實現(xiàn)能量傳遞，因而Yb3+可作為Nd3+的上轉(zhuǎn)換敏化劑，提高Nd3+的發(fā)光效率和發(fā)光強度；另一方面，ZrS2基質(zhì)材料不僅具有較高的熱穩(wěn)定性及光學(xué)透明性，相比氧化鋯基質(zhì)具有更低的聲子能量和更寬的禁帶寬度，能降低稀土離子的無輻射躍遷幾率，進一步提高Nd3+的上轉(zhuǎn)換發(fā)光效率?？傊景l(fā)明采用Yb3+和Nd3+共摻雜ZrS2基質(zhì)可大大提高Nd3+的發(fā)光效率和發(fā)光強度。
[0008]第二方面，本發(fā)明提供了一種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，包括以下步驟:
[0009](I)按0.87?0.98:0.005?0.05:0.002?0.03的摩爾比分別稱取二硫化鋯、三硫化二鐿和三硫化二釹粉體；
[0010](2)將(I)所得粉體進行混合并研磨20?60分鐘，得到混合均勻的粉體前軀體；
[0011](3)將(2)所得混合均勻的粉體前軀體置入煅燒裝置中，于800?1000°C下煅燒0.5?5h，然后降溫至100?300°C，并在此溫度下保溫0.5?3小時后冷卻至室溫，獲得塊狀產(chǎn)物；
[0012](4)將(3)所得塊狀產(chǎn)物進行粉碎后得到所述釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉，其化學(xué)通式為ZiwyS2:xYb3+, yNd3+，其中，ZrS2為基質(zhì)，Yb3+和Nd3+為摻雜離子，x和y為摩爾系數(shù)，X的取值范圍為0.01?0.1，y的取值范圍為0.004?0.06。
[0013]優(yōu)選地，所述步驟(I)中，所述二硫化鋯、三硫化二鐿和三硫化二釹粉體的摩爾比為 0.94:0.03:0.01。
[0014]優(yōu)選地，所述步驟(I)中，所述ZrS2、Yb2S3和Nd2S3粉體的純度為99.9%。
[0015]優(yōu)選地，所述步驟(2)中，所述粉體在剛玉研缽中進行混合研磨。
[0016]優(yōu)選地，所述步驟(2 )中，所述粉體的研磨時間為40分鐘。
[0017]優(yōu)選地，所述步驟(3)中，將所述混合均勻的粉體前軀體置入馬弗爐中進行煅燒。
[0018]優(yōu)選地，所述步驟(3)中，所述煅燒過程的煅燒溫度為900°C，煅燒時間為3小時。
[0019]優(yōu)選地，所述步驟(3)中，煅燒過程結(jié)束后，所述保溫過程的溫度為200°C，保溫時間為2小時。
[0020]優(yōu)選地，所述步驟(3)中，所述冷卻至室溫的方式為隨爐冷卻至室溫。
[0021]優(yōu)選地，所述步驟(4)中，所述X的取值為0.06，所述y的取值為0.02。
[0022]本發(fā)明提供的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，采用ZrS2、Yb2S3和Nd2S3為原料，經(jīng)混合、研磨、煅燒、破碎，制得釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉，此制備方法工藝流程短，使用設(shè)備少，不污染環(huán)境，產(chǎn)物純度高，粉體粒徑小，發(fā)光性能優(yōu)良，是十分值得推廣的快速制備上轉(zhuǎn)換熒光粉的方法。
[0023]第三方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，所述有機電致發(fā)光器件包括化學(xué)通式為zri_x_ys2:xYb3+, YNd3+的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉，在所述化學(xué)通式ZiwyS2:xYb3+, yNd3+中，ZrS2為基質(zhì)，Yb3+和Nd3+為摻雜離子，x和y為摩爾系數(shù)，x的取值范圍為0.01?0.1，y的取值范圍為0.004?0.06。
[0024]本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件采用釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉作為其發(fā)光材料。具體方式為:在做好長波單色光(如紅光)的有機電致發(fā)光器件之后，把所述釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉混在封裝材料中涂在有機電致發(fā)光器件的外面，當(dāng)所述釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉受到紅光激發(fā)時，會輻射出藍光，該藍光與發(fā)光層中剩余的紅光混合后發(fā)出白光。
[0025]本發(fā)明提供的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉及其制備方法和應(yīng)用，具有如下有益效果:
[0026](I)本發(fā)明提供的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉，以ZrS2為基質(zhì)，Yb3+和Nd3+為摻雜離子；其中，Nd3+具有豐富的能級和窄的發(fā)射譜線，很適合作為上轉(zhuǎn)換發(fā)射中心；而Yb3+與Nd3+之間某些能級的匹配使得Yb3+與Nd3+之間能實現(xiàn)能量傳遞，因此，Yb3+可作為Nd3+的上轉(zhuǎn)換敏化劑，提高Nd3+的上轉(zhuǎn)換發(fā)光效率和發(fā)光強度；另一方面，ZrS2基質(zhì)材料能降低稀土離子的無輻射躍遷幾率，進一步提高上轉(zhuǎn)換發(fā)光效率；
