專利名稱：用于晶體硅太陽能電池生產(chǎn)中工藝氣體擴(kuò)散的進(jìn)氣管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及晶體硅太陽能電池生產(chǎn)加工領(lǐng)域，具體是一種用于晶體硅太陽能電池生產(chǎn)中工藝氣體擴(kuò)散的進(jìn)氣管。
背景技術(shù)：
在晶體硅太陽能電池生產(chǎn)工藝中，目前所普遍采用的是P0CL3液態(tài)源擴(kuò)散制作PN結(jié)，其原理如圖I所示。在擴(kuò)散過程中，工藝氣體通過一個(gè)罩杯從爐尾進(jìn)入爐內(nèi)，然后通過尾氣管從爐口抽出。利用該方法進(jìn)行擴(kuò)散，工藝簡單，成本較低，因而成為目前晶體硅太陽能電池生產(chǎn)制作PN結(jié)的主要方法。但由于硅片之間的距離很近，該種方法使得進(jìn)入到硅片中心區(qū)域的工藝氣體明顯少于硅片邊緣區(qū)域，使得硅片中心區(qū)域的方塊電阻明顯高于硅片邊緣，從而使均勻性變差。為了獲得較好的片內(nèi)均勻性，通常采用的方法是將石英舟上下梁 的卡槽錯(cuò)開一定距離，使硅片在爐內(nèi)有一個(gè)偏向爐尾方向的傾斜。這樣，從爐尾方向進(jìn)來的工藝氣體就更容易進(jìn)入到硅片中心區(qū)域，從而使均勻性得到改善。但是，由于從爐尾進(jìn)入的工藝氣體溫度較低，工藝氣體在進(jìn)入爐內(nèi)之后首先會(huì)下沉，經(jīng)加熱之后再上升分散進(jìn)入硅片中心區(qū)域，這樣使得爐尾及中尾區(qū)域的均勻性受到一定的影響。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供了一種用于晶體硅太陽能電池生產(chǎn)中工藝氣體擴(kuò)散的進(jìn)氣管，解決了以往工藝氣體進(jìn)入爐內(nèi)的方式容易導(dǎo)致硅片中心區(qū)域的工藝氣體明顯少于硅片邊緣區(qū)域，使得硅片中心區(qū)域的方塊電阻明顯高于硅片邊緣，從而使均勻性變差的問題。本實(shí)用新型為解決技術(shù)問題主要通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)用于晶體硅太陽能電池生產(chǎn)中工藝氣體擴(kuò)散的進(jìn)氣管，包括進(jìn)氣管本體以及套接在進(jìn)氣管本體上的罩杯，所述進(jìn)氣管本體的一端為開口，進(jìn)氣管本體的另一端密封，且進(jìn)氣管本體的密封端設(shè)有一個(gè)出氣孔，進(jìn)氣管本體的外部設(shè)有填充層。所述罩杯與進(jìn)氣管本體的開口的距離為進(jìn)氣管本體的長度的1/5 1/4。通過罩杯將進(jìn)氣管固定在爐管進(jìn)氣端上。所述填充層的厚度為進(jìn)氣管本體的管壁厚度的I. 5^3倍。填充層主要是為了減小進(jìn)氣管與爐管進(jìn)氣端之間的縫隙，避免腐蝕物質(zhì)在進(jìn)氣管上堆積。所述罩杯套接在填充層上。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果(I)本實(shí)用新型的進(jìn)氣管本體采用試管結(jié)構(gòu)，即一端開口，一端密封，在密封端設(shè)置一個(gè)出氣孔，這樣工藝氣體進(jìn)入爐內(nèi)后直接往上流動(dòng)，很好地改善了方塊電阻的均勻性問題。(2)本實(shí)用新型在進(jìn)氣管本體外設(shè)置了填充層，這樣減小了進(jìn)氣管與爐口之間的縫隙，避免了爐內(nèi)產(chǎn)生的腐蝕性物質(zhì)堆積在進(jìn)氣管上，造成進(jìn)氣管被腐蝕穿，最后導(dǎo)致管子斷裂，從而延長了進(jìn)氣管的使用壽命，降低了使用成本。

