本發(fā)明涉及光電材料
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其是涉及一種以均苯為核心，苯的1，3，5位分別以c-c鍵與支鏈連接的光電材料及其在器件上的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：與液晶顯示(lcd)相比，有機(jī)電致發(fā)光器件(oled)具有驅(qū)動(dòng)電壓低；發(fā)光亮度和發(fā)光效率高；發(fā)光視角寬，響應(yīng)速度快；另外還有超薄，可制作在柔性面板上等優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于oled發(fā)光器件提高性能的研究包括：降低器件的驅(qū)動(dòng)電壓，提高器件的發(fā)光效率，提高器件的使用壽命等。為了實(shí)現(xiàn)oled器件的性能的不斷提升，不但需要從oled器件結(jié)構(gòu)和制作工藝的創(chuàng)新，更需要oled光電功能材料不斷研究和創(chuàng)新，創(chuàng)制出更高性能oled的功能材料。應(yīng)用于oled器件的oled光電功能材料從用途上可劃分為兩大類(lèi)，即電荷注入傳輸材料和發(fā)光材料，進(jìn)一步，還可將電荷注入傳輸材料分為電子注入傳輸材料、電子阻擋材料、空穴注入傳輸材料和空穴阻擋材料，還可以將發(fā)光材料分為主體發(fā)光材料和摻雜材料。為了制作高性能的oled發(fā)光器件，要求各種有機(jī)功能材料具備良好的光電特性，譬如，作為電荷傳輸材料，要求具有良好的載流子遷移率，高玻璃化轉(zhuǎn)化溫度等，作為發(fā)光層的主體材料要求材料具有良好雙極性，適當(dāng)?shù)膆omo/lumo能級(jí)等。構(gòu)成oled器件的oled光電功能材料膜層至少包括兩層以上結(jié)構(gòu)，產(chǎn)業(yè)上應(yīng)用的oled器件結(jié)構(gòu)，則包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等多種膜層，也就是說(shuō)應(yīng)用于oled器件的光電功能材料至少包含空穴注入材料，空穴傳輸材料，發(fā)光材料，電子注入材料等，材料類(lèi)型和搭配形式具有豐富性和多樣性的特點(diǎn)。另外，對(duì)于不同結(jié)構(gòu)的oled器件搭配而言，所使用的光電功能材料具有較強(qiáng)的選擇性，相同的材料在不同結(jié)構(gòu)器件中的性能表現(xiàn)，也可能完全迥異。因此，針對(duì)當(dāng)前oled器件的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用要求，以及oled器件的不同功能膜層，器件的光電特性需求，必須選擇更適合，具有高性能的oled功能材料或材料組合，才能實(shí)現(xiàn)器件的高效率、長(zhǎng)壽命和低電壓的綜合特性。就當(dāng)前oled顯示照明產(chǎn)業(yè)的實(shí)際需求而言，目前oled材料的發(fā)展還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，落后于面板制造企業(yè)的要求，作為材料企業(yè)開(kāi)發(fā)更高性能的有機(jī)功能材料顯得尤為重要。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，本申請(qǐng)人提供了一種含有均苯骨架結(jié)構(gòu)的化合物及其在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。本發(fā)明所述以均苯為核心的化合物具有較高的三線態(tài)能級(jí)，較高的玻璃化轉(zhuǎn)移溫度，良好的成膜穩(wěn)定性和較寬的能隙。所設(shè)計(jì)化合物作為空穴傳輸材料、電子阻擋材料或發(fā)光層材料用于有機(jī)發(fā)光器件中能明顯降低電壓，提高器件效率。本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種含有均苯骨架結(jié)構(gòu)的化合物，所述化合物的結(jié)構(gòu)如通式(1)所示：通式(1)中，x1為氧原子、硫原子、硒原子、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的胺基中的一種；x2、x3表示為氧原子、硫原子、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的胺基中的一種；r1、r2分別獨(dú)立的選取氫或通式(2)所示結(jié)構(gòu)；a為x4、x5分別表示為氧原子、硫原子、硒原子、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的胺基中的一種；a與cl1-cl2鍵、cl2-cl3鍵或cl3-cl4鍵連接。