本發(fā)明涉及電子電路封裝，特別是涉及具有兼具電磁屏蔽功能和磁屏蔽功能的復(fù)合屏蔽功能的電子電路封裝。

背景技術(shù)：

近年來，智能手機等電子設(shè)備傾向于采用高性能的無線通信電路以及數(shù)字芯片，并且所使用的半導(dǎo)體ic的工作頻率也傾向于提高。進一步，具有以最短配線連接多個半導(dǎo)體ic的2.5d結(jié)構(gòu)或3d結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)級封裝(sip：systeminpackage)化在加速，并且可以預(yù)測電源系統(tǒng)電路的模塊化也會在今后不斷增加。進一步，可以預(yù)測多個電子部件(電感、電容、電阻、濾波器等無源元件；晶體管、二極管等有源元件；半導(dǎo)體ic等集成電路元件；以及其它對電子電路構(gòu)成來說必要的元件的總稱)被模塊化后的電子電路模塊也會在今后日益增加?？偡Q這些技術(shù)的電子電路封裝正處于因智能手機等電子設(shè)備的高功能化以及小型化、薄型化而被高密度安裝的傾向。而相反，這種傾向顯示由噪音引起的功能障礙以及電磁干擾變得明顯，用現(xiàn)有的噪音對策難以防止功能障礙以及電磁干擾。因此，近年來，電子電路封裝的自屏蔽化在發(fā)展，現(xiàn)已有通過導(dǎo)電性漿料或者電鍍法或濺射法進行的電磁屏蔽的提案以及實用化，但是今后要求更高的屏蔽特性。

為了實現(xiàn)上述要求，近年來有提出兼?zhèn)潆姶牌帘喂δ芎痛牌帘喂δ艿膹?fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)的方案。為了獲得復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)，需要在電子電路封裝中形成由導(dǎo)電膜(金屬膜)得到的電磁屏蔽和由磁性膜得到的磁屏蔽。

例如，專利文獻1所記載的電子電路模塊具有在鑄模樹脂的表面依次層疊了金屬膜和磁性層的結(jié)構(gòu)。另外，專利文獻2所記載的半導(dǎo)體封裝具有通過粘結(jié)劑將由磁性層和金屬膜層疊而成的屏蔽箱(屏蔽罐)粘結(jié)于鑄模樹脂的結(jié)構(gòu)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-087058號公報

專利文獻2：美國專利公開第2011/0304015號說明書

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明想要解決的技術(shù)問題

然而，根據(jù)本發(fā)明人等的研究，確認了在如專利文獻1所述將金屬膜和磁性層依次層疊于鑄模樹脂的表面的結(jié)構(gòu)中，作為今后越來越要求高屏蔽化的移動體通信設(shè)備用的電子電路封裝，不能夠充分獲得屏蔽效果。另一方面，在如專利文獻2所述使用粘結(jié)劑來粘貼屏蔽盒的結(jié)構(gòu)中，不僅僅不利于低背化而且也難以將金屬膜連接于基板上的接地線路圖案。

因此，本發(fā)明目的在于提供一種能夠兼具高復(fù)合屏蔽效果和低背化的電子電路封裝。

解決技術(shù)問題的手段

本發(fā)明所涉及的電子電路封裝的特征在于：具備：基板，其具有電源圖案；電子部件，其搭載于所述基板的表面；鑄模樹脂，其以埋入所述電子部件的方式覆蓋所述基板的所述表面；磁性膜，其接觸并設(shè)置于所述鑄模樹脂的至少上表面；金屬膜，其連接于所述電源圖案，并且經(jīng)由所述磁性膜覆蓋所述鑄模樹脂。

根據(jù)本發(fā)明，由于磁性膜以及金屬膜依次形成于鑄模樹脂的上表面，所以能夠獲得高復(fù)合屏蔽特性。而且，由于磁性膜直接形成于鑄模樹脂的上表面并且在兩者之間不夾著粘結(jié)劑等，所以有利于產(chǎn)品的低背化。

在本發(fā)明中，所述磁性膜優(yōu)選進一步接觸于所述鑄模樹脂的側(cè)面。由此，就能夠提高在側(cè)面方向上的復(fù)合屏蔽特性。在此情況下，優(yōu)選所述磁性膜覆蓋所述基板的側(cè)面的一部分。

在本發(fā)明中，所述磁性膜可以是由磁性填料分散于熱固化性樹脂材料中得到的復(fù)合磁性材料構(gòu)成的膜，也可以是由軟磁性材料構(gòu)成的薄膜或箔，也可以是由鐵氧體等構(gòu)成的薄膜或散片(bulksheet)。在使用由復(fù)合磁性材料構(gòu)成的膜的情況下，優(yōu)選所述磁性填料由鐵氧體或者軟磁性金屬構(gòu)成，進一步優(yōu)選所述磁性填料的表面被絕緣涂布。

在本發(fā)明中，所述金屬膜優(yōu)選以選自au、ag、cu以及al中的至少一種金屬作為主成分，并且優(yōu)選所述金屬膜的表面被氧化防止覆蓋層覆蓋。

在本發(fā)明中，優(yōu)選所述電源圖案露出于所述基板的側(cè)面，所述金屬膜與露出于所述基板的所述側(cè)面的所述電源圖案相接觸。由此，就能夠容易并確實地將金屬膜連接于電源圖案。

