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圖像形成裝置和圖像形成方法與流程

文檔序號(hào):11233424閱讀:1156來源:國知局
圖像形成裝置和圖像形成方法與流程

本發(fā)明涉及一種圖像形成裝置和圖像形成方法。



背景技術(shù):

典型的電子照相圖像形成裝置使用電子照相感光體(以下可簡稱為感光體)進(jìn)行諸如充電、靜電潛像形成、顯影、轉(zhuǎn)印和清潔的一系列步驟。

電子照相圖像形成裝置以高速產(chǎn)生高質(zhì)量圖像且被用作圖像形成裝置,如復(fù)印機(jī)、激光打印機(jī)和led打印機(jī)。

例如,在日本專利文獻(xiàn)特開2003-255579號(hào)公報(bào)中公開了一種感光體,其包括含有金紅石型氧化鈦的底涂層以及含有具有1至12個(gè)碳原子的烷基二醇的感光層。

在日本專利文獻(xiàn)特開2012-032781號(hào)公報(bào)中公開了一種感光體,其包括含有具有特定結(jié)構(gòu)的胺類化合物的感光層。

在日本專利文獻(xiàn)特開2015-064562號(hào)公報(bào)中公開了一種感光體,其包括含有酞菁晶體的感光層,該酞菁晶體含有在晶體內(nèi)的脲類化合物。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的是提供一種圖像形成裝置,與當(dāng)[vh-vl](v)/δq(μc/m2)小于20(v·m2/μc)或大于60(v·m2/μc)時(shí)相比,使用該圖像形成裝置抑制了由殘留在其中的由之前的圖像歷史引起的殘影(以下簡稱為“重影”)的發(fā)生,其中δq(μc/m2)表示每單元面積的電子照相感光體的表面的通過使用靜電潛像形成單元進(jìn)行的曝光而在感光層中累積的電荷量,vh(v)表示在使用充電單元對(duì)電子照相感光體的表面進(jìn)行充電后的帶電電位,且vl(v)表示通過使用靜電潛像形成單元進(jìn)行曝光的電子照相感光體的表面的一部分的曝光電位。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供了一種圖像形成裝置,其包括:電子照相感光體,電子照相感光體包括含有電荷產(chǎn)生材料、電荷輸送材料和粘合劑樹脂的感光層;充電單元,其對(duì)電子照相感光體的表面進(jìn)行充電;靜電潛像形成單元,其通過對(duì)電子照相感光體的充電表面進(jìn)行曝光而形成靜電潛像;顯影單元,其用含有色調(diào)劑的顯影劑對(duì)電子照相感光體的表面上的靜電潛像進(jìn)行顯影以形成色調(diào)劑圖像;以及轉(zhuǎn)印單元,其將色調(diào)劑圖像轉(zhuǎn)印至記錄介質(zhì)的表面上。每單位面積的電子照相感光體的表面的通過使用靜電潛像形成單元所進(jìn)行的曝光而在感光層中累積的電荷量δq(μc/m2)、在電子照相感光體的表面通過使用充電單元進(jìn)行充電后的帶電電位vh(v)以及通過使用靜電潛像形成單元進(jìn)行曝光的電子照相感光體的表面的一部分的曝光電位vl(v)滿足通式(1):

20(v·m2/μc)≤[vh-vl](v)/δq(μc/m2)≤60(v·m2/μc)通式(1)。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面,提供了根據(jù)第一方面的圖像形成裝置,其中[vh-vl](v)/δq(μc/m2)為25(v·m2/μc)以上且55(v·m2/μc)以下。

根據(jù)本發(fā)明的第三方面,提供了根據(jù)第一方面的圖像形成裝置,其中[vh-vl](v)/δq(μc/m2)為35(v·m2/μc)以上且50(v·m2/μc)以下。

根據(jù)本發(fā)明的第四方面,提供了根據(jù)第一方面的圖像形成裝置,其中在感光層中含有的電荷輸送材料包括由下面的通式(ct1)表示的化合物以及由下面的通式(ct2)表示的化合物:

(在通式(ct1)中,rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、具有1至20個(gè)碳原子的烷基、具有1至20個(gè)碳原子的烷氧基或具有6至30個(gè)碳原子的芳基;相鄰兩個(gè)取代基可相互鍵合以形成烴環(huán)結(jié)構(gòu);且n和m各自獨(dú)立地表示0、1或2);

(在通式(ct2)中,rc21、rc22和rc23各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、具有1至10個(gè)碳原子的烷基、具有1至10個(gè)碳原子的烷氧基或具有6至10個(gè)碳原子的芳基)。

根據(jù)本發(fā)明的第五方面,提供了根據(jù)第一方面的圖像形成裝置,其中在感光層中含有的電荷產(chǎn)生材料包括羥基鎵酞菁。

根據(jù)本發(fā)明的第六方面,提供了根據(jù)第一方面的圖像形成裝置,其中感光層包括電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層,電荷產(chǎn)生層含有作為電荷產(chǎn)生材料的羥基鎵酞菁,電荷輸送層含有作為電荷輸送材料的由下面的通式(ct1)表示的化合物和由下面的通式(ct2)表示的化合物:

(在通式(ct1)中,rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、具有1至20個(gè)碳原子的烷基、具有1至20個(gè)碳原子的烷氧基或具有6至30個(gè)碳原子的芳基;相鄰兩個(gè)取代基可相互鍵合以形成烴環(huán)結(jié)構(gòu);且n和m各自獨(dú)立地表示0、1或2);