所述通式(1)中r1、r2不同時(shí)為氫。所述化合物的具體結(jié)構(gòu)式為：一種含有所述光電材料的發(fā)光器件，所述光電材料作為空穴傳輸層或電子阻擋層材料，用于制備oled器件。一種含有所述光電材料的發(fā)光器件，所述光電材料作為發(fā)光層材料，用于制備oled器件。一種制備所述化合物的方法，反應(yīng)方程式是：反應(yīng)過(guò)程是：(1)中間體a的合成：稱(chēng)取3,5-二溴氯苯與以體積比為1:1:1的甲苯、乙醇和水的混合溶劑溶解；再加入pd2(dba)3、碳酸鈉；在惰性氣氛下，將上述反應(yīng)物的混合溶液于反應(yīng)溫度75～80℃，反應(yīng)10～24小時(shí)，冷卻、過(guò)濾反應(yīng)溶液，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到中間體a；所述3,5-二溴氯苯與的摩爾比為1:2.0～3.0；其中pd2(dba)3與3,5-二溴氯苯的摩爾比為0.006～0.05:1，碳酸鈉與3,5-二溴氯苯的摩爾比為9.0～10.0:1；(2)目標(biāo)產(chǎn)物的合成：稱(chēng)取中間體a與以體積比為1:1:1的甲苯、乙醇和水的混合溶劑溶解；再加入pd2(dba)3、碳酸鈉；在惰性氣氛下，將上述反應(yīng)物的混合溶液于反應(yīng)溫度75～80℃，反應(yīng)10～24小時(shí)，冷卻、過(guò)濾反應(yīng)溶液，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)化合物；所述中間體a與的摩爾比為1:1.0～1.5；其中pd2(dba)3與中間體a的摩爾比為0.006～0.05:1，碳酸鈉與中間體a的摩爾比為9.0～10.0:1。本發(fā)明有益的技術(shù)效果在于：本發(fā)明化合物以均苯為核心，均苯類(lèi)化合物具有高tg，良好穩(wěn)定性，較高的三線態(tài)能級(jí)。所設(shè)計(jì)化合物分布在苯的1,3,5位置，采用兩種不同支鏈基團(tuán)取代，形成不對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，提高分子的穩(wěn)定性及三線態(tài)能級(jí)。所設(shè)計(jì)分子具有良好的空穴傳輸能力，高三線態(tài)能級(jí)，寬能隙，及良好的熱穩(wěn)定性。本發(fā)明所述化合物作為空穴傳輸或電子阻擋材料應(yīng)用于oled發(fā)光器件制作，可以獲得良好的器件表現(xiàn)，器件的電流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同時(shí)，對(duì)于器件壽命提升非常明顯。本發(fā)明所述化合物作為發(fā)光層材料應(yīng)用于oled發(fā)光器件制作，可以獲得良好的器件表現(xiàn)，器件的電流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同時(shí)，對(duì)于器件壽命提升非常明顯。本發(fā)明所述化合物在oled發(fā)光器件中具有良好的應(yīng)用效果，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明化合物應(yīng)用的器件結(jié)構(gòu)示意圖；其中，1為透明基板層，2為透明陽(yáng)極層，3為空穴注入層，4為空穴傳輸層，5為電子阻擋層，6為發(fā)光層，7為電子傳輸層，8為電子注入層，9為陰極反射電極層。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體描述。實(shí)施例1：化合物1的合成(1)中間體的合成3,5-二溴氯苯(2.7g，10mmol)，二苯并呋喃-4-硼酸(4.5g,21mmol)，碳酸鈉(10.2g,96mmol)，pd2(dba)3(0.4g,0.4mmol)，甲苯，乙醇，水各50ml依次加入反應(yīng)瓶中，氮?dú)獗Ｗo(hù)下回流反應(yīng)10小時(shí)，冷卻至室溫，分液，水層用乙酸乙酯提取，合并有機(jī)層，分別用飽和食鹽水和水洗，有機(jī)層用硫酸鎂干燥，過(guò)濾，濾液旋干，過(guò)硅膠柱，得到4g產(chǎn)物，hplc純度99.2％。