本發(fā)明的示例性實(shí)施例總體上涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置。更具體地，本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例涉及包括迭層結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造該包括迭層結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。

背景技術(shù)：

因?yàn)槠桨屣@示(fpd)裝置比陰極射線管(crt)顯示裝置輕薄，所以fpd裝置廣泛地用作顯示裝置。fpd裝置可以是液晶顯示(lcd)裝置、有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置等。oled裝置可以比lcd裝置具有更高的亮度和更寬的視角。另外，因?yàn)閛led裝置不需要背光，所以oled裝置可以比lcd裝置更薄。在oled裝置中，電子和空穴通過(guò)陰極和陽(yáng)極注入到有機(jī)薄層中，然后在有機(jī)薄層中復(fù)合以產(chǎn)生激子。因此，可以發(fā)射特定波長(zhǎng)的光。

一些oled裝置可以設(shè)有迭層結(jié)構(gòu)(tandemstructure)為特征。在迭層結(jié)構(gòu)中，多個(gè)發(fā)光層和多個(gè)電荷產(chǎn)生層彼此交替地堆疊。oled裝置的迭層結(jié)構(gòu)可以由此發(fā)射白光。由于包括迭層結(jié)構(gòu)的oled裝置的尺寸增大，因此包括在oled裝置中的陰極的電阻會(huì)增大。當(dāng)陰極的電阻增大時(shí)，會(huì)在oled裝置中產(chǎn)生ir降(例如，電壓降)。在此情況下，因?yàn)橛捎趇r降而彼此不同的電壓電平會(huì)被施加到oled裝置的多個(gè)像素，所以oled裝置會(huì)顯示具有不均勻亮度的圖像。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置包括迭層結(jié)構(gòu)。迭層結(jié)構(gòu)包括多個(gè)發(fā)光層和多個(gè)電荷產(chǎn)生層。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供了一種制造包括迭層結(jié)構(gòu)的oled裝置的方法。oled裝置的迭層結(jié)構(gòu)包括多個(gè)發(fā)光層和多個(gè)電荷產(chǎn)生層。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，oled裝置包括包含發(fā)光區(qū)和外圍區(qū)的基底。輔助電源線設(shè)置在基底的外圍區(qū)中。下電極設(shè)置在基底的發(fā)光區(qū)中。像素限定層設(shè)置在基底上。像素限定層暴露發(fā)光區(qū)中的下電極的一部分，像素限定層暴露位于外圍區(qū)中的輔助電源線的一部分。第一公共層設(shè)置在像素限定層和下電極上。第一公共層暴露輔助電源線。發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一公共層上。發(fā)光結(jié)構(gòu)暴露輔助電源線。發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：第一發(fā)光層；第一電荷產(chǎn)生層，設(shè)置在第一發(fā)光層上；第二發(fā)光層，設(shè)置在第一電荷產(chǎn)生層上。第二公共層設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)上，第二公共層覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)。第二公共層暴露輔助電源線。上電極設(shè)置在第二公共層上。上電極接觸輔助電源線。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，oled裝置還包括置于像素限定層與基底之間的平坦化層，平坦化層包括暴露輔助電源線的一部分的第一開(kāi)口。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，像素限定層包括暴露輔助電源線的一部分的第二開(kāi)口，像素限定層包括暴露下電極的一部分的第三開(kāi)口。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第一開(kāi)口與第二開(kāi)口疊置，第一公共層、第一發(fā)光層、第一電荷產(chǎn)生層和第二發(fā)光層順序地設(shè)置在第一開(kāi)口和第二開(kāi)口中的每個(gè)的側(cè)壁上。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第二公共層覆蓋第一電荷產(chǎn)生層，使得第一電荷產(chǎn)生層在第一開(kāi)口和第二開(kāi)口中的任一開(kāi)口的側(cè)壁中不被暴露。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，在第一開(kāi)口和第二開(kāi)口中的每個(gè)的側(cè)壁中，第二公共層覆蓋第一公共層的末端部分、第一發(fā)光層的末端部分、第一電荷產(chǎn)生層的末端部分和第二發(fā)光層的末端部分，第二公共層與輔助電源線的上表面接觸。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，下電極包括：第一透明電極層，設(shè)置在平坦化層上；反射電極層，設(shè)置在第一透明電極層上；第二透明電極層，設(shè)置在反射電極層上。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，oled裝置還包括置于輔助電源線與上電極之間的導(dǎo)電圖案。導(dǎo)電圖案和下電極使用相同的材料同時(shí)地形成。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，oled裝置還包括與輔助電源線分隔開(kāi)的半導(dǎo)體元件，半導(dǎo)體元件置于基底與下電極之間。半導(dǎo)體元件包括：設(shè)置在基底上的有源層；設(shè)置在有源層上的柵極絕緣層；設(shè)置在柵極絕緣層上的柵電極；設(shè)置在柵電極上的絕緣中間層；以及設(shè)置在絕緣中間層上的源電極和漏電極。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，源電極、漏電極和輔助電源線包括相同的材料。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，oled裝置還包括：包封基底，設(shè)置在上電極上；濾色器，設(shè)置在包封基底的下表面上，濾色器與下電極疊置。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，發(fā)光結(jié)構(gòu)還包括：第二電荷產(chǎn)生層，設(shè)置在第二發(fā)光層上；第三發(fā)光層，設(shè)置在第二電荷產(chǎn)生層上。第二公共層覆蓋第二電荷產(chǎn)生層，使得第二電荷產(chǎn)生層在發(fā)光區(qū)和外圍區(qū)中不被暴露。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第一公共層包括空穴注入層和空穴傳輸層，第二公共層包括電子傳輸層和電子注入層。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，制造oled裝置的方法包括設(shè)置包括發(fā)光區(qū)和外圍區(qū)的基底。在基底上的外圍區(qū)中形成輔助電源線。在基底上形成具有第一開(kāi)口的平坦化層。第一開(kāi)口暴露輔助電源線的一部分。在平坦化層上的發(fā)光區(qū)中形成下電極。在平坦化層上形成像素限定層。像素限定層包括第二開(kāi)口和第三開(kāi)口。第二開(kāi)口暴露位于外圍區(qū)中的輔助電源線的一部分，第三開(kāi)口暴露位于發(fā)光區(qū)中的下電極的一部分。在像素限定層、下電極和輔助電源線上形成第一公共層。在第一公共層上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一發(fā)光層、第一電荷產(chǎn)生層和第二發(fā)光層。部分地去除第一公共層和發(fā)光結(jié)構(gòu)使得輔助電源線的一部分被暴露。在像素限定層、發(fā)光結(jié)構(gòu)和輔助電源線上形成第二公共層，使得第一電荷產(chǎn)生層在部分地去除了第一公共層和發(fā)光結(jié)構(gòu)的部分中不被暴露。部分地去除第二公共層，使得輔助電源線的一部分被暴露。在像素限定層、發(fā)光結(jié)構(gòu)和輔助電源線上形成上電極。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，部分地去除第一公共層和發(fā)光結(jié)構(gòu)使得輔助電源線的一部分被暴露的步驟包括使用第一激光束照射輔助電源線，第一激光束具有第一寬度。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，部分地去除第二公共層使得輔助電源線的一部分被暴露的步驟包括使用第二激光束照射輔助電源線，第二激光束具有比第一寬度小的第二寬度。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，通過(guò)第二激光束去除第二公共層的設(shè)置在輔助電源線上的第一部分，第二公共層的設(shè)置在第二開(kāi)口的側(cè)壁上的第二部分不被第二激光束去除。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第一開(kāi)口和第二開(kāi)口疊置，第一公共層、第一發(fā)光層、第一電荷產(chǎn)生層和第二發(fā)光層順序地形成在第一開(kāi)口和第二開(kāi)口中的每個(gè)的側(cè)壁中。第二公共層覆蓋第一電荷產(chǎn)生層，使得第一電荷產(chǎn)生層在第一開(kāi)口和第二開(kāi)口中的任一開(kāi)口的側(cè)壁中不被暴露。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第一公共層包括空穴注入層和空穴傳輸層，第二公共層包括電子傳輸層和電子注入層。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，所述方法還包括：設(shè)置包封基底；在包封基底的下表面上形成濾色器，使得濾色器與下電極疊置；結(jié)合包封基底和基底。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，oled裝置包括包含發(fā)光區(qū)和外圍區(qū)的基底。輔助電源線設(shè)置在外圍區(qū)中。下電極設(shè)置在發(fā)光區(qū)中。下電極電連接到半導(dǎo)體裝置。像素限定層設(shè)置在基底上。像素限定層包括設(shè)置在輔助電源線的第一部分處的第一開(kāi)口和設(shè)置在下電極的第一部分處的第二開(kāi)口。第一公共層設(shè)置在像素限定層和下電極上。第一公共層包括設(shè)置在輔助電源線的第一部分處的第三開(kāi)口。發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一公共層上。發(fā)光結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在輔助電源線的第一部分處的第四開(kāi)口。發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一發(fā)光層、設(shè)置在第一發(fā)光層上的第一電荷產(chǎn)生層和設(shè)置在第一電荷產(chǎn)生層上的第二發(fā)光層。第二公共層設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)上，第二公共層與發(fā)光結(jié)構(gòu)疊置。第二公共層包括設(shè)置在輔助電源線的第一部分處的第五開(kāi)口。上電極設(shè)置在第二公共層上。上電極和輔助電源線在輔助電源線的第一部分處彼此電連接。