發(fā)明效果

這樣，根據(jù)本發(fā)明，能夠兼具高復(fù)合屏蔽效果和低背化。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的第1實施方式所涉及的電子電路封裝11a的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖2是表示第1實施方式的變形例所涉及的電子電路封裝11b的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖3是用于說明電子電路封裝11a的制造方法的工序圖。

圖4是用于說明電子電路封裝11a的制造方法的工序圖。

圖5是用于說明電子電路封裝11a的制造方法的工序圖。

圖6是用于說明電子電路封裝11a的制造方法的工序圖。

圖7是表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的電子電路封裝12a的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖8是表示本發(fā)明的第2實施方式的變形例所涉及的電子電路封裝12b的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖9是用于說明電子電路封裝12a的制造方法的工序圖。

圖10是用于說明電子電路封裝12a的制造方法的工序圖。

圖11是表示本發(fā)明的第3實施方式所涉及的電子電路封裝13a的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖12是表示第3實施方式的變形例所涉及的電子電路封裝13b的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖13是表示第3實施方式的變形例所涉及的電子電路封裝13c的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖14是表示第3實施方式的變形例所涉及的電子電路封裝13d的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖15是表示第3實施方式的變形例所涉及的電子電路封裝13e的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖16是用于說明電子電路封裝13a的制造方法的工序圖。

圖17是用于說明電子電路封裝13a的制造方法的工序圖。

圖18是用于說明電子電路封裝13a的制造方法的工序圖。

圖19是表示本發(fā)明的第4實施方式所涉及的電子電路封裝14a的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖20是表示第4實施方式的變形例所涉及的電子電路封裝14b的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖21是用于說明電子電路封裝14a的制造方法的工序圖。

圖22是用于說明電子電路封裝14a的制造方法的工序圖。

圖23是表示本發(fā)明的第5實施方式所涉及的電子電路封裝15a的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖24是表示第5實施方式的變形例所涉及的電子電路封裝15b的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖25是表示第5實施方式的變形例所涉及的電子電路封裝15c的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖26是表示第5實施方式的變形例所涉及的電子電路封裝15d的結(jié)構(gòu)的截面圖。

符號說明

11a、11b、12a、12b、13a～13e、14a、14b、15a～15d：電子電路封裝

20：基板

20a：集合基板

21：基板的表面

22：基板的背面

23：焊盤圖案

24：焊錫

25：內(nèi)部配線

25g：電源圖案

26：外部端子

27：基板的側(cè)面

27a、27d：側(cè)面上部

27b、27e：側(cè)面下部

27c、27f：段差部分

28、29：配線圖案

31、32：電子部件

40：鑄模樹脂

41：鑄模樹脂的上表面

42：鑄模樹脂的側(cè)面

43～46：溝槽

50：磁性膜

51：磁性膜的上表面

52：磁性膜的側(cè)面

60：金屬膜

70：絕緣膜

具體實施方式

以下參照附圖并針對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行詳細說明。

＜第1實施方式＞

圖1是表示本發(fā)明的第1實施方式所涉及的電子電路封裝11a的結(jié)構(gòu)的截面圖。

如圖1所示，本實施方式所涉及的電子電路封裝11a具備：基板20；搭載于基板20的多個電子部件31、32；以埋入電子部件31、32的方式覆蓋基板20表面21的鑄模樹脂40；覆蓋鑄模樹脂40的磁性膜50；覆蓋磁性膜50以及鑄模樹脂40的金屬膜60。

對于本實施方式所涉及的電子電路封裝11a的種類來說并沒有特別的限定，例如，可以列舉處理高頻信號的高頻模塊、進行電源控制的電源模塊、具有2.5d結(jié)構(gòu)或3d結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)級封裝(sip)、無線電通信用或數(shù)字電路用半導(dǎo)體封裝等。在圖1中只表示了2個電子部件31、32，實際上能夠內(nèi)置更多的電子部件。

基板20具有內(nèi)部埋入有多個配線的兩面以及多層配線結(jié)構(gòu)，不論fr-4、fr-5、bt、氰酸酯樹脂、酚醛樹脂、聚酰亞胺樹脂等熱固化性樹脂基的有機基板；以液晶聚合物等熱可塑性樹脂基的有機基板；ltcc基板；htcc基板；柔性基板等種類都可以。在本實施方式中，基板20為4層結(jié)構(gòu)，并且具有形成于基板20的表面21以及背面22的配線層、被埋入到內(nèi)部的雙層配線層。在基板20的表面21上形成多個焊盤圖案23。焊盤圖案23是用于與電子部件31、32連接的內(nèi)部電極，兩者通過焊錫24(或者導(dǎo)電性漿料)而電連接并且機械連接。作為一個例子，電子部件31是控制器等的半導(dǎo)體芯片，電子部件32是電容器和線圈等無源元件。電子部件的一部分(例如薄型化了的半導(dǎo)體芯片等)也可以被埋入到基板20。

焊盤圖案23可以通過形成于基板20內(nèi)部的內(nèi)部配線25連接于形成于基板20的背面22的外部端子26。在實際使用時，電子電路封裝11a被實裝于未圖示的主板等，主板上的焊盤圖案和電子電路封裝11a的外部端子26電連接。作為構(gòu)成焊盤圖案23、內(nèi)部配線25以及外部端子26的導(dǎo)體材料，可以是銅、銀、金、鎳、鉻、鋁、鈀等金屬或者其金屬合金，也可以是將樹脂或玻璃作為膠粘劑的導(dǎo)電材料，但在基板20為有機基板或者柔性基板的情況下，從成本和電導(dǎo)率等觀點出發(fā)，更優(yōu)選使用銅、銀。作為這些導(dǎo)電材料的形成方法，可以使用印刷、電鍍、箔層壓、濺射、蒸鍍、噴墨等方法。

