硅烷化聚亞芳基的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明大體上設(shè)及聚亞芳基材料領(lǐng)域，并且更確切地說，設(shè)及適用作電子裝置制 造中的電介質(zhì)材料的聚亞芳基材料。
【背景技術(shù)】
[0002] 聚合物電介質(zhì)用作多種電子裝置中的絕緣層，如電路板、集成電路、電子包裝等。 用于電子裝置制造的一類聚合物電介質(zhì)是聚亞芳基，并且特別適用的是聚亞苯基。美國(guó) 專利第5, 965, 679號(hào)公開通過含有兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)戊二締酬基的多官能化合物與至少一 種含有兩個(gè)或更多個(gè)芳香族乙烘基的多官能化合物的狄爾斯-阿爾德反應(yīng)值iels-Alder reaction)制備的聚亞苯基聚合物，其中所述多官能化合物中的至少一些含有=個(gè)或更多 個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)。在運(yùn)一專利中反應(yīng)性基團(tuán)"被定義為環(huán)戊二締酬或乙烘基團(tuán)。美國(guó)專利第 5, 965, 679號(hào)中所公開的某些多官能化合物可W含有通式-苯基-Z-苯基-的部分，其中Z 是許多可能部分中的一個(gè)，包括-Si (R3)2-，其中R3是H、甲基、乙基、丙基或苯基。美國(guó)專利 第5, 965, 679號(hào)中所公開的聚亞苯基在通常用于電子裝置制造的溶劑中具有有限溶解性， 限制運(yùn)些聚亞苯基的使用。另外，運(yùn)些聚亞苯基始終不易與用于電子裝置制造的其它材料 相容。舉例來(lái)說，此類聚亞苯基需要使用某些水解烷氧基硅烷作為粘著促進(jìn)劑W改善襯底 與運(yùn)些聚亞苯基材料層之間的粘合強(qiáng)度，如美國(guó)專利第6, 184, 284號(hào)中所公開。日本專利 3928263B2公開在聚合后在鈕催化劑存在下經(jīng)表面官能化的聚亞苯基聚合物W提供具有其 芳環(huán)經(jīng)-C S C-Z部分取代的聚亞苯基聚合物，其中Z是氨、芳基、烷基、面化烷基或=烷基 娃烷基。運(yùn)些聚亞苯基聚合物含有多個(gè)乙烘基部分，所述乙烘基部分可W具有末端=烷基 娃烷基。所屬領(lǐng)域中仍需要具有與其它材料的較高程度相容性并且具有改善的溶解性的聚 亞苯基W用作電子裝置制造中的電介質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明提供包含具有兩個(gè)環(huán)戊二締酬部分的第一單體和具有兩個(gè)或更多個(gè)烘部 分的第二單體作為聚合單元的亞芳基寡聚物，其中至少一個(gè)烘部分直接鍵結(jié)到娃原子。
[0004] 本發(fā)明還提供一種包含上述亞芳基寡聚物和有機(jī)溶劑的組合物。 陽(yáng)〇化]另外，本發(fā)明提供一種制備上述亞芳基寡聚物的方法，其包含使具有兩個(gè)環(huán)戊二 締酬部分的第一單體與具有兩個(gè)或更多個(gè)烘部分的第二單體反應(yīng)，其中至少一個(gè)烘部分直 接鍵結(jié)到娃原子。
[0006] 本發(fā)明還提供一種制造電子裝置的方法，其包含：提供電子裝置襯底；將上述組 合物層安置于所述電子裝置襯底上；W及固化所述組合物W在所述電子裝置襯底上形成固 化聚亞芳基膜。本發(fā)明還提供一種電子裝置，其包含由上述亞芳基寡聚物形成的聚合物層。
【具體實(shí)施方式】
[0007] 如本說明書通篇所用，除非上下文另作明確指示，否則W下縮寫應(yīng)具有W下含 義：°C=攝氏度；g =克；L =升；血=毫升；nm =納米；Jim =微米；sec.=秒；min.=分 鐘；虹.=小時(shí)；DI =去離子邱m =轉(zhuǎn)/分；Da =道爾頓；M。=數(shù)目平均分子量擬及M" = 重量平均分子量。除非另外指出，否則所有量都是重量百分比（"重量％")并且所有比率 都是摩爾比。所有數(shù)值范圍都是包括性的并且可按任何次序組合，除非很明顯此類數(shù)值范 圍被限制于總計(jì)為100%。
[000引冠詞"一（a) "、"一（an) " W及"所述"是指單數(shù)和復(fù)數(shù)。除非另外規(guī)定，否則"燒 基"是指直鏈、分支鏈W及環(huán)狀烷基。"芳基"是指芳香族碳環(huán)和芳香族雜環(huán)。術(shù)語(yǔ)"寡聚物" 是指二聚物、=聚物、四聚物和能夠進(jìn)一步固化的其它聚合材料。術(shù)語(yǔ)"固化"意指增加材 料或組合物的分子量的任何過程，如聚合或縮合。"可固化"是指能夠在某些條件下固化的 任何材料。當(dāng)一個(gè)元件被稱為"安置于"另一元件"上"時(shí)，其可W直接在另一元件上或其 間可能存在插入元件。相比之下，當(dāng)元件被稱為"直接安置于"另一元件"上"時(shí)，不存在插 入元件。
