本發(fā)明涉及電機(jī)控制技術(shù)，特別涉及一種電子調(diào)速器以及應(yīng)用該電子調(diào)速器的可移動(dòng)平臺(tái)。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的大電流的電子調(diào)速器，例如，35a以上的電子調(diào)速器，其體積都非常大，如此一來安裝上會(huì)很受限，同時(shí)體積大也伴隨著重量重，機(jī)動(dòng)與續(xù)航能力會(huì)相應(yīng)降低。

但是，如果只將大電流的電子調(diào)速器的集成度提高，則可能導(dǎo)致散熱性不好，電子調(diào)速器因溫度過高而不能正常工作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例主要解決的技術(shù)問題是提供一種體積較小、并且散熱性較好的電子調(diào)速器。

一種電子調(diào)速器，包括：

殼體，

電路板，安裝在所述殼體內(nèi)，所述電路板包括上表面以及與所述上表面背對(duì)設(shè)置的下表面，所述上表面面對(duì)所述殼體的其中一個(gè)內(nèi)壁設(shè)置，所述下表面面對(duì)所述殼體的另一個(gè)相對(duì)的內(nèi)壁設(shè)置，

其中，所述上表面設(shè)有多個(gè)第一mos管，所述下表面設(shè)有多個(gè)第二mos管；所述第一mos管以及所述第二mos管的頂面均嵌設(shè)有導(dǎo)熱金屬片；

所述第一mos管的導(dǎo)熱金屬片通過第一導(dǎo)熱墊與所述殼體的其中一個(gè)內(nèi)壁導(dǎo)熱連接；

所述第二mos管的導(dǎo)熱金屬片通過第二導(dǎo)熱墊與所述殼體的另一個(gè)相對(duì)內(nèi)壁導(dǎo)熱連接。

在電子調(diào)速器中，第一mos管以及第二mos管是主要的熱源，在第一mos管以及第二mos管的頂面均嵌設(shè)有導(dǎo)熱金屬片，并且第一mos管以及第二mos管可以直接通過該導(dǎo)熱金屬片進(jìn)行散熱，使得第一mos管以及第二mos管的頂部的熱阻相較于頂部為塑料封裝體的傳統(tǒng)的mos管的熱阻大大減小，大大增強(qiáng)了第一mos管以及第二mos管的熱傳導(dǎo)路徑上的導(dǎo)熱能力；同時(shí)，第一mos管以及第二mos管分別通過第一導(dǎo)熱墊以及第二導(dǎo)熱墊與電子調(diào)速器的殼體進(jìn)行熱傳導(dǎo)，增大了第一mos管以及第二mos與外界的熱交換面積，從而有效提高電子調(diào)速器的散熱效率。由于提高了第一mos管以及第二mos管的散熱效率，因此，可以在電路板的相對(duì)兩側(cè)同時(shí)貼裝mos管，以減小電路板的占用空間；并且，第一mos管以及第二mos管的散熱效率較高，便于采用較小的尺寸的mos管，從而進(jìn)一步減小電路板的占用空間，從而利于電子調(diào)速器的小型化設(shè)計(jì)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)熱金屬片直接封裝在所述第一mos管以及所述第二mos管內(nèi)，并所述導(dǎo)熱金屬片的頂面至少部分外露。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)所述第一mos管與多個(gè)所述第二mos管相對(duì)設(shè)置；

或者，多個(gè)所述第一mos管與多個(gè)所述第二mos管交錯(cuò)設(shè)置。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一mos管的數(shù)量大于等于6個(gè)；

或/及，所述第二mos管的數(shù)量大于等于6個(gè)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)所述第一mos管平行間隔設(shè)置，并且呈矩陣分布；

或/及，多個(gè)所述第二mos管平行間隔設(shè)置，并且呈矩陣分布。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)熱墊為導(dǎo)熱膠層或?qū)嶂瑢印?/p>