附圖說(shuō)明

通過(guò)結(jié)合附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征將變得更加清楚，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置的剖視圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖1的區(qū)域a的放大剖視圖；

圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12和圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造oled裝置的方法的剖視圖；

圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的oled裝置的剖視圖；

圖15是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的oled裝置的剖視圖；

圖16是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖15的下電極的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下文中將參照附圖詳細(xì)地解釋本發(fā)明的示例性實(shí)施例。將理解，當(dāng)層或元件被稱作在另一層或元件上時(shí)，該層或元件可以直接在所述另一層或元件上，或者可以在其間設(shè)置中間層或中間元件。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置的剖視圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖1的區(qū)域a的放大剖視圖。

參照?qǐng)D1和圖2，有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置100可以包括基底110、半導(dǎo)體元件250、輔助電源線370、平坦化層270、下電極290、像素限定層310、第一公共層320、發(fā)光結(jié)構(gòu)330、第二公共層325、上電極340、濾色器380、包封基底350等。半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、絕緣中間層190、源電極210和漏電極230。發(fā)光結(jié)構(gòu)330可以包括第一發(fā)光層331、第一電荷產(chǎn)生層(cgl)333和第二發(fā)光層335。如圖2中所示，第一公共層320可以包括空穴注入層(hil)321和空穴傳輸層(htl)322，第二公共層325可以包括電子傳輸層(etl)326和電子注入層(eil)327。

基底110可以包括發(fā)光區(qū)10和外圍區(qū)20?；?10可以包括透明材料。基底110可以包括例如石英、人造石英、氟化鈣、摻氟石英、鈉鈣玻璃、無(wú)堿玻璃等。可選擇地，基底110可以包括諸如柔性透明樹(shù)脂基底(例如，聚酰亞胺基底)的柔性透明材料。聚酰亞胺基底可以包括例如第一聚酰亞胺層、阻擋膜層、第二聚酰亞胺層等。由于聚酰亞胺基底相對(duì)薄且是柔性的，因此聚酰亞胺基底可以設(shè)置在剛性玻璃基底上，在形成上結(jié)構(gòu)(例如，半導(dǎo)體元件250、輔助電源線370、下電極290、第一公共層320、發(fā)光結(jié)構(gòu)330、第二公共層325、上電極340等)期間，剛性玻璃基底用于支撐?；?10可以具有例如第一聚酰亞胺層、阻擋膜層和第二聚酰亞胺層堆疊在剛性玻璃基底上的結(jié)構(gòu)。當(dāng)制造oled裝置100時(shí)，在聚酰亞胺基底的第二聚酰亞胺層上設(shè)置絕緣層(例如，緩沖層)之后，可以在絕緣層上設(shè)置上結(jié)構(gòu)。在絕緣層上形成上結(jié)構(gòu)之后，可以去除其上設(shè)置有聚酰亞胺基底的剛性玻璃基底。因?yàn)榫埘啺坊紫鄬?duì)薄且是柔性的，所以在不支撐聚酰亞胺基底的情況下，可能很難在聚酰亞胺基底上形成上結(jié)構(gòu)。因此，可以在聚酰亞胺基底和剛性玻璃基底上形成上結(jié)構(gòu)。然后，在去除剛性玻璃基底之后，聚酰亞胺基底可以用作oled裝置100的基底110。

緩沖層可以設(shè)置在基底110上。緩沖層可以被設(shè)置為覆蓋整個(gè)基底110。緩沖層可以防止金屬原子和/或雜質(zhì)從基底110擴(kuò)散到半導(dǎo)體元件250中。另外，緩沖層可以在用于形成有源層130的結(jié)晶工藝中控制熱傳遞的速率。因此，可以形成相對(duì)均勻的有源層130。另外，當(dāng)基底110的表面相對(duì)不規(guī)則(例如，臺(tái)階的、波紋的或其它不平坦的)時(shí)，緩沖層可以改善基底110的表面平坦性。根據(jù)基底110的類型，可以在基底110上設(shè)置至少兩個(gè)緩沖層?？蛇x擇地，可以不在基底110上設(shè)置緩沖層。緩沖層可以包括例如有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。