[0009] 本發(fā)明的寡聚物包含具有兩個(gè)環(huán)戊二締酬部分的第一單體和具有兩個(gè)或更多個(gè) 烘部分的第二單體作為聚合單元，其中至少一個(gè)烘部分直接鍵結(jié)到娃原子。本發(fā)明的寡聚 物是聚亞芳基，并且優(yōu)選地是聚亞苯基。
[0010] 含有兩個(gè)環(huán)戊二締酬部分的任何單體適宜用作第一單體W制備本發(fā)明寡聚物。此 類單體為眾所周知的，如美國(guó)專利第5, 965, 679號(hào)；第6, 288, 188號(hào)；W及第6, 646, 081號(hào)； W及國(guó)際專利公開案WO 97/10193和WO 2004/073824中所述的那些單體。第一單體優(yōu)選 地具有式（1)中所示的結(jié)構(gòu)
[0011]
[0012] 其中每個(gè)Ri獨(dú)立地選自H、C 1 e烷基、苯基或經(jīng)取代的苯基；W及Ar 1是芳香族部 分。優(yōu)選地，每個(gè)Ri獨(dú)立地選自C 3 e烷基、苯基和經(jīng)取代的苯基，并且更優(yōu)選地，每個(gè)R 1是苯 基。"經(jīng)取代的苯基"意指具有一個(gè)或多個(gè)氨經(jīng)一個(gè)或多個(gè)選自W下的取代基置換的苯基部 分：面素 、Cl e烷基、C 1 e面烷基、C 1 e烷氧基、C 1 e面烷氧基、苯基和苯氧基，并且優(yōu)選地是面 素 、Cl 4烷基、C 1 4面烷基、C 1 4烷氧基、C 1 4面烷氧基和苯基。經(jīng)取代的芳基優(yōu)選地是具有一 個(gè)或多個(gè)氨經(jīng)選自W下的一個(gè)或多個(gè)取代基置換的芳基部分：面素 、Cl e烷基、C 1 e烷氧基、 苯基和苯氧基。優(yōu)選地，經(jīng)取代的苯基具有1到3個(gè)取代基并且更優(yōu)選地1或2個(gè)取代基。 廣泛多種芳香族部分適用作Ari,如美國(guó)專利第5, 965, 679號(hào)中所公開的那些芳香族部分。 適用于Ari的示例性芳香族部分包括具有式（2)中所示的結(jié)構(gòu)的那些芳香族部分
[0013]
[0014] 其中X是選自1、2或3的整數(shù)；y是選自0、1或2的整數(shù)海個(gè)Ar2獨(dú)立地選自
[0015]
[0016] 每個(gè)R2獨(dú)立地選自面素、C I e烷基、C I e面烷基、C I e烷氧基、C I e面烷氧基、苯基和 苯氧基；b是0到4的整數(shù)；C和d中的每一個(gè)是0到3的整數(shù)；每個(gè)Z獨(dú)立地選自0、S、SO、 S〇2、NR3、PR3、P ( = 0) r3、C ( = 0)、CR4r5和 SiR 4r5;R 3、r4和 R 5獨(dú)立地選自 H、（c 1-C4)烷基、 面基（C1-C4)烷基和苯基。X優(yōu)選地是I或2,并且更優(yōu)選地1。y優(yōu)選地是0或1，并且更 優(yōu)選地1。優(yōu)選地，每個(gè)R2獨(dú)立地選自面素 、C 1 4烷基、C 1 4面烷基、C 1 4烷氧基、C 1 4面燒氧 基和苯基，并且更優(yōu)選地氣、Cl 4烷基、C 1 4氣烷基、C 1 4烷氧基、C 1 4氣烷氧基和苯基。b優(yōu) 選地是0到3,更優(yōu)選地0到2,并且又更優(yōu)選地0或1。C優(yōu)選地是0到2,并且更優(yōu)選地0 或1。d同樣優(yōu)選地是0到2,并且更優(yōu)選地0或1。在式（4)中，優(yōu)選的是c+d = 0到4， 并且更優(yōu)選地0到2。每個(gè)Z優(yōu)選地獨(dú)立地選自0、S、NR3、C ( = 0)、CR4R5和SiR 4R5,更優(yōu)選 地0、S、C ( = 0)和CR4R5,并且又更優(yōu)選地0、C ( = 0)和CR4R5D優(yōu)選的是，每個(gè)R3、R嘴R5 獨(dú)立地選自H、Cl 4烷基、C 1 4氣烷基和苯基；并且更優(yōu)選地H、C 1 4烷基、C 1 2氣烷基和苯基。 優(yōu)選地，每個(gè)Ar2具有結(jié)構(gòu)（3)。
[0017] 適用于制備本發(fā)明寡聚物的第二單體具有兩個(gè)或更多個(gè)烘部分，其中至少一個(gè)烘 部分直接鍵結(jié)到娃原子。第二單體優(yōu)選地是芳香族，并且更優(yōu)選地包含經(jīng)2個(gè)或更多個(gè)烘 部分取代的芳環(huán)，其中至少一個(gè)烘部分直接鍵結(jié)到娃原子。適合的第二單體是式（5)和式 化）的單體 陽(yáng)0化1
[