技術(shù)特征：

1.由式1表示的化合物：

<式1>

其中，Ar₁至Ar₄各自獨(dú)立地為由式2表示的基團(tuán)，

<式2>

其中R₁至R₄、R₁₁和R₂₁各自獨(dú)立地選自氫、氘、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、被至少一個(gè)氘取代的C₁-C₆₀烷基、被至少一個(gè)氘取代的C₁-C₆₀烷氧基和被至少一個(gè)氘取代的苯基，

a1至a4、b1至b4、b11和b21各自獨(dú)立地為0至4的整數(shù)，

c1和c2各自獨(dú)立地為1至5的整數(shù)，以及

a1、a2、a3和a4的總和為1或大于1。

2.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中R₁至R₄、R₁₁和R₂₁各自獨(dú)立地選自氫、氘、苯基和被至少一個(gè)氘取代的苯基。

3.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中

R₁至R₄、R₁₁和R₂₁各自獨(dú)立地選自氫、-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CH₂CH₃、-CH₂CD₃、-CH₂CD₂H、-CH₂CDH₂、-CHDCH₃、-CHDCD₂H、-CHDCDH₂、-CHDCD₃、-CD₂CD₃、-CD₂CD₂H和-CD₂CDH₂；正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、仲戊基、叔戊基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基和苯基、被至少一個(gè)氘取代的正丙基、被至少一個(gè)氘取代的異丙基、被至少一個(gè)氘取代的正丁基、被至少一個(gè)氘取代的異丁基、被至少一個(gè)氘取代的仲丁基、被至少一個(gè)氘取代的叔丁基、被至少一個(gè)氘取代的正戊基、被至少一個(gè)氘取代的異戊基、被至少一個(gè)氘取代的仲戊基、被至少一個(gè)氘取代的叔戊基、被至少一個(gè)氘取代的甲氧基、被至少一個(gè)氘取代的乙氧基、被至少一個(gè)氘取代的丙氧基、被至少一個(gè)氘取代的丁氧基、被至少一個(gè)氘取代的戊氧基和被至少一個(gè)氘取代的苯基。

4.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中c1和c2各自獨(dú)立地為1、2或3。

5.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中a1、a2、a3和a4的總和為1。

6.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中

a1等于1，并且a2、a3和a4各自等于0；

a1和a2各自等于1，并且a3和a4各自等于0；

a1和a3各自等于1，并且a2和a4各自等于0；

a1、a2和a3各自同時(shí)等于1，并且a4等于0；或者

a1、a2、a3和a4各自等于1。

7.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中

Ar₁至Ar₄各自獨(dú)立地選自由式2-1至式2-40表示的基團(tuán)：

其中在式2-1至式2-40中，

R₁₂、R₂₂和R₂₃各自獨(dú)立地選自氫、氘、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、被至少一個(gè)氘取代的C₁-C₆₀烷基、被至少一個(gè)氘取代的C₁-C₆₀烷氧基和被至少一個(gè)氘取代的苯基，

b11、b12和b21至b23各自獨(dú)立地為0、1或2，以及

*為相鄰原子的連接位點(diǎn)。

8.如權(quán)利要求7所述的化合物，其中R₁₁、R₁₂和R₂₁至R₂₃各自獨(dú)立地為氫、氘或苯基。

9.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中Ar₁至Ar₄各自獨(dú)立地選自由式2(1)至式2(54)表示的基團(tuán)：

其中在式2(1)至式2(54)中的*表示與相鄰原子的連接位點(diǎn)。

10.如權(quán)利要求1所述的化合物，由式1-1至式1-11之一表示：

11.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中所述化合物具有2.7eV至3.0eV的三重態(tài)能級(jí)。

12.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中所述化合物具有小于-2.4eV的最低未占據(jù)分子軌道能級(jí)。

13.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中所述化合物選自化合物1至化合物14：

14.有機(jī)發(fā)光裝置，包括：

第一電極；

面向所述第一電極的第二電極；以及

在所述第一電極與所述第二電極之間的有機(jī)層，所述有機(jī)層包括發(fā)射層，

其中所述有機(jī)層包含一種或多種由式1表示的化合物：

<式1>

其中，Ar₁至Ar₄各自獨(dú)立地為由式2表示的基團(tuán),

<式2>

其中R₁至R₄、R₁₁和R₂₁各自獨(dú)立地選自氫、氘、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、被至少一個(gè)氘取代的C₁-C₆₀烷基、被至少一個(gè)氘取代的C₁-C₆₀烷氧基和被至少一個(gè)氘取代的苯基，

a1至a4、b1至b4、b11和b21各自獨(dú)立地為0至4的整數(shù)，

c1和c2各自獨(dú)立地為1至5的整數(shù)，以及

a1、a2、a3和a4的總和為1或大于1。

15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中

所述第一電極是陽極，

所述第二電極是陰極，

所述有機(jī)層還包括在所述第一電極與所述發(fā)射層之間的空穴傳輸區(qū)以及在所述發(fā)射層與所述第二電極之間的電子傳輸區(qū)，

所述空穴傳輸區(qū)包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射輔助層、電子阻擋層或其任何組合，以及

所述電子傳輸區(qū)包括空穴阻擋層、緩沖層、電子傳輸層、電子控制層、電子注入層或其任何組合。

16.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述由式1表示的化合物包含于所述發(fā)射層中，并且所述發(fā)射層還包含藍(lán)色磷光摻雜劑。

17.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中

所述稠環(huán)化合物的三重態(tài)能級(jí)大于所述藍(lán)色磷光摻雜劑的三重態(tài)能級(jí)，以及

所述稠環(huán)化合物的三重態(tài)能級(jí)與所述藍(lán)色磷光摻雜劑的三重態(tài)能級(jí)之間的差小于0.2eV。

18.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述藍(lán)色磷光摻雜劑的三重態(tài)能級(jí)為2.7eV以上且2.9eV以下。

19.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述空穴傳輸區(qū)包括所述發(fā)射輔助層，并且所述式1的化合物包含于所述發(fā)射輔助層中。

20.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中

所述空穴傳輸區(qū)包括所述發(fā)射輔助層，

所述式1的化合物包含于所述發(fā)射層和所述發(fā)射輔助層中的每一個(gè)中，

包含于所述發(fā)射層中的式1的化合物與包含于所述發(fā)射輔助層中的化合物是相同的，以及

所述發(fā)射層還包含藍(lán)色磷光摻雜劑。