本發(fā)明是關(guān)于主動固態(tài)元件。

背景技術(shù)：

近年來，發(fā)光二極管廣泛地用于一般與商業(yè)上的照明應(yīng)用。作為光源，發(fā)光二極管具有許多優(yōu)點，包含低的能量損耗、長的壽命、小的尺寸以及快的開關(guān)速度，因此傳統(tǒng)的照明，例如白熾燈，逐漸地被發(fā)光二極管取代。

在發(fā)光二極管剛形成的時候，部分的發(fā)光二極管可能是有瑕疵的。當發(fā)光二極管分別轉(zhuǎn)移至接收基板的各個像素中時，有瑕疵的發(fā)光二極管占據(jù)了對應(yīng)的像素，卻難以提供發(fā)光性能。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種當微型裝置分別被轉(zhuǎn)移至接收基板的像素時，有瑕疵的微型裝置不會被轉(zhuǎn)移至接收基板且也不會占據(jù)接收基板的對應(yīng)像素空間的方法。

根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式，提供一種用于轉(zhuǎn)移多個微型裝置的制備方法。該方法包含將微型裝置暫時地黏貼至承載基板上；測試承載基板上的微型裝置，以決定微型裝置中是否有至少一個第一損毀微型裝置；以及從承載基板上移除第一損毀微型裝置。

根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式，一種用于轉(zhuǎn)移的中間結(jié)構(gòu)包含承載基板、多個經(jīng)測試的半導體裝置以及至少一個暫時性貼合層。多個經(jīng)測試的半導體裝置，設(shè)置于承載基板上，其中經(jīng)測試的半導體裝置通過至少一個道測試，且承載基板上沒有未通過測試的損毀半導體裝置。暫時性貼合層設(shè)置于經(jīng)測試的半導體裝置以及承載基板之間。

根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式，提供一種用以處理半導體裝置陣列的方法。該方法包含將半導體裝置陣列設(shè)置于接收基板上，其中半導體裝置陣列具有至少一個故障部分；以及修理半導體裝置陣列內(nèi)的故障部分，其中該修理包含下面兩者的至少一者：當故障部分包含至少一個空缺時以至少一個補丁半導體裝置修補半導體裝置陣列內(nèi)的空缺，以及當故障部分包含至少一個損毀半導體裝置時以至少一個修復半導體裝置修復半導體裝置陣列內(nèi)的損毀半導體裝置。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其具有當微型裝置分別被轉(zhuǎn)移至接收基板的像素時，有瑕疵的微型裝置不會被轉(zhuǎn)移至接收基板且也不會占據(jù)接收基板的對應(yīng)像素的空間的有益效果。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的用以轉(zhuǎn)移多個微型裝置至接收基板的制備方法的流程圖。

圖2a至圖2n為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的用以轉(zhuǎn)移多個微型裝置至接收基板的制備方法的剖面圖。

圖3為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的接收基板的俯視圖。

具體實施方式

以下將以附圖公開本發(fā)明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務(wù)上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。此外，為簡化附圖起見，一些公知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡單示意的方式為。

在此使用的“微型”裝置或“微型”發(fā)光二極管(light-emittingdiode；led)等用詞，指的是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的某些元件或結(jié)構(gòu)的描述性尺寸。在此使用的“微型”裝置或“微型”發(fā)光二極管指的是尺度的范圍為約1微米至5毫米。然而，應(yīng)當理解的是，本發(fā)明并未以此為限，且這些實施方式的某些范疇可應(yīng)用至更大或更小的尺度。

能理解到，當一個元件是位于另一個元件“上”，它可以是直接位于另一個元件上或者有中間元件位于兩者之間。相對地，當一個元件是“直接”位于另一個元件“上”，沒有中間元件設(shè)置于兩者之間。

圖1為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的用以轉(zhuǎn)移多個微型裝置至接收基板的方法100的流程圖。圖2a至圖2n為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的用以轉(zhuǎn)移多個微型裝置200至接收基板700的方法的剖面圖。能理解到，額外的步驟可能在方法100之前、之中或之后實行，且在方法100的其他實施方式中，部分提到的步驟可以被替換或取消。

同時參照圖1以及圖2a，方法100起始于步驟102，將微型裝置200暫時性地黏貼至承載基板310上。微型裝置200可通過磊晶成長與蝕刻多個半導體層而形成。換句話說，微型裝置200可包含半導體裝置，例如微型發(fā)光二極管。