(2)化合物1的合成原料s1(2.2g,5.0mmol)，原料s2(2.0g,5.1mmol)加入反應(yīng)瓶中，碳酸鈉(5.1g,48mmol)，pd2(dba)3(0.2g,0.2mmol)，甲苯，乙醇，水各50ml依次加入反應(yīng)瓶中，氮?dú)獗Ｗo(hù)下回流反應(yīng)10小時(shí)，冷卻至室溫，分液，水層用乙酸乙酯提取，合并有機(jī)層，分別用飽和食鹽水和水洗，有機(jī)層用硫酸鎂干燥，過(guò)濾，濾液旋干，過(guò)硅膠柱，得到2.1g產(chǎn)物，hplc純度99.4％。使用dei-ms來(lái)識(shí)別該化合物，分子式c54h31no4，檢測(cè)值[m+1]+＝757.51，計(jì)算值757.23。實(shí)施例2：化合物24的合成(1)中間體的合成3,5-二溴氯苯(2.7g，10mmol)，二苯并呋喃-4-硼酸(4.5g,21mmol)，碳酸鈉(10.2g,96mmol)，pd2(dba)3(0.5g,0.4mmol)，甲苯，乙醇，水各50ml依次加入反應(yīng)瓶中，氮?dú)獗Ｗo(hù)下回流反應(yīng)10小時(shí)，冷卻至室溫，分液，水層用乙酸乙酯提取，合并有機(jī)層，分別用飽和食鹽水和水洗，有機(jī)層用硫酸鎂干燥，過(guò)濾，濾液旋干，過(guò)硅膠柱，得到4g產(chǎn)物，hplc純度99.2％。(2)化合物24的合成原料s1(2.2g,5.0mmol)，原料s3(2.1g,5.1mmol)加入反應(yīng)瓶中，碳酸鈉(5.1g,48mmol)，pd2(dba)3(0.2g,0.2mmol)，甲苯，乙醇，水各50ml依次加入反應(yīng)瓶中，氮?dú)獗Ｗo(hù)下回流反應(yīng)10小時(shí)，冷卻至室溫，分液，水層用乙酸乙酯提取，合并有機(jī)層，分別用飽和食鹽水和水洗，有機(jī)層用硫酸鎂干燥，過(guò)濾，濾液旋干，過(guò)硅膠柱，得到2.2g產(chǎn)物，hplc純度99.4％。使用dei-ms來(lái)識(shí)別該化合物，分子式c57h37no3，檢測(cè)值[m+1]+＝783.54，計(jì)算值783.28。實(shí)施例3：化合物33的合成(1)中間體的合成3,5-二溴氯苯(2.7g，10mmol)，二苯并噻吩-4-硼酸(4.8g,21mmol)，碳酸鈉(10.2g,96mmol)，pd2(dba)3(0.4g,0.4mmol)，甲苯，乙醇，水各50ml依次加入反應(yīng)瓶中，氮?dú)獗Ｗo(hù)下回流反應(yīng)10小時(shí)，冷卻至室溫，分液，水層用乙酸乙酯提取，合并有機(jī)層，分別用飽和食鹽水和水洗，有機(jī)層用硫酸鎂干燥，過(guò)濾，濾液旋干，過(guò)硅膠柱，得到4.2g產(chǎn)物，hplc純度99.3％。(2)化合物33的合成原料s4(2.4g,5.0mmol)，原料s5(2.1g,5.1mmol)加入反應(yīng)瓶中，碳酸鈉(5.1g,48mmol)，pd2(dba)3(0.2g,0.2mmol)，甲苯，乙醇，水各50ml依次加入反應(yīng)瓶中，氮?dú)獗Ｗo(hù)下回流反應(yīng)10小時(shí)，冷卻至室溫，分液，水層用乙酸乙酯提取，合并有機(jī)層，分別用飽和食鹽水和水洗，有機(jī)層用硫酸鎂干燥，過(guò)濾，濾液旋干，過(guò)硅膠柱，得到2.1g產(chǎn)物，hplc純度99.3％。使用dei-ms來(lái)識(shí)別該化合物，分子式c57h37nos2，檢測(cè)值[m+1]+＝815.53，計(jì)算值815.23。實(shí)施例4：化合物55的合成(1)中間體的合成3,5-二溴氯苯(2.7g，10mmol)，9,9-二甲基芴-1-硼酸(5.0g,21mmol)，碳酸鈉(10.2g,96mmol)，pd2(dba)3(0.4g,0.4mmol),甲苯，乙醇，水各50ml依次加入反應(yīng)瓶中，氮?dú)獗Ｗo(hù)下回流反應(yīng)10小時(shí)，冷卻至室溫，分液，水層用乙酸乙酯提取，合并有機(jī)層，分別用飽和食鹽水和水洗，有機(jī)層用硫酸鎂干燥，過(guò)濾，濾液旋干，過(guò)硅膠柱，得到4.3g產(chǎn)物，hplc純度99.3％。