本發(fā)明涉及一種化合物，尤其涉及一種可用于oled藍(lán)色發(fā)光材料的芘衍生物。
背景技術(shù)：
：有機(jī)電致發(fā)光被產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界譽(yù)為最有潛力的下一代平板顯示技術(shù)，具有低功耗、寬視角、響應(yīng)快、更輕更薄以及可柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)。有機(jī)電致發(fā)光二極管(oleds)作為一種全新的顯示技術(shù)在各個(gè)性能上擁有現(xiàn)有顯示技術(shù)無(wú)以倫比的優(yōu)勢(shì)，如具有全固態(tài)、自主發(fā)光、亮度高、高分辨率、視角寬(170度以上)、響應(yīng)速度快、厚度薄、體積小、重量輕、可使用柔性基板、低電壓直流驅(qū)動(dòng)(3-10v)、功耗低、工作溫度范圍寬等，使得它的應(yīng)用市場(chǎng)十分廣泛，如照明系統(tǒng)、通訊系統(tǒng)、車(chē)載顯示、便攜式電子設(shè)備、高清晰度顯示甚至是軍事領(lǐng)域。隨著有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)的發(fā)展，材料功能化趨勢(shì)越加細(xì)致，其中載流子的注入和傳輸是有機(jī)發(fā)光二極管中最基本的物理過(guò)程，對(duì)器件的發(fā)光性能，如量子效率、功耗等有著決定性的影響。與無(wú)機(jī)半導(dǎo)體二極管相比，有機(jī)半導(dǎo)體二極管由于其結(jié)構(gòu)的無(wú)序性、材料的多樣性而使得載流子的物理過(guò)程顯得更為復(fù)雜，用于電子傳輸層和空穴阻隔層的有機(jī)材料至關(guān)重要。事實(shí)上，雖然oled應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，但仍然存在不足，例如一些現(xiàn)有oled材料存在著空穴傳輸性不夠高，發(fā)光效率較低，溶解性和熱穩(wěn)定性較低等問(wèn)題，而決定oled性能優(yōu)劣的根本因素為材料的選擇，因此，設(shè)計(jì)與尋找一種化合物，作為oled新型材料以克服其在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)的不足，是oled材料研究工作中的重點(diǎn)與今后的研發(fā)趨勢(shì)。藍(lán)色電致發(fā)光器件的目標(biāo)是效率要達(dá)到4～5cda-1，cie色坐標(biāo)(0.14-0.16，0.11-0.15)。藍(lán)色發(fā)光材料在分子設(shè)計(jì)上要求材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)具有一定程度的共 軛結(jié)構(gòu)，但分子的偶極矩不能太大，否則，發(fā)光光譜容易紅移至綠光區(qū)。目前藍(lán)色發(fā)光材料主要有只含碳和氫的芳香型藍(lán)光材料、芳胺類(lèi)藍(lán)光材料、有機(jī)硼類(lèi)藍(lán)光材、有機(jī)硅類(lèi)藍(lán)光材料及其他藍(lán)光材料。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：為了能夠更好地體現(xiàn)出oled相對(duì)于tft-lcd的跨時(shí)代技術(shù)優(yōu)勢(shì)，而且能夠解決oled材料現(xiàn)有技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)的問(wèn)題，并尋找到合適的藍(lán)光材料；本發(fā)明旨在提高現(xiàn)有發(fā)光材料的空穴傳輸性、溶解性和熱穩(wěn)定性，設(shè)計(jì)了一系列有機(jī)電致發(fā)光材料，具體為藍(lán)色發(fā)光材料。