另外，在圖1中，符號的末尾標注有g(shù)的內(nèi)部配線25表示是電源圖案。電源圖案25g是典型地提供接地電位的接地線路圖案，不過只要是提供固定電位的線路圖案即可，并不限定于接地線路圖案。

鑄模樹脂40是通過以埋入電子部件31、32的方式覆蓋基板20的表面21而設(shè)置的。在本實施方式中，鑄模樹脂40的側(cè)面42和基板20的側(cè)面27構(gòu)成同一平面。作為鑄模樹脂40的材料可以將熱固化性或者熱可塑性材料作為基底并可以使用配合了用于匹配熱膨脹系數(shù)的填料的材料。

鑄模樹脂40的上表面41被磁性膜50覆蓋，兩者不夾著粘結(jié)劑等而直接接觸。磁性膜50由磁性填料分散于熱固化性樹脂材料中而得到的復(fù)合磁性材料構(gòu)成的膜、由軟磁性材料或鐵氧體構(gòu)成的薄膜，或者由箔或散片(bulksheet)構(gòu)成，并作為磁屏蔽發(fā)揮作用。

在選擇由復(fù)合磁性材料構(gòu)成的膜作為磁性膜50的情況下，作為熱固化性樹脂材料可以使用環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、硅酮樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚氨酯樹脂等，并且可以使用以印刷法、成型法、狹縫噴嘴涂布法、噴霧法、配置(dispense)法、注射法、轉(zhuǎn)移法、壓縮成型方法、使用了未固化的薄片狀樹脂的層壓法等厚膜制法。通過使用熱固化性材料，從而能夠提高耐熱性、絕緣性、耐沖擊性、跌落強度等電子電路封裝所要求的可靠性。

另外，作為磁性填料優(yōu)選使用鐵氧體或者軟磁性金屬，特別優(yōu)選使用塊體中磁導(dǎo)率高的軟磁性金屬。作為鐵氧體或者軟磁性金屬可以列舉選自fe、ni、zn、mn、co、cr、mg、al、si中的1種或者2種以上的金屬、或者其氧化物。作為具體例子，可以列舉ni-zn系、mn-zn系或ni-cu-zn系等的鐵氧體；坡莫合金(fe-ni合金)、超級坡莫合金(fe-ni-mo合金)、鐵硅鋁(sendust)(fe-si-al合金)、fe-si合金、fe-co合金、fe-cr合金、fe-cr-si合金、fe等。對于磁性填料的形狀沒有特別的限定，不過為了高充填化可設(shè)定為球狀，并以成為最密充填的方式混合調(diào)配多種粒度分布的填料。為了最大限度地發(fā)揮磁導(dǎo)率實數(shù)成分的屏蔽效果和磁導(dǎo)率虛數(shù)成分的損耗的熱轉(zhuǎn)換效果，進一步優(yōu)選取向形成為長寬比為5以上的扁平粉。

為了提高流動性、緊密附著性、絕緣性，優(yōu)選磁性填料的表面由si、al、ti、mg等金屬的氧化物或者有機材料絕緣涂布。絕緣涂布可以通過將熱固化性材料涂布于磁性填料的表面或者也可以通過金屬醇鹽的脫水反應(yīng)來形成氧化膜，最優(yōu)選形成氧化硅的涂布膜。進一步，更加優(yōu)選在其上施以有機官能性耦合(organofunctionalcoupling)處理。

復(fù)合磁性材料可以使用印刷法、成型法、狹縫噴嘴涂布法、噴霧法、配置(dispense)法、使用了未固化的片狀樹脂的層壓法等公知的方法形成于鑄模樹脂40的上表面41。

另外，在作為磁性膜50而選擇由軟磁性材料或者鐵氧體構(gòu)成的薄膜的情況下，作為其材料可以使用選自fe、ni、zn、mn、co、cr、mg、al、si中的1種或者2種以上的金屬、或者其氧化物，除了濺射法、蒸鍍法等薄膜制法之外還可以使用電鍍法、噴霧法、氣溶膠沉積(aerosoldeposition，ad)法、熱噴涂等形成于鑄模樹脂40的上表面41。在此情況下，磁性膜50的材料可以適時選擇必要的磁導(dǎo)率和頻率，不過為了提高低頻(khz～100mhz)側(cè)的屏蔽效果而最優(yōu)選fe-co、fe-ni、fe-al、fe-si系的合金。另一方面，為了提高高頻(50～數(shù)百mhz)的屏蔽效果，最優(yōu)選nizn、mnzn、nicuzn等的鐵氧體膜或者fe。

進一步，在作為磁性膜50而使用箔或者散片(bulksheet)的情況下，如果預(yù)先將箔或者散片(bulksheet)設(shè)置于形成鑄模樹脂40時候的模具，則能夠直接將由箔或者散片(bulksheet)構(gòu)成的磁性膜50形成于鑄模樹脂40的上表面41。