(2)化合物55的合成原料s6(2.5g,5.0mmol)，原料s7(2.0g,5.1mmol)加入反應(yīng)瓶中，碳酸鈉(5.1g,48mmol)，pd2(dba)3(0.2g,0.2mmol)，甲苯，乙醇，水各50ml依次加入反應(yīng)瓶中，氮?dú)獗Ｗo(hù)下回流反應(yīng)10小時(shí)，冷卻至室溫，分液，水層用乙酸乙酯提取，合并有機(jī)層，分別用飽和食鹽水和水洗，有機(jī)層用硫酸鎂干燥，過(guò)濾，濾液旋干，過(guò)硅膠柱，得到2.2g產(chǎn)物，hplc純度99.3％。使用dei-ms來(lái)識(shí)別該化合物，分子式c60h43no2，檢測(cè)值[m+1]+＝809.53，計(jì)算值809.33。實(shí)施例5：化合物75的合成(1)中間體的合成3,5-二溴氯苯(2.7g，10mmol)，9-苯基咔唑-3-硼酸(6.0g,21mmol)，碳酸鈉(10.2g,96mmol)，pd2(dba)3(0.4g,0.4mmol)，甲苯，乙醇，水各50ml依次加入反應(yīng)瓶中，氮?dú)獗Ｗo(hù)下回流反應(yīng)10小時(shí)，冷卻至室溫，分液，水層用乙酸乙酯提取，合并有機(jī)層，分別用飽和食鹽水和水洗，有機(jī)層用硫酸鎂干燥，過(guò)濾，濾液旋干，過(guò)硅膠柱，得到4.4g產(chǎn)物，hplc純度99.2％。(2)化合物75的合成原料s8(3.0g,5.0mmol)，原料s9(1.8g,5.1mmol)加入反應(yīng)瓶中，碳酸鈉(5.1g,48mmol)，pd2(dba)3(0.2g,0.2mmol)，甲苯，乙醇，水各50ml依次加入反應(yīng)瓶中，氮?dú)獗Ｗo(hù)下回流反應(yīng)10小時(shí)，冷卻至室溫，分液，水層用乙酸乙酯提取，合并有機(jī)層，分別用飽和食鹽水和水洗，有機(jī)層用硫酸鎂干燥，過(guò)濾，濾液旋干，過(guò)硅膠柱，得到2.1g產(chǎn)物，hplc純度99.5％。使用dei-ms來(lái)識(shí)別該化合物，分子式c63h42n2o2，檢測(cè)值[m+1]+＝858.62，計(jì)算值858.32。實(shí)施例6：化合物4的合成化合物4的合成方法具體參照實(shí)施例1，不同點(diǎn)在于用原料7-苯基-7-氫-12，13-二氧雜-7-氮雜-吲哚[2,1-a]蒽-10-硼酸替換5-苯基-5-氫-8,13-二氧雜-5-氮雜-吲哚[1,2-a]蒽-9-硼酸。實(shí)施例7：化合物22的合成合成路線：化合物22的合成方法具體參照實(shí)施例1，不同點(diǎn)在于用原料7-苯基-12,12-二甲基-7,12-二氫-13-氧雜-7-氮雜-吲哚[2,1-a]蒽-10-硼酸替換5-苯基-5-氫-8,13-二氧雜-5-氮雜-吲哚[1,2-a]蒽-9-硼酸。實(shí)施例8：化合物35的合成合成路線：化合物35的合成方法具體參照實(shí)施例3，不同點(diǎn)在于用原料7-苯基-7-氫-12-氧雜-13-硫雜-7-氮雜-吲哚[2,1-a]蒽-10-硼酸替換8,8-二甲基-5-苯基-5,8-二氫-13-氧雜-5-氮雜-吲哚[1,2-a]蒽-10-硼酸。實(shí)施例9：化合物58的合成合成路線：化合物58的合成方法具體參照實(shí)施例4，不同點(diǎn)在于用原料7-苯基-7-氫-12，13-二氧雜-7-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽-10-硼酸替換5-苯基-5-氫-8,13-二氧雜-5-氮雜-吲哚[1,2-a]蒽-10-硼酸。實(shí)施例10：化合物74的合成合成路線：化合物74的合成方法具體參照實(shí)施例5，不同點(diǎn)在于用原料13,13-二甲基-13-氫-5,8-二氧雜-吲哚[1,2-a]蒽-3-硼酸替換12,12-二甲基-12-氫-7,13-二氧雜-吲哚[1,2-a]蒽-3-硼酸。本發(fā)明化合物可以作為空穴傳輸/電子阻擋材料或發(fā)光層材料使用，對(duì)本發(fā)明化合物24、化合物33和現(xiàn)有材料tcta進(jìn)行三線態(tài)能級(jí)及作為空穴類(lèi)材料所必須滿(mǎn)足的homo，lumo能級(jí)的檢測(cè)，測(cè)試結(jié)果如表1所示。表1化合物三線態(tài)能級(jí)(ev)homo能級(jí)(ev)lumo能級(jí)(ev)化合物242.87-5.61-2.01化合物332.85-5.64-2.00材料tcta2.78-5.71-2.70注：三線態(tài)能級(jí)根據(jù)低溫?zé)晒夤庾V測(cè)量所得，測(cè)試溫度77k。最高占據(jù)分子軌道homo能級(jí)及最低占據(jù)分子軌道lumo能級(jí)是由光電子發(fā)射譜儀(ac-2型pesa)、以及紫外分光光度計(jì)(uv)測(cè)試計(jì)算所得，測(cè)試為大氣環(huán)境。