(在通式(ct2)中,rc21、rc22和rc23各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、具有1至10個(gè)碳原子的烷基、具有1至10個(gè)碳原子的烷氧基或具有6至10個(gè)碳原子的芳基)。

根據(jù)本發(fā)明的第七方面,提供了根據(jù)第一方面的圖像形成裝置,其中感光層含有受阻酚類抗氧化劑。

根據(jù)本發(fā)明的第八方面,提供了一種圖像形成方法,其包括以下步驟:對(duì)包括含有電荷產(chǎn)生材料、電荷輸送材料和粘合劑樹脂的感光層的電子照相感光體的表面進(jìn)行充電;通過對(duì)電子照相感光體的充電表面進(jìn)行曝光而形成靜電潛像;用含有色調(diào)劑的顯影劑對(duì)電子照相感光體的表面上的靜電潛像進(jìn)行顯影以形成色調(diào)劑圖像;以及將色調(diào)劑圖像轉(zhuǎn)印至記錄介質(zhì)的表面上,其中,每單位面積的電子照相感光體的表面的通過在靜電潛像的形成過程中進(jìn)行的曝光而在感光層中累積的電荷量δq(μc/m2)、在對(duì)電子照相感光體的表面進(jìn)行充電的過程中對(duì)電子照相感光體的表面進(jìn)行充電后的帶電電位vh(v)以及在靜電潛像的形成過程中進(jìn)行曝光的電子照相感光體的表面的一部分的曝光電位vl(v)滿足通式(1):

20(v·m2/μc)≤[vh-vl](v)/δq(μc/m2)≤60(v·m2/μc)通式(1)。

根據(jù)本發(fā)明的第九方面,提供了根據(jù)第八方面的圖像形成方法,其中[vh-vl](v)/δq(μc/m2)為25(v·m2/μc)以上且55(v·m2/μc)以下。

根據(jù)本發(fā)明的第十方面,提供了根據(jù)第八方面的圖像形成方法,其中[vh-vl](v)/δq(μc/m2)為35(v·m2/μc)以上且50(v·m2/μc)以下。

根據(jù)本發(fā)明的第十一方面,提供了根據(jù)第八方面的圖像形成方法,其中在感光層中含有的電荷輸送材料包括由下面的通式(ct1)表示的化合物以及由下面的通式(ct2)表示的化合物:

(在通式(ct1)中,rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、具有1至20個(gè)碳原子的烷基、具有1至20個(gè)碳原子的烷氧基或具有6至30個(gè)碳原子的芳基;相鄰兩個(gè)取代基可相互鍵合以形成烴環(huán)結(jié)構(gòu);且n和m各自獨(dú)立地表示0、1或2);

(在通式(ct2)中,rc21、rc22和rc23各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、具有1至10個(gè)碳原子的烷基、具有1至10個(gè)碳原子的烷氧基或具有6至10個(gè)碳原子的芳基)。

根據(jù)本發(fā)明的第十二方面,提供了根據(jù)第八方面的圖像形成方法,其中在感光層中含有的電荷產(chǎn)生材料包括羥基鎵酞菁。

根據(jù)本發(fā)明的第十三方面,提供了根據(jù)第八方面的圖像形成方法,其中感光層包括電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層,電荷產(chǎn)生層含有作為電荷產(chǎn)生材料的羥基鎵酞菁,電荷輸送層含有作為電荷輸送材料的由下面的通式(ct1)表示的化合物和由下面的通式(ct2)表示的化合物:

(在通式(ct1)中,rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、具有1至20個(gè)碳原子的烷基、具有1至20個(gè)碳原子的烷氧基或具有6至30個(gè)碳原子的芳基;相鄰兩個(gè)取代基可相互鍵合以形成烴環(huán)結(jié)構(gòu);且n和m各自獨(dú)立地表示0、1或2);

(在通式(ct2)中,rc21、rc22和rc23各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、具有1至10個(gè)碳原子的烷基、具有1至10個(gè)碳原子的烷氧基或具有6至10個(gè)碳原子的芳基)。

根據(jù)本發(fā)明的第十四方面,提供了根據(jù)第八方面的圖像形成方法,其中感光層含有受阻酚類抗氧化劑。

根據(jù)本發(fā)明的第一、第二和第三方面,提供了一種圖像形成裝置,與當(dāng)[vh-vl](v)/δq(μc/m2)小于20(v·m2/μc)或大于60(v·m2/μc)時(shí)相比,使用該圖像形成裝置抑制了重影。

根據(jù)本發(fā)明的第四方面,提供了一種圖像形成裝置,與當(dāng)在感光層中含有的電荷輸送材料僅包括由通式(ct1)或(ct2)表示的化合物時(shí)相比,使用該圖像形成裝置抑制了重影。

根據(jù)本發(fā)明的第五方面,提供了一種圖像形成裝置,與當(dāng)在感光層中含有的電荷產(chǎn)生材料包括除了羥基鎵酞菁以外的材料時(shí)相比,使用該圖像形成裝置抑制了重影。

根據(jù)本發(fā)明的第六方面,提供了一種圖像形成裝置,與當(dāng)電子照相感光體包括僅含有作為電荷輸送材料的由(ct1)或(ct2)表示的化合物的電荷輸送層以及僅含有作為電荷產(chǎn)生材料的除了羥基鎵酞菁以外材料的電荷產(chǎn)生層時(shí)相比,使用該圖像形成裝置抑制了重影。