在部分實施方式中，暫時性貼合層320可先設(shè)置于承載基板310上。半導體層堆疊以及導體層220黏貼至暫時性貼合層320，其中導體層220與暫時性貼合層320接觸。半導體層被圖案化，而導體層220并未被圖案化。經(jīng)圖案化的半導體層形成貼于導體層220的微型裝置200。在部分實施方式中，微型裝置200陣列排列于承載基板310上，且相鄰的微型裝置200具有裝置間距p1。

本發(fā)明的部分實施方式中，暫時性貼合層320將微型裝置200以及導體層220的組合黏貼至承載基板310上。暫時性貼合層320可以是可分解膠，例如熱解膠(thrmalreleaseadhesive)或紫外線解膠(ultraviolet-releaseadhesive)。換句話說，暫時性貼合層320適用于通過各種機制，例如熱、紫外線照或其組合而解膠。經(jīng)解膠的暫時性貼合層對導體層220以及承載基板310提供非常小的黏著力。

同時參照圖1以及圖2b，方法100來到步驟104，測試承載基板310上的微型裝置200，以決定微型裝置200中是否有至少一個第一損毀微型裝置200a。在測試微型裝置200的各種方法的至少一種中，通過測試工具410驅(qū)動微型裝置200工作，且使用光偵測器420以決定微型裝置200是否被點亮。

在此，測試工具410可包含透明基板412、透明導電層416以及透明光阻層414，透明光阻層414設(shè)置于透明基板412以及透明導電層416之間。測試工具410的透明導電層416用于接觸微型裝置200。具體而言，測試工具410可接觸微型裝置200的上表面。透明光阻層414的設(shè)置是可選擇的，且在部分實施方式中可以省略透明光阻層414的設(shè)置。經(jīng)過此設(shè)置，微型裝置200的上表面被提供第一電位。同時，導體層220被提供第二電位，第二電位不同于第一電位。透過測試工具410的透明導電層416，可以形成電位差，且第一電位與第二電位之間的電位差驅(qū)動微型裝置200工作。

光偵測器420，例如高分辨率數(shù)碼相機，可以感測微型裝置200的發(fā)光性能。如果微型裝置200沒有展現(xiàn)發(fā)光性能或展現(xiàn)不規(guī)則的發(fā)光性能，微型裝置200可能是有瑕疵的，且標記作為第一損毀微型裝置200a(以十字點狀圖樣表示)。更甚者，在部分實施方式中，采用分析儀以分析微型裝置200的i-v(電流-電壓)曲線或漏電流。如果微型裝置200展現(xiàn)不規(guī)則的i-v曲線或者不正常的漏電流，微型裝置200可能是有瑕疵的，且標記作為第一損毀微型裝置200a。

在部分實施方式中，為了讓來自微型裝置200的光線能經(jīng)由測試工具410傳送至光偵測器420，測試工具410的導電層416可以由透明導電材料所形成，例如氧化銦錫(indiumtinoxide)。導電層416可以或可以不被圖案化?；蛘撸瑴y試工具410的導電層416可以是納米銀線，其寬度在大約10納米至大約20納米之間，而使大部分來自微型裝置200的光線不被納米銀線所遮蔽。此外，透明基板412可以由不會阻擋光線穿透的玻璃或壓克力所組成。

在部分實施方式中，大部分的微型裝置200被同時啟動，但不應(yīng)以此限制本發(fā)明的多個實施方式。在部份其他實施方式中，測試工具410每次可以接觸微型裝置200中的一個。舉例而言，測試工具410可包含至少一個探針，以每次接觸微型裝置200中的至少一個，且依序測試多個微型裝置200。

在此詳細說明用于偵測微型裝置200的方法，可了解到，可能有其他適當?shù)姆椒ㄒ材苡糜趥蓽y微型裝置200。在其他實施方式中，可能通過測試微型裝置200的光激發(fā)螢光(photo-luminescence；pl)而決定第一損毀微型裝置200a，此時可不通過啟動微型裝置200。在此，可以用紫外線(例如紫外線激光)照射或掃描微型裝置200，而使微型裝置200吸收紫外線且發(fā)出螢光。配備有彩色濾光片的光偵測器420可以偵測螢光。舉例而言，對于紅光微型發(fā)光二極管，光偵測器420配備有紅色濾光片以偵測螢光。如果微型裝置200沒有展現(xiàn)光激發(fā)螢光或展現(xiàn)不規(guī)則的光激發(fā)螢光，微型裝置200可能是有瑕疵的，且標記作為第一損毀微型裝置200a。

