技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
提供一種方法，包含形成電容，其包含沉積底電極層、沉積電容絕緣層于底電極層上、沉積頂電極層于電容絕緣層上，以及沉積介電層于頂電極層上。以制程氣體蝕刻介電層，直到露出頂電極層。在蝕刻介電層時(shí)，介電層具有第一蝕刻速率，頂電極層具有第二蝕刻速率，且第一蝕刻速率與第二蝕刻速率的比例高于約5.0。

技術(shù)研發(fā)人員：陳宏豪;張哲誠;陳文棟;劉又誠;曾鴻輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.20
技術(shù)公布日：2017.10.03