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)熱膠層為導(dǎo)熱硅膠層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)熱脂層為導(dǎo)熱硅脂層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一mos管以及所述第二mos管的寬度、長度均小于4毫米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一mos管以及所述第二mos管的寬度、長度均為3.3毫米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電調(diào)允許的最大工作電流大于等于30安培。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電調(diào)允許的最大工作電流為35～60安培。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述上殼以及下殼均為金屬殼。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述上殼以及下殼均為鋁殼。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述上殼的外表面對(duì)應(yīng)所述第一mos的區(qū)域設(shè)有多個(gè)散熱鰭片；

或/及，所述下殼的外表面對(duì)應(yīng)所述第二mos管的區(qū)域設(shè)有多個(gè)散熱鰭片。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)所述第一mos管共用一個(gè)導(dǎo)熱墊；

或/及，多個(gè)所述第二mos管共用一個(gè)導(dǎo)熱墊。

一種可移動(dòng)平臺(tái)，包括：

機(jī)架；

多個(gè)電機(jī)，安裝在所述機(jī)架上；

電子調(diào)速器，為多個(gè)，分別與所述多個(gè)電機(jī)電連接，用于控制多個(gè)所述多個(gè)電機(jī)；以及

控制器，與多個(gè)所述電子調(diào)速器通信連接；所述控制器通過多個(gè)所述電子調(diào)速器分別控制所述電機(jī)的工作狀態(tài)

其中，所述電子調(diào)速器包括殼體、以及安裝在所述殼體內(nèi)的電路板，所述電路板包括上表面以及與所述上表面背對(duì)設(shè)置的下表面，所述上表面面對(duì)所述殼體的其中一個(gè)內(nèi)壁設(shè)置，所述下表面面對(duì)所述殼體的另一個(gè)相對(duì)的內(nèi)壁設(shè)置；

所述上表面設(shè)有多個(gè)第一mos管，所述下表面設(shè)有多個(gè)第二mos管；所述第一mos管以及所述第二mos管的頂面均嵌設(shè)有導(dǎo)熱金屬片；

所述第一mos管的導(dǎo)熱金屬片通過第一導(dǎo)熱墊與所述殼體的其中一個(gè)內(nèi)壁導(dǎo)熱連接；

所述第二mos管的導(dǎo)熱金屬片通過第二導(dǎo)熱墊與所述殼體的另一個(gè)相對(duì)內(nèi)壁導(dǎo)熱連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)熱金屬片直接封裝在所述第一mos管以及所述第二mos管內(nèi)，并所述導(dǎo)熱金屬片的頂面至少部分外露。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)所述第一mos管與多個(gè)所述第二mos管相對(duì)設(shè)置；

或者，多個(gè)所述第一mos管與多個(gè)所述第二mos管交錯(cuò)設(shè)置。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一mos管的數(shù)量大于等于6個(gè)；

或/及，所述第二mos管的數(shù)量大于等于6個(gè)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)所述第一mos管平行間隔設(shè)置，并且呈矩陣分布；

或/及，多個(gè)所述第二mos管平行間隔設(shè)置，并且呈矩陣分布。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)熱墊為導(dǎo)熱膠層或?qū)嶂瑢印?/p>

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)熱膠層為導(dǎo)熱硅膠層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)熱脂層為導(dǎo)熱硅脂層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一mos管以及所述第二mos管的寬度、長度均小于4毫米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一mos管以及所述第二mos管的寬度、長度均為3.3毫米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電調(diào)允許的最大工作電流大于等于30安培。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電調(diào)允許的最大工作電流為35～60安培。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述殼體為金屬殼。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述殼體為鋁殼。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述殼體的外表面對(duì)應(yīng)所述第一mos的區(qū)域設(shè)有多個(gè)散熱鰭片；

或/及，所述殼體的外表面對(duì)應(yīng)所述第二mos管的區(qū)域設(shè)有多個(gè)散熱鰭片。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)所述第一mos管共用一個(gè)導(dǎo)熱墊；

或/及，多個(gè)所述第二mos管共用一個(gè)導(dǎo)熱墊。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述可移動(dòng)平臺(tái)為無人飛行器，或無人底盤車。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述可移動(dòng)平臺(tái)為無人飛行器，或無人底盤車。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的電子調(diào)速器的分解圖；