同時參照圖1與圖2c，在測試之后，導體層220(展現(xiàn)于圖2b)可經(jīng)由圖案化形成多個導體墊220a，導體墊220a分別貼于微型裝置200的底部。以下，每個微型裝置200包含導體墊220a之一。在部分其他的實施方式中，在前述的測試(例如光激發(fā)螢光測試)不用啟動微型裝置200時，導體層220可在測試之前圖案化。

參照圖1以及圖2d，方法100來到步驟106，從承載基板310上移除第一損毀微型裝置200a。在部分實施方式中，步驟106的移除可包含使第一損毀微型裝置200a從承載基板310上脫黏且從承載基板310上移除第一損毀微型裝置200a，同時使其他微型裝置200黏貼于該承載基板310。

在此，位于第一損毀微型裝置200a下方的暫時性貼合層320的部分322被局部解膠，例如被局部加熱或局部紫外線曝光，且位于正常的微型裝置200下方的暫時性貼合層320的部分324沒有被解膠。經(jīng)解膠的部分322以密的點狀圖樣表示，而部分324以疏的點狀圖樣表示。如此一來，第一損毀微型裝置200a先從承載基板310上脫黏，而正常的微型裝置200仍黏貼至承載基板310。

在暫時性貼合層320被局部解膠之后，轉(zhuǎn)移頭500將均勻的吸力施加于全部的微型裝置200上，其中包含第一損毀微型裝置200a。暫時性貼合層320的經(jīng)解膠的部分322對第一損毀微型裝置200a提供非常小的黏著力。轉(zhuǎn)移頭500的吸力大于經(jīng)解膠的部分322與第一損毀微型裝置200a之間的黏著力，如此一來，轉(zhuǎn)移頭500吸取第一損毀微型裝置200a，且在微型裝置200中留下至少一個空缺v1。此外，暫時性貼合層320的部分324以及正常的微型裝置200之間的黏著力維持不變，且大于微型裝置200與轉(zhuǎn)移頭500之間的吸力。據(jù)此，正常的微型裝置200停留在承載基板310上，而第一損毀微型裝置200a被吸走。

轉(zhuǎn)移頭500包含至少一個靜電吸頭，例如但不限于，使用相反電荷之間的吸引力而吸取第一損毀微型裝置200a。轉(zhuǎn)移頭500包含本體510、多個吸取單元520以及連接電路(未繪示)。本體510具有工作表面512，以供吸取單元520排列。在部分實施方式中，連接電路可包含多個連接線，其很薄而未繪示于圖2d中。連接電路設(shè)置于工作表面512上且連接至所有吸取單元520，以同時啟動吸取單元520。連接電路(未繪示)的高度低于吸取單元520的高度，因此不會實質(zhì)性地妨礙吸取單元520接近第一損毀微型裝置200a。

在部分實施方式中，轉(zhuǎn)移頭500可以使用黏性吸頭或靜電吸頭與黏性吸頭的組合，而不僅采用靜電吸頭。舉例而言，以黏性突起物提供轉(zhuǎn)移頭500以及微型裝置200之間的黏著力。設(shè)計此轉(zhuǎn)移頭500以及微型裝置200之間的黏著力大于暫時性貼合層320的經(jīng)解膠的部分322以及第一損毀微型裝置200a之間的黏著力，如此一來，通過此轉(zhuǎn)移頭500與微型裝置200之間的黏著力，轉(zhuǎn)移頭500可以吸走第一損毀微型裝置200a。再于其他部分實施方式中，吸取單元520可以以真空吸頭或機械吸頭的原理工作，或者，吸取單元520可以是任何能用于吸取第一損毀微型裝置200a的元件。

在本實施方式中，轉(zhuǎn)移頭500施加均勻的吸力于全部的微型裝置200上，且第一損毀微型裝置200a一次性地從承載基板310上脫黏且經(jīng)轉(zhuǎn)移頭500而被移除。在部分其他實施方式中，微型裝置200可以是成群的，且轉(zhuǎn)移頭500依序施加均勻的吸力于多個群組的微型裝置200上，且多個群組的第一損毀微型裝置200a依序地從承載基板310上脫黏且經(jīng)轉(zhuǎn)移頭500而被移除。舉例而言，多個第一損毀微型裝置200a中的一個先從承載基板310上脫黏且經(jīng)轉(zhuǎn)移頭500而被移除，其后，多個第一損毀微型裝置200a中的另一個從承載基板310上脫黏且經(jīng)轉(zhuǎn)移頭500而被移除。