[0027](2)本發(fā)明提供的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉制備方法，工藝簡單，能耗小且無工業(yè)三廢，價格低廉，利于推廣利用；
[0028](3)本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件，采用了本發(fā)明提供的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉，能獲得白光有機電致發(fā)光器件。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1為本發(fā)明實施例一提供的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備工藝流程圖；
[0030]圖2為本發(fā)明實施例一提供的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉和對比實施例提供的釹摻雜上轉(zhuǎn)換熒光粉的光致發(fā)光光譜圖；
[0031]圖3為本發(fā)明實施例七提供的有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖4為本發(fā)明實施例7制備的有機電致發(fā)光器件的電壓、電流和亮度關(guān)系圖。

【具體實施方式】
[0033]以下所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
[0034]實施例一
[0035]結(jié)合圖1所示的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備工藝流程圖，本發(fā)明提供了一種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，包括以下步驟:
[0036](I)分別稱取 ZrS2 (0.96mmol )、Yb2S3 (0.03mmol)和 Nd2S3 (0.0lmmol)粉體;
[0037](2)將(I)所得粉體置于在剛玉研缽中，研磨40分鐘后得到混合均勻的粉體前軀體；
[0038](3)將(2)所得粉體前軀體放入馬弗爐中，在900°C下灼燒3小時后，冷卻到200°C并保溫2小時，然后隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料；
[0039](4)粉碎(3)所得的塊體材料即得釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉P1，其化學(xué)通式為 Zrtl 92S2:0.06Yb3+，0.02Nd3+。
[0040]對比實施例
[0041]為體現(xiàn)為本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設(shè)置了實施例一的對比實施例，對比實施例和實施例一的區(qū)別在于對比實施例的上轉(zhuǎn)換熒光粉不含Yb3+，其其化學(xué)通式為Zra98S2:0.02Nd3+。該對比例提供的釹摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法包括以下步驟:
[0042](I)分別稱取 ZrS2 (0.98mmol )、Nd2S3 (0.0lmmol)粉體;
[0043](2)將(I)所得粉體置于在剛玉研缽中，研磨40分鐘后得到混合均勻的粉體前軀體；
[0044](3)將(2)所得粉體前軀體放入馬弗爐中，在900°C下灼燒3小時后，冷卻到200°C并保溫2小時，然后隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料；
[0045](4)粉碎(3)所得的塊體材料即得釹摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉，其化學(xué)通式為Zrtl 98S2:0.02Nd3+。
[0046]圖2為本發(fā)明實施例一提供的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉和對比實施例提供的釹摻雜上轉(zhuǎn)換熒光粉的光致發(fā)光光譜圖，如圖所示，圖中曲線I為實施例一所制得的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉Pl的光致發(fā)光光譜，曲線2為對比實施例所制得的不摻雜鐿的釹摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的光致發(fā)光光譜；在激發(fā)波長為586nm時，曲線I有469nm的發(fā)射峰，該藍光發(fā)射峰對應(yīng)了 Nd3+的2P3/2 — 4I1572躍遷，曲線2在469nm處也有一個發(fā)射峰，說明釹鐿共摻雜不影響Nd3+的發(fā)光波長；但曲線I的發(fā)光強度遠遠大于曲線2，這是由于Yb3+是一種有效的敏化劑，在586nm處有強烈的光吸收，Yb3+和Nd3+共摻，Yb3+能敏化Nd3+發(fā)光，進而通過能量傳遞，提高Nd3+的上轉(zhuǎn)換效率，所以釹鐿共摻雜的曲線I比不摻雜鐿的曲線2具有更高的發(fā)光強度；此外，說明本發(fā)明提供的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉采用的ZrS2基質(zhì)材料充分降低了稀土離子的無輻射躍遷幾率，進一步提高了 Nd3+的發(fā)光效率和發(fā)光強度。