半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、絕緣中間層190、源電極210和漏電極230。

有源層130可以設(shè)置在基底110上的發(fā)光區(qū)10中。有源層130可以包括例如氧化物半導(dǎo)體、無(wú)機(jī)半導(dǎo)體(例如，非晶硅、多晶硅等)、有機(jī)半導(dǎo)體等。

柵極絕緣層150可以設(shè)置在有源層130上。柵極絕緣層150可以覆蓋位于基底110上的發(fā)光區(qū)10中的有源層130并可以設(shè)置在整個(gè)基底110上。例如，柵極絕緣層150可以覆蓋有源層130并可以具有平的(例如平坦的)表面而沒(méi)有圍繞有源層130的臺(tái)階。可選擇地，柵極絕緣層150可以覆蓋有源層130，并可以被設(shè)置為沿有源層130的輪廓具有基本上均勻的厚度。柵極絕緣層150可以包括硅化合物、金屬氧化物等。例如，柵極絕緣層150可以包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)、碳氮化硅(sicxny)、氧化鋁(alox)、氮化鋁(alnx)、氧化鉭(taox)、氧化鉿(hfox)、氧化鋯(zrox)、氧化鈦(tiox)等。

柵電極170可以設(shè)置在柵極絕緣層150上。柵電極170可以設(shè)置在發(fā)光區(qū)10中的有源層130上，并且柵極絕緣層150置于有源層130與柵電極170之間。柵電極170可以包括金屬材料，例如，金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。這些材料可以單獨(dú)使用或彼此組合使用?？蛇x擇地，柵電極170可以具有多層結(jié)構(gòu)。

絕緣中間層190可以設(shè)置在柵極絕緣層150和柵電極170上。絕緣中間層190可以覆蓋發(fā)光區(qū)10中的柵電極170，并可以設(shè)置在整個(gè)基底110上。例如，絕緣中間層190可以覆蓋柵電極170，并可以具有平的(例如，平坦的)表面，而沒(méi)有圍繞柵電極170的臺(tái)階?？蛇x擇地，絕緣中間層190可以覆蓋柵電極170，并可以被設(shè)置為沿柵電極170的輪廓具有均勻的厚度。絕緣中間層190可以包括硅化合物、金屬氧化物等。絕緣中間層190可以使柵電極170與將要形成在絕緣中間層190上的源電極210和漏電極230不接觸而絕緣。

源電極210和漏電極230可以設(shè)置在絕緣中間層190上的發(fā)光區(qū)10中。源電極210可以通過(guò)接觸孔與有源層130的第一側(cè)接觸。所述接觸孔可以通過(guò)去除柵極絕緣層150和絕緣中間層190的一部分來(lái)形成。漏電極230可以通過(guò)另外的接觸孔與有源層130的第二側(cè)接觸。所述另外的接觸孔可以通過(guò)去除柵極絕緣層150和絕緣中間層190的一部分來(lái)形成。源電極210和漏電極230中的每個(gè)可以包括金屬材料，例如，金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。這些材料可以單獨(dú)使用或彼此組合使用。可選擇地，源電極210和漏電極230中的每個(gè)可以具有多層結(jié)構(gòu)。因此，包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、絕緣中間層190、源電極210和漏電極230的半導(dǎo)體元件250可以設(shè)置在基底110上。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，oled裝置100的半導(dǎo)體元件250具有頂柵結(jié)構(gòu)，但半導(dǎo)體元件250的結(jié)構(gòu)不限于此。例如，在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體元件250可以具有底柵結(jié)構(gòu)。

另外，oled裝置100的半導(dǎo)體元件250可以設(shè)置在發(fā)光區(qū)10中。然而，設(shè)置半導(dǎo)體元件250的位置不限于發(fā)光區(qū)10。例如，半導(dǎo)體元件250可以設(shè)置在外圍區(qū)20中。

輔助電源線370可以設(shè)置在絕緣中間層190上的外圍區(qū)20中。輔助電源線370可以與半導(dǎo)體元件250(例如，源電極210和漏電極230)分隔開(kāi)。

當(dāng)oled裝置的尺寸變大時(shí)，上電極的電阻會(huì)增大。當(dāng)上電極的電阻增大時(shí)，會(huì)在oled裝置中產(chǎn)生ir降(例如，電壓降)。因此，oled裝置的亮度會(huì)不均勻。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，oled裝置100還可以包括輔助電源線370以減小ir降。輔助電源線370可以與上電極340直接接觸。輔助電源線370可以是提供低電源電壓的低電源電壓布線。低電源電壓可以施加到例如輔助電源線370，輔助電源線370可以將低電源電壓提供到上電極340。輔助電源線370可以包括金屬材料，例如，金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。例如，輔助電源線370可以包括鋁(al)、鋁合金、氮化鋁(alnx)、銀(ag)、銀合金、鎢(w)、氮化鎢(wnx)、銅(cu)、銅合金、鎳(ni)、鉻(cr)、氮化鉻(crnx)、鉬(mo)、鉬合金、鈦(ti)、氮化鈦(tinx)、鉑(pt)、鉭(ta)、氮化鉭(tanx)、釹(nd)、鈧(sc)、氧化鍶釕(sro)、氧化鋅(znox)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)、氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)等。這些材料可以單獨(dú)使用或彼此組合使用?？蛇x擇地，輔助電源線370可以具有多層結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，源電極210、漏電極230和輔助電源線370可以使用相同的材料同時(shí)地形成。

平坦化層270可以設(shè)置在絕緣中間層190、源電極210、漏電極230和輔助電源線370的一部分上。平坦化層270可以覆蓋外圍區(qū)20中的輔助電源線370的兩個(gè)側(cè)部。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，平坦化層270可以置于像素限定層310與基底110之間。另外，平坦化層270可以具有暴露外圍區(qū)20中的輔助電源線370的一部分的第一開(kāi)口360。平坦化層270可以是相對(duì)厚的以覆蓋絕緣中間層190、源電極210和漏電極230。在此情況下，平坦化層270可以具有平的(例如，平坦的)上表面。另外，還可以對(duì)平坦化層270執(zhí)行平坦化工藝以使平坦化層270的上表面平坦。平坦化層270可以包括有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，平坦化層270可以包括有機(jī)材料。平坦化層270可以包括例如光致抗蝕劑、聚丙烯類樹(shù)脂、聚酰亞胺類樹(shù)脂、聚酰胺類樹(shù)脂、硅氧烷類樹(shù)脂、丙烯酸類樹(shù)脂、環(huán)氧類樹(shù)脂等。