第一方面，本發(fā)明提供了一種可用于oled藍(lán)色發(fā)光材料的芘衍生物，其特征在于，其結(jié)構(gòu)為通式(ⅰ)所示的化合物：其中，r1～r10中有2個(gè)為胺基，其余8個(gè)各自獨(dú)立地為氫原子、鹵素原子、氰基、c1～c10烷基、取代或不取代的c3～c10環(huán)烷基、c1～c10烷氧基、取代或不取代的c3～c10鏈烯基、取代或不取代的c6～c30芳香烴基、取代或不取代的c10～c30芳香稠環(huán)基、c7～c30芳烷基、c3～c10丙烯氧基；a1～a6中有一個(gè)為胺基，其余5個(gè)各自獨(dú)立地為氫原子、鹵素原子、氰基、c1～c10烷基、取代或不取代的c3～c10環(huán)烷基、c1～c10烷氧基、取代或不取代的c3～c10鏈烯基、取代或不取代的c6～c30芳香烴基、取代或不取代的c10～c30芳香稠環(huán)基、c7～c30芳烷基、c3～c10丙烯氧基；ph1和ph2各自獨(dú)立地為取代或不取代的c6～c30芳香烴基、取代或不取代的c10～c30芳香稠環(huán)基、取代或不取代的c6～c30芳香雜環(huán)基。優(yōu)選地，所述a1～a6中有一個(gè)為胺基，其余5個(gè)為氫原子；所述ph1和ph2為相同的基團(tuán)且為不取代的c6～c30芳香烴基。優(yōu)選地，所述芘衍生物選自以下化合物中的一種：本發(fā)明的第二方面，提供了一種含有上述可用于oled藍(lán)色發(fā)光材料的芘衍生物的oled電子傳輸層材料。本發(fā)明的第三方面，提供了一種含有上述可用于oled藍(lán)色發(fā)光材料的芘衍生物的oled發(fā)光層材料。本發(fā)明的第四方面，提供了一種含有上述可用于oled藍(lán)色發(fā)光材料的芘衍生物的oled空穴傳輸層材料。本發(fā)明的第五方面，提供了一種含有上述可用于oled藍(lán)色發(fā)光材料的芘衍生物的oled器件。本發(fā)明的第六方面，提供了一種上述oled器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：1)將設(shè)置有透明陽(yáng)極電極ito的基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘；2)將處理后的基板放入蒸鍍?cè)O(shè)備，首先蒸鍍空穴傳輸層材料作為空穴傳輸 層；3)然后蒸鍍發(fā)光層，混合蒸鍍發(fā)光層材料，以及5-10％的ir(ppy)3；4)隨后采用電子傳輸層材料，在基板上蒸鍍一層電子傳輸層，隨后再蒸鍍0.5-2nm厚的lif，隨后蒸鍍100-200nm厚的金屬al；其中，所述空穴傳輸層材料、發(fā)光層材料、電子傳輸層材料其中之一含有通式(ⅰ)所示的化合物。優(yōu)選地，在所述的oled器件的制備方法中，所述空穴傳輸層的厚度為30-50nm，所述發(fā)光層的厚度為10-120nm，所述電子傳輸層的厚度為20-40nm。本發(fā)明提供了一種基于通式(ⅰ)所示結(jié)構(gòu)的化合物，可用于電致藍(lán)色發(fā)光材料，該oled材料不僅可以提高空穴傳輸性、溶解性，還可以提高oled材料的熱穩(wěn)定性。此外，通式(ⅰ)所示結(jié)構(gòu)的化合物結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于合成，可以有效降低oled材料的制備成本，具有很好的工業(yè)化前景。該含有通式(ⅰ)所示結(jié)構(gòu)的化合物材料，還可以用于電子傳輸層，發(fā)光層，空穴傳輸層中，從而使得oled顯示屏實(shí)現(xiàn)高亮度、高效率、低功耗的效果。