磁性膜50的上表面51以及側(cè)面52、鑄模樹脂40的側(cè)面42以及基板20的側(cè)面27由金屬膜60覆蓋。金屬膜60為電磁屏蔽，優(yōu)選以選自au、ag、cu以及al中的至少1種金屬作為主成分。金屬膜60優(yōu)選盡可能是低電阻，鑒于成本等因素而最優(yōu)選使用cu。另外，金屬膜60的外側(cè)表面優(yōu)選被sus、ni、cr、ti、黃銅等防腐性金屬；或者由環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、硅酮樹脂等樹脂構(gòu)成的防氧化膜覆蓋。這是由于金屬膜60在熱、濕度等外部環(huán)境下會發(fā)生氧化變質(zhì)，所以為了抑制并防止該氧化變質(zhì)而優(yōu)選施以上述處理。金屬膜60的形成方法可以適時選擇濺射法、蒸鍍法、無電解電鍍法、電解電鍍法等公知的方法，并且也可以在形成金屬膜60之前施以作為提高緊密附著性的前處理的等離子體處理、耦合處理、噴砂處理、蝕刻處理等。進一步，作為金屬膜60的基底，可以在事前較薄地形成鈦或鉻、sus等高緊密附著性金屬膜。

如圖1所示，電源圖案25g露出于基板20的側(cè)面27，金屬膜60通過覆蓋基板20的側(cè)面27從而與電源圖案25g相連接。

雖然沒有特別的限定，但是金屬膜60與磁性膜50的界面上的電阻值優(yōu)選為10⁶ω以上。由此，因為由于電磁波噪音被入射到金屬膜60而產(chǎn)生的渦電流基本上不會流入到磁性膜50，所以能夠防止由渦電流的流入而引起的磁性膜50的磁特性的降低。所謂金屬膜60與磁性膜50的界面上的電阻值，在兩者直接接觸的情況下是指磁性膜50的表面電阻，而在兩者之間存在絕緣膜的情況下是指絕緣膜的表面電阻。

作為將金屬膜60與磁性膜50的界面上的電阻值控制為10⁶ω以上的方法可以列舉使用表面電阻充分高的材料作為磁性膜50的材料、或者在磁性膜50的上表面51上形成薄的絕緣材料的方法。圖2是表示變形例所涉及的電子電路封裝11b的結(jié)構(gòu)的截面圖，在磁性膜50與金屬膜60之間夾著薄的絕緣膜70這一點上，與圖1所表示的電子電路封裝11a不同。如果夾著這樣的絕緣膜70，則即使是在使用電阻值比較低的材料作為磁性膜50的材料的情況下，也能夠?qū)⒔饘倌?0與磁性膜50的界面上的電阻值控制在10⁶ω以上，并且能夠防止由渦電流引起的磁特性的降低。

這樣，本實施方式所涉及的電子電路封裝11a(以及11b)中，磁性膜50以及金屬膜60依次層疊于鑄模樹脂40的上表面41。由此，與磁性膜50和金屬膜60的形成位置相反的情況相比，從電子部件31、32放射的電磁波噪音被更有效地屏蔽了。這就是因為從電子部件31、32發(fā)生的電磁波噪音在通過磁性膜50時其一部分被吸收，并且沒有被吸收的電磁波噪音的一部分被金屬膜60反射并且再次通過磁性膜50。這樣由于磁性膜50相對于入射的電磁波噪音有2次作用，所以能夠有效地屏蔽從電子部件31、32放射的電磁波噪音。

另外，本實施方式所涉及的電子電路封裝11a(以及11b)中，由于磁性膜50被直接形成于鑄模樹脂40的上表面41并且在兩者之間不夾著粘結(jié)劑等，所以有利于產(chǎn)品的低背化。而且，在本實施方式中因為磁性膜50只被形成于鑄模樹脂40的上表面41，所以能夠容易地將金屬膜60連接于電源圖案25g。

接下來，就本實施方式所涉及的電子電路封裝11a的制造方法進行說明。

圖3～圖6是用于說明電子電路封裝11a的制造方法的工序圖。

首先，如圖3所示準備具有多層配線結(jié)構(gòu)的集合基板20a。在集合基板20a的表面21上形成多個焊盤圖案23，在集合基板20a的背面22上形成多個外部端子26。另外，在集合基板20a的內(nèi)層形成包含電源圖案25g的多個內(nèi)部配線25。另外，圖3所表示的虛線a表示在之后的切割工序中應(yīng)該被切斷的部分。如圖3所示電源圖案25g被設(shè)置于俯視圖中與虛線a相重疊的位置。

接下來，如圖3所示，以連接于焊盤圖案23的形式將多個電子部件31、32搭載于集合基板20a的表面21。具體而言，可以通過在將焊錫24提供給焊盤圖案23上之后，搭載電子部件31、32并進行回流焊從而將電子部件31、32連接于焊盤圖案23。

接著，如圖4所示，以埋入電子部件31、32的方式用鑄模樹脂40覆蓋集合基板20a的表面21。作為鑄模樹脂40的形成方法，可以使用壓縮成型方法、注射法、印刷法、配置(dispense)法、噴嘴涂布工藝等。

接下來，如圖5所示，將磁性膜50直接形成于鑄模樹脂40的上表面41。在此情況下，為了提高鑄模樹脂40與磁性膜50的緊密附著性，可以對鑄模樹脂40的上表面41以噴砂處理、蝕刻等方法形成物理性的凹凸，也可以用等離子或短波uv等來進行表面改質(zhì)，也可以實施有機官能性耦合處理等。