[0047]實施例二
[0048]一種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，包括以下步驟:
[0049](I)分別稱取 ZrS2 (0.93mmol )、Yb2S3 (0.005mmol)和 Nd2S3 (0.03mmol)粉體；
[0050](2)將(I)所得粉體置于在剛玉研缽中，研磨20分鐘后得到混合均勻的粉體前軀體；
[0051](3)將(2)所得粉體前軀體放入馬弗爐中，在800°C下灼燒0.5小時后，冷卻到100°C并保溫0.5小時，然后隨爐冷卻到室溫，得到塊體材料；
[0052](4)粉碎(3)所得的塊體材料即得釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉P2，其化學(xué)通式為 Zrtl 93S2:0.0lYb3+, 0.06Nd3+。
[0053]實施例三
[0054]一種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，包括以下步驟:
[0055](I)分別稱取 ZrS2 (0.896mmol )、Yb2S3 (0.05mmol)和 Nd2S3 (0.002mmol)粉體;
[0056](2)將(I)所得粉體置于在剛玉研缽中，研磨60分鐘后得到混合均勻的粉體前軀體；
[0057](3)將(2)所得粉體前軀體放入馬弗爐中，在1000°C下灼燒4小時后，冷卻到300V并保溫3小時，然后隨爐冷卻到室溫，得到塊體材料；
[0058](4)粉碎(3)所得的塊體材料即得釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉P3，其化學(xué)通式為 Zr0.896S2:0.1Yb3+, 0.004Nd3+。
[0059]實施例四
[0060]一種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，包括以下步驟:
[0061](I)分別稱取 ZrS2 (0.96mmol )、Yb2S3 (0.0lmmol)和 Nd2S3 (0.0lmmol)粉體，；
[0062](2)將(I)所得粉體置于在剛玉研缽中，研磨30分鐘后得到混合均勻的粉體前軀體；
[0063](3)將(2)所得粉體前軀體放入馬弗爐中，在850°C下灼燒5小時后，冷卻到250°C并保溫1.5小時，然后隨爐冷卻到室溫，得到塊體材料；
[0064](4)粉碎(3)所得的塊體材料即得釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉P4，其化學(xué)通式為 Zrtl 96S2:0.02Yb3+，0.02Nd3+。
[0065]實施例五
[0066]一種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，包括以下步驟:
[0067](I)分別稱取 ZrS2 (0.92mmol )、Yb2S3 (0.02mmol)和 Nd2S3 (0.02mmol)粉體，；
[0068](2)將(I)所得粉體置于在剛玉研缽中，研磨40分鐘后得到混合均勻的粉體前軀體；
[0069](3)將(2)所得粉體前軀體放入馬弗爐中，在950°C下灼燒I小時后，冷卻到150°C并保溫2.5小時，然后隨爐冷卻到室溫，得到塊體材料；
[0070](4)粉碎(3)所得的塊體材料即得釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉P5，其化學(xué)通式為 Zrtl 92S2:0.04Yb3+，0.04Nd3+。
[0071]實施例六
[0072]—種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，包括以下步驟:
[0073](I)分別稱取 ZrS2 (0.87mmol )、Yb2S3 (0.04mmol)和 Nd2S3 (0.025mmol)粉體，；
[0074](2)將(I)所得粉體置于在剛玉研缽中，研磨50分鐘后得到混合均勻的粉體前軀體；
[0075](3)將(2)所得粉體前軀體放入馬弗爐中，在900°C下灼燒2小時后，冷卻到280°C并保溫I小時，然后隨爐冷卻到室溫，得到塊體材料；
[0076](4)粉碎(3)所得的塊體材料即得釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉P6，其化學(xué)通式為 Zra87S2:0.08Yb3+，0.05Nd3+。
[0077]實施例七
[0078]本實施例以本發(fā)明實施例1提供的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉Pl為發(fā)光材料制備的有機電致發(fā)光器件，如圖3所示，該有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)包括依次層疊的基板1、陰極2、有機發(fā)光層3、透明陽極4以及透明封裝層5 ;其中，透明封裝層5中分散有實施例I中制得的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉P1，如6所示。
[0079]該有機電致發(fā)光器件的制備工藝包括:
[0080]在玻璃基板I上采用真空鍍膜沉積技術(shù)沉積厚度為120nm的金屬鋁(Al)，作為器件的陰極2，然后在陰極2上沉積一層厚度為50nm的雙(2-苯基喹啉)(乙酰丙酮)合銥
