，此 時該至少一種空穴導(dǎo)體材料的帶隙通常大于所用發(fā)射體材料的帶隙。在本申請上下文 中，帶隙應(yīng)理解為指三線態(tài)能量。合適的碳烯配合物例如為本發(fā)明通式（I)的卡賓配合 物，如WO2005/019373A2,WO2006/056418A2,WO2005/113704,WO2007/115970,WO 2007/115981和WO2008/000727以及W02012121936中所述的碳烯配合物。合適碳烯配合
[0155] 還可以將空穴傳輸層進(jìn)行電子摻雜以改善所用材料的傳輸性能，首先使層厚更大 (避免針孔/短路），其次使器件的操作電壓最小。電子摻雜對本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員是已知 的且例如公開于16 &〇，六.1(&1111，1六?？1.?1^.，第94卷，第1期，2003年7月1日（?-摻雜 的有機(jī)層）；A.G.Werner,F.Li,K.Harada,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett., 第 82 卷，第 25 期，2003 年 6 月 23 日和Pfeiffer等，OrganicElectronics2003,4,89-103 以及K.Walzer，B.Maennig，M.Pfeiffer，K.Leo,Chem.Soc.Rev. 2007,107,1233。例如可以 在空穴傳輸層中使用混合物，尤其是導(dǎo)致該空穴傳輸層的電P-摻雜的混合物。P-摻雜通過 加入氧化材料實(shí)現(xiàn)。這些混合物例如可以是下列混合物：上述空穴傳輸材料與至少一種金 屬氧化物，例如M〇02、M〇03、W0X、Re0#P/或V205，優(yōu)選此03和/或ReO3，更優(yōu)選1^03的混合 物，或包含上述空穴傳輸材料和一種或多種選自如下的化合物的混合物：7, 7, 8, 8-四氰基 對苯醌二甲烷（TCNQ)、2, 3, 5, 6-四氟-7, 7, 8, 8-四氰基對苯醌二甲烷（F4-TCNQ)、2, 5-二 (2-羥基乙氧基）-7, 7, 8, 8-四氰基對苯醌二甲烷、雙（四正丁基銨）四氰基二苯酚醌二 甲燒（bis(tetra-n-butylammonium)tetracycanodiphenoquinodimethane)，2,5_ 二甲 基-7, 7, 8, 8-四氰基對苯醌二甲燒，四氰基乙烯，11，11，12, 12-四氰基萘-2, 6-醌二甲烷， 2-氟-7, 7, 8, 8-四氰基對苯醌二甲烷，2, 5-二氟-7, 7, 8, 8-四氰基對苯醌二甲烷，二氰基 亞甲基-1，3, 4, 5, 7, 8_ 六氣-6H-蔡 _2_ 亞基）丙二臆（F6-TNAP)，Mo(tfd)3(來自Kahn等， J.Am.Chem.Soc. 2009,131 (35)，12530-12531)，EP1988587 和EP2180029 中所述的化合物 以及EP2401254中所提及的醌化合物。
[0156] 電子傳輸層（g)
[0157] 電子傳輸層可包括能夠傳輸電子的材料。電子傳輸層可為固有的（未摻雜的） 或摻雜的。摻雜可用于提高導(dǎo)電性。用于本發(fā)明OLED的層（g)的合適電子傳輸材料包 括與oxinoid化合物螯合的金屬如三（8-羥基喹啉根合）錯（Alq3),基于菲略啉的化合 物如2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉（DDPA=BCP)、4, 7-二苯基-1，10-菲咯 啉（Bphen)、2, 4, 7, 9-四苯基-1，10-菲咯啉、4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉（DPA)或公開于 EP1786050、EP1970371或EP1097981中的菲咯啉衍生物以及唑類化合物如2-(4-聯(lián)苯 基）-5- (4-叔丁基苯基）-1，3, 4- 3基,二唑（PBD)和3- (4-聯(lián)苯基）-4-苯基-5- (4-叔丁基 苯基）-1，2, 4-三唑（TAZ)。層（g)可以同時用于促進(jìn)電子傳輸和用作緩沖層或阻擋層以 防止激子在OLED各層的界面處的猝滅。層（g)優(yōu)選改善電子的迀移性并降低激子的猝滅。 上述電子傳輸材料可市購和/或通過本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法制備。
[0158] 同樣可以在電子傳輸層中使用至少兩種材料的混合物，此時至少一種材料是電 子傳導(dǎo)的。優(yōu)選在該混合電子傳輸層中使用至少一種菲咯啉化合物，優(yōu)選BCP(與Cs2CO3 組合），或至少一種根據(jù)下式（VIII)的吡啶化合物，優(yōu)選下式（VIIIaa)化合物。更優(yōu)選 在混合電子傳輸層中除了至少一種菲咯啉化合物使用堿土金屬或堿金屬羥基喹啉鹽配合 物，例如Liq。合適的堿土金屬或堿金屬羥基喹啉鹽配合物描述在下文中（式VII)。參考 W02011/157779。