轉(zhuǎn)移頭500以及經(jīng)局部解膠的暫時性貼合層320的使用不應(yīng)限制第一損毀微型裝置200a的可確定位置的移除方式。參照圖2e，不同于圖2d的操作，步驟106的移除可包含使微型裝置200從承載基板310上脫黏以及從承載基板310上可確定位置地移除第一損毀微型裝置200a。在此，以密的點狀圖案標記，暫時性貼合層320實質(zhì)上被整個解膠，例如被均勻地加熱或紫外線曝光，且使用可確定位置轉(zhuǎn)移頭600可確定位置地吸取第一損毀微型裝置200a。

可確定位置轉(zhuǎn)移頭600包含本體610、多個吸取單元620以及可確定位置周邊驅(qū)動電路630。本體610具有工作表面612，工作表面612具有吸取區(qū)域612a以及至少一個電路區(qū)域612b，電路區(qū)域612b設(shè)置于吸取區(qū)域612a的至少一側(cè)。吸取單元620排列于吸取區(qū)域612a中?？纱_定位置周邊驅(qū)動電路630至少設(shè)置于電路區(qū)域612b中。

在部分實施方式中，可確定位置轉(zhuǎn)移頭600可使用靜電吸頭。如同非可確定位置轉(zhuǎn)移頭500的吸取單元520(參見圖2d)，吸取單元620可以是靜電吸頭，例如但不限于，使用相反電荷之間的吸引力而吸取第一損毀微型裝置200a。在部分其他實施方式中，吸取單元620可以以真空吸頭、黏性吸頭或機械吸頭的原理工作，或者，吸取單元620可以是任何能用于吸取第一損毀微型裝置200a的元件。

可確定位置周邊驅(qū)動電路630可包含至少一個集成電路以及導線(未繪示)，集成電路設(shè)置于電路區(qū)域612b，導線(未繪示)設(shè)置于吸取區(qū)域612a以及電路區(qū)域612b兩個區(qū)域中，以電性連接集成電路與吸取單元620。通過此設(shè)置，可確定位置周邊驅(qū)動電路630能夠可確定位置地啟動吸取單元620。

如同圖2e所示，在部分實施方式中，吸取區(qū)域612a配置大于或等于承載基板310的承受表面312，且因此，吸取單元620能夠接近第一損毀微型裝置200a。

在圖2d與圖2e的實施方式中，非可確定位置轉(zhuǎn)移頭500的相鄰的吸取單元520或可確定位置轉(zhuǎn)移頭600的相鄰的吸取單元620具有間距pu1。雖然間距pu1實質(zhì)上與間距p1相同，但不應(yīng)以此限制本發(fā)明的各種實施方式，在部分其他實施方式中，間距pu1可以是間距p1的整數(shù)倍，例如n倍的間距p1，其中n為整數(shù)。在更進一步的實施方式中，非可確定位置轉(zhuǎn)移頭500或可確定位置轉(zhuǎn)移頭600可以先移除一部分的第一損毀微型裝置200a，之后再以同樣的非可確定位置轉(zhuǎn)移頭500或可確定位置轉(zhuǎn)移頭600移除另一部分的第一損毀微型裝置200a。在部分實施方式中，可以將第一損毀微型裝置200a分成n個群組，而此移除第一損毀微型裝置200a的步驟可以重復n次。

參考圖2f，在移除步驟之后，可以得到用于轉(zhuǎn)移的中間結(jié)構(gòu)s1。中間結(jié)構(gòu)s1包含承載基板310，多個經(jīng)測試的微型裝置200以及至少一個暫時性貼合層320。經(jīng)測試的微型裝置200位于暫時性貼合層320上，其中經(jīng)測試的微型裝置200通過至少一道測試，且承載基板310上沒有未通過測試的損毀微型裝置200。在部分實施方式中，經(jīng)測試的微型裝置200以一陣列排列，且該陣列具有至少一個空缺v1。暫時性貼合層320可將經(jīng)測試的微型裝置200黏貼至該承載基板310?；蛘?，在部分實施方式中，暫時性貼合層320可以被完全解膠。

參考圖1以及圖2g至圖2j。方法100來到步驟108，在移除步驟后，將剩余的微型裝置200從承載基板310上轉(zhuǎn)移至接收基板700。此轉(zhuǎn)移步驟可以通過至少一個非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800而進行，非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800適用于非可確定位置地吸取剩余的微型裝置200。在部分實施方式中，可以進行一脫黏程序以局部地使暫時性貼合層320解膠，如此一來，非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800能夠吸取剩余的微型裝置200。

非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800可以使用靜電吸頭、黏性吸頭或其組合。在部分實施方式中，非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800的結(jié)構(gòu)與非可確定位置轉(zhuǎn)移頭500(參見圖2d)相似。如同非可確定位置轉(zhuǎn)移頭500(參見圖2d)的配置，非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800包含本體810、多個吸取單元820以及連接電路(未繪示)。連接電路(未繪示)電性連接所有吸取單元820以同時啟動吸取單元820。