(III)(Ir(2-phq)2(acac))作為器件的有機發(fā)光層3，再在有機發(fā)光層3上沉積一層厚度為lOOnm、方塊電阻為10?20Ω/ 口的氧化銦錫(ITO)作為透明陽極4，最后在透明陽極4上設(shè)置一層厚度為300nm的S1作為器件的透明封裝層5，所述透明封裝層5中分散有實施例1中制得的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉Pljn 6所示，因此，該有機電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)可以表不為基板 /Al (120nm) /Ir (2-phq) 2 (acac) (50nm) /ITO (10nm) /S1 (300nm),其中，斜杠“/”表示層狀結(jié)構(gòu)；該有機電致發(fā)光器件使用時，發(fā)光層3的部分紅光激發(fā)熒光粉6發(fā)出藍光,該藍光與發(fā)光層3中剩余的紅光混合后發(fā)出白光。
[0081]由Keithley源測量系統(tǒng)(Keithley2400Sourcemeter)測試上述有機電致發(fā)光器件的電壓-電流-亮度特性，如圖4所示，圖4為實施例7制備的有機電致發(fā)光器件的電壓、電流和亮度關(guān)系圖，在附圖4中曲線I是電壓與電流密度關(guān)系曲線，可看出器件從3.0V開始發(fā)光，曲線2是電壓與亮度關(guān)系曲線，最大亮度為1320cd/m2，表明由本發(fā)明提供的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉制備的有機電致發(fā)光器件具有良好的發(fā)光特性。
[0082]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉，其特征在于，所述釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的化學(xué)通式為ZiwyS2:XYb3+, yNd3+，其中，ZrS2為基質(zhì)，Yb3+和Nd3+為摻雜離子，x和I為摩爾系數(shù)，X的取值范圍為0.0l?0.1，y的取值范圍為0.004?0.06。
2.如權(quán)利要求1所述的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉，其特征在于，所述X的取值為0.06，所述y的取值為0.02。
3.—種釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)按0.87?0.98:0.005?0.05:0.002?0.03的摩爾比分別稱取二硫化鋯、三硫化二鐿和三硫化二釹粉體； (2)將(I)所得粉體進行混合并研磨20?60分鐘，得到混合均勻的粉體前軀體； (3)將(2)所得混合均勻的粉體前軀體置入煅燒裝置中，于800?1000°C下煅燒0.5?5h，然后降溫至100?300°C，并在此溫度下保溫0.5?3小時后冷卻至室溫，獲得塊狀產(chǎn)物； (4)將(3)所得塊狀產(chǎn)物進行粉碎后得到所述釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉，其化學(xué)通式為ZiwyS2:xYb3+, yNd3+，其中，ZrS2為基質(zhì)，Yb3+和Nd3+為摻雜離子，x和y為摩爾系數(shù)，X的取值范圍為0.01?0.1，y的取值范圍為0.004?0.06。
4.如權(quán)利要求3所述的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，其特征在于，所述步驟(I)中，所述二硫化鋯、三硫化二鐿和三硫化二釹粉體的摩爾比為0.94:0.03:0.01。
5.如權(quán)利要求3所述的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，所述粉體的研磨時間為40分鐘。
6.如權(quán)利要求3所述的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中，所述煅燒過程的煅燒溫度為900°C，煅燒時間為3小時。
7.如權(quán)利要求3所述的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中，煅燒過程結(jié)束后，所述保溫過程的溫度為200°C，保溫時間為2小時。
8.如權(quán)利要求3所述的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中，所述X的取值為0.06，所述y的取值為0.02。
9.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機電致發(fā)光器件包括化學(xué)通式為Zr1^yS2:xYb3+, yNd3+的釹鐿共摻雜硫化鋯上轉(zhuǎn)換熒光粉，在所述化學(xué)通式Zivx_yS2:xYb3+,yNd3+中，ZrS2為基質(zhì)，Yb3+和Nd3+為摻雜離子，x和y為摩爾系數(shù)，x的取值范圍為0.01?.0.1，y的取值范圍為0.004?0.06。
【文檔編號】C09K11/67GK104342133SQ201310346791
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年8月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月9日
【發(fā)明者】周明杰, 陳吉星, 王平, 鐘鐵濤 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司