下電極290可以設(shè)置在平坦化層270上的發(fā)光區(qū)10中。下電極290的厚度可以大于上電極340的厚度，使得從發(fā)光結(jié)構(gòu)330發(fā)射的光可以在朝向包封基底350(例如，朝向oled裝置100的前方)的方向上反射。下電極290可以通過(guò)接觸孔與漏電極230接觸。所述接觸孔可以通過(guò)去除平坦化層270的一部分來(lái)形成。另外，下電極290可以電連接到半導(dǎo)體元件250。下電極290可以包括金屬材料，例如，金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。這些材料可以單獨(dú)使用或彼此組合使用?？蛇x擇地，下電極290可以具有多層結(jié)構(gòu)。

像素限定層310可以設(shè)置在下電極290的一部分和平坦化層270上，使得像素限定層310暴露外圍區(qū)20中的輔助電源線370。像素限定層310可以覆蓋下電極290的兩個(gè)側(cè)部。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，像素限定層310可以具有第二開(kāi)口362和第三開(kāi)口364，第二開(kāi)口362暴露位于外圍區(qū)20中的輔助電源線370的一部分，第三開(kāi)口364暴露位于發(fā)光區(qū)10中的下電極290的一部分。第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362可以疊置。第二開(kāi)口362的尺寸可以大于第一開(kāi)口360的尺寸。像素限定層310可以包括有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，像素限定層310可以僅包括有機(jī)材料。

第一公共層320可以設(shè)置在像素限定層310和下電極290上。第一公共層320可以暴露輔助電源線370的一部分。第一公共層320可以設(shè)置在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362的側(cè)壁上。如上所述，第一公共層320可以包括hil321和htl322。hil321可以設(shè)置在平坦化層270上，htl322可以設(shè)置在hil321上。hil321可以包括空穴注入材料，例如，(n-咔唑基)三苯胺(tcta)或4,4',4”-三[3-甲基苯基(苯基)氨基]三苯胺(m-mtdata)。htl322可以包括空穴傳輸材料，例如，4,4'-雙[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯(npb)、4,4'-雙[n-(3-甲基苯基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯(tpd)、n,n'-二-1-萘基-n,n'-二苯基-1,1'-聯(lián)苯基-4,4'-二胺(npd)、n-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑或它們的組合。

發(fā)光結(jié)構(gòu)330可以設(shè)置在第一公共層320上。發(fā)光結(jié)構(gòu)330可以暴露輔助電源線370的一部分。發(fā)光結(jié)構(gòu)330可以在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中設(shè)置在第一公共層320上。如上所述，發(fā)光結(jié)構(gòu)330可以包括第一發(fā)光層331、第一cgl333和第二發(fā)光層335。例如，在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中，第一發(fā)光層331可以設(shè)置在第一公共層320上，第一cgl333可以設(shè)置在第一發(fā)光層331上。另外，在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中，第二發(fā)光層335可以設(shè)置在第一cgl333上。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，發(fā)光結(jié)構(gòu)330可以具有迭層結(jié)構(gòu)。

第一發(fā)光層331可以發(fā)射具有第一波長(zhǎng)的光和具有第二波長(zhǎng)的光。例如，第二波長(zhǎng)可以與第一波長(zhǎng)不同。這里，具有第一波長(zhǎng)的光和具有第二波長(zhǎng)的光可以彼此混合，并且可以產(chǎn)生具有黃顏色的光。例如，具有第一波長(zhǎng)的光可以是具有紅顏色的光，具有第二波長(zhǎng)的光可以是具有綠顏色的光。第一發(fā)光層331可以包括紅色和綠色的發(fā)射材料?？蛇x擇地，具有第一波長(zhǎng)的光可以是具有綠顏色的光，具有第二波長(zhǎng)的光可以是具有紅顏色的光。

第一cgl333可以包括n型芳基胺類層和p型金屬氧化物層。這里，當(dāng)電壓被施加到n型芳基胺類層和p型金屬氧化物層時(shí)，可以發(fā)生氧化還原反應(yīng)，在形成復(fù)合物之后可以產(chǎn)生電荷。第一cgl333可以包括芳基胺類有機(jī)化合物和金屬材料(例如，金屬氧化物、金屬碳化物、金屬氟化物等)。這些化合物和/或材料可以單獨(dú)使用或彼此組合使用。可選擇地，柵電極170可以具有多層結(jié)構(gòu)。例如，芳基胺類有機(jī)化合物可以包括α-npd、2-tnata、tdata、mtdata、螺-tad、螺-npb等，金屬材料可以包括銫(cs)、mo、ti、w、鋇(ba)、鋰(li)等。另外，金屬氧化物、金屬碳化物和金屬氟化物可以包括re2o7、moo3、v2o5、wo3、tio2、cs2co3、氟化鋇(baf)、氟化鋰(lif)、氟化銫(csf)等。

第二發(fā)光層335可以發(fā)射具有第三波長(zhǎng)的光。具有第三波長(zhǎng)的光可以是例如與具有第一波長(zhǎng)的光和具有第二波長(zhǎng)的光具有不同顏色的光。具有第三波長(zhǎng)的光可以是具有藍(lán)顏色的光。第二發(fā)光層335可以包括藍(lán)顏色的發(fā)射材料。因此，從第一發(fā)光層331發(fā)射的具有第一波長(zhǎng)的光和具有第二波長(zhǎng)的光以及從第二發(fā)光層335發(fā)射的具有第三波長(zhǎng)的光可以混合。因此，由混合具有第一波長(zhǎng)的光、具有第二波長(zhǎng)的光和具有第三波長(zhǎng)的光所得的光可以是具有白顏色的光。可選擇地，第一發(fā)光層331可以包括黃-綠磷光材料，第二發(fā)光層335可以包括藍(lán)熒光材料。在此情況下，第二發(fā)光層335可以通過(guò)使用藍(lán)熒光材料產(chǎn)生具有藍(lán)顏色的光，第一發(fā)光層331可以通過(guò)使用黃-綠磷光材料產(chǎn)生黃-綠顏色的光?？梢酝ㄟ^(guò)混合藍(lán)顏色的光和黃-綠顏色的光來(lái)產(chǎn)生具有白顏色的光。

第二公共層325可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)330上。另外，第二公共層325可以覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)330，并可以暴露輔助電源線370的一部分。第二公共層325可以在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)330上。如上所述，第二公共層325可以包括etl326和eil327。例如，在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中，etl326可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)330(例如，第二發(fā)光層335)上。eil327可以設(shè)置在etl326上。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第二公共層325可以覆蓋第一cgl333使得在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中不暴露第一cgl333。例如，在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中，第二公共層325可以覆蓋第一公共層320的末端部分、第一發(fā)光層331的末端部分、第一cgl333的末端部分和第二發(fā)光層335的末端部分。在此情況下，第一公共層320的末端部分、第一發(fā)光層331的末端部分、第一cgl333的末端部分和第二發(fā)光層335的末端部分可以分別是面對(duì)輔助電源線370的端部。另外，在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中，第二公共層325可以與輔助電源線370的上表面的一部分接觸。因此，包括第一發(fā)光層331、第一cgl333和第二發(fā)光層335的發(fā)光結(jié)構(gòu)330可以設(shè)置在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，oled裝置100的迭層結(jié)構(gòu)包括第一發(fā)光層331、第一cgl333和第二發(fā)光層335。然而，oled裝置的迭層結(jié)構(gòu)不限于此。例如，在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，迭層結(jié)構(gòu)可以包括第一公共層320、第一發(fā)光層331、第一cgl333、第二發(fā)光層335和第二公共層325。