在部分實施方式中，接收基板700具有像素陣列，對應(yīng)微型裝置200的陣列。同時參考圖2g、圖2h以及圖3。圖3為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的接收基板700的俯視圖。在部分實施方式中，接收基板700可承載像素區(qū)域pa以及至少一個非像素區(qū)域na，非像素區(qū)域na設(shè)置于像素區(qū)域pa的至少一側(cè)。像素區(qū)域pa包含由多個次像素sp以矩陣排列所構(gòu)成的陣列。相鄰的次像素sp具有間距p2。非像素區(qū)域na包含至少一個數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路720以及至少一個掃描線驅(qū)動電路730。數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路720以及掃描線驅(qū)動電路730電性連接每個次像素sp。

如同圖3所示，在部分實施方式中，每個次像素sp包含多個相連的電極710a、710b以及710c。當微型裝置200的陣列設(shè)置于接收基板700上時，微型裝置200分別位于次像素sp上，且每個微型裝置200連接至每個次像素sp的一個電極710a、710b以及710c。

再回到圖2g至圖2j。如同圖2g所示，微型裝置200分成多個群組，舉例而言，群組a1、群組a2以及群組a3。群組a1至a3的微型裝置200具有實質(zhì)相同的間距，且此間距與非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800的吸取單元820的間距pu2實質(zhì)相同。因此，在轉(zhuǎn)移過程中，非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800可依序地將部分的群組a1至a3轉(zhuǎn)移至接收基板700(參見圖2h)。

詳細而言，如同圖2g以及圖2h所示，非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800吸取群組a1的微型裝置200且將其放置于接收基板700上。在此，位于群組a1的微型裝置200下方的暫時性貼合層320被解膠而標記為經(jīng)解膠的部分326，而位于群組a2與a3的微型裝置200下方的暫時性貼合層320未被解膠而標記為未經(jīng)解膠的部分324。經(jīng)由此設(shè)置，暫時性貼合層320的部分324維持群組a2與a3的微型裝置200黏貼于承載基板310，而非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800能吸取且轉(zhuǎn)移群組a1的微型裝置200。

參考圖2i以及圖2j，非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800吸取群組a2的微型裝置200，且將群組a2的微型裝置200轉(zhuǎn)移至接收基板700，同時，群組a1的微型裝置200已預(yù)先放置于接收基板700上。在此，位于群組a2的微型裝置200下方的暫時性貼合層320標記為經(jīng)解膠的部分326。經(jīng)由這些步驟，群組a2的微型裝置200將被轉(zhuǎn)移至接收基板700上。在本本發(fā)明的部分實施方式中，由于第一損毀微型裝置200a已經(jīng)被移除，接收基板700上可能會有至少一個空缺v2存在于微型裝置200的陣列中。

雖然群組a1的微型裝置200以及群組a2的微型裝置200是交互排列的，但不應(yīng)以此限制本發(fā)明的各種實施方式。在部分其他的實施方式中，在接收基板700上的群組a1的微型裝置200以及群組a2的微型裝置200可以有不同的排列。

如同圖2g所示，非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800的相鄰的吸取單元820具有間距pu2，且間距pu2是間距p1的整數(shù)倍。通過此設(shè)置，非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800能夠在不同時間點吸取承載基板310上群組a1的微型裝置200以及群組a2的微型裝置200。另一方面，如同圖2j所示，接收基板700上相鄰的微型裝置200具有間距p2，即為次像素sp的間距p2(參考圖3)，且間距pu2是間距p2的整數(shù)倍。換句話說，同時參考圖2g以及第2j圖，間距pu2配置為間距p1以及間距p2的公倍數(shù)。

在部分實施方式中，微型裝置200是有不同型態(tài)的，例如紅光微型發(fā)光二極管、綠光微型發(fā)光二極管以及藍光微型發(fā)光二極管。在不同承載基板上的微型裝置200可以具有相同的間距p1。當不同型態(tài)的微型裝置200從不同承載基板被轉(zhuǎn)移至同一接收基板700時，吸取單元820的間距pu2配置為間距p1、間距p2以及微型裝置200的型態(tài)數(shù)量的公倍數(shù)。

參照圖2h，在部分實施方式中，非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800具有工作表面812以供吸取單元820排列。在此，工作表面812小于接收基板700的承受表面702。工作表面812可大于或等于接收基板700的像素區(qū)域pa(參考圖3)。在部分其他實施方式中，工作表面812可以大于或等于接收基板700的承受表面702。