根據(jù)本發(fā)明的第七方面,提供了一種圖像形成裝置,與當(dāng)感光層不含有抗氧化劑時(shí)相比,使用該圖像形成裝置抑制了重影。

根據(jù)本發(fā)明的第八、第九和第十方面,提供了一種圖像形成方法,與當(dāng)[vh-vl](v)/δq(μc/m2)小于20(v·m2/μc)或大于60(v·m2/μc)時(shí)相比,使用該圖像形成方法抑制了重影。

根據(jù)本發(fā)明的第十一方面,提供了一種圖像形成方法,與當(dāng)在感光層中含有的電荷輸送材料僅包括由通式(ct1)或(ct2)表示的化合物時(shí)相比,使用該圖像形成方法抑制了重影。

根據(jù)本發(fā)明的第十二方面,提供了一種圖像形成方法,與當(dāng)在感光層中含有的電荷產(chǎn)生材料包括除了羥基鎵酞菁以外的材料時(shí)相比,使用該圖像形成方法抑制了重影。

根據(jù)本發(fā)明的第十三方面,提供了一種圖像形成方法,與當(dāng)電子照相感光體包括僅含有作為電荷輸送材料的由(ct1)或(ct2)表示的化合物的電荷輸送層以及僅含有作為電荷產(chǎn)生材料的除了羥基鎵酞菁以外材料的電荷產(chǎn)生層時(shí)相比,使用該圖像形成方法抑制了重影。

根據(jù)本發(fā)明的第十四方面,提供了一種圖像形成方法,與當(dāng)感光層不含有抗氧化劑時(shí)相比,使用該圖像形成方法抑制了重影。

附圖說明

將基于下列附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述,其中:

圖1為示出根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方式的電子照相感光體的q-v特性的圖;

圖2為根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方式的圖像形成裝置的示例性基本結(jié)構(gòu)的示意性截面視圖;

圖3為示出根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方式的電子照相感光體的層配置的實(shí)例的示意圖;

圖4為示出根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方式的電子照相感光體的層配置的另一個(gè)實(shí)例的示意圖;以及

圖5為示出根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方式的電子照相感光體的層配置的另一個(gè)實(shí)例的示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖描述根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方式的圖像形成裝置。在附圖中,相同或等效的部件是用相同的參考符號(hào)表示的且可省略其描述以避免冗余。

圖像形成裝置

根據(jù)該示例性實(shí)施方式的圖像形成裝置包括電子照相感光體,其包括含有電荷產(chǎn)生材料、電荷輸送材料和粘合劑樹脂的感光層;充電單元,其對(duì)電子照相感光體的表面進(jìn)行充電;靜電潛像形成單元,其通過對(duì)電子照相感光體的充電表面進(jìn)行曝光而形成靜電潛像;顯影單元,其用含有色調(diào)劑的顯影劑對(duì)電子照相感光體的表面上的靜電潛像進(jìn)行顯影以形成色調(diào)劑圖像;以及轉(zhuǎn)印單元,其將色調(diào)劑圖像轉(zhuǎn)印至記錄介質(zhì)的表面上。每單位面積的電子照相感光體的表面的通過使用靜電潛像形成單元所進(jìn)行的曝光而在感光層中累積的電荷量δq(μc/m2)(以下該量可稱為“由于曝光而在感光層中累積的電荷量”)、在電子照相感光體的表面通過使用充電單元進(jìn)行充電后的帶電電位vh(v)以及通過使用靜電潛像形成單元進(jìn)行曝光的電子照相感光體的表面的一部分的曝光電位vl(v)滿足通式(1):

20(v·m2/μc)≤[vh-vl](v)/δq(μc/m2)≤60(v·m2/μc)通式(1)。

使用感光體的圖像形成裝置偶而會(huì)導(dǎo)致被稱為“正重影”的圖像質(zhì)量缺陷。即,已在前一循環(huán)中充當(dāng)圖像曝光部的感光體的一部分在下一循環(huán)表現(xiàn)出降低的表面電位且從而表現(xiàn)出較高的濃度;其結(jié)果是,前一循環(huán)的圖像濃密地出現(xiàn)在下一循環(huán)的圖像上。當(dāng)電荷由于在前一循環(huán)中的圖像曝光而在感光層中激發(fā)的短暫的捕獲位點(diǎn)(trappingsite)(具有存儲(chǔ)電荷的能力的部分)中累積并在下一循環(huán)的充電操作后從捕獲位點(diǎn)遷移至感光體表面時(shí),可能會(huì)發(fā)生正重影,從而降低表面電位。

在其他場合,可能會(huì)發(fā)生被稱為“負(fù)重影”的圖像質(zhì)量缺陷。即,當(dāng)在感光體上形成的色調(diào)劑圖像被轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)印接收介質(zhì)上時(shí),施加具有與感光體的表面電位相反極性的電壓,其在轉(zhuǎn)印后顯著地降低了前一循環(huán)的非圖像部分的電位;其結(jié)果是,在下一循環(huán)的充電步驟中,該部分未被充電至特定電位,前一循環(huán)的非圖像部分的濃度增加且前一循環(huán)的圖像部分模糊地出現(xiàn)(負(fù)重影)。

發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)當(dāng)由于曝光而在感光層中累積的電荷量δq(μc/m2)、在用充電單元對(duì)電子照相感光體的表面進(jìn)行充電后的帶電電位vh(v)和通過靜電潛像形成單元進(jìn)行曝光的電子照相感光體的表面的一部分的曝光電位vl(v)滿足上面在通式(1)中所闡明的條件時(shí),有效地減少了重影。確切的原因尚不清楚,但卻可以假設(shè)如下。