當(dāng)?shù)诙矊?25不覆蓋第一cgl333時(shí)，第一cgl333會(huì)被暴露，并會(huì)直接接觸上電極340。在此情況下，第一cgl333和上電極340會(huì)短路(例如，彼此電接觸)。當(dāng)?shù)谝籧gl333和上電極340短路時(shí)，不會(huì)從發(fā)光區(qū)10發(fā)射具有白顏色的光。由于第二公共層325覆蓋第一cgl333，因此第二公共層325可以將第一cgl333與上電極340電絕緣。因此，第一cgl333和上電極340不會(huì)短路。因此，可以從發(fā)光區(qū)10發(fā)射具有白顏色的光。

etl326可以包括電子傳輸材料，例如，三(8-羥基喹啉)鋁(alq3)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-4-叔丁基苯基-1,3,4-噁二唑(pbd)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚-鋁(balq)、浴銅靈(bcp)、三唑(taz)、苯基喹唑啉或它們的組合。eil327可以包括電子注入材料，例如，lif、羥基喹啉鋰(liq)、li2o、bao、nacl、csf等。

上電極340可以設(shè)置在第二公共層325和輔助電源線370上。上電極340可以覆蓋第二公共層325。上電極340可以與輔助電源線370直接接觸。上電極340可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。

包封基底350可以設(shè)置在上電極340上。包封基底350和基底110可以包括相同的材料。例如，包封基底350可以包括石英、人造石英、氟化鈣、摻氟石英、鈉鈣玻璃、無(wú)堿玻璃等。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，包封基底350可以包括透明無(wú)機(jī)材料或柔性塑料。例如，包封基底350可以包括柔性透明樹(shù)脂。在此情況下，為了增加oled裝置100的柔性，包封基底350可以包括至少一個(gè)無(wú)機(jī)層和至少一個(gè)有機(jī)層交替地堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)。

濾色器380可以設(shè)置在包封基底350的下表面上，并可以與下電極290疊置。濾色器380可以包括紅色濾色器、綠色濾色器和/或藍(lán)色濾色器?？蛇x擇地，濾色器380可以包括黃色濾色器、青色濾色器和/或品紅色濾色器。濾色器380可以包括光敏樹(shù)脂(或彩色光致抗蝕劑)等。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的oled裝置100包括覆蓋第一cgl333的第二公共層325。由于第二公共層325覆蓋第一cgl333，因此第一cgl333和上電極340可以彼此電絕緣。因此，第一cgl333和上電極340不會(huì)短路，oled裝置100可以在發(fā)光區(qū)10中發(fā)射具有白顏色的光。另外，由于oled裝置100包括輔助電源線370，因此可以減少oled裝置100中產(chǎn)生的ir降(例如，電壓降)。因此，oled裝置100可以顯示具有均勻亮度的圖像。

圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12和圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造oled裝置的方法的剖視圖。

參照?qǐng)D3，基底510可以包括發(fā)光區(qū)10和外圍區(qū)20?；?10可以包括透明材料。例如，基底510可以包括石英、人造石英、氟化鈣、摻氟石英、鈉鈣玻璃、無(wú)堿玻璃等。可選擇地，基底510可以包括諸如柔性透明樹(shù)脂基底(例如，聚酰亞胺基底)的柔性透明材料。

可以在基底510上形成緩沖層?？梢栽谡麄€(gè)基底510上形成緩沖層。緩沖層可以防止金屬原子和/或雜質(zhì)從基底510擴(kuò)散到半導(dǎo)體元件中。另外，緩沖層可以在用于形成有源層的結(jié)晶工藝中控制熱傳遞的速率，以獲得均勻的有源層。另外，當(dāng)基底510的表面相對(duì)不規(guī)則(例如，臺(tái)階的、波紋的或其它不平坦的)時(shí)，緩沖層可以使基底510更加平坦?？梢愿鶕?jù)基底510的類型來(lái)在基底510上設(shè)置至少兩個(gè)緩沖層?？蛇x擇地，可以不在基底510上設(shè)置緩沖層。例如，可以使用有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料來(lái)形成緩沖層。

可以在基底510上的發(fā)光區(qū)10中形成有源層530。例如，可以使用氧化物半導(dǎo)體、無(wú)機(jī)半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等來(lái)形成有源層530。

可以在有源層530上形成柵極絕緣層550。柵極絕緣層550可以覆蓋基底510上的發(fā)光區(qū)10中的有源層530，并可以形成在整個(gè)基底510上。例如，柵極絕緣層550可以覆蓋有源層530。另外，柵極絕緣層550可以具有平的(例如，平坦的)表面，而沒(méi)有圍繞有源層530的臺(tái)階?？蛇x擇地，柵極絕緣層550可以覆蓋有源層530，并可以被設(shè)置為沿有源層530的輪廓具有均勻的厚度。柵極絕緣層550可以包括硅化合物、金屬氧化物等。例如，可以使用siox、sinx、sioxny、sioxcy、sicxny、alox、alnx、taox、hfox、zrox、tiox等來(lái)形成柵極絕緣層550。

可以在柵極絕緣層550上形成柵電極570?？梢栽谟性磳?30上形成柵電極570以使柵電極570與發(fā)光區(qū)10中的有源層530疊置?？梢允褂美缃饘?、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等的金屬材料來(lái)形成柵電極570。這些材料可以單獨(dú)使用或彼此組合使用。可選擇地，柵電極570可以以多層結(jié)構(gòu)來(lái)形成。

參照?qǐng)D4，可以在柵極絕緣層550和發(fā)光區(qū)10中的柵電極570上形成絕緣中間層590。絕緣中間層590可以覆蓋發(fā)光區(qū)10中的柵電極570，并可以形成在整個(gè)基底510上。例如，絕緣中間層590可以覆蓋柵電極570，并可以具有平的(例如，平坦的)表面，而沒(méi)有圍繞柵電極570的臺(tái)階?？蛇x擇地，絕緣中間層590可以覆蓋柵電極570，并可以被形成為沿柵電極570的輪廓具有基本上均勻的厚度?？梢允褂霉杌衔铩⒔饘傺趸锏葋?lái)形成絕緣中間層590。

