1.一種原位制備ZnO納米棒陣列薄膜的方法，其特征在于包括以下步驟：
(1)有機(jī)銨鹽的制備
有機(jī)單胺RNH2或有機(jī)雙胺NH2RNH2的乙醇溶液，其中R＝CnH2n，n≥1，與鹽酸進(jìn)行加熱回流反應(yīng)，經(jīng)減壓蒸餾、過(guò)濾、重結(jié)晶、干燥后，制得有機(jī)單銨鹽RNH3Cl或有機(jī)二銨鹽NH3ClRNH3Cl；
(2)二維層狀氯化鋅基雜化鈣鈦礦的制備
按照摩爾質(zhì)量比所述有機(jī)單銨鹽RNH3Cl∶氯化鋅＝2∶1，或所述有機(jī)二銨鹽NH3ClRNH3Cl∶氯化鋅＝1∶1，將所述有機(jī)單銨鹽RNH3Cl的乙醇溶液，或所述有機(jī)二銨鹽NH3ClRNH3Cl的乙醇溶液，與氯化鋅的乙醇溶液混合，進(jìn)行加熱回流反應(yīng)，經(jīng)減壓蒸餾、過(guò)濾、重結(jié)晶、干燥后，制得二維層狀氯化鋅基雜化鈣鈦礦(RNH3)2ZnCl4或NH3RNH3ZnCl4；
(3)氯化鋅基雜化鈣鈦礦旋涂制膜
將所述雜化鈣鈦礦(RNH3)2ZnCl4或NH3RNH3ZnCl4溶于溶劑后，采用勻膠機(jī)在已清洗的基底上通過(guò)旋涂制備得到氯化鋅基雜化鈣鈦礦膜層；
(4)氯化鋅基雜化鈣鈦礦的燒結(jié)
將所述氯化鋅基雜化鈣鈦礦膜層進(jìn)行燒結(jié)，即在基底上原位制備得到氧化鋅納米棒陣列薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位制備ZnO納米棒陣列薄膜的方法，其特征在于：所述步驟(1)、步驟(2)中加熱回流反應(yīng)溫度為70～80℃，反應(yīng)時(shí)間為0.5～2h。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位制備ZnO納米棒陣列薄膜的方法，其特征在于：所述步驟(3)中將20～100mg所述雜化鈣鈦礦(RNH3)2ZnCl4或NH3RNH3ZnCl4溶于1mL溶劑中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的原位制備ZnO納米棒陣列薄膜的方法，其特征在于：所述步驟(3)中溶劑為無(wú)水乙醇、丙醇、異丁醇、DMF或DMSO。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位制備ZnO納米棒陣列薄膜的方法，其特征在于：所述步驟(3)中旋涂的速度為2000～5000rpm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位制備ZnO納米棒陣列薄膜的方法，其特征在于：所述基底為ITO導(dǎo)電玻璃、FTO導(dǎo)電玻璃、AZO導(dǎo)電玻璃、柔性透明導(dǎo)電基底、石英玻璃或者硅基基底。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位制備ZnO納米棒陣列薄膜的方法，其特征在于：所述步驟(4)在氧氣氣氛中于300～500℃溫度下燒結(jié)0.5～2h。
8.利用權(quán)利要求1-7之一所述原位制備ZnO納米棒陣列薄膜的方法制得的薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的ZnO納米棒陣列薄膜，其特征在于：所述ZnO納米棒直徑為100～150nm、長(zhǎng)度為400～500nm。