圖1為示出電子照相感光體的q-v特性的圖。q-v特性表示當(dāng)給定每單位面積的感光體的電荷量q(μc/m2)且將感光體的表面充電至表面電位v(v)時(shí)在電荷量q和表面電位v之間的關(guān)系。在圖1中,橫軸表示被供給至感光體表面的每單位面積的電荷量q(μc/m2),且縱軸表示將電荷量q(μc/m2)供給至其上的感光體的表面電位v(v)。

通常,理想地,感光體的充電現(xiàn)象與電容器的充電現(xiàn)象相同。最初,q-v特性是一維的且為通過原點(diǎn)0的線性關(guān)系。然而,使用實(shí)際的感光體,由于在感光層和底涂層中存在有熱激發(fā)的自由電荷,因此早期通過熱激發(fā)的自由電荷中和給予感光體表面的電荷且從而無法將感光體表面充電至在圖1所示出的qleak1(μc/m2)。通過繼續(xù)將電荷給予感光體表面,消耗所有熱激發(fā)的自由電荷且開始進(jìn)行感光體表面的充電。

在該示例性實(shí)施方式中,在通式(1)中由于曝光而在感光層中累積的電荷量δq(μc/m2)是按下述方式獲得的。

首先,將感光體加載至配備有充電裝置、曝光裝置和電荷擦除裝置的裝置上。先測量感光體的q-v特性以獲得初始狀態(tài)的qleak1(μc/m2)。接著,將包括對(duì)感光體進(jìn)行的充電、曝光和電荷擦除的一系列步驟重復(fù)800次循環(huán)。重復(fù)800次循環(huán)的條件如下。

帶電電位:700(v)

曝光量:10(mj/m2)

曝光波長:780(nm)

電荷擦除光源:鹵素?zé)?林時(shí)計(jì)工業(yè)株式會(huì)社(hayashiwatchworksco.ltd.)的產(chǎn)品)

電荷擦除光波長:600nm以上且800nm以下

電荷擦除光量:30(mj/m2)

旋轉(zhuǎn)速度:66.7(rpm)

在進(jìn)行一系列步驟800次循環(huán)后,將感光體留在暗處15分鐘。在與初始狀態(tài)相同的條件下再次測量q-v特性并獲得在曝光歷史后的qleak2(μc/m2)。所獲得的qleak1(μc/m2)和qleak2(μc/m2)用于使用通式(2)計(jì)算δq(μc/m2)。

δq(μc/m2)=qleak2(μc/m2)-qleak1(μc/m2)通式(2)

在圖1中,實(shí)線表示初始狀態(tài)的q-v特性,且虛線表示在對(duì)感光體的充電、曝光和電荷擦除的一系列步驟重復(fù)進(jìn)行800次循環(huán)且將感光體留在暗處15分鐘后的q-v特性。在圖1中,qleak1(μc/m2)是在初始狀態(tài)下至q-v特性的橫軸的截距,且qleak2(μc/m2)為在800次循環(huán)后至q-v特性的橫軸的截距。該圖示出與qleak1(μc/m2)相比,qleak2(μc/m2)有更大的趨向,這是因?yàn)橛捎谠诟泄鈱又械钠毓鈿v史,重復(fù)800次循環(huán)的充電、曝光和電荷擦除的一系列步驟激發(fā)了短暫的捕獲位點(diǎn),其結(jié)果是電荷在捕獲位點(diǎn)中累積。

如果考慮到圖像形成裝置中的感光體的直至壽命終點(diǎn)的實(shí)際操作情況,那么將感光體的充電、曝光和電荷擦除的一系列步驟重復(fù)進(jìn)行800次循環(huán)則可被認(rèn)為是等同于通過連續(xù)曝光短循環(huán)數(shù)量而形成的曝光歷史。因此,δq(μc/m2)的電子解釋為δq(μc/m2)等于在通過曝光歷史激發(fā)的短暫的捕獲位點(diǎn)中累積的電荷量。

在通式(1)中,[vh-vl](v)/δq(μc/m2)表示在圖像部分和非圖像部分之間的靜電潛像電位差相對(duì)于在通過曝光歷史激發(fā)的短暫的捕獲位點(diǎn)中累積的電荷量的比率的范圍。

當(dāng)[vh-vl](v)/δq(μc/m2)大時(shí),與在圖像部分和非圖像部分之間的靜電潛像電位差相比,在通過曝光歷史激發(fā)的短暫的捕獲位點(diǎn)中累積的電荷量被解釋為足夠小。換句話說,當(dāng)在圖像形成裝置中使用感光體時(shí),在前一循環(huán)的圖像曝光部的感光層中的光激發(fā)短暫的捕獲位點(diǎn)中累積的電荷量足夠小且因此減少了在下一循環(huán)的充電后感光體表面電位的降低,從而抑制了正重影。如果[vh-vl](v)/δq(μc/m2)大于60(v·m2/μc),在前一循環(huán)中對(duì)非曝光部分進(jìn)行的轉(zhuǎn)印步驟的影響則增加且可能發(fā)生負(fù)重影。