可以在絕緣中間層590上的發(fā)光區(qū)10中形成源電極610和漏電極630。源電極610可以通過(guò)接觸孔與有源層530的第一側(cè)接觸?？梢酝ㄟ^(guò)去除柵極絕緣層550和絕緣中間層590的一部分來(lái)形成所述接觸孔。漏電極630可以通過(guò)接觸孔與有源層530的第二側(cè)接觸?？梢酝ㄟ^(guò)去除柵極絕緣層550和絕緣中間層590的一部分來(lái)形成所述接觸孔?？梢允褂美缃饘佟⒑辖?、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等的材料來(lái)形成源電極610和漏電極630中的每個(gè)。這些材料可以單獨(dú)使用或彼此組合使用。因此，可以在基底510上形成包括有源層530、柵極絕緣層550、柵電極570、絕緣中間層590、源電極610和漏電極630的半導(dǎo)體元件650。

可以在絕緣中間層590上的外圍區(qū)20中形成輔助電源線770。輔助電源線770可以與源電極610和漏電極630分隔開(kāi)?？梢允褂美缃饘?、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等的金屬材料來(lái)形成輔助電源線770。例如，輔助電源線770可以包括al、鋁合金、alnx、ag、銀合金、w、wnx、cu、銅合金、ni、cr、crnx、mo、鉬合金、ti、tinx、pt、ta、tanx、nd、sc、sro、znox、snox、inox、gaox、ito、izo等。這些材料可以單獨(dú)使用或彼此組合使用?？蛇x擇地，輔助電源線770可以具有多層結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，可以使用相同的材料來(lái)同時(shí)地形成源電極610、漏電極630和輔助電源線770。例如，可以在整個(gè)絕緣中間層590上形成初始金屬層。在形成初始金屬層之后，可以通過(guò)將初始金屬層圖案化來(lái)形成源電極610、漏電極630和輔助電源線770。

參照?qǐng)D5，可以在絕緣中間層590、源電極610、漏電極630和輔助電源線770的一部分上形成平坦化層670。平坦化層670可以覆蓋外圍區(qū)20中的輔助電源線770的兩個(gè)端部。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，平坦化層670可以具有暴露外圍區(qū)20中的輔助電源線770的一部分的第一開(kāi)口760。例如，平坦化層670可以被形成為相對(duì)厚，以覆蓋絕緣中間層590、源電極610和漏電極630。在此情況下，平坦化層670可以具有平的上表面。另外，還可以對(duì)平坦化層670執(zhí)行平坦化工藝以產(chǎn)生平坦化層670的平的(例如，平坦的)上表面。平坦化層670可以包括有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，可以使用有機(jī)材料來(lái)形成平坦化層670。例如，平坦化層670可以包括光致抗蝕劑、聚丙烯類樹(shù)脂、聚酰亞胺類樹(shù)脂、聚酰胺類樹(shù)脂、硅氧烷類樹(shù)脂、丙烯酸類樹(shù)脂、環(huán)氧類樹(shù)脂等。

參照?qǐng)D6，可以在平坦化層670上的發(fā)光區(qū)10中形成下電極690。下電極690可以與漏電極630接觸以填充通過(guò)去除平坦化層670的一部分形成的接觸孔。另外，下電極690可以電連接到半導(dǎo)體元件650。例如，可以使用例如金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等的金屬材料來(lái)形成下電極690。這些材料可以單獨(dú)使用或彼此組合使用?？蛇x擇地，下電極690可以具有多層結(jié)構(gòu)。

可以在下電極690的一部分和平坦化層670上形成像素限定層710，使得像素限定層710暴露輔助電源線770?？梢栽谕鈬鷧^(qū)20中形成輔助電源線770。像素限定層710可以覆蓋下電極690的兩個(gè)端部。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，像素限定層710可以具有暴露外圍區(qū)20中的輔助電源線770的一部分的第二開(kāi)口762和暴露發(fā)光區(qū)10中的下電極690的一部分的第三開(kāi)口764。第一開(kāi)口760和第二開(kāi)口762可以疊置。第二開(kāi)口762的尺寸可以大于第一開(kāi)口760的尺寸。像素限定層710可以包括有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，可以僅使用有機(jī)材料來(lái)形成像素限定層710。

參照?qǐng)D7，可以在整個(gè)基底510上順序地形成初始第一公共層820、初始第一發(fā)光層831、初始第一電荷產(chǎn)生層(cgl)833和初始第二發(fā)光層835。例如，可以在像素限定層710、下電極690和輔助電源線770上形成初始第一公共層820。可以在初始第一公共層820上形成初始第一發(fā)光層831。另外，可以在初始第一發(fā)光層131上形成初始第一cgl833。可以在初始第一cgl833上形成初始第二發(fā)光層835。在形成初始第一公共層820、初始第一發(fā)光層831、初始第一cgl833和初始第二發(fā)光層835之后，可以通過(guò)激光束對(duì)輔助電源線770上的第一寬度w1進(jìn)行照射，使得輔助電源線770的一部分被暴露。例如，激光束可以具有第一寬度w1。

參照?qǐng)D8，在使用具有第一寬度w1的激光束對(duì)輔助電源線770進(jìn)行照射之后，可以形成發(fā)光結(jié)構(gòu)730。發(fā)光結(jié)構(gòu)730可以包括第一公共層720、第一發(fā)光層731、第一cgl733和第二發(fā)光層735。

可以在像素限定層710和下電極690上形成第一公共層720。第一公共層720可以暴露輔助電源線770的一部分?？梢栽诘谝婚_(kāi)口760和第二開(kāi)口762的側(cè)壁上形成第一公共層720。第一公共層720可以包括hil和htl(參見(jiàn)圖2)。可以在平坦化層670上形成hil，可以在hil上形成htl。例如，可以使用空穴注入材料形成hil，可以使用空穴傳輸材料形成htl。

可以在第一公共層720上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)730，并可以使發(fā)光結(jié)構(gòu)730暴露輔助電源線770的一部分?？梢栽诘谝婚_(kāi)口760和第二開(kāi)口762的側(cè)壁中的第一公共層720上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)730。例如，在第一開(kāi)口760和第二開(kāi)口762的側(cè)壁中，可以在第一公共層720上形成第一發(fā)光層731。另外，可以在第一發(fā)光層731上形成第一cgl733?？梢栽诘谝籧gl733上形成第二發(fā)光層735。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，發(fā)光結(jié)構(gòu)730可以具有迭層結(jié)構(gòu)。

第一發(fā)光層731可以發(fā)射具有第一波長(zhǎng)的光和具有第二波長(zhǎng)的光。第一波長(zhǎng)和第二波長(zhǎng)可以彼此不同。這里，可以混合具有第一波長(zhǎng)的光和第二波長(zhǎng)的光，并可以產(chǎn)生具有黃顏色的光。例如，具有第一波長(zhǎng)的光可以是具有紅顏色的光，具有第二波長(zhǎng)的光可以是具有綠顏色的光?？蛇x擇地，具有第一波長(zhǎng)的光可以是具有綠顏色的光，具有第二波長(zhǎng)的光可以是具有紅顏色的光。