[0159] 還可以將電子傳輸層進(jìn)行電子摻雜以改善所用材料的傳輸性能，首先使層厚更大 (避免針孔/短路），其次使器件的操作電壓最小。電子摻雜對本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員是已知 的且例如公開于16 &〇，六.1(&1111，1六?？1.?1^.，第94卷，第1期，2003年7月1日（?-摻雜 有機(jī)層）；A.G.Werner,F.Li,K.Harada,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett. ,% 82 卷，第 25 期，2003 年 6 月 23 日和Pfeiffer等，OrganicElectronics2003,4,89-103 以 及K.Walzer，B.Maennig，M.Pfeiffer，K.Leo，Chem.Soc.Rev. 2007,107,1233。例如，可以使 用導(dǎo)致電子傳輸層的電n-摻雜的混合物。n-摻雜通過加入還原材料實(shí)現(xiàn)。這些混合物例 如可以為上述電子傳輸材料與堿金屬/堿土金屬或堿金屬/堿土金屬鹽，例如Li、Cs、Ca、 Sr、Cs2CO3，堿金屬配合物，以及Y、Ce、Sm、Gd、Tb、Er、Tm、Yb、Li3N、Rb2CO3、鄰苯二甲酸二鉀、 來自EP1786050 的W(hpp)4SEP1837926B1、EP1837927、EP2246862 和W02010132236 中 所述化合物的混合物。
[0160] 在一個優(yōu)選實(shí)施方案中，電子傳輸層包含至少一種通式（VII)的化合物：
[0161]
[0162] 其中
[0163] R32和R33各自獨(dú)立地為F，C「Cs烷基或任選被一個或多個C「Cs烷基取代的C6_C14 芳基，或者
[0164] 兩個R32和/或R33取代基一起形成任選被一個或多個C^心烷基取代的稠合苯環(huán)；
[0165] a和b各自獨(dú)立地為0,或1、2或3，
[0166] M1為堿金屬原子或堿土金屬原子，
[0167] 當(dāng)M1為堿金屬原子時p為1，當(dāng)M1為堿金屬原子時p為2。
或者以其他形式如其中g(shù)為整數(shù)的LigQg，例如Li6Q6存在。Q為8-羥基喹啉鹽配體或8-羥 基喹啉鹽衍生物。
[0169] 在另一優(yōu)選的實(shí)施方案中，電子傳輸層包含至少一種式（VIII)化合物：
[0170]
[0171] 其中
[0172] R34、R35、R36、R37、R34'、R35'、R36' 和R37' 各自獨(dú)立地為H，C1-C18烷基，被E取代和/或被 D間隔的C1-C18烷基，C6-C24芳基，被G取代的C6-C24芳基，C2-C2。雜芳基或被G取代的C2-C2。 雜芳基，
[0173] Q為亞芳基或亞雜芳基，它們各自任選被G取代；
[0174] D為-⑶-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-0-、-NR40-、-SiR45R46-' -POR47-、-CR38 = CR39-或-C=C-;
[0175] E為-OR44、-SR44、-NR4〇R41、-COR43、-C00R42、-C0NR4〇R41、-CN或F;
[0176] G為E，C1-C18烷基，被D間隔的C「C1S烷基，C「C1S全氟烷基，C「C1S烷氧基或被E 取代和/或被D間隔的C1-C1J^氧基，
[0177] 其中
[0178] R38和R39各自獨(dú)立地為H，C6_C1S芳基，被C「C1S烷基或C「C1S烷氧基取代的C6_C1S 芳基，C1-Clf^基或被-O-間隔的C「C1S烷基；
[0179]R40和R41各自獨(dú)立地為C6_C1S芳基，被C「C1S烷基或C「C1S烷氧基取代的C6_(：18芳 基，C1-Clf^jl基或被-〇-間隔的C^C18烷基；或
[0180] R40和R41-起形成6員環(huán)；
[0181]R42和R43各自獨(dú)立地為C6_C1S芳基，被C「C1S烷基或C「C1S烷氧基取代的C6_(：18芳 基，C1-C1JjI基或被-0-間隔的C「C1S烷基，
[0182] 妒為C6_C1S芳基，被C「C1S烷基或C「C1S烷氧基取代的C6_C1S芳基，C「C1S烷基或 被_〇_間隔的C1-C18烷基，
[0183]R45和R46各自獨(dú)立地為C「C1S烷基，C6_(：18芳基或被C「C1S烷基取代的C6_C1S芳基，
[0184] 儼為C「C1S烷基，C6_C1S芳基或被C「C1S烷基取代的C6_C1S芳基。
[0185] 優(yōu)選的式（VIII)化合物是式（Villa)化合物：
[0193] 在一個優(yōu)選實(shí)施方案中，電子傳輸層以99-1重量％，優(yōu)選75-25重量％，更優(yōu)選約 50重量％的量包含式（VII)化合物，其中式（VII)化合物的量和式（VIII)化合物的量加起 來總共為100重量％。