由上表數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明空穴傳輸/電子阻擋材料或發(fā)光層材料具有合適的homo、lumo能級(jí)及合適的能隙，可起到傳輸空穴及阻擋電子的作用。本發(fā)明均苯類(lèi)化合物具有較高的三線態(tài)能級(jí)，使得所制作的含有本發(fā)明化合物的oled器件效率提升。以下，通過(guò)實(shí)施例11～20和比較例1詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明合成的化合物作為電子阻擋層在器件上的應(yīng)用效果。實(shí)施例12～20和比較例1與實(shí)施例11相比，所述器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，電極材料的膜厚也保持一致，所不同的是對(duì)器件中所使用的部分材料進(jìn)行了一些調(diào)整。各實(shí)施例所得器件的性能測(cè)試結(jié)果如表2所示。實(shí)施例11對(duì)具有透明基板層1的透明陽(yáng)極層2(膜厚為220nm)進(jìn)行光刻和蝕刻，形成需要的規(guī)則的透明電極層2的圖形，隨即對(duì)上述玻璃透明基板層1進(jìn)行洗滌，即依次進(jìn)行堿洗滌、純水洗滌、干燥后再進(jìn)行紫外線-臭氧洗滌以清除透明陽(yáng)極層2表面的有機(jī)殘留物。在進(jìn)行了上述洗滌之后的透明陽(yáng)極層2上，利用真空蒸鍍裝置(鉬坩堝、蒸鍍速度0.1nm/s、真空度約5.0x10-5pa)，蒸鍍作為空穴注入材料的npb，制作膜厚為60nm的層，此層為空穴注入層3。在空穴注入層3上，通過(guò)真空蒸鍍裝置(鉬坩堝、蒸鍍速度0.1nm/s，真空度約5.0x10-5pa)，蒸鍍結(jié)構(gòu)化合物材料tapc，其膜厚為10nm，這層有機(jī)材料作為發(fā)光器件的空穴傳輸層4使用。在空穴傳輸層4上，通過(guò)真空蒸鍍裝置(鉬坩堝、蒸鍍速度0.1nm/s，真空度約5.0x10-5pa)，蒸鍍實(shí)施例1結(jié)構(gòu)化合物材料(化合物1)，其膜厚為10nm，這層有機(jī)材料作為發(fā)光器件的電子阻擋層5使用。上述電子阻擋材料之后，制作oled發(fā)光器件的發(fā)光層6，其結(jié)構(gòu)包括oled發(fā)光層所使用材料cbp作為主體材料，磷光摻雜材料為ir(ppy)3，磷光材料摻雜比例為7％重量比，發(fā)光層膜厚為30nm。在上述發(fā)光層之后，繼續(xù)真空蒸鍍制作了oled發(fā)光器件電子傳輸層，該電子傳輸層材料為tpbi。該材料的真空蒸鍍膜厚為30nm，此層為電子傳輸層7。在電子傳輸層7上，通過(guò)真空蒸鍍裝置，制作膜厚為1nm的氟化鋰(lif)層，此層為電子注入層8。在電子注入層8上，通過(guò)真空蒸鍍裝置，制作膜厚為150nm的鋁(al)層，此層為陰極反射電極層9使用。實(shí)施例中所用常用材料結(jié)構(gòu)式如下：如上所述地完成oled發(fā)光器件后，用公知的驅(qū)動(dòng)電路將陽(yáng)極和陰極連接起來(lái)，測(cè)量器件的發(fā)光效率，發(fā)光光譜以及器件的電流-電壓特性。上述器件發(fā)光特性的測(cè)量采用輝度測(cè)定器(株式會(huì)社topcon制，商品名bm7)測(cè)定。其測(cè)試結(jié)果如表2所示。實(shí)施例12本實(shí)施例與實(shí)施例11不同之處在于：oled發(fā)光器件電子阻擋材料改變?yōu)閷?shí)施例2所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物24)。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果如表2所示。實(shí)施例13本實(shí)施例與實(shí)施例11不同之處在于：oled發(fā)光器件電子阻擋材料改變?yōu)閷?shí)施例3所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物33)。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果如表2所示。實(shí)施例14本實(shí)施例與實(shí)施例11不同之處在于：oled發(fā)光器件電子阻擋材料改變?yōu)閷?shí)施例4所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物55)。