相反地,當(dāng)[vh-vl](v)/δq(μc/m2)小時(shí),在前一循環(huán)的圖像曝光部中的感光體表面電位在下一循環(huán)的充電后顯著降低且可能發(fā)生正重影。然而,用于圖像形成裝置中的感光體處于轉(zhuǎn)印應(yīng)力下,其具有與在轉(zhuǎn)印步驟中的表面電位的相反的極性,且因此發(fā)生負(fù)重影。通過允許發(fā)生適當(dāng)程度的正重影,可通過正重影抵消負(fù)重影,且據(jù)推測其結(jié)果是獲得具有較少正重影和負(fù)重影的輸出圖像。如果[vh-vl](v)/δq(μc/m2)小于20(v·m2/μc),δq(μc/m2)對(duì)于[vh-vl](v)來說則大。因此,前一循環(huán)的曝光部分的表面電位在下一循環(huán)的充電后顯著降低且可能發(fā)生正重影。

為了控制在通式(1)中的[vh-vl](v)/δq(μc/m2),例如,當(dāng)感光體包括由電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層構(gòu)成的功能分離型感光層時(shí),調(diào)整電荷產(chǎn)生層的厚度是有效的。由曝光歷史激發(fā)的短暫的捕獲位點(diǎn)主要形成在電荷產(chǎn)生層中。因此,如果電荷產(chǎn)生層的厚度大,在捕獲位點(diǎn)中累積的電荷量,即δq(μc/m2)則增加。如果[vh-vl](v)是恒定的,[vh-vl](v)/δq(μc/m2)則降低。相比之下,如果電荷產(chǎn)生層的厚度小,δq(μc/m2)則降低。如果[vh-vl](v)是恒定的,那么[vh-vl](v)/δq(μc/m2)則增加。

如果電荷產(chǎn)生層的厚度是恒定的,則可通過改變[vh-vl](v)來控制[vh-vl](v)/δq(μc/m2)。

據(jù)推測,將受阻酚類抗氧化劑添加至感光層或電荷輸送層具有消除捕獲位點(diǎn)的效果。這可能是由于在抗氧化劑和通過曝光歷史激發(fā)的短暫的捕獲位點(diǎn)之間的交互,如電荷交換而導(dǎo)致的。因此,δq(μc/m2)以及[vh-vl](v)/δq(μc/m2)可通過調(diào)整受阻酚類抗氧化劑的含量而進(jìn)行控制。

如果[vh-vl](v)/δq(μc/m2)可被控制在滿足通式(1)的范圍內(nèi),則可采用任何其他的方法以有效地抑制正重影和負(fù)重影的發(fā)生。

為了抑制正重影和負(fù)重影的發(fā)生和獲得令人滿意的輸出圖像,[vh-vl](v)/δq(μc/m2)可以是20(v·m2/μc)以上且60(v·m2/μc)以下,可以是25(v·m2/μc)以上且55(v·m2/μc)以下,或可以是35(v·m2/μc)以上且50(v·m2/μc)以下。

圖2為根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方式的圖像形成裝置的示例性基本結(jié)構(gòu)的示意性截面視圖。圖2中的圖像形成裝置200包括電子照相感光體207、對(duì)電子照相感光體207進(jìn)行充電的接觸型充電裝置208(充電單元的一個(gè)實(shí)例)、被連接至接觸型充電裝置208的電源209、通過對(duì)經(jīng)接觸型充電裝置208充電的電子照相感光體207進(jìn)行曝光而形成靜電潛像的曝光裝置210(靜電潛像形成單元的一個(gè)實(shí)例)、通過對(duì)已通過曝光裝置210形成的靜電潛像用色調(diào)劑進(jìn)行顯影而形成色調(diào)劑圖像的顯影裝置211(顯影單元的一個(gè)實(shí)例)、對(duì)通過顯影裝置211形成的色調(diào)劑圖像進(jìn)行一次轉(zhuǎn)印的一次轉(zhuǎn)印裝置212a(轉(zhuǎn)印單元的一個(gè)實(shí)例)、對(duì)色調(diào)劑圖像進(jìn)行從一次轉(zhuǎn)印裝置212a至記錄片材500(記錄介質(zhì)的一個(gè)實(shí)例)上的二次轉(zhuǎn)印的二次轉(zhuǎn)印裝置212b(轉(zhuǎn)印單元的一個(gè)實(shí)例)、清潔裝置213(清潔單元的一個(gè)實(shí)例)和定影裝置215(定影單元的一個(gè)實(shí)例)。

電子照相感光體

電子照相感光體包括含有電荷產(chǎn)生材料、電荷輸送材料和粘合劑樹脂的感光層。

圖3至圖5各自是用于該示例性實(shí)施方式中的電子照相感光體的結(jié)構(gòu)的示意圖。示出了沿垂直于導(dǎo)電性基體2和感光層的堆疊方向的平面所截取的電子照相感光體的橫截面。

在圖3中示出的電子照相感光體1a包括在導(dǎo)電性基體2上的感光層3。電子照相感光體1a為單層電子照相感光體,其中感光層3是由含有電荷產(chǎn)生材料和電荷輸送材料的單層制成的。

相比之下,在圖4和圖5中所示的電子照相感光體1b和1c各自是功能分離型感光體。電子照相感光體1b和1c中的每一個(gè)的感光層3分別包括電荷產(chǎn)生層5和電荷輸送層6。更具體而言,在圖4所示的電子照相感光體1b中,底涂層4、電荷產(chǎn)生層5和電荷輸送層6按該順序堆疊在導(dǎo)電性基體2上以構(gòu)成感光層3。在圖5所示的電子照相感光體1c中,底涂層4、電荷產(chǎn)生層5、電荷輸送層6和保護(hù)層7按該順序堆疊在導(dǎo)電性基體2上以構(gòu)成感光層3。