參考圖2k，在部分實施方式中，此轉(zhuǎn)移步驟可以通過至少一個轉(zhuǎn)移頭900而進行，而非圖2g至圖2j所示的非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800，轉(zhuǎn)移頭900適用于可確定位置地吸取剩余的微型裝置200的至少一個。同時參考圖2f以及圖2k，此轉(zhuǎn)移步驟包含將承載基板310上剩余的至少一個群組的微型裝置200可確定位置地轉(zhuǎn)移至接收基板700，且將承載基板310上剩余的至少一個另一群組的微型裝置200可確定位置地轉(zhuǎn)移至接收基板700。圖2k展示了轉(zhuǎn)移過程的初始步驟，其中從承載基板310上吸取群組a1的微型裝置200，而群組a2以及群組a3的微型裝置200仍留在承載基板310上。

在部分實施方式中，由于轉(zhuǎn)移頭900能夠可確定位置地吸取剩余的微型裝置200，中間結(jié)構(gòu)s1的暫時性貼合層320(參考圖2f)整體可以大致上被解膠，舉例而言，被均勻地加熱或紫外線曝光。

在部分實施方式中，轉(zhuǎn)移頭900可以具有與可確定位置轉(zhuǎn)移頭600(參見圖2e)相似的結(jié)構(gòu)。可確定位置轉(zhuǎn)移頭900包含本體910、多個吸取單元920以及可確定位置周邊驅(qū)動電路930。本體910具有工作表面912，工作表面912具有吸取區(qū)域912a以及至少一個電路區(qū)域912b，電路區(qū)域912b設(shè)置于吸取區(qū)域912a的至少一側(cè)。吸取單元920排列于該吸取區(qū)域912a中。可確定位置周邊驅(qū)動電路930至少設(shè)置于電路區(qū)域912b中。在此，吸取區(qū)域912a可大于接收基板700的承受表面702(參見圖2h或圖2j)。詳細而言，吸取區(qū)域912a大于接收基板700的承受表面702(參見圖2h或圖2j)，如此一來，轉(zhuǎn)移頭900可接近接收基板700(參見圖2h或圖2j)。轉(zhuǎn)移頭900的詳細結(jié)構(gòu)與可確定位置轉(zhuǎn)移頭600(參見圖2e)的配置相似，而不再贅述。

參見圖2j，在部分實施方式中，在轉(zhuǎn)移過程中，接收基板700上的微型裝置200的陣列具有至少一個故障部分，此故障部分是由空缺v2或者部分未與接收基板700的電極成功貼合的微型裝置200所造成的。

同時參考圖1以及圖2l至圖2m。方法100來到步驟110，修理微型裝置200的陣列內(nèi)的至少一個故障部分。接收基板700上的空缺v2的位置可以由第一損毀微型裝置200a(參見圖2c)的位置推論出來。在部分實施方式中，在轉(zhuǎn)移過程之中或之后，測試接收基板700上的微型裝置200，以決定接收基板700上是否有至少一個第二損毀微型裝置200b，并借此獲得第二損毀微型裝置200b的位置。第二損毀微型裝置200b是指未與電極710a、710b以及710c(參見圖3)的正確貼合的微型裝置200。詳細而言，第二損毀微型裝置200b的接觸墊(即導體墊220a)不成功電性連接接收基板700的電極710a、710b以及710c(參見圖3)，且以交錯斜紋表示。

在此，針對空缺v2以及第二損毀微型裝置200b的修理分別在圖2l以及圖2m中進行。詳細而言，此修理包含下面兩者其中至少一者：當故障部分包含空缺v2時以至少一個補丁微型裝置200x修補微型裝置200的陣列內(nèi)的空缺v2，以及當故障部分包含至少一個第二損毀微型裝置200b時以至少一個修復微型裝置200y修復微型裝置200的陣列內(nèi)的第二損毀微型裝置200b。在部分實施方式中，多個故障部分可以多個步驟來修理，且此修理包含先修理多個故障部分的至少一個，再修理多個故障部分的至少另一個?？梢酝高^靜電吸頭、黏性吸頭或其組合，來修理空缺v2以及第二損毀微型裝置200b。