可以使用n型芳基胺類層和p型金屬氧化物層形成第一cgl733。第一cgl733可以包括芳基胺類有機(jī)化合物、金屬、金屬氧化物、金屬碳化物、金屬氟化物等。這些化合物和/或材料可以單獨(dú)使用或彼此組合使用。

第二發(fā)光層735可以發(fā)射第三波長(zhǎng)的光，例如，與具有第一波長(zhǎng)的光和具有第二波長(zhǎng)的光不同的光。這里，第三波長(zhǎng)的光可以是具有藍(lán)顏色的光?？梢曰旌蠌牡谝话l(fā)光層731發(fā)射的具有第一波長(zhǎng)的光和具有第二波長(zhǎng)的光以及從第二發(fā)光層735發(fā)射的具有第三波長(zhǎng)的光。因此，由混合具有第一波長(zhǎng)的光、具有第二波長(zhǎng)的光和具有第三波長(zhǎng)的光所得的光可以是具有白顏色的光?？蛇x擇地，可以使用黃-綠磷光材料來(lái)形成第一發(fā)光層731，可以使用藍(lán)熒光材料來(lái)形成第二發(fā)光層735。在此情況下，可以通過(guò)使用藍(lán)熒光材料來(lái)使第二發(fā)光層735產(chǎn)生具有藍(lán)顏色的光，并可以通過(guò)使用黃-綠磷光材料來(lái)使第一發(fā)光層731產(chǎn)生黃-綠顏色的光。可以通過(guò)混合藍(lán)顏色的光和黃-綠顏色的光來(lái)產(chǎn)生具有白顏色的光。

參照?qǐng)D9，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)730和輔助電源線770上形成初始第二公共層825。在形成初始第二公共層825之后，可以通過(guò)具有第二寬度w2的激光束照射輔助電源線770，使得輔助電源線770的一部分被暴露。第二寬度w2可以小于第一寬度w1。因此，可以通過(guò)激光束去除初始第二公共層825的位于輔助電源線770上的那部分。然而，不使用激光束照射初始第二公共層825的位于第一開(kāi)口760和第二開(kāi)口762的側(cè)壁上的部分。

參照?qǐng)D10，在具有第二寬度w2的激光束已經(jīng)對(duì)初始第二公共層825進(jìn)行了照射之后，可以形成第二公共層725。第二公共層725可以形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)730上。第二公共層725可以覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)730，第二公共層725可以暴露輔助電源線770的一部分。第二公共層725可以形成在第一開(kāi)口760和第二開(kāi)口762的側(cè)壁中的發(fā)光結(jié)構(gòu)730上。第二公共層725可以包括etl和eil。例如，在第一開(kāi)口760和第二開(kāi)口762的側(cè)壁中，可以在第二發(fā)光層735上形成etl，可以在etl上形成eil。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第二公共層725可以覆蓋第一cgl733，使得第一cgl733在第一開(kāi)口760和第二開(kāi)口762的側(cè)壁中不被暴露。例如，在第一開(kāi)口760和第二開(kāi)口762的側(cè)壁中，第二公共層725可覆蓋第一公共層720的末端部分、第一發(fā)光層731的末端部分、第一cgl733的末端部分和第二發(fā)光層735的末端部分。在這種情況下，第一公共層720的末端部分、第一發(fā)光層731的末端部分、第一cgl733的末端部分和第二發(fā)光層735的末端部分可以分別是面對(duì)輔助電源線770的端部。另外，第二公共層725可以與輔助電源線770的上表面的一部分接觸。

可以使用電子傳輸材料來(lái)形成etl。另外，可以使用電子注入材料來(lái)形成eil。

參照?qǐng)D11，可以在第二公共層725和輔助電源線770上形成上電極740。上電極740可以覆蓋第二公共層725。另外，上電極740可以與輔助電源線770直接接觸?？梢允褂媒饘?、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等來(lái)形成上電極740。

參照?qǐng)D12，可以在上電極740上形成包封基底750?？梢允褂孟嗤牟牧蟻?lái)形成包封基底750和基底510。例如，可以使用石英、人造石英、氟化鈣、摻氟石英、鈉鈣玻璃、無(wú)堿玻璃等來(lái)形成包封基底750。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，包封基底750可以包括透明無(wú)機(jī)材料或柔性塑料。例如，包封基底750可以包括柔性透明樹(shù)脂。

可以在包封基底750的下表面上形成濾色器780，并可以使濾色器780與下電極690疊置。濾色器780可以包括紅色濾色器、綠色濾色器和/或藍(lán)色濾色器?？蛇x擇地，濾色器780可以包括黃色濾色器、青色濾色器和/或品紅色濾色器?？梢允褂霉饷魳?shù)脂(或彩色光致抗蝕劑)等來(lái)形成濾色器780。

參照?qǐng)D13，可以將包封基底750和基底510組合(例如，將包封基底750和基底510密封在一起)。例如，將包封基底750和基底510組合的步驟可以包括將包封基底750和基底510固定在一起。因此，可以制造圖1中示出的oled裝置100。由于第二公共層725覆蓋第一cgl733，因此第一cgl733和上電極740可以電絕緣。因此，第一cgl733和上電極740不會(huì)短路(例如，彼此電連接)，oled裝置100可以在發(fā)光區(qū)10中發(fā)射白顏色的光。

圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的oled裝置的剖視圖。除了發(fā)光結(jié)構(gòu)1330之外，圖14中示出的oled裝置可以具有與參照?qǐng)D1和圖2描述的oled裝置100的構(gòu)造基本上相同或相似的構(gòu)造。在圖14中，為了簡(jiǎn)潔起見(jiàn)可以省略先前參照?qǐng)D1和圖2描述的元件的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D14，oled裝置可以包括基底110、半導(dǎo)體元件250、輔助電源線370、平坦化層270、下電極290、像素限定層310、第一公共層320、發(fā)光結(jié)構(gòu)1330、第二公共層325、上電極340、濾色器380、包封基底350等。半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、絕緣中間層190、源電極210和漏電極230。發(fā)光結(jié)構(gòu)1330可以包括第一發(fā)光層331、第一cgl333、第二發(fā)光層335、第二cgl337和第三發(fā)光層339。如圖2中所示，第一公共層320可以包括hil321和htl322。另外，第二公共層325可以包括etl326和eil327。