底涂層和保護(hù)層為可選層。中間層可被設(shè)置在底涂層和感光層之間或在底涂層和電荷產(chǎn)生層之間。

在下面的說明中,功能分離型感光體被特別地描述成用于該示例性實(shí)施方式中的電子照相感光體的一個(gè)實(shí)例。在下面的說明中省略了附圖標(biāo)記。

導(dǎo)電性基體

導(dǎo)電性基體的實(shí)例包括金屬板、金屬鼓和金屬帶,其含有金屬(鋁、銅、鋅、鉻、鎳、鉬、釩、銦、金、鉑等)或合金(不銹鋼等)。導(dǎo)電性基體的其他實(shí)例包括紙、樹脂膜和帶,其通過涂布、氣相沉積或?qū)訅憾采w有導(dǎo)電性化合物(例如,導(dǎo)電性聚合物或氧化銦)、金屬(例如,鋁、鈀或金)或合金。術(shù)語“導(dǎo)電性”表示體積電阻率小于1013ωcm。

當(dāng)在激光打印機(jī)中使用電子照相感光體時(shí),導(dǎo)電性基體的表面可進(jìn)行粗糙化,從而使中心線平均粗糙度ra為0.04μm以上且0.5μm以下。即在用激光束進(jìn)行照射期間減少發(fā)生的干擾帶。當(dāng)非相干光被用作光源時(shí),為了防止干擾帶而進(jìn)行的表面粗糙化是可選的。然而,表面粗糙化減少了通過在導(dǎo)電性基體的表面上的不平整而導(dǎo)致的缺陷的出現(xiàn)并延長了使用壽命。

表面粗糙化技術(shù)的實(shí)例包括涉及將研磨劑在水中的懸浮液噴涂至支撐構(gòu)件上的濕珩磨、涉及向旋轉(zhuǎn)磨石按壓導(dǎo)電性基體以連續(xù)進(jìn)行研磨的無心研磨以及陽極氧化。

表面粗糙化技術(shù)的另一個(gè)實(shí)例不涉及直接對(duì)導(dǎo)電性基體的表面進(jìn)行粗糙化;相反地,該技術(shù)涉及通過使用包含在樹脂中分散的導(dǎo)電性或半導(dǎo)電性粉末的分散液在導(dǎo)電性基體的表面上形成一層,從而通過分散在該層中的顆粒創(chuàng)建粗糙表面。

通過陽極氧化進(jìn)行的表面粗糙化涉及對(duì)充當(dāng)在電解質(zhì)溶液中的陽極的金屬(例如,鋁)導(dǎo)電性基體進(jìn)行陽極氧化以在導(dǎo)電性基體的表面上形成氧化膜。電解質(zhì)溶液的實(shí)例包括硫酸溶液和草酸溶液。然而,通過陽極氧化形成的多孔陽極氧化膜呈化學(xué)活性且易受到污染并根據(jù)環(huán)境經(jīng)歷很大的電阻變化。因此,多孔陽極氧化膜可進(jìn)行孔密封處理,其中氧化膜的細(xì)孔通過在加壓水蒸汽中或在沸水中(可添加金屬鹽,如鎳鹽)的水合反應(yīng)而引起的體積膨脹而止動(dòng),從而將氧化物轉(zhuǎn)化為更穩(wěn)定的水合氧化物。

陽極氧化膜的厚度可以是,例如0.3μm以上且15μm以下。當(dāng)厚度處于該范圍內(nèi)時(shí),對(duì)于噴射趨于表現(xiàn)出阻擋特性,且由重復(fù)使用引起的殘留電位的增加則趨于被抑制住。

導(dǎo)電性基體可用酸性處理溶液進(jìn)行處理或進(jìn)行勃母石處理。

例如,可按下述方式用酸性處理溶液進(jìn)行處理。首先,制備含有磷酸、鉻酸和氫氟酸的酸性處理溶液。在酸性處理溶液中的磷酸、鉻酸和氫氟酸的混合比例為,例如,磷酸:10重量%以上且11重量%以下,鉻酸:3重量%以上且5重量%以下,氫氟酸:0.5重量%以上且2重量%以下。所有酸的總濃度可處于13.5重量%以上且18重量%以下的范圍中。處理溫度可以是,例如,42℃以上且48℃以下。膜的厚度可以是0.3μm以上且15μm以下。

勃母石處理是通過將基板浸沒在90℃以上且100℃以下的純水中5至60分鐘或通過使基材與在90℃以上且120℃以下的加熱水蒸汽接觸5至60分鐘而進(jìn)行的。膜的厚度可以是0.1μm以上且5μm以下。所處理的基材可進(jìn)一步地通過使用具有低膜溶解特性的電解質(zhì)溶液而進(jìn)行陽極氧化處理。此處的電解質(zhì)的實(shí)例包括己二酸、硼酸、硼酸鹽、磷酸鹽、鄰苯二甲酸鹽、馬來酸鹽、苯甲酸鹽、酒石酸鹽和檸檬酸鹽。

底涂層

底涂層為,例如,含有無機(jī)顆粒和粘合劑樹脂的層。

無機(jī)顆粒的實(shí)例包括具有粉末電阻(體積電阻率)為102ωcm以上且1011ωcm以下的那些。具有這種電阻率的無機(jī)顆粒的實(shí)例包括金屬氧化物顆粒,如氧化錫顆粒、氧化鈦顆粒、氧化鋅顆粒和氧化鋯顆粒。特別地,可使用氧化鋅顆粒。

所測量的無機(jī)顆粒的bet比表面積可以是,例如10m2/g以上。無機(jī)顆粒的體積平均粒徑可以是,例如,50nm以上且2000nm以下(或可以是60nm以上且1000nm以下)。