參考圖2l，以至少一個補丁微型裝置200x修補接收基板700上的空缺v2。在此，轉(zhuǎn)移頭1000具有與非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800(參見圖2g)相似的結(jié)構(gòu)，且可使用轉(zhuǎn)移頭1000以進行此修補過程，其中轉(zhuǎn)移頭1000的工作表面1002可小于非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800(參見圖2g)的工作表面。詳細而言，由于轉(zhuǎn)移頭1000是用于修補微型裝置200的陣列內(nèi)的特定區(qū)域，而非微型裝置200的陣列內(nèi)的整個區(qū)域，轉(zhuǎn)移頭1000的工作表面1002可小于接收基板700的承受表面702。更甚者，轉(zhuǎn)移頭1000的工作表面1002可小于接收基板700的像素區(qū)域pa(參考圖3)。

在部分實施方式中，轉(zhuǎn)移頭1000可以多次地修補多個空缺v2，其中每次轉(zhuǎn)移頭1000將一個或多個補丁微型裝置200x放置于接收基板700上。

在部分實施方式中，第一損毀微型裝置200a可能是有規(guī)律形式的，而因此空缺v2也可能會以規(guī)律形式存在。在部分實施方式中，此修補過程可以透過具有圖案化吸取表面的至少一個轉(zhuǎn)移頭1000進行，圖案化吸取表面對應(yīng)空缺v2的規(guī)律形式，如此一來，轉(zhuǎn)移頭1000透過非可確定位置吸取補丁微型裝置200x來修補空缺v2。舉例而言，轉(zhuǎn)移頭1000的吸取單元1010具有間距pu3，且間距pu3實質(zhì)上與兩個空缺v2之間的距離相同。

在部分實施方式中，補丁微型裝置200x可能是設(shè)置于另一個承載基板(未繪示)上的微型裝置?；蛘?，在部分其他實施方式中，承載基板310上的微型裝置200(參見圖2f)可能并未完全被轉(zhuǎn)移至接收基板700，且補丁微型裝置200x可能是承載基板310上的部分剩余的微型裝置200(參見圖2i)，例如群組a3的微型裝置200。

在部分實施方式中，吸取單元1010的間距pu3是間距p2以及位于對應(yīng)承載基板(未繪示)上的補丁微型裝置200x的間距的公倍數(shù)。在部分其他實施方式中，微型裝置200是有不同型態(tài)的，例如紅光微型發(fā)光二極管、綠光微型發(fā)光二極管以及藍光微型發(fā)光二極管。吸取單元1010的間距pu3是間距p2、微型裝置200的型態(tài)數(shù)量以及位于對應(yīng)承載基板(未繪示)上的補丁微型裝置200x的間距的公倍數(shù)。

在部分實施方式中，在修補過程之前或之后，測試接收基板700上的微型裝置200，以決定接收基板700上是否有至少一個第二損毀微型裝置200b。同時參考圖2m以及圖3。在部分實施方式中，可以使用測試工具(例如圖2b的測試工具410)以及光偵測器(例如圖2b的(例如圖2b的測試工具410)。接收基板700上的像素電路(包含電極710a、710b以及710c、數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路720以及掃描線驅(qū)動電路730)以及測試工具驅(qū)動微型裝置200以電位差工作，如此一來，光偵測器可以決定微型裝置200是否被點亮。如同圖1與圖2b所述的步驟104，如果微型裝置200沒有展現(xiàn)發(fā)光性能、展現(xiàn)不規(guī)則的發(fā)光性能、展現(xiàn)不規(guī)則的i-v曲線或展現(xiàn)不正常的漏電流，微型裝置200可能是有瑕疵的，且標記作為第二損毀微型裝置200b。

同時參考圖2m以及圖3，通過轉(zhuǎn)移頭1100，以至少一個修復微型裝置200y修復基板700上的第二損毀微型裝置200b。

通過每個次像素sp的多個電極710a、710b以及710c，如果電極710a上有第二損毀微型裝置200b，可以不移除電極710a上的第二損毀微型裝置200b。因為次像素sp中還有電極710b以及710c(參考圖3)，可以將修復微型裝置200y黏貼于電極710b以及/或710c。如此一來，可以避免因為移除第二損毀微型裝置200b所帶來的損壞，并改善發(fā)光二極管顯示裝置的制造良率。

在此，轉(zhuǎn)移頭1100具有與非可確定位置轉(zhuǎn)移頭800(參見圖2g)相似的結(jié)構(gòu)，且可采用此轉(zhuǎn)移頭1100進行此修復過程。詳細而言，轉(zhuǎn)移頭1100的工作表面1102可以小于接收基板700的像素區(qū)域pa(參見圖3)。