在此，在作為磁性膜50而使用由復(fù)合磁性材料構(gòu)成的膜的情況下，可以使用印刷法、成型法、狹縫噴嘴涂布法、噴霧法、配置(dispense)法、注射法、轉(zhuǎn)移法、壓縮成型方法、使用了未固化的薄片狀樹脂的層壓法等厚膜制法。在通過印刷法、狹縫噴嘴涂布法、噴霧法、配置(dispense)法來形成膜的時候，優(yōu)選根據(jù)需要調(diào)整復(fù)合磁性材料的粘度。粘度的調(diào)整可以使用沸點為50～300℃的1種或者2種以上的溶劑來進行稀釋。熱固化性材料是以主劑、固化劑、固化促進劑為基本，但是也根據(jù)要求特性混合2種以上的主劑或固化劑。另外，也可以根據(jù)需要混合溶劑，并且也可以混合調(diào)配用于提高緊密附著性和流動性的耦合劑、用于阻燃的阻燃劑、用于著色的染料、顏料、可撓性賦予等的非反應(yīng)性樹脂材料、以熱膨脹系數(shù)調(diào)整等為目的非磁性填料。材料可以由捏合機或混合機、真空脫泡攪拌裝置、三軸軋輥等已知方法來進行混揉和分散。

另外，在使用由軟磁性材料或鐵氧體構(gòu)成的薄膜作為磁性膜50的情況下，除了濺射法和蒸鍍法等薄膜制法之外還可以使用電鍍法、噴霧法、ad法、熱噴涂等。進一步，在作為磁性膜50而使用箔或者散片(bulksheet)的情況下，如果預(yù)先將箔或者散片(bulksheet)設(shè)置于形成鑄模樹脂40時的模具中則能夠直接將由箔或者散片(bulksheet)構(gòu)成的磁性膜50形成于鑄模樹脂40的上表面41。

另外，如圖2所示的變形例那樣，在磁性膜50與金屬膜60之間夾著絕緣膜70的情況下，在形成了磁性膜50之后，可以在其上表面51上較薄地形成熱固化性材料或耐熱性熱可塑性材料、si的氧化物、低熔點玻璃等絕緣材料。

接下來，如圖6所示，通過沿著虛線a切斷集合基板20a從而使基板20個片化。在本實施方式中，由于電源圖案25g是橫切切割位置的虛線a，所以如果沿著虛線a切斷集合基板20a，則電源圖案25g會從基板20的側(cè)面27露出。

然后，如果以覆蓋磁性膜50的上表面51以及側(cè)面52、鑄模樹脂40的側(cè)面42、以及基板20的側(cè)面27的方式形成金屬膜60，則完成了本實施方式所涉及的電子電路封裝11a。作為金屬膜60的形成方法，可以使用濺射法、蒸鍍法、無電解電鍍法、電解電鍍法等。另外，在形成金屬膜60之前也可以實施提高緊密附著性的前處理的等離子體處理、耦合處理、噴砂處理、蝕刻處理等。進一步，作為金屬膜60的基底，也可以在事前較薄地形成鈦或鉻等高附著性金屬膜。

這樣，通過本實施方式所涉及的電子電路封裝11a的制造方法，由于直接將磁性膜50形成于鑄模樹脂40的上表面41，所以沒有必要使用粘結(jié)劑等，并且有利于低背化。而且，由于通過切斷集合基板20a從而使電源圖案25g露出，所以能夠容易而且確實地將金屬膜60連接于電源圖案25g。

＜第2實施方式＞

圖7是表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的電子電路封裝12a結(jié)構(gòu)的截面圖。

如圖7所示，本實施方式所涉及的電子電路封裝12a除了基板20以及金屬膜60的形狀不同這一點之外，其余均與圖1所示的第1實施方式所涉及的電子電路封裝11a相同。因此，將相同符號標注于相同要素，并省略重復(fù)的說明。

在本實施方式中，基板20的側(cè)面27成為階梯狀。具體地來說具有側(cè)面下部27b比側(cè)面上部27a更突出的形狀。于是，金屬膜60不是形成于基板20的側(cè)面整體，而是以覆蓋側(cè)面部27a和段差部分27c的形式而被設(shè)置，側(cè)面下部27b不被金屬膜60覆蓋。在本實施方式中，由于電源圖案25g露出于基板20的側(cè)面上部27a，所以金屬膜60經(jīng)由該部分而被連接于電源圖案25g。另外，在作為磁性膜50的材料而使用電阻值較低的材料的情況下，如圖8所表示的變形例所涉及的電子電路封裝12b那樣，優(yōu)選在磁性膜50與金屬膜60之間夾著薄的絕緣膜70。

圖9以及圖10是用于說明電子電路封裝12a的制造方法的工序圖。

首先，根據(jù)使用圖3～圖5來進行說明的方法，在將磁性膜50形成于鑄模樹脂40的上表面41之后，如圖9所示，沿著表示切割位置的虛線a形成溝槽43。溝槽43的深度為完全切斷鑄模樹脂40并且不完全切斷基板20。由此，鑄模樹脂40的側(cè)面42、基板20的側(cè)面上部27a以及段差部分27c露出于溝槽43的內(nèi)部。在此，作為側(cè)面上部27a的深度有必要設(shè)定成至少電源圖案25g露出的深度。另外，如圖8所表示的變形例那樣，在磁性膜50與金屬膜60之間夾著絕緣膜70的情況下，可以在形成溝槽43之前將熱固化性材料或耐熱性熱可塑性材料、si的氧化物、低熔點玻璃等絕緣材料較薄地形成于磁性膜50的上表面51。