無機(jī)顆粒相對(duì)于粘合劑樹脂的量為,例如,10重量%以上且80重量%以下,且可以是40重量%以上且80重量%以下。

無機(jī)顆??梢允墙?jīng)表面處理的。進(jìn)行不同表面處理或具有不同粒徑的兩種或多種類型的無機(jī)顆??蛇M(jìn)行混合和使用。

表面處理劑的實(shí)例包括硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯系偶聯(lián)劑、鋁系偶聯(lián)劑和表面活性劑。優(yōu)選硅烷偶聯(lián)劑,且更優(yōu)選含氨基的硅烷偶聯(lián)劑。

含氨基的硅烷偶聯(lián)劑的實(shí)例包括但不限于3-氨基丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷和n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷。

兩種或多種耦聯(lián)劑可作為混合物使用。例如,含氨基的硅烷偶聯(lián)劑和另一種硅烷偶聯(lián)劑可結(jié)合使用。該另一種硅烷偶聯(lián)劑的實(shí)例包括但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧硅烷、3-巰丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。

使用表面處理劑的表面處理方法可以是任何已知的方法且可以是干或濕法。

相對(duì)于無機(jī)顆粒而言,用于處理中的表面處理劑的量可以是0.5重量%以上且10重量%以下。

從加強(qiáng)電特性的長期穩(wěn)定性和載體阻擋特性的觀點(diǎn)來看,底涂層可含有無機(jī)顆粒和電子接受性化合物(受體化合物)。

電子接受性化合物的實(shí)例包括電子輸送材料。其實(shí)例包括醌系化合物,如氯醌和溴醌;四氰基對(duì)苯醌二甲烷化合物;芴酮化合物,如2,4,7-三硝基芴酮和2,4,5,7-四硝基-9-芴酮;惡二唑系化合物,如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑,2,5-雙(4-萘基)-1,3,4-惡二唑和2,5-雙(4-二乙基氨基苯基)-1,3,4-惡二唑;咕噸酮系化合物;噻吩化合物;和聯(lián)苯醌化合物,如3,3’,5,5’-四叔丁基聯(lián)苯醌。

具有蒽醌結(jié)構(gòu)的化合物可被用作電子接受性化合物。具有蒽醌結(jié)構(gòu)的化合物的實(shí)例包括羥基蒽醌化合物、氨基蒽醌化合物和氨基羥基蒽醌化合物。其具體實(shí)例包括蒽醌、茜素、醌茜、蒽絳酚(anthrarufin)和紅紫素。

電子接收化合物可通過與無機(jī)顆粒進(jìn)行共分散或通過被附著到無機(jī)顆粒的表面而被包含在底涂層中。

用于將電子接收化合物附著到無機(jī)顆粒的表面上的方法的實(shí)例包括濕法或干法。

根據(jù)干法,例如,在用具有大剪切力的混合器攪拌無機(jī)顆粒的同時(shí),可與干空氣或氮?dú)庖黄饘㈦娮咏邮苄曰衔锉旧砘蛉芙庠谟袡C(jī)溶劑中的電子接受性化合物逐滴地添加或噴灑至無機(jī)顆粒,從而使電子接受性化合物附著到無機(jī)顆粒的表面??稍诓桓哂谌軇┓悬c(diǎn)的溫度下進(jìn)行電子接受性化合物的逐滴添加或噴灑。在進(jìn)行電子接受性化合物的逐滴添加或噴灑后,可在100℃或更高的溫度下進(jìn)行烘烤。可在任何溫度下進(jìn)行任何時(shí)間長度的烘烤,只要獲得電子照相特性即可。

根據(jù)濕法,例如,在通過攪拌或通過使用超聲波、砂磨機(jī)、磨碎機(jī)、球磨機(jī)等將無機(jī)顆粒分散在溶劑中的同時(shí),向其添加電子接受性化合物,且在攪拌或分散后,移除溶劑以使電子接受性化合物附著到無機(jī)顆粒的表面。用于移除溶劑的方法的實(shí)例包括過濾和蒸餾。在移除溶劑后可在100℃或更高的溫度下進(jìn)行烘烤??稍谌魏螠囟认逻M(jìn)行任何時(shí)間長度的烘烤,只要獲得電子照相特性即可。在濕法中,在添加電子接受性化合物之前可移除被含在無機(jī)顆粒中的水。例如,可在溶劑中攪拌和加熱無機(jī)顆粒以移除水,或者水可和溶劑一起進(jìn)行共沸移除。

可在使用表面處理劑對(duì)無機(jī)顆粒進(jìn)行表面處理前、后或同時(shí)進(jìn)行電子接受性化合物的附著。

電子接受性化合物相對(duì)于無機(jī)顆粒的量為,例如,0.01重量%以上且20重量%以下,且可以是0.01重量%以上且10重量%以下。

用于底涂層中的粘合劑樹脂的實(shí)例包括已知的聚合物材料,如縮醛樹脂(例如,聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪蛋白樹脂、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、硅酮樹脂、硅酮-醇酸樹脂、尿素樹脂、酚醛樹脂、苯酚-甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯樹脂、醇酸樹脂和環(huán)氧樹脂;以及其他已知的材料,如鋯螯合物、鈦螯合物、鋁螯合物、鈦醇鹽化合物、有機(jī)鈦化合物和硅烷偶聯(lián)劑。用于底涂層中的粘合劑樹脂的其他實(shí)例包括具有電荷輸送基團(tuán)和導(dǎo)電樹脂(例如,聚苯胺)的電荷輸送樹脂。