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果如表2所示。實(shí)施例15本實(shí)施例與實(shí)施例11不同之處在于：oled發(fā)光器件電子阻擋材料改變?yōu)閷?shí)施例5所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物75)。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果如表2所示。實(shí)施例16本實(shí)施例與實(shí)施例11不同之處在于：oled發(fā)光器件電子阻擋材料改變?yōu)閷?shí)施例6所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物4)。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果如表2所示。實(shí)施例17本實(shí)施例與實(shí)施例11不同之處在于：oled發(fā)光器件電子阻擋材料改變?yōu)閷?shí)施例7所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物22)。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果如表2所示。實(shí)施例18本實(shí)施例與實(shí)施例11不同之處在于：oled發(fā)光器件電子阻擋材料改變?yōu)閷?shí)施例8所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物35)。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果如表2所示。實(shí)施例19本實(shí)施例與實(shí)施例11不同之處在于：oled發(fā)光器件電子阻擋材料改變?yōu)閷?shí)施例9所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物58)。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果如表2所示。實(shí)施例20本實(shí)施例與實(shí)施例11不同之處在于：oled發(fā)光器件電子阻擋材料改變?yōu)閷?shí)施例10所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物74)。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果如表2所示。比較例1比較例1與實(shí)施例11所不同的是：oled發(fā)光器件的電子阻擋材料由實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)化合物換成下述結(jié)構(gòu)式空穴傳輸/電子阻擋材料tcta；所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果如表2所示。表2器件代號(hào)電流效率色彩cie坐標(biāo)(x，y)lt95壽命實(shí)施例111.5綠光0.34,0.631.5實(shí)施例121.4綠光0.36,0.601.4實(shí)施例131.4綠光0.35,0.621.5實(shí)施例141.3綠光0.33,0.631.4實(shí)施例151.4綠光0.34,0.631.6實(shí)施例161.4綠光0.35,0.641.5實(shí)施例171.3綠光0.34,0.631.4實(shí)施例181.3綠光0.35,0.621.3實(shí)施例191.3綠光0.34,0.621.3實(shí)施例201.4綠光0.35,0.651.4比較例11.0綠光0.33,0.631.0注：器件測(cè)試性能以器件比較例1作為參照，比較例1器件各項(xiàng)性能指標(biāo)設(shè)為1.0。比較例1的電流效率為32cd/a(@10ma/cm2)；5000亮度下lt95壽命衰減為6.8hr。由表2的結(jié)果可以看出，本發(fā)明所述化合物可應(yīng)用于oled發(fā)光器件制作，可以獲得良好的表現(xiàn)，實(shí)施例1～10中合成的化合物作為oled發(fā)光器件的電子阻擋材料，無(wú)論是效率還是壽命均比已知oled材料獲得較大改觀，特別是器件的驅(qū)動(dòng)壽命獲得較大的提升。