接下來，如圖10所示，使用濺射法、蒸鍍法、無電解電鍍法、電解電鍍法等來形成金屬膜60。由此，磁性膜50的上表面51以及溝槽43的內(nèi)部被金屬膜60覆蓋。此時，在基板20的側(cè)面上部27a露出的電源圖案25g連接于金屬膜60。

然后，如果通過沿著虛線a切斷集合基板20a從而使基板20個片化，則完成了本實施方式所涉及的電子電路封裝12a。

這樣，根據(jù)本實施方式所涉及的電子電路封裝12a的制造方法，由于形成了溝槽43，所以能夠在使集合基板20a個片化之前形成金屬膜60，并且金屬膜60的形成變得容易而且確實。

＜第3實施方式＞

圖11是表示本發(fā)明的第3實施方式所涉及的電子電路封裝13a的結(jié)構(gòu)的截面圖。

如圖11所示本實施方式所涉及的電子電路封裝13a在磁性膜50不僅覆蓋鑄模樹脂40的上表面41而且還覆蓋側(cè)面42這一點上與圖1所示的第1實施方式所涉及的電子電路封裝11a不同。其它結(jié)構(gòu)均與第1實施方式所涉及的電子電路封裝11a相同，因此將相同符號標注于相同要素，并省略重復(fù)的說明。

在本實施方式中，鑄模樹脂40的側(cè)面42被磁性膜50完全覆蓋，因此，實質(zhì)上不存在鑄模樹脂40與金屬膜60接觸的部分。通過如此結(jié)構(gòu)，能夠提高鑄模樹脂40的側(cè)面上的復(fù)合屏蔽效果。特別地，在鑄模樹脂40的側(cè)面方向上放射的電磁波噪音被有效屏蔽。

另外，在使用電阻值較低的材料作為磁性膜50的材料的情況下，如圖12所示的變形例所涉及的電子電路封裝13b那樣，優(yōu)選在磁性膜50的上表面51與金屬膜60之間夾著薄的絕緣膜70，并且更加優(yōu)選如圖13所示的其它的變形例所涉及的電子電路封裝13c那樣，在磁性膜50的上表面51以及側(cè)面52與金屬膜60之間夾著薄的絕緣膜70。

另外，在圖11～圖13所示的例子中，磁性膜50的側(cè)面52和基板20的側(cè)面27實質(zhì)上構(gòu)成了同一平面，但在本發(fā)明中這一點并不是必須的。例如，也可以是如圖14所表示的變形例所涉及的電子電路封裝13d那樣，鑄模樹脂40的側(cè)面42和基板20的側(cè)面27構(gòu)成了同一平面，并且磁性膜50覆蓋鑄模樹脂40的側(cè)面42的結(jié)構(gòu)。進一步，也可以是如圖15所表示的變形例所涉及的電子電路封裝13e那樣，磁性膜50覆蓋被形成于基板20表面21的配線圖案28的側(cè)面的結(jié)構(gòu)。

圖16～圖18是用于說明電子電路封裝13a的制造方法的工序圖。

首先，根據(jù)使用圖3以及圖4所說明的方法，在形成了鑄模樹脂40之后，如圖16所示沿著表示切割位置的虛線a形成寬度w1的溝槽44。溝槽44的深度為基本完全切斷鑄模樹脂40并且不達到被形成于基板20的內(nèi)部配線25。由此，鑄模樹脂40的側(cè)面42和基板20的表面21露出于溝槽44的內(nèi)部。

接著，如圖17所示以填埋溝槽44內(nèi)部的形式形成磁性膜50。此時，并不是必須用磁性膜50來完全填埋溝槽44的內(nèi)部，但是在用磁性膜50來填埋溝槽44的內(nèi)部的情況下，由于對于磁性膜50來說需要一定程度的膜厚，所以作為磁性膜50有必要使用復(fù)合磁性材料。由此，磁性膜50被直接形成于鑄模樹脂40的上表面41以及側(cè)面42，并且露出于溝槽44底部的基板20的表面21也被磁性膜50覆蓋。另外，如圖12所示的變形例那樣，在磁性膜50的上表面51與金屬膜60之間夾著絕緣膜70的情況下，可以在形成了磁性膜50之后，可以在其上表面51上較薄地形成熱固化性材料或耐熱性熱可塑性材料、si的氧化物、低熔點玻璃等絕緣材料。

接下來，如圖18所示通過沿著虛線a形成寬度w2的溝槽45從而切斷集合基板20a并個片化為多個基板20。此時，溝槽45的寬度w2有必要做得細于溝槽44的寬度w1。由此，可以使形成于溝槽44內(nèi)部的磁性膜50殘存，并且基板20被個片化。另外，如圖13所示的變形例那樣，在磁性膜50的上表面51以及側(cè)面52與金屬膜60之間夾著絕緣膜70的情況下，可以在不由溝槽45來將基板20個片化而是使磁性膜50的側(cè)面52露出之后，在磁性膜50的上表面51以及側(cè)面52上較薄地形成熱固化性材料或耐熱性熱可塑性材料、si的氧化物、低熔點玻璃等絕緣材料，并且之后切斷基板20。