說(shuō)明書(shū)附圖圖1為本發(fā)明一種可用于oled藍(lán)色發(fā)光材料的芘衍生物的結(jié)構(gòu)式；圖2為本發(fā)明實(shí)施例1制得的化合物a-1的核磁圖譜；圖3為本發(fā)明實(shí)施例2制得的化合物a-4的核磁圖譜；圖4為本發(fā)明化合物a-1和a-4在四氫呋喃中的吸收曲線(xiàn)；圖5為本發(fā)明化合物a-1和a-4在四氫呋喃中的pl曲線(xiàn)；圖6為本發(fā)明化合物a-1和a-4在四氫呋喃中的cv曲線(xiàn)。具體實(shí)施方式下面結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步闡述，但本發(fā)明并不限于以下實(shí)施方式。第一方面，本發(fā)明提供了一種可用于oled藍(lán)色發(fā)光材料的芘衍生物，其特征在于，其結(jié)構(gòu)為如圖1所示通式(ⅰ)的化合物：其中，r1～r10中有2個(gè)為胺基，其余8個(gè)各自獨(dú)立地為氫原子、鹵素原子、氰基、c1～c10烷基、取代或不取代的c3～c10環(huán)烷基、c1～c10烷氧基、取代或不取代的c3～c10鏈烯基、取代或不取代的c6～c30芳香烴基、取代或不取代的c10～c30芳香稠環(huán)基、c7～c30芳烷基、c3～c10丙烯氧基；a1～a6中有一個(gè)為胺基，其余5個(gè)各自獨(dú)立地為氫原子、鹵素原子、氰基、c1～c10烷基、取代或不取代的c3～c10環(huán)烷基、c1～c10烷氧基、取代或不取代的c3～c10鏈烯基、取代或不取代的c6～c30芳香烴基、取代或不取代的c10～c30芳香稠環(huán)基、c7～c30芳烷基、c3～c10丙烯氧基；ph1和ph2各自獨(dú)立地為取代或不取代的c6～c30芳香烴基、取代或不取代的c10～c30芳香稠環(huán)基、取代或不取代的c6～c30芳香雜環(huán)基。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述a1～a6中有一個(gè)為胺基，其余5個(gè)為氫原子；所述ph1和ph2為相同的基團(tuán)且為不取代的c6～c30芳香烴基。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述芘衍生物選自以下化合物中的一種：本發(fā)明的第二方面，提供了一種含有上述可用于oled藍(lán)色發(fā)光材料的芘衍生物的oled電子傳輸層材料。本發(fā)明的第三方面，提供了一種含有上述可用于oled藍(lán)色發(fā)光材料的芘衍生物的oled發(fā)光層材料。本發(fā)明的第四方面，提供了一種含有上述可用于oled藍(lán)色發(fā)光材料的芘衍生物的oled空穴傳輸層材料。本發(fā)明的第五方面，提供了一種含有上述可用于oled藍(lán)色發(fā)光材料的芘衍生物的oled器件。本發(fā)明的第六方面，提供了一種上述oled器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：1)將設(shè)置有透明陽(yáng)極電極ito的基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘；2)將處理后的基板放入蒸鍍?cè)O(shè)備，首先蒸鍍空穴傳輸層材料作為空穴傳輸層；3)然后蒸鍍發(fā)光層，混合蒸鍍發(fā)光層材料，以及5-10％的ir(ppy)3；4)隨后采用電子傳輸層材料，在基板上蒸鍍一層電子傳輸層，隨后再蒸鍍0.5-2nm厚的lif，隨后蒸鍍100-200nm厚的金屬al；其中，所述空穴傳輸層材料或/和發(fā)光層材料或/和電子傳輸層材料中含有通式(ⅰ)所示的化合物。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，在所述的oled器件的制備方法中，所述空穴傳輸層的厚度為30-50nm，所述發(fā)光層的厚度為10-120nm，所述電子傳輸層的厚度為20-40nm。