技術(shù)編號：40575174
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造，尤其涉及一種外延爐腔體的金屬含量控制方法。背景技術(shù)、外延爐利用三氯氫硅或氯化硅等與氫氣的還原反應(yīng)，在單晶襯底硅片上生長出單晶外延，隨著生產(chǎn)外延片數(shù)的增加，外延爐的反應(yīng)腔室需停機清洗保養(yǎng)，在更換配件的過程中，金屬污染物由外部引入，造成外延爐腔內(nèi)的金屬污染物含量升高，即使?jié)舛群艿停矔档屯庋悠馁|(zhì)量，最終導致器件性能的降低?，F(xiàn)有技術(shù)對反應(yīng)腔的清潔方法主要是通過往腔體內(nèi)通入氯化氫氣體，刻蝕腔內(nèi)殘留的氧化硅后再通過尾氣處理排出，改善腔內(nèi)環(huán)境。、傳統(tǒng)的清潔方法對金屬含量的改善效...
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