圖2是圖1所示的電子調(diào)速器的立體圖；

圖3是沿圖2中c-c線的剖面圖；

圖4是應(yīng)用圖1所示的電子調(diào)速器的可移動(dòng)平臺(tái)的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要說明的是，當(dāng)組件被稱為“固定于”另一個(gè)組件，它可以直接在另一個(gè)組件上或者也可以存在居中的組件。當(dāng)一個(gè)組件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)組件，它可以是直接連接到另一個(gè)組件或者可能同時(shí)存在居中組件。本文所使用的術(shù)語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。

發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)現(xiàn)提高mos管的散熱效率，可以有效減小電子調(diào)速器的體積以及增大電子調(diào)速器的最大工作電流。

本發(fā)明提供一種電子調(diào)速器，包括殼體、電路板以及分別貼裝在所述電路板的相對(duì)兩表面的多個(gè)mos管。每個(gè)mos管的頂面嵌設(shè)有導(dǎo)熱金屬片。其中，位于所述電路板的相對(duì)兩側(cè)的mos管的導(dǎo)熱金屬片分別通過導(dǎo)熱墊與殼體的內(nèi)壁抵接，以將mos管產(chǎn)生的熱量傳遞給殼體。

在上述電子調(diào)速器中，由于每個(gè)mos管的頂面嵌設(shè)有導(dǎo)熱金屬片，其頂部的熱阻相較于頂部為塑料封裝體的傳統(tǒng)的mos管的熱阻大大減小，大大增強(qiáng)了mos管的熱傳導(dǎo)路徑上的導(dǎo)熱能力。同時(shí)，mos管以分別通過導(dǎo)熱墊與電子調(diào)速器的殼體的內(nèi)壁進(jìn)行熱傳導(dǎo)，增大了mos管與外界的熱交換面積，從而有效提高電子調(diào)速器的散熱效率。由于提高了mos管的散熱效率，因此，可以在電路板的相對(duì)兩側(cè)同時(shí)貼裝mos管，以減小電路板的占用空間；并且，第一mos管以及第二mos管的散熱效率較高，便于采用較小的尺寸的mos管，從而進(jìn)一步減小電路板的占用空間，從而利于電子調(diào)速器的小型化設(shè)計(jì)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述殼體包括上殼、以及與所述上殼拼接的下殼。所述下殼與所述上殼共同形成一個(gè)殼體。電路板安裝在所述殼體內(nèi)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，電路板的相對(duì)兩側(cè)同時(shí)貼裝mos管的型號(hào)以及尺寸可以相同，也可以不同。

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的一些實(shí)施方式作詳細(xì)說明。在不沖突的情況下，下述的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

請(qǐng)參閱圖1至圖3，本發(fā)明的實(shí)施例的電子調(diào)速器100，包括上殼110、下殼120、以及電路板130。所述下殼120，與所述上殼110對(duì)應(yīng)設(shè)置。所述下殼120與所述上殼110共同形成一個(gè)殼體。電路板130，安裝在所述殼體內(nèi)。

所述電路板130包括上表面130a以及與所述上表面130a背對(duì)設(shè)置的下表面130b。所述上表面130a面對(duì)所述上殼110的內(nèi)壁設(shè)置，所述下表面130b面對(duì)所述下殼120的內(nèi)壁設(shè)置。

其中，所述上表面130a設(shè)有多個(gè)第一mos管150a，所述下表面130b設(shè)有多個(gè)第二mos管150b。所述第一mos管150a以及所述第二mos管150b的頂面均嵌設(shè)有導(dǎo)熱金屬片150c。所述第一mos管150a的導(dǎo)熱金屬片150c通過第一導(dǎo)熱墊160a與所述上殼110的內(nèi)壁導(dǎo)熱連接。所述第二mos管150b的導(dǎo)熱金屬片150c通過第二導(dǎo)熱墊160b與所述下殼120的內(nèi)壁導(dǎo)熱連接。