其中，關(guān)于本發(fā)明所述的芘衍生物的合成方法的實(shí)施例，如下所示：實(shí)施例1在氮?dú)獗Ｗo(hù)下，將原料a-0-1(1mol)，a-1-1(2.2mol)，1，2-環(huán)己二胺(4mol)，碘化亞銅(0.1mol)溶于1，4-二氧六環(huán)中，100℃攪拌6小時(shí)，lc-ms顯示反應(yīng)完全，c50h40n6(m+1＝725.4)。冷卻至室溫，并緩慢滴入攪拌的水中(10體積比)，用乙酸乙酯(3體積)萃取3次，合并有機(jī)相后，干燥，濃縮，過(guò)硅膠柱(乙酸乙酯/石油醚＝1：10)得到白色固體化合物a-1(64％收率)，其核磁圖譜如圖2所示?；衔颽-1：1hnmr(400mhz,cdcl3)9.13(s,2h),9.01(s,2h),8.20(dd,4h),7.84-7.88(m,4h),7.74(dd,2h),7.3-7.34(m,4h),7.11-7.7.26(m,6h),7.094-7.13(m,2h),3.976(td,2h),1,27(m,12h)。實(shí)施例2在氮?dú)獗Ｗo(hù)下，將原料a-0-4(1mol)，a-4-1(2.2mol)，1，2-環(huán)己二胺(4mol)，碘化亞銅(0.1mol)溶于1，4-二氧六環(huán)中，100℃攪拌6小時(shí)，lc-ms顯示反應(yīng)完全，c50h40n6(m+1＝725.4)。冷卻至室溫，并緩慢滴入攪拌的水中(10體積比)，用乙酸乙酯(3體積)萃取3次，合并有機(jī)相后，干燥，濃縮，過(guò)硅膠柱(乙酸乙酯/石油醚＝1：10)得到白色固體化合物a-4(57％收率)，其 核磁圖譜如圖3所示?；衔颽-4：1hnmr(400mhz,cdcl3)8.831(s,2h),8.19(td,4h),7.94(d,2h),7.71(s,2h),7.67(td,2h),7.39(d,2h),7.28-7.31(m,4h),7.07-7.18(m,6h),7.09(td,2h),3.88-3.93(m,2h),1.22-1.32(m,12h)。以本發(fā)明的化合物a-1和a-4為例，在四氫呋喃中的吸收曲線(xiàn)如圖4所示，pl曲線(xiàn)如圖5所示，cv曲線(xiàn)如圖6所示，根據(jù)上述圖4、5和6所示計(jì)算得到如下數(shù)據(jù)，如下表1所示：化合物uv(inthf)em(inthf)homo(ev)lumo(ev)eg(ev)a-1412nm523nm-5.68-2.972.71a-4398nm549nm-5.55-2.742.81表1此外，由所述芘衍生物作為摻雜物的oled器件結(jié)構(gòu)實(shí)施例如下：ito(50nm)/hil(40nm)/htl(45nm)/bh:bd(摻雜物5％)(25nm)/tb(5nm)/et(20nm)/lif(1nm)/al(100nm)；其中，所述的hil，htl，et，tb，bh分別為以下化合物：檢測(cè)作為藍(lán)光發(fā)光材料的dopant(摻雜物)的化合物a-1和a-4的藍(lán)光器件特性，如下表2所示:表2從上表2中可以看出，化合物a-1和a-4在發(fā)光波長(zhǎng)和色標(biāo)上都表現(xiàn)出優(yōu)異的藍(lán)光特性，藍(lán)光使用壽命較好，從以上數(shù)據(jù)證明化合物a-1和a-4都是有良好前景的藍(lán)色發(fā)光dopant(摻雜物)材料?；衔颽-1和a-4的物理化學(xué)性質(zhì)如下表3所示：表3從表3中可以看出，化合物a-1和a-4的玻璃轉(zhuǎn)化溫度高，遷移率好，從而利于蒸鍍，可見(jiàn)化合物a-1和a-4是有良好前景的藍(lán)色發(fā)光dopant(摻雜物)材料。以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)12