本發(fā)明化合物作為電子阻擋材料在oled發(fā)光器件中具有良好的應(yīng)用效果，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。以下通過(guò)實(shí)施例21～30和比較例2詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明合成的化合物作為發(fā)光層材料在器件上的應(yīng)用效果。實(shí)施例22～30和比較例2與實(shí)施例21相比，所述器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，電極材料的膜厚也保持一致，所不同的是對(duì)器件中所使用的部分材料進(jìn)行了一些調(diào)整。各實(shí)施例所得器件的性能測(cè)試結(jié)果如表3所示。實(shí)施例21對(duì)具有透明基板層1的透明陽(yáng)極層2(膜厚為220nm)進(jìn)行光刻和蝕刻，形成需要的規(guī)則的透明陽(yáng)極層2的圖形，隨即對(duì)上述玻璃透明基板層1進(jìn)行洗滌，即依次進(jìn)行堿洗滌、純水洗滌、干燥后再進(jìn)行紫外線-臭氧洗滌以清除透明陽(yáng)極層2表面的有機(jī)殘留物。在進(jìn)行了上述洗滌之后的透明陽(yáng)極層2上，利用真空蒸鍍裝置(鉬坩堝、蒸鍍速度0.1nm/s、真空度約5.0x10-5pa)，蒸鍍作為空穴注入材料的npb，制作膜厚為60nm的層，此層為空穴注入層3。在空穴注入層3上，通過(guò)真空蒸鍍裝置(鉬坩堝、蒸鍍速度0.1nm/s，真空度約5.0x10-5pa)，蒸鍍結(jié)構(gòu)化合物材料tapc，其膜厚為10nm，這層有機(jī)材料作為發(fā)光器件的空穴傳輸層4使用。在空穴傳輸層4上，通過(guò)真空蒸鍍裝置(鉬坩堝、蒸鍍速度0.1nm/s，真空度約5.0x10-5pa)，蒸鍍化合物材料tcta，其膜厚為10nm，這層有機(jī)材料作為發(fā)光器件的空穴傳輸/電子阻擋層5使用。上述電子阻擋層材料之后，制作oled發(fā)光器件的發(fā)光層6，其結(jié)構(gòu)包括oled發(fā)光層所使用材料cbp和實(shí)施例1中化合物1作為主體材料，比例為7:3重量比，磷光摻雜材料為ir(ppy)3，磷光材料摻雜比例為7％重量比，發(fā)光層膜厚為30nm。在上述發(fā)光層之后，繼續(xù)真空蒸鍍制作了oled發(fā)光器件電子傳輸層，該電子傳輸層材料為tpbi。該材料的真空蒸鍍膜厚為30nm，此層為電子傳輸層7。在電子傳輸層7上，通過(guò)真空蒸鍍裝置，制作膜厚為1nm的氟化鋰(lif)層，此層為電子注入層8。在電子注入層8上，通過(guò)真空蒸鍍裝置，制作膜厚為150nm的鋁(al)層，此層為陰極反射電極層9使用。實(shí)施例中所用常用材料結(jié)構(gòu)式如下：如上所述地完成oled發(fā)光器件后，用公知的驅(qū)動(dòng)電路將陽(yáng)極和陰極連接起來(lái)，測(cè)量器件的發(fā)光效率，發(fā)光光譜以及器件的電流-電壓特性。上述器件發(fā)光特性的測(cè)量是利用輝度測(cè)定器(株式會(huì)社topcon制，商品名bm7)進(jìn)行的。其測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表3。實(shí)施例22本實(shí)施例與實(shí)施例21不同之處在于：oled發(fā)光器件發(fā)光層主體材料改變?yōu)閏bp和實(shí)施例2所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物24)，重量比為7:3。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表3。實(shí)施例23本實(shí)施例與實(shí)施例21不同之處在于：oled發(fā)光器件發(fā)光層主體材料改變?yōu)閏bp和實(shí)施例3所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物33)，重量比為7:3。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表3。實(shí)施例24本實(shí)施例與實(shí)施例21不同之處在于：oled發(fā)光器件發(fā)光層主體材料改變?yōu)閏bp和實(shí)施例4所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物55)，重量比為7:3。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表3。