然后，如果以覆蓋磁性膜50的上表面51以及側(cè)面52、基板20的側(cè)面27的方式形成金屬膜60，則完成了本實施方式所涉及的電子電路封裝13a。

這樣，本實施方式所涉及的電子電路封裝13a的制造方法中，依次形成寬度不同的2個溝槽43、44，所以可以不用復(fù)雜的工序而用磁性膜50覆蓋鑄模樹脂40的側(cè)面42。

＜第4實施方式＞

圖19是表示本發(fā)明的第4實施方式所涉及的電子電路封裝14a的結(jié)構(gòu)的截面圖。

如圖19所示，本實施方式所涉及的電子電路封裝14a除了基板20以及金屬膜60的形狀有所不同這一點之外，其余均與圖11所示的第3實施方式所涉及的電子電路封裝13a相同。為此，將相同符號標注于相同要素，并省略重復(fù)的說明。

本實施方式與第2實施方式同樣，是以基板20的側(cè)面下部27b具有比側(cè)面上部27a更突出的形狀并且金屬膜60覆蓋側(cè)面上部27a和段差部分27c的形式進行設(shè)置。在本實施方式中，電源圖案25g也露出于基板20的側(cè)面上部27a，所以金屬膜60通過該部分連接于電源圖案25g。另外，在作為磁性膜50的材料而使用電阻值較低的材料的情況下，如圖20所示的變形例所涉及的電子電路封裝14b那樣，優(yōu)選在磁性膜50的上表面51(以及側(cè)面52)與金屬膜60之間夾著薄的絕緣膜70。

圖21以及圖22是用于說明電子電路封裝14a的制造方法的工序圖。

首先，根據(jù)使用圖3、圖4、圖16以及圖17說明的方法，在將磁性膜50形成于鑄模樹脂40的上表面41以及溝槽44的內(nèi)部之后，如圖21所示，沿著表示切割位置的虛線a形成寬度w3的溝槽46。溝槽46被加工成完全切斷鑄模樹脂40并且不完全切斷基板20的深度，并且將寬度w3加工成細于圖16所示的溝槽44的寬度w1。由此，磁性膜50的側(cè)面52和基板20的側(cè)面上部27a以及段差部分27c露出于溝槽46的內(nèi)部。在此，作為側(cè)面上部27a的深度有必要設(shè)定成至少電源圖案25g露出的深度。

接著，如圖22所示，使用濺射法、蒸鍍法、無電解電鍍法、電解電鍍法等來形成金屬膜60。由此，金屬膜60覆蓋磁性膜50的上表面51以及溝槽46的內(nèi)部。此時，露出于基板20的側(cè)面上部27a的電源圖案25g連接于金屬膜60。

然后，如果通過沿著虛線a切斷集合基板20a從而使基板20個片化，則完成了本實施方式所涉及的電子電路封裝14a。

這樣，根據(jù)本實施方式所涉及的電子電路封裝14a的制造方法，由于與第2實施方式同樣，能夠在個片化之前形成金屬膜60，所以金屬膜60的形成變得容易。

＜第5實施方式＞

圖23是表示本發(fā)明的第5實施方式所涉及的電子電路封裝15a的結(jié)構(gòu)的截面圖。

如圖23所示，本實施方式所涉及的電子電路封裝15a在磁性膜50覆蓋基板20的側(cè)面27的一部分這一點上與圖11所示的第3實施方式所涉及的電子電路封裝13a不同。其他結(jié)構(gòu)均與第3實施方式所涉及的電子電路封裝13a相同，所以將相同符號標注于相同要素，并省略重復(fù)的說明。

在本實施方式中，基板20的側(cè)面27為階梯狀。具體而言具有側(cè)面下部27e比側(cè)面上部27d更突出的形狀。于是，磁性膜50是以覆蓋鑄模樹脂40的上表面41以及側(cè)面42，并且覆蓋基板20的側(cè)面上部27d和段差部27f的形式而設(shè)置的?；?0的側(cè)面下部27e不被磁性膜50覆蓋，露出于側(cè)面下部27e的電源圖案25g與金屬膜60接觸。

通過這樣的結(jié)構(gòu)，基板20的表面21與鑄模樹脂40的界面被磁性膜50覆蓋。一般來說，在基板20的表面21上形成阻焊層，如果包含于基板20或包含于鑄模樹脂40的水分在回流焊的時候發(fā)生膨脹，則有可能會在基板與阻焊層之間以及在鑄模材料與阻焊層之間因膨脹的水分而發(fā)生剝離，或者向阻焊層或鑄模材料以及基板產(chǎn)生裂紋，作為電磁屏蔽膜而形成的金屬膜60發(fā)生膨脹、并發(fā)生剝離。進一步由于接合并固定電子部件的焊錫24在回流焊的max溫度附近會發(fā)生熔融，由其體積膨脹而可能產(chǎn)生應(yīng)力，所以會進一步加速上述不良現(xiàn)象。因此，在本實施方式中，因為由磁性膜50以高緊密附著力來按壓基板20的表面21與鑄模樹脂40的界面，所以像這樣的剝離就變得難以發(fā)生。特別是如果作為磁性膜50的材料而使用復(fù)合磁性材料，則不僅以高緊密附著力來物理性地按壓基板20與鑄模樹脂40的界面而且到達基板20與鑄模樹脂40的界面的水分能夠經(jīng)由作為磁性膜50的材料的復(fù)合磁性材料移動，因此能夠更加有效地防止基板與阻焊層之間以及鑄模材料與阻焊層之間的剝離、或者向阻焊層或鑄模材料、基板的裂紋、作為電磁屏蔽膜而形成的金屬膜60的膨脹以及剝離，并且能夠提高可靠性。