雖然圖2m中并未繪示，在部分實施方式中，第二損毀微型裝置200b可能是有規(guī)律形式的。因此，此修復過程可以透過具有圖案化吸取表面的轉(zhuǎn)移頭1100進行，圖案化吸取表面對應(yīng)第二損毀微型裝置200b，如此一來，轉(zhuǎn)移頭1100透過非可確定位置吸取修復微型裝置200y來修復第二損毀微型裝置200b。詳細而言，在部分實施方式中，轉(zhuǎn)移頭1100的吸取單元1110具有間距pu4，且間距pu4實質(zhì)上與兩個第二損毀微型裝置200b之間的距離相同，而使吸取單元1110能夠?qū)⑿迯臀⑿脱b置200y放置于次像素sp(參見圖3)，其中第二損毀微型裝置200b位于次像素sp。

在部分實施方式中，轉(zhuǎn)移頭1100能多次地修復多個第二損毀微型裝置200b，其中每次轉(zhuǎn)移頭1100將一個或多個修復微型裝置200y放置于接收基板700上。

在部分實施方式中，修復微型裝置200y可能是設(shè)置于另一個承載基板(未繪示)上的微型裝置?；蛘?，在部分其他實施方式中，修復微型裝置200y可能是承載基板310上的部分剩余的微型裝置200(參見圖2i)，例如群組a3的微型裝置200。

在部分實施方式中，吸取單元1110的間距pu4是間距p2以及位于對應(yīng)承載基板(未繪示)上的修復微型裝置200y的間距的公倍數(shù)。在部分其他實施方式中，微型裝置200是有不同型態(tài)的，例如紅光微型發(fā)光二極管、綠光微型發(fā)光二極管以及藍光微型發(fā)光二極管。吸取單元1110的間距pu4是間距p2、微型裝置200的型態(tài)數(shù)量以及位于對應(yīng)承載基板(未繪示)上的修復微型裝置200y的間距的公倍數(shù)。

圖2l中的轉(zhuǎn)移頭1000以及圖2m中的轉(zhuǎn)移頭1100以非可確定位置轉(zhuǎn)移頭為例來介紹，其可采用靜電吸頭、黏性吸頭或其組合。這些非可確定位置轉(zhuǎn)移頭可具有對應(yīng)故障部分的規(guī)律形式的圖案化吸取表面。然而，在部分實施方式中，轉(zhuǎn)移頭1000以及轉(zhuǎn)移頭1100可能是可確定位置轉(zhuǎn)移頭，其中可確定位置驅(qū)動電路可以形成在本體的背側(cè)，而使可確定位置驅(qū)動電路不會妨礙吸取單元1010或吸取單元1110接近接收基板700上的微型裝置200。

在修復過程之后，測試接收基板700上的微型裝置，以決定每個次像素sp(參見圖3)是否有至少一個正常的微型裝置。在測試過程之后，數(shù)據(jù)獲取模組(未繪示)可以搜集每個次像素sp(參見第3圖)的測試結(jié)果以及損毀微型裝置的位置信息。此后，如果大部分或全部的次像素sp(例如超過99.8％的次像素sp)測試后是具有正常的微型裝置，則通過此測試。另一方面，如果至少有一個預(yù)定比例的次像素sp(例如至少0.2％的次像素sp)測試后是不具有正常的微型裝置，則重復修復程序。應(yīng)了解到，上述關(guān)于進行步驟110的損壞率可以適當調(diào)整以符合生產(chǎn)管制。

參考圖2n，可以得到一種裝置，其具有微型裝置的陣列，且微型裝置的陣列中幾乎或完全沒有故障區(qū)域。具體而言，此裝置具有補丁微型裝置200x、修復微型裝置200y以及具有良好半導體層的微型裝置200(即至少通過圖2b的測試的微型裝置200)。在部分實施方式中，補丁微型裝置200x、修復微型裝置200y以及微型裝置200具有實質(zhì)相同的結(jié)構(gòu)。

在本本發(fā)明的部分實施方式中，承載基板上的微型裝置經(jīng)過測試，且從承載基板上移除有瑕疵的微型裝置。當微型裝置分別被轉(zhuǎn)移至接收基板的像素時，有瑕疵的微型裝置不會被轉(zhuǎn)移至接收基板且也不會占據(jù)接收基板的對應(yīng)像素的空間。以補丁微型裝置修補接收基板上的空缺，且以修復微型裝置修復未成功黏貼至接收基板的損毀的微型裝置。

雖然本發(fā)明已以多種實施方式公開如上，然仍有其他實施方式的可能。因此不應(yīng)以此所涵蓋的實施方式的敘述而限制權(quán)利要求的精神和范圍。

任何本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求所界定者為準，且企圖涵蓋的更動與潤飾。