頂針機構(gòu)及支撐裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體工藝過程中支撐晶片、基板等的頂針機構(gòu)，以及包括所述頂針機構(gòu)的支撐裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體工藝中，一般通過在托盤上設(shè)置多個頂針機構(gòu)來支撐晶片、基板等。如圖1所示，頂針機構(gòu)一般包括頂針I(yè)和驅(qū)動模塊2。其中，驅(qū)動模塊2用于驅(qū)動頂針I(yè)在豎直方向上下移動，當(dāng)頂針I(yè)到達(dá)指定位置時，將基板3置于其上，這樣，多個頂針機構(gòu)的頂針I(yè)就將基板3支撐。
[0003]在上述現(xiàn)有頂針機構(gòu)支撐基板3時，基板3上的受力面積較小，其具體僅為與多個頂針I(yè)接觸的若干個點?？梢岳斫獾氖牵谥亓Φ淖饔孟?，基板3上會發(fā)生變形；而若上述變形使基板3與下部壁板完全貼合，則在對基板3進行加熱等工藝處理時，會造成工藝不均勻，導(dǎo)致不良。
[0004]因此，在下部壁板上通常還設(shè)置有輔助支撐針4，用以在多個頂針機構(gòu)之間對基板3進行輔助和補充支撐，以避免基板3的底部與下部壁板貼在一起?；蛘撸瓜虏勘诎宕植诨员苊饣?與下部壁板接觸時，其二者之間完全沒有空隙。
[0005]上述頂針機構(gòu)在實際應(yīng)用中存在以下問題:
[0006]首先，無論使用輔助支撐針4，還是下部壁板粗糙化的方案，其雖然可以避免基板3與下部壁板接觸，但基板3還是會有一定程度的變形，這就會影響進行工藝的效果。
[0007]其次，對于使用輔助支撐針4的方案，在更換輔助支撐針4時，難度較大。而對于將下部壁板粗糙化的方案，下部壁板與基板3之間會發(fā)生摩擦，導(dǎo)致基板3損壞；同時，還會使下部壁板鏡面化，這樣就無法在基板3與下部壁板接觸時，保證其二者之間具有一定的空隙，從而影響所進行工藝的效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種頂針機構(gòu)及支撐裝置，所述頂針機構(gòu)可以降低基板的變形幅度，使基板不與下部壁板接觸，還可以獲得更好的工藝效果；同時，上支撐針的更換方便快捷。
[0009]為實現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種頂針機構(gòu)，其包括下支撐單元以及與所述下支撐單元連接的上支撐單元；所述下支撐單元包括至少一個下支撐針，所述上支撐單元包括多個上支撐針，且所述上支撐單元中的上支撐針的數(shù)量大于所述下支撐單元中的下支撐針的數(shù)量。
[0010]其中，所述下支撐單元中下支撐針的數(shù)量為一個。
[0011]其中，所述下支撐單元與上支撐單元通過連接部連接；所述下支撐針的頂端與連接部活動連接；所述上支撐單元中的上支撐針固定安裝在所述連接部上。
[0012]其中，所述下支撐單元包括多個下支撐針；所述下支撐單元與上支撐單元通過連接部連接；所述多個下支撐針的頂端與連接部連接，所述上支撐單元中的上支撐針固定安裝在所述連接部上。
[0013]其中，所述連接部上第一位置與第二位置之間的距離的范圍為15?35mm，所述第一位置為所述連接部上與多個上支撐針連接的連接處，所述第二位置為所述連接部上與所述下支撐針連接的連接處。
[0014]其中，所述連接部上與多個上支撐針連接的連接處位于以所述連接部上與所述下支撐針連接的連接處為圓心的一個或多個圓上。
[0015]其中，所述上支撐針包括第一支撐部和位于第一支撐部上方的第二支撐部，所述第二支撐部為絕緣材料。
[0016]其中，所述上支撐針為絕緣材料。
[0017]其中，所述絕緣材料為樹脂。
[0018]其中，所述第二支撐部為帽狀，蓋在所述第一支撐部的頂端。
[0019]其中，所述上支撐針的數(shù)量為四個。
[0020]其中，所述頂針機構(gòu)還包括驅(qū)動模塊，所述驅(qū)動模塊與下支撐單元連接，用于驅(qū)動所述下支撐單元在豎直方向上移動。
[0021 ] 其中，所述驅(qū)動模塊為氣缸。
[0022]作為另一個技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種支撐裝置，其包括本發(fā)明提供的上述頂針機構(gòu)。