發(fā)光結(jié)構(gòu)1330可以設(shè)置在第一公共層320上，并可以暴露輔助電源線370的一部分。發(fā)光結(jié)構(gòu)1330可以設(shè)置在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中的第一公共層320上。例如，在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中，第一發(fā)光層331可以設(shè)置在第一公共層320上，第一cgl333可以設(shè)置在第一發(fā)光層331上。另外，在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中，第二發(fā)光層335可以設(shè)置在第一cgl333上，第二cgl337可以設(shè)置在第二發(fā)光層335上。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，發(fā)光結(jié)構(gòu)1330可以具有迭層結(jié)構(gòu)。例如，第一發(fā)光層331可以包括可發(fā)射具有紅顏色的光的發(fā)光層，第二發(fā)光層335可以包括可發(fā)射具有綠顏色的光的發(fā)光層。另外，第三發(fā)光層339可以包括可發(fā)射具有藍(lán)顏色的光的發(fā)光層。第一cgl333可以置于可發(fā)射具有紅顏色的光的發(fā)光層與可發(fā)射具有綠顏色的光的發(fā)光層之間。第二cgl337可以置于可發(fā)射具有綠顏色的光的發(fā)光層與可發(fā)射具有藍(lán)顏色的光的發(fā)光層之間。可以通過(guò)混合上面提到的具有紅顏色、藍(lán)顏色和綠顏色的光來(lái)產(chǎn)生具有白顏色的光。第一發(fā)光層331可以包括可發(fā)射具有紅顏色的光的發(fā)光材料。第二發(fā)光層335可以包括可發(fā)射具有綠顏色的光的發(fā)光材料。另外，第三發(fā)光層339可以包括可發(fā)射具有藍(lán)顏色的光的發(fā)光材料。可選擇地，第一發(fā)光層331可以包括黃磷光材料，第二發(fā)光層335可以包括藍(lán)熒光材料。另外，第三發(fā)光層339可以包括藍(lán)熒光材料?？梢酝ㄟ^(guò)混合從黃磷光材料和藍(lán)熒光材料發(fā)射的光來(lái)產(chǎn)生具有白顏色的光。

第二公共層325可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)1330上。另外，第二公共層325可以覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)1330，并可以暴露輔助電源線370的一部分。第二公共層325可以設(shè)置在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中的發(fā)光結(jié)構(gòu)1330上。如上所述，第二公共層325可以包括etl326和eil327。例如，在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中，etl326可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)1330上(例如，在第三發(fā)光層339上)，eil327可以設(shè)置在etl326上。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第二公共層325可以覆蓋第一cgl333和第二cgl337，使得第一cgl333和第二cgl337在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中不被暴露。例如，在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中的每個(gè)的側(cè)壁中，第二公共層325可以覆蓋第一公共層320的末端部分、第一發(fā)光層331的末端部分、第一cgl333的末端部分、第二發(fā)光層335的末端部分、第二cgl337的末端部分以及第三發(fā)光層339的末端部分。在這種情況下，第一公共層320的末端部分、第一發(fā)光層331的末端部分、第一cgl333的末端部分、第二發(fā)光層335的末端部分、第二cgl337的末端部分和第三發(fā)光層339的末端部分分別可以是面對(duì)輔助電源線370的端部。另外，在第一開(kāi)口360和第二開(kāi)口362中，第二公共層325可以與輔助電源線370的上表面的一部分接觸。

圖15是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的oled裝置的剖視圖。圖16是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖15的下電極的剖視圖。除了導(dǎo)電圖案390之外，圖15中示出的oled裝置可以具有與參照?qǐng)D1和圖2描述的oled裝置100的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。在圖15和圖16中，為了簡(jiǎn)潔起見(jiàn)可以省略先前參照?qǐng)D1和圖2描述的元件的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D15和圖16，oled裝置可以包括基底110、半導(dǎo)體元件250、輔助電源線370、平坦化層270、下電極290、導(dǎo)電圖案390、像素限定層310、第一公共層320、發(fā)光結(jié)構(gòu)330、第二公共層325、上電極340、濾色器380、包封基底350等。半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、絕緣中間層190、源電極210和漏電極230。發(fā)光結(jié)構(gòu)330可以包括第一發(fā)光層331、第一cgl333和第二發(fā)光層335。如圖2中所示，第一公共層320可以包括hil321和htl322。另外，第二公共層325可以包括etl326和eil327。如圖16中所示，下電極290可以包括第一透明電極層291、反射電極層292和第二透明電極層293。

下電極290可以設(shè)置在平坦化層270上的發(fā)光區(qū)10中。

oled裝置可以在發(fā)光區(qū)10中沿朝向包封基底350的方向顯示圖像(例如，頂發(fā)射結(jié)構(gòu))。因此，下電極290可以包括光反射層。例如，如圖16中所示，下電極290可以具有多層結(jié)構(gòu)。下電極290的多層結(jié)構(gòu)可以包括第一透明電極層291、反射電極層292和第二透明電極層293。第一透明電極層291可以設(shè)置在平坦化層270上的發(fā)光區(qū)10中，反射電極層292和第二透明電極層293可以順序地設(shè)置在第一透明電極層291上。第一透明電極層291和第二透明電極層293可以具有第一厚度，反射電極層292可以具有第二厚度。反射電極層292的第二厚度可大于第一透明電極層291的第一厚度。第一透明電極層291和第二透明電極層293可以包括相同的材料。反射電極層292可以置于第一透明電極層291與第二透明電極層293之間。

第一透明電極層291可以覆蓋平坦化層270的不平坦的上表面。由于第一透明電極層291設(shè)置在平坦化層270上，因此第一透明電極層291可以用來(lái)形成反射電極層292。由于第二透明電極層293設(shè)置在反射電極層292上，因此可以根據(jù)需要來(lái)控制oled裝置的色坐標(biāo)。反射電極層292可以反射光。例如，反射電極層292可以使從第一發(fā)光層330發(fā)射的光朝向oled裝置的前方反射。因此，包括反射電極層292的下電極290可以基本是不透明的。例如，反射電極層292可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物等。第一透明電極層291和第二透明電極層293中的每個(gè)可以是基本透明的。第一透明電極層291和第二透明電極層293中的每個(gè)可以包括透明導(dǎo)電材料等。

導(dǎo)電圖案390可以置于輔助電源線370與上電極340之間。導(dǎo)電圖案390可以增加上電極340和輔助電源線370的接觸特性。

可以使用相同的材料同時(shí)形成導(dǎo)電圖案390和下電極290。例如，導(dǎo)電圖案390可以具有多層結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明可以應(yīng)用于包括有機(jī)發(fā)光顯示裝置的各種顯示裝置。例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于車輛顯示裝置、船舶顯示裝置、飛行器顯示裝置、便攜式通信裝置、顯示信息傳遞的用于顯示器的顯示裝置、醫(yī)療顯示裝置等。

雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將清楚的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此可以在形式上和細(xì)節(jié)上做出各種改變。