技術特征：

1.一種外延爐腔體的金屬含量控制方法，其特征是，包括以下階段：

2.根據(jù)權利要求1所述的一種外延爐腔體的金屬含量控制方法，其特征是，所述第一階段清潔具體包括如下步驟：

3.根據(jù)權利要求2所述的一種外延爐腔體的金屬含量控制方法，其特征是，所述刻蝕步驟的時間為36s至53s，去除基座表面的殘留物質。

4.根據(jù)權利要求2所述的一種外延爐腔體的金屬含量控制方法，其特征是，所述刻蝕步驟中使用的氣體為氯化氫，刻蝕速率為0.25μm/s。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種外延爐腔體的金屬含量控制方法，其特征是，所述第二階段涂覆具體包括如下步驟：

6.根據(jù)權利要求1所述的一種外延爐腔體的金屬含量控制方法，其特征是，所述涂覆步驟中硅層的厚度為1-2μm。

7.根據(jù)權利要求6所述的一種外延爐腔體的金屬含量控制方法，其特征是，所述涂覆步驟中使用的反應氣體為三氯氫硅和氫氣，用以在基座表面生長一層厚度可控的硅層。

8.根據(jù)權利要求6所述的一種外延爐腔體的金屬含量控制方法，其特征是，所述涂覆步驟的時間為45s至125s，用于阻擋基底表面的金屬污染物向外延層擴散。

9.根據(jù)權利要求6所述的一種外延爐腔體的金屬含量控制方法，其特征是，所述涂覆步驟中引入氬氣作為載流子，所述氬氣占總氣體流量的10%至30%。

10.根據(jù)權利要求1所述的一種外延爐腔體的金屬含量控制方法，其特征是，所述第三階段冷卻具體包括如下步驟：

技術總結
本發(fā)明涉及一種外延爐腔體的金屬含量控制方法，包括以下階段：清潔階段，去除腔體內(nèi)殘留物質；先在腔體內(nèi)通入氣體去除灰塵和雜質殘留，然后加熱元件用于去除基底表面的有機物和水分，完成上述步驟后保持腔體內(nèi)溫度和壓力穩(wěn)定，最后在刻蝕步驟中去除基底表面的殘留物質；涂覆階段，在基座表面生長一層厚度可控的硅層；先在腔體內(nèi)通入氣體去除殘留物質，完成上述步驟后保持腔體內(nèi)溫度和壓力穩(wěn)定，最后在涂覆步驟中令基座表面生成一層厚度可控的硅層；冷卻階段，確保腔體溫度在25℃；先在腔體內(nèi)通入氣體去除殘留物質，然后將基底溫度降至25℃。通過優(yōu)化刻蝕步驟和涂覆步驟，改善外延片金屬超標的問題，從而提高外延片的質量。

技術研發(fā)人員：雷金澌,付成辛,刁睿,楊偉,楊金峰
受保護的技術使用者：浙江麗水中欣晶圓半導體科技有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/2