[0023]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0024]本發(fā)明提供的頂針機構(gòu)，其上支撐單元包括多個上支撐針，每個上支撐針均作為對基板提供支撐的支撐點，這樣就使每個頂針機構(gòu)具有多個支撐點。與現(xiàn)有技術(shù)相比，在使用相同數(shù)量的頂針機構(gòu)支撐基板時，本發(fā)明中，基板會被更多的支撐點支撐，這樣就可以使基板發(fā)生變形的幅度更小，可以避免基板與下部壁板接觸。因此，在發(fā)明中，無需設(shè)置輔助支撐針，以及使下部壁板粗糙化，也就不會存在下部壁板鏡面化的問題，同時，在所述上支撐針需要更換時，可以直接更換上支撐單元，這樣更方便快捷。此外，由于基板的變形幅度小，在進行工藝時，基板表面更平坦，這樣有利于獲得更好的工藝效果
[0025]本發(fā)明提供的支撐裝置，其采用本發(fā)明提供的上述頂針機構(gòu)，可以使基板發(fā)生變形的幅度更小，避免基板與下部壁板接觸，以及還可以獲得更好的工藝效果。此外，可以更換上支撐單元，以方便快捷地更換用作支撐基板的支撐點的上支撐針。
【附圖說明】
[0026]附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0027]圖1為現(xiàn)有頂針機構(gòu)支撐基板的示意圖；
[0028]圖2為本發(fā)明實施方式提供的頂針機構(gòu)的示意圖；
[0029]圖3為圖2所示頂針機構(gòu)在高位處支撐基板的示意圖；
[0030]圖4為圖2所示頂針機構(gòu)在低位處支撐基板的示意圖；
[0031]圖5為圖2所述頂針機構(gòu)支撐基板的俯視示意圖；
[0032]圖6為上支撐針直接固定在下支撐針上的示意圖；
[0033]圖7為下支撐單元包括多個下支撐針的示意圖；
[0034]圖8為多個上支撐針處于以下支撐針為圓形的多個圓上的示意圖；
[0035]圖9為上支撐針的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036]其中，附圖標(biāo)記:
[0037]1:頂針；2:驅(qū)動模塊；3:基板；4:輔助支撐針；
[0038]10:下支撐單元；11:下支撐針；20:上支撐單元；21:上支撐針；30:連接部；40:驅(qū)動模塊；210:第一支撐部；211:第二支撐部。
【具體實施方式】
[0039]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0040]本發(fā)明提供一種頂針機構(gòu)的實施方式。圖2為本發(fā)明實施方式提供的頂針機構(gòu)的示意圖。如圖2所示，所述頂針機構(gòu)包括下支撐單元10以及與所述下支撐單元10連接的上支撐單元20 ;所述下支撐單元10包括至少一個下支撐針11，所述下支撐針11 一般豎直地貫穿下部壁板(見于圖3)。所述上支撐單元20包括多個上支撐針21，且所述上支撐單元20中的上支撐針21的數(shù)量大于所述下支撐單元10中的下支撐針11的數(shù)量。
[0041 ] 在本實施方式中，所述上支撐單元20包括多個上支撐針21，其中，每個上支撐針21均作為對基板提供支撐的支撐點，這樣就使每個頂針機構(gòu)具有多個支撐點。與現(xiàn)有技術(shù)相比，在使用相同數(shù)量的頂針機構(gòu)支撐基板時，本實施方式中，基板會被更多的支撐點支撐，其受力面積較大，使每個支撐點受力較小，以及使基板上與上支撐針21接觸的區(qū)域的受力較?。煌瑫r，由于使用更多的支撐點支撐基板，支撐點的分布密度更高，這樣就可以使基板發(fā)生變形的幅度更小，可以避免基板與下部壁板接觸。因此，在本實施方式中，無需設(shè)置輔助支撐針，以及使下部壁板粗糙化，也就不會存在下部壁板鏡面化的問題，同時，在所述上支撐針21需要更換時，可以直接更換上支撐單元20，即一次性地更換多個上支撐針21，這樣更方便快捷。此外，由于基板的變形幅度小，在進行工藝時，基板表面更平坦，這樣有利于獲得更好的工藝效果
[0042]在本實施方式中，如圖3?圖5所示，所述頂針機構(gòu)還包括驅(qū)動模塊40，所述驅(qū)動模塊40與下支撐單元10連接，用于驅(qū)動所述下支撐單元10在豎直方向上移動。具體地，所述驅(qū)動模塊50為氣缸。在圖3中，頂針機構(gòu)在驅(qū)動模塊40的驅(qū)動下上升至高位。在圖4中，頂針機構(gòu)在驅(qū)動模塊40的驅(qū)動下下降至低位。在圖5中，多個頂針機構(gòu)排列成多行、多列，對基板提供支撐；當(dāng)然圖5所示排列方式僅為一種優(yōu)選的排列方式，在實際中，多個頂針機構(gòu)的排列方式并不限于圖5所示，其還可以為其他各種可能的樣式。
[0043]如圖3?圖5所述，在實際中，一般通過多個頂針機構(gòu)共同