[0194]式（VIII)化合物的制備描述于J.Kido等，Chem.Commun. (2008)5821-5823， J.Kido等，Chem.Mater. 20 (2008) 5951-5953 和JP2008-127326 中，或者這些化合物可以類 似于上述文獻(xiàn)中所公開的方法制備。
[0195] 在電子傳輸層中同樣可以使用堿金屬羥基喹啉鹽配合物，優(yōu)選Liq，和二 苯并呋喃化合物的混合物。參考W02011/157790。優(yōu)選描述于W02011/157790中 的二苯并呋喃化合物A-I至A-36和B-I至B-22,其中最優(yōu)選二苯并呋喃化合物
[0196] 在一個優(yōu)選實(shí)施方案中，電子傳輸層包含量為99-1重量％，優(yōu)選75-25重量％，更 優(yōu)選約50重量％的Liq，其中Liq量和二苯并呋喃化合物，尤其是化合物A-IO的量加起來 總共為100重量％。
[0197] 在一個優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及本發(fā)明的0LED，其中電子傳輸層包含至少一 種菲咯啉衍生物和/或吡啶衍生物。
[0198] 在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及本發(fā)明的OLED，其中電子傳輸層包含至少一 種菲咯啉衍生物和/或吡啶衍生物和至少一種堿金屬羥基喹啉鹽配合物。
[0199] 在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及本發(fā)明的OLED，其中電子傳輸層包含至少一 種菲咯啉衍生物和/或吡啶衍生物和8-羥基喹啉根合鋰。
[0200] 在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，電子傳輸層包含至少一種描述于W02011/157790的二苯 并呋喃化合物A-I至A-36和B-I至B-22,尤其是A-10。
[0201] 在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，電子傳輸層包含描述于 WO20 12/ 1 1 1462、WO20 1 2/147397 和US20 12/026 1654 (例如式
[0202] -些上面作為空穴傳輸材料和電子傳輸材料提及的材料可以滿足幾種功能。例 如，一些電子傳輸材料在具有低位HOMO時同時為空穴阻擋材料。
[0203] 陰極⑴
[0204] 陰極（i)是用于引入電子或負(fù)電荷載流子的電極。陰極可以是具有比陽極低的功 函的任何金屬或非金屬。合適的陰極材料選自元素周期表第1族堿金屬，如Li、Cs，第2族 堿土金屬，第12族金屬，其包括稀土金屬以及鑭系和錒系元素。此外，還可以使用金屬如 鋁、銦、鈣、鋇、釤和鎂及其組合。上述陰極材料可市購和/或通過本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知 的方法制備。
[0205] 空穴注入層（b)
[0206] 通常注入層包含可改善電荷載流子由一個層如電極或電荷產(chǎn)生層注入相鄰有機(jī) 層的材料。注入層還可具有電荷傳輸功能?？昭ㄗ⑷雽樱╞)可為改善空穴由陽極注入相鄰 有機(jī)層的任意層?？昭ㄗ⑷雽涌砂芤撼练e材料如旋涂聚合物，或者其可為蒸發(fā)沉積的 小分子材料如CuPc或MTDATA?？墒褂镁酆系目昭ㄗ⑷氩牧先缇郏∟-乙烯基咔唑）（PVK)、 聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、自摻雜聚合物如磺化聚（噻吩-3-[2[(2-甲氧基乙氧基）乙氧 基]-2, 5-二基）（Plexcure愈OCConductingInks，可由Plextronics市購），和共聚物 如聚（3, 4-亞乙基二氧噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸酯），還稱為PED0T/PSS。
[0207] 上述空穴注入材料可市購和/或通過本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法制備。
[0208] 電子注入層（h)
[0209] 電子注入層（h)可為改善電子注入相鄰有機(jī)層的任意層。還可以在電子傳輸層 (g)和陰極（i)之間施加含鋰的有機(jī)金屬化合物如8-羥基喹啉根合鋰（Liq)、CsF、NaF、KF、 Cs2CO3SLiF作為電子注入層以降低操作電壓。
[0210] 上述電子注入材料可市購和/或通過本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法制備。
[0211] 本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員知道如何選擇合適的材料（例如基于電化學(xué)研究）。適合各 層的材料對本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員是已知的且例如公開于WO00/70655中。
[0212] 此外，層（b)至（h)中的一些或所