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縮合環(huán)化合物和包括該縮合環(huán)化合物的有機發(fā)光二極管的制作方法

文檔序號:3516260閱讀:255來源:國知局
專利名稱:縮合環(huán)化合物和包括該縮合環(huán)化合物的有機發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種由式I表示的縮合環(huán)化合物和一種包括該縮合環(huán)化合物的有機發(fā)光二極管。
背景技術(shù)
作為自發(fā)射裝置的有機發(fā)光二極管(OLED)具有諸如寬視角、優(yōu)異的對比度、快速的響應(yīng)、高亮度和優(yōu)異的驅(qū)動電壓的優(yōu)點。OLED可以提供多彩的圖像。一般的OLED具有這樣的結(jié)構(gòu),所述結(jié)構(gòu)包括基底以及順序地堆疊在基底上的陽極、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和陰極。在這方面,HTL、EML和ETL 是由有機化合物形成的有機層。具有上述結(jié)構(gòu)的OLED的工作原理如下。當(dāng)在陽極和陰極之間施加電壓時,從陽極注入的空穴經(jīng)由HTL移動到EML,從陰極注入的電子經(jīng)由ETL移動到EML??昭ê碗娮釉贓ML中復(fù)合,從而產(chǎn)生激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)降至基態(tài)時,發(fā)射光。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種具有新穎結(jié)構(gòu)的縮合環(huán)化合物。本發(fā)明還提供了一種包括以上縮合環(huán)化合物的有機發(fā)光二極管。根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供了一種由下面的式I表示的縮合環(huán)化合物式I
權(quán)利要求
1.一種縮合環(huán)化合物,所述縮合環(huán)化合物由下面的式I表示
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的縮合環(huán)化合物,其中,R11至R14均獨立地為氫、氘、取代的或未取代的C1-Cltl烷基、取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的并環(huán)戊二烯基、取代的或未取代的茚基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的甘菊環(huán)基、取代的或未取代的庚搭烯基、取代的或未取代的引達(dá)省基、取代的或未取代的苊基、取代的或未取代的芴基、取代的或未取代的非那烯基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的蒽基、取代的或未取代的熒蒽基、取代的或未取代的苯并[9,10]菲基、取代的或未取代的芘基、取代的或未取代的窟基、取代的或未取代的并四苯基、取代的或未取代的茜基、取代的或未取代的茈基、取代的或未取代的戊芬基、取代的或未取代的并六苯基、取代的或未取代的環(huán)戊基、取代的或未取代的環(huán)己基、取代的或未取代的環(huán)庚基、取代的或未取代的二氫萘基、取代的或未取代的四氫萘基或取代的或未取代的二氫茚基。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的縮合環(huán)化合物,其中,Ar1至Ar4均獨立地為取代的或未取代的苯連接基、取代的或未取代的并環(huán)戊二烯連接基、取代的或未取代的茚連接基、取代的或未取代的萘連接基、取代的或未取代的甘菊環(huán)連接基、取代的或未取代的庚搭烯連接基、取代的或未取代的引達(dá)省連接基、取代的或未取代的苊連接基、取代的或未取代的芴連接基、取代的或未取代的非那烯連接基、取代的或未取代的菲連接基、取代的或未取代的蒽連接基、取代的或未取代的熒蒽連接基、取代的或未取代的苯并[9,10]菲連接基、取代的或未取代的芘連接基、取代的或未取代的窟連接基、取代的或未取代的并四苯連接基、取代的或未取代的茜連接基、取代的或未取代的茈連接基、取代的或未取代的并五苯連接基或取代的或未取代的并六苯連接基。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的縮合環(huán)化合物,其中,al至a4均獨立地為0、1或2,bl至b4均獨立地為I或2。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的縮合環(huán)化合物,其中,R11至R14均獨立地為下述基團中之一氫* ;氣;C1-Cltl燒基;苯基;蔡基;菲基;荷基;花基;環(huán)戍基;環(huán)己基;四氧蔡基;_■氧卻基;取代有氘、齒素原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C6tl烯基、C2-C6tl炔基、C1-C6tl烷氧基和-Si (Q1) (Q2) (Q3)中的至少一個的苯基、萘基、菲基、芴基、芘基、環(huán)戊基、環(huán)己基、四氫萘基和二氫茚基; Q1至Q3均獨立地為C1-Cltl烷基或C5-C14芳基; Ar1至Ar4均獨立地由下面的式3A至式3G中之一表示
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的縮合環(huán)化合物,其中,R5和R6均獨立地為氫、氘、取代的或未取代的C1-Cltl烷基或取代的或未取代的C5-C2tl芳基。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的縮合環(huán)化合物,其中,R5和R6均獨立地為下述基團中之一氧;氣!C1-C10燒基;苯基;蔡基;取代有氣、素原子、輕基、氛基、硝基、氣基、脈基、餅、月宗、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C6tl烯基、C2-C6tl炔基和C1-C6tl烷氧基中的至少一個的苯基和萘基。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的縮合環(huán)化合物,其中,R5和R6經(jīng)由單鍵、下面的式4Α表示的連接基或下面的式4Β表示的連接基彼此連接
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的縮合環(huán)化合物,其中,所述縮合環(huán)化合物由下面的式IA至式ID中之一表不
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的縮合環(huán)化合物,其中,式I中的R1與R2的組合和R3與R4的組合中的至少一個組合彼此連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的縮合環(huán)化合物,其中,式I中的-N(R1)(R2)和-N(R3) (R4)中的至少一個由式5A至式5F中之一表示
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的縮合環(huán)化合物,其中,所述縮合環(huán)化合物是化合物I、化合物·3、化合物9、化合物10、化合物11、化合物12、化合物14、化合物17、化合物22、化合物26、化合物28、化合物29、化合物54、化合物64和化合物68中之一化合物I化合物3
13.—種有機發(fā)光二極管,所述有機發(fā)光二極管包括 第一電極; 第二電極,面對所述第一電極; 有機層,設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間;其中,所述有機層包括根據(jù)權(quán)利要求I所述的縮合環(huán)化合物中的至少一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光二極管,其中,所述有機層包括空穴注入層、空穴傳輸層、具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光二極管,其中,所述發(fā)射層包括所述縮合環(huán)化合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光二極管,其中,所述發(fā)射層還包括主體,所述發(fā)射層中的所述縮合環(huán)化合物用作摻雜劑。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光二極管,其中,所述主體包括由下面的式60表示的基于蒽的化合物
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光二極管,其中,所述電子傳輸層包括電子傳輸有機化合物和含金屬的材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機發(fā)光二極管,其中,所述含金屬的材料是鋰配合物。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光二極管,其中,所述有機層包括空穴注入層、空穴傳輸層以及具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層中的至少一個,所述空穴注入層、所述空穴傳輸層以及具有空穴注入和空穴傳輸能力的所述功能層中的至少一個包括電荷產(chǎn)生材料。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種由下面的式1表示的縮合環(huán)化合物和一種包括該縮合環(huán)化合物的有機發(fā)光二極管,其中,R1至R6、Ar5和Ar6以及X1至X10如在說明書中定義的。式文檔編號C07C253/30GK102617626SQ20121002318
公開日2012年8月1日 申請日期2012年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月17日
發(fā)明者崔炳基, 樸錫培, 李世珍, 李貞仁, 林栽建, 柳世真, 諸淙臺, 金兌炅, 金明淑 申請人:Sfc株式會社, 三星移動顯示器株式會社
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