在電子調(diào)速器100中，第一mos管150a以及第二mos管150b是主要的熱源，在第一mos管150a以及第二mos管150b的頂面均嵌設(shè)有導(dǎo)熱金屬片150c，并且第一mos管150a以及第二mos管150b可以直接通過該導(dǎo)熱金屬片150c進(jìn)行散熱，使得第一mos管150a以及第二mos管150b的頂部的熱阻相較于頂部為塑料封裝體的傳統(tǒng)的mos管的熱阻大大減小，大大增強(qiáng)了第一mos管150a以及第二mos管150b的熱傳導(dǎo)路徑上的導(dǎo)熱能力；同時(shí)，第一mos管150a以及第二mos管150b分別通過第一導(dǎo)熱墊160a以及第二導(dǎo)熱墊160b與電子調(diào)速器100的上殼110以及下殼120進(jìn)行熱傳導(dǎo)，增大了第一mos管150a以及第二mos與外界的熱交換面積，從而有效提高電子調(diào)速器100的散熱效率。由于提高了第一mos管150a以及第二mos管150b的散熱效率，因此，可以在電路板130的相對(duì)兩側(cè)同時(shí)貼裝mos管，以減小電路板130的占用空間；并且，第一mos管150a以及第二mos管150b的散熱效率較高，便于采用較小的尺寸的mos管，從而進(jìn)一步減小電路板130的占用空間，從而利于電子調(diào)速器100的小型化設(shè)計(jì)。

所述導(dǎo)熱金屬片150c直接封裝在所述第一mos管150a以及所述第二mos管150b內(nèi)，并所述導(dǎo)熱金屬片150c的頂面至少部分外露。即，在對(duì)第一mos管150a以及第二mos管150b進(jìn)行封裝的時(shí)候，直接將導(dǎo)熱金屬片150c封裝在一起。

第一mos管150a以及第二mos管150b的設(shè)置位置，可以根據(jù)不同需求來設(shè)計(jì)。例如，在其中一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)所述第一mos管150a與多個(gè)所述第二mos管150b相對(duì)設(shè)置，以進(jìn)一步地節(jié)省電路板130的占用空間，利于電子調(diào)速器100的小型化設(shè)計(jì)。在其他實(shí)施例中，多個(gè)所述第一mos管150a與多個(gè)所述第二mos管150b交錯(cuò)設(shè)置，以提高單個(gè)mos管的有效散熱面積，進(jìn)一步提高mos管的散熱效率。

第一mos管150a以及第二mos管150b的數(shù)量可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置，可以用多個(gè)尺寸較小的mos管的數(shù)量代替?zhèn)鹘y(tǒng)的電子調(diào)速器100的一個(gè)大尺寸的mos管，以提高mos管的散熱效率，同時(shí)減小占用空間。例如，在圖示的實(shí)施例中，所述第一mos管150a的數(shù)量大于等于6個(gè)，所述第二mos管150b的數(shù)量大于等于6個(gè)。

第一mos管150a以及第二mos管150b的數(shù)量的相對(duì)位置可以根據(jù)不同需求來設(shè)計(jì)，例如，在圖示的實(shí)施例中，多個(gè)所述第一mos管150a平行間隔設(shè)置，并且呈矩陣分布，以便于多個(gè)第一mos管150a均勻散熱。多個(gè)所述第二mos管150b平行間隔設(shè)置，并且呈矩陣分布，以便于多個(gè)第二mos管150b均勻散熱。

由于mos管的散熱效率大大提高了，可以采用小尺寸的封裝工藝來封裝mos管，例如，所述第一mos管150a以及所述第二mos管150b的寬度、長度均小于4毫米，例如，所述第一mos管150a以及所述第二mos管150b的寬度、長度可以為4毫米，3.8毫米，3.6毫米，3.5毫米，3.2毫米，3.0毫米，2.8毫米，2.6毫米，2.5毫米等。所述第一mos管150a以及所述第二mos管150b的寬度與長度可以不同。具體在圖示的實(shí)施例中，所述第一mos管150a以及所述第二mos管150b的寬度、長度均為3.3毫米。