圖I為傳統(tǒng)的晶體硅太陽電池生產(chǎn)中工藝氣體擴(kuò)散的原理圖；圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型安裝在爐管進(jìn)氣端上使用時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中所對應(yīng)的附圖標(biāo)記為1、進(jìn)氣管本體，2、罩杯，3、出氣孔，4、填充層。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。 實(shí)施例如圖2所示，本實(shí)用新型包括進(jìn)氣管本體I以及套接在進(jìn)氣管本體I上的罩杯2，進(jìn)氣管本體I的一端為開口，進(jìn)氣管本體I的另一端密封，且進(jìn)氣管本體I的密封端設(shè)有一個(gè)出氣孔3，進(jìn)氣管本體I的外部設(shè)有填充層4。本實(shí)施例的罩杯2與進(jìn)氣管本體I的開口的距離為進(jìn)氣管本體I的長度的1/5 1/4。本實(shí)施例的填充層4的厚度為進(jìn)氣管本體I的管壁厚度的I. 5^3倍。本實(shí)施例的罩杯2套接在填充層4上。本實(shí)用新型的工作原理為如圖3所示，將本實(shí)用新型安裝在爐管進(jìn)氣端上，填充層4使進(jìn)氣管與爐口之間基本實(shí)現(xiàn)無縫接觸，工藝氣體通過進(jìn)氣管本體I的開口進(jìn)入，然后從出氣孔3流出，工藝氣體向上流動(dòng)至硅片，實(shí)現(xiàn)擴(kuò)散。如上所述，則能很好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。
權(quán)利要求1.用于晶體硅太陽能電池生產(chǎn)中エ藝氣體擴(kuò)散的進(jìn)氣管，其特征在于包括進(jìn)氣管本體(I)以及套接在進(jìn)氣管本體(I)上的罩杯(2)，所述進(jìn)氣管本體(I)的一端為開ロ，進(jìn)氣管本體(I)的另一端密封，且進(jìn)氣管本體(I)的密封端設(shè)有ー個(gè)出氣孔(3)，進(jìn)氣管本體(I)的外部設(shè)有填充層(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于晶體硅太陽能電池生產(chǎn)中エ藝氣體擴(kuò)散的進(jìn)氣管，其特征在于所述罩杯(2)與進(jìn)氣管本體(I)的開ロ的距離為進(jìn)氣管本體(I)的長度的1/5 1/4。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于晶體硅太陽能電池生產(chǎn)中エ藝氣體擴(kuò)散的進(jìn)氣管，其特征在于所述填充層(4)的厚度為進(jìn)氣管本體(I)的管壁厚度的1.5 3倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于晶體硅太陽能電池生產(chǎn)中エ藝氣體擴(kuò)散的進(jìn)氣管，其特征在于所述罩杯(2)套接在填充層(4)上。
專利摘要本實(shí)用新型公開了用于晶體硅太陽能電池生產(chǎn)中工藝氣體擴(kuò)散的進(jìn)氣管，包括進(jìn)氣管本體(1)以及套接在進(jìn)氣管本體(1)上的罩杯(2)，進(jìn)氣管本體(1)的一端為開口，進(jìn)氣管本體(1)的另一端密封，且進(jìn)氣管本體(1)的密封端設(shè)有一個(gè)出氣孔(3)，進(jìn)氣管本體(1)的外部設(shè)有填充層(4)。本實(shí)用新型采用上述結(jié)構(gòu)，能使方塊電阻的均勻性較好，同時(shí)延長進(jìn)氣管的使用壽命，降低使用成本。
文檔編號(hào)C30B31/16GK202610397SQ20122027997
公開日2012年12月19日 申請日期2012年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月14日
發(fā)明者袁澤銳, 趙太平, 夏偉, 程曦, 包崇彬, 李質(zhì)磊, 盛雯婷, 張鳳鳴 申請人:天威新能源控股有限公司, 保定天威集團(tuán)有限公司