本實施方式所涉及的電子電路封裝15a，在進行圖16所示的工序的時候，可以通過更深地形成溝槽4來制作。

另外，在本實施方式中，也優(yōu)選在使用電阻值較低的材料作為磁性膜50的材料的情況下，如圖24所示的變形例所涉及的電子電路封裝15b那樣在磁性膜50的上表面51(以及側(cè)面52)與金屬膜60之間夾著薄的絕緣膜70。

圖25是表示變形例所涉及的電子電路封裝15c的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖25所示的電子電路封裝15c在磁性膜50覆蓋露出于基板20的側(cè)面27的配線圖案29這一點上與圖23所示的電子電路封裝15a不同。其它結(jié)構(gòu)與電子電路封裝15a都相同，因此將相同符號標注于相同要素，并省略重復(fù)的說明。

與磁性膜50接觸的配線圖案29可以是接地等的電源圖案，并且也可以是信號配線。但是，在使用高導(dǎo)電性的材料作為磁性膜50的材料的情況下，有必要是提供與金屬膜60接觸的電源圖案25g相同電位的配線圖案29。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，除了防止基板與阻焊層之間以及鑄模材料與阻焊層之間的剝離、或者向阻焊層或鑄模材料、基板的裂紋、作為電磁屏蔽膜而形成的金屬膜60的膨脹以及剝離等的效果之外，還能夠防止由水分的膨脹引起的基板20與配線圖案29的界面的剝離，所以能夠確保更高的可靠性。在此情況下，也可以通過使用復(fù)合磁性材料作為磁性膜50的材料來更加有效地防止配線圖案29的剝離。

這種情況也優(yōu)選在使用電阻值較低的材料作為磁性膜50的材料的情況下，如圖26所示的變形例所涉及的電子電路封裝15d那樣在磁性膜50的上表面51(以及側(cè)面52)與金屬膜60之間夾著薄的絕緣膜70。

以上，針對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行了說明，但是本發(fā)明并不限定于上述實施方式，可以在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)進行各種變更，顯然這些變更也包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。

實施例

實際制作了具有與圖1所示的電子電路封裝11a相同結(jié)構(gòu)的實施例試樣1。作為基板20使用了平面尺寸為8.5mm×8.5mm并且厚度為0.3mm的多層樹脂基板。作為磁性膜50，使用了將由fe系的組成構(gòu)成的球狀的磁性填料分散混合于熱固化性樹脂中得到的導(dǎo)磁率μ＝25的復(fù)合磁性材料，在用絲網(wǎng)印刷以大約50μm的厚度在鑄模樹脂40的上表面41上形成復(fù)合磁性材料之后以規(guī)定條件進行了后固化。作為金屬膜60使用了cu(膜厚1μm)和ni(膜厚2μm)的層疊膜。

另外，作為比較例，制作了從實施例試樣1削除了磁性膜50的比較例試樣1、從實施例試樣1削除金屬膜60的比較例試樣2。因此，比較例試樣1的屏蔽只是由金屬膜60構(gòu)成的電磁屏蔽，比較例試樣2的屏蔽只是由磁性膜50構(gòu)成的磁屏蔽。

接下來，用回流焊將各試樣安裝于屏蔽特性評價用基板，并通過用近傍磁場測定裝置來測定噪音衰減量從而評價屏蔽特性。將評價結(jié)果示于表1中。數(shù)值的單位為dbμv。

[表1]

如表1所示，確認了實施例試樣1的噪音衰減量大于比較例試樣1、2。另外，計算出屏蔽僅有金屬膜60的比較例試樣1的噪音衰減量(a)與屏蔽僅有磁性膜50的比較例試樣2的噪音衰減量(b)之和，從而可知實施例試樣1能夠獲得大于該計算值(a+b)的噪音衰減量。即，確認了具有依次層疊磁性膜50和金屬膜60的結(jié)構(gòu)的復(fù)合屏蔽能夠獲得高于單純地將由僅金屬膜60的電磁屏蔽得到的屏蔽效果和由僅磁性膜50的磁屏蔽得到的屏蔽效果加起來的情況下的復(fù)合屏蔽效果。

接下來，制作具有與圖1所示的電子電路封裝11a相同結(jié)構(gòu)的另外的實施例試樣2、將實施例試樣2的磁性膜50和金屬膜60的層疊順序反過來的比較例試樣3，在安裝于屏蔽特性評價用基板的狀態(tài)下用近傍磁場測定裝置來測定噪音衰減量。將測定結(jié)果示于表2中。數(shù)值的單位為dbμv。

[表2]

如表2所示，將磁性膜50和金屬膜60的層疊順序反過來的比較例試樣3其噪音衰減量少于實施例試樣2。由此，確認了通過依次層疊磁性膜50和金屬膜60從而就能夠獲得高復(fù)合屏蔽效果。另外，確認了實施例試樣2與比較例試樣3之差(e-d)在低頻區(qū)域表現(xiàn)得更為顯著。