實(shí)施例25本實(shí)施例與實(shí)施例21不同之處在于：oled發(fā)光器件發(fā)光層主體材料改變?yōu)閏bp和實(shí)施例5所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物75)，重量比為7:3。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表3。實(shí)施例26本實(shí)施例與實(shí)施例21不同之處在于：oled發(fā)光器件發(fā)光層主體材料改變?yōu)閏bp和實(shí)施例6所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物4)，重量比為7:3。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表3。實(shí)施例27本實(shí)施例與實(shí)施例21不同之處在于：oled發(fā)光器件發(fā)光層主體材料改變?yōu)閏bp和實(shí)施例7所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物22)，重量比為7:3。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表3。實(shí)施例28本實(shí)施例與實(shí)施例21不同之處在于：oled發(fā)光器件發(fā)光層主體材料改變?yōu)閏bp和實(shí)施例8所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物35)，重量比為7:3。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表3。本實(shí)施例與實(shí)施例21不同之處在于：oled發(fā)光器件發(fā)光層主體材料改變?yōu)閏bp和實(shí)施例9所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物58)，重量比為7:3。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表3。實(shí)施例30本實(shí)施例與實(shí)施例21不同之處在于：oled發(fā)光器件發(fā)光層主體材料改變?yōu)閏bp和實(shí)施例10所述結(jié)構(gòu)的材料(化合物74)，重量比為7:3。所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表3。比較例2比較例2與實(shí)施例21所不同的是：oled發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料為單獨(dú)的cbp；所制作的oled發(fā)光器件的測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表3。表3注：器件測(cè)試性能以器件比較例2作為參照，比較例2器件各項(xiàng)性能指標(biāo)設(shè)為1.0。比較例2的電流效率為32cd/a(@10ma/cm2)；5000亮度下lt95壽命衰減為6.8hr。由表3的結(jié)果可以看出，本發(fā)明所述化合物可應(yīng)用于oled發(fā)光器件制作，并且可以獲得良好的表現(xiàn)，本發(fā)明所述材料和cbp共同作為oled發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料，無(wú)論是效率還是壽命均比已知oled材料獲得較大改觀，特別是器件的驅(qū)動(dòng)壽命獲得較大的提升。本發(fā)明化合物作為發(fā)光層主體材料在oled發(fā)光器件中具有良好的應(yīng)用效果，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。雖然已通過(guò)實(shí)施例和優(yōu)選實(shí)施方式公開(kāi)了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的實(shí)施方式。相反，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)明白，其意在涵蓋各種變型和類(lèi)似的安排。因此，所附權(quán)利要求的范圍應(yīng)與最寬的解釋相一致以涵蓋所有這樣的變型和類(lèi)似的安排。當(dāng)前第1頁(yè)12