所述電調(diào)允許的最大工作電流大于等于30安培，可以根據(jù)所述電調(diào)允許的最大工作電流來增加第一mos管150a以及第二mos管150b的數(shù)量。例如，所述電調(diào)允許的最大工作電流可以為35安培、40安培、45安培、50安培、55安培、60安培等。

所述導(dǎo)熱墊為導(dǎo)熱膠層或?qū)嶂瑢印?dǎo)熱膠層可以為導(dǎo)熱性較好的粘膠制成，例如，所述導(dǎo)熱膠層為導(dǎo)熱硅膠層。所述導(dǎo)熱脂層可以為導(dǎo)熱性較好的脂類制成，例如，所述導(dǎo)熱脂層可以為導(dǎo)熱硅脂層。

導(dǎo)熱墊的設(shè)置方式可以根據(jù)不同需求來設(shè)計(jì)，例如，在圖示的實(shí)施例中，多個(gè)所述第一mos管150a共用一個(gè)導(dǎo)熱墊，多個(gè)所述第二mos管150b共用一個(gè)導(dǎo)熱墊，以提高第一mos管150a以及第二mos管150b與所述上殼110以及下殼120的傳導(dǎo)效率。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，每個(gè)第一mos管150a可以單獨(dú)對(duì)應(yīng)一個(gè)導(dǎo)熱墊，每個(gè)第二mos管150b可以單獨(dú)設(shè)置一個(gè)導(dǎo)熱墊，避免各個(gè)mos管之間相互影響。

為了提高mos管與外界的熱交換效率，所述上殼110以及下殼120均為金屬殼。例如，在圖示的實(shí)施中，所述上殼110以及下殼120均為鋁殼。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，所述上殼110以及下殼120也可以其他金屬殼，例如，鋁合金，同合金等。

所述上殼110的開口邊緣設(shè)有第一上凹槽以及第二下凹槽，所述下殼120的開口邊緣設(shè)有第一下凹槽以及第二下凹槽。所述第一上凹槽與所述第一下凹槽對(duì)應(yīng)設(shè)置，并且共同拼接成一個(gè)穿線孔170a。所述第二上凹槽與所述第二下凹槽對(duì)應(yīng)設(shè)置，并且共同拼接成一個(gè)收容孔170b，用于收容電容。

為了進(jìn)一步提高mos管與外界的熱交換效率，所述上殼110的外表面對(duì)應(yīng)所述第一mos的區(qū)域設(shè)有多個(gè)散熱鰭片180a。所述下殼120的外表面對(duì)應(yīng)所述第二mos管150b的區(qū)域設(shè)有多個(gè)散熱鰭片180b。

基于上述電子調(diào)速器100，本發(fā)明還提供一種可移動(dòng)平臺(tái)，所述可移動(dòng)平臺(tái)利用上述電子調(diào)速器100驅(qū)動(dòng)電機(jī)。所述可移動(dòng)平臺(tái)為無人飛行器，或無人底盤車。

請(qǐng)一并參閱圖4，本發(fā)明的實(shí)施例的可移動(dòng)平臺(tái)10，包括多個(gè)電子調(diào)速器100、機(jī)架200、多個(gè)電機(jī)300、控制器400。多個(gè)電機(jī)300，安裝在所述機(jī)架200上。多個(gè)電子調(diào)速器100，分別與所述多個(gè)電機(jī)300電連接，用于控制多個(gè)所述多個(gè)電機(jī)300?？刂破?00，與多個(gè)所述電子調(diào)速器100通信連接。

其中，所述控制器400通過多個(gè)所述電子調(diào)速器100分別控制多個(gè)所述電機(jī)300的工作狀態(tài)。具體在圖示的實(shí)施例中，所述可移動(dòng)平臺(tái)為無人飛行器，所述控制器400為飛行控制器，所述電機(jī)300用于驅(qū)動(dòng)螺旋槳轉(zhuǎn)動(dòng)，為所述無人飛行器提供飛行動(dòng)力。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。