在這些之中,不溶于被包含在上覆層中的涂布溶劑中的樹脂可被用作被包含在底涂層中的粘合劑樹脂。其實(shí)例包括熱固性樹脂如尿素樹脂、酚醛樹脂、苯酚-甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂和環(huán)氧樹脂;以及通過固化劑和至少一種選自由聚酰胺樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚乙烯醇樹脂和聚乙烯醇縮醛樹脂所組成的組的樹脂之間的反應(yīng)而獲得的樹脂。當(dāng)這種粘合劑樹脂中的兩種或多種相結(jié)合使用時(shí),根據(jù)需要設(shè)置混合比例。

底涂層可包含改善電特性、環(huán)境穩(wěn)定性和圖像質(zhì)量的各種添加劑。添加劑的實(shí)例包括已知的材料,如基于稠合多環(huán)和偶氮材料的電子輸送顏料、鋯螯合物、鈦螯合物、鋁螯合物、鈦醇鹽化合物、有機(jī)鈦化合物和硅烷偶聯(lián)劑。雖然硅烷偶聯(lián)劑被用于無機(jī)顆粒的表面處理中,如上面所討論的,但其也可作為添加劑被添加至底涂層中。

用作添加劑的硅烷偶聯(lián)劑的實(shí)例包括乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧硅烷、3-巰丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基甲氧基硅烷、n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。

鋯螯合物的實(shí)例包括丁醇鋯、乙酰乙酸乙酯鋯、三乙醇胺鋯、乙酰丙酮丁醇鋯、乙酰乙酸乙酯丁醇鋯、乙酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、膦酸鋯、辛酸鋯、環(huán)烷酸鋯、月桂酸鋯、硬脂酸鋯、異硬脂酸鋯、甲基丙烯酸丁醇鋯、硬脂酸丁醇鋯和異硬脂酸丁醇鋯。

鈦螯合物的實(shí)例包括鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、鈦酸丁酯二聚體、四(2-乙基己基)鈦酸酯、乙酰丙酮鈦、聚乙酰丙酮鈦、辛烯乙醇酸鈦、乳酸鈦銨鹽、乳酸鈦、乳酸鈦乙酯、三乙醇胺鈦和聚羥基硬脂酸鈦。

鋁螯合物的實(shí)例包括異丙醇鋁、二異丙氧基單丁氧基鋁、丁酸鋁、二乙酰乙酸乙酯二異丙氧基鋁和三(乙酰乙酸乙酯)鋁。

這些添加劑也可作為兩種或多種化合物的混合物或作為兩種或多種化合物的縮聚產(chǎn)物而單獨(dú)使用。

底涂層可具有35以上的維氏硬度。為了抑制云紋圖像,可調(diào)整底涂層的表面粗糙度(十點(diǎn)平均粗糙度)以位于在1/(4n)(n表示上覆層的折射率)至用于曝光的激光的波長λ的(1/2)的范圍內(nèi)。

可將樹脂顆粒等添加至底涂層以調(diào)整表面粗糙度。樹脂顆粒的實(shí)例包括硅酮樹脂顆粒和交聯(lián)聚甲基丙烯酸甲酯樹脂顆粒。底涂層的表面可進(jìn)行拋光以調(diào)整表面粗糙度。拋光技術(shù)的實(shí)例包括軟皮拋光、噴砂、濕珩磨和研磨。

底涂層可通過任何已知的方法形成。例如,用于形成底涂層的涂布液可通過將上述組分添加至溶劑中并進(jìn)行涂覆以形成涂布膜而進(jìn)行制備,且涂布膜可進(jìn)行干燥,且如果需要的話,可進(jìn)行加熱。

已知的有機(jī)溶劑可被用作制備涂布液以形成底涂層的溶劑。已知的有機(jī)溶劑的實(shí)例包括醇系溶劑、芳香烴溶劑、鹵代烴溶劑、酮系溶劑、酮醇系溶劑、醚系溶劑和酯系溶劑。

這些溶劑的具體實(shí)例包括甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、芐醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二惡烷、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。

在制備用于形成底涂層的涂布液的過程中分散無機(jī)顆粒的技術(shù)的實(shí)例包括使用輥磨機(jī)、球磨機(jī)、振動(dòng)球磨機(jī)、磨碎機(jī)、砂磨機(jī)、膠磨機(jī)和油漆攪拌器的已知技術(shù)。

用于將用于形成底涂層的涂布液涂覆至導(dǎo)電性基體上的技術(shù)的實(shí)例包括已知的技術(shù),如刮刀涂布技術(shù)、線棒涂布技術(shù)、噴涂技術(shù)、浸涂技術(shù)、珠涂技術(shù)、氣刀涂布技術(shù)和簾式涂布技術(shù)。

底涂層的厚度為,例如,15μm以上且可以在20μm以上且50μm以下的范圍中。

中間層

雖然未在附圖中示出,但可進(jìn)一步地在底涂層和感光層之間設(shè)有中間層。中間層為,例如,含有樹脂的層。用于中間層中的樹脂的實(shí)例包括聚合物化合物,如縮醛樹脂(例如,聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪蛋白樹脂、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、硅酮樹脂、硅酮-醇酸樹脂、苯酚-甲醛樹脂和三聚氰胺樹脂。

中間層可以是含有有機(jī)金屬化合物的層。用于中間層中的有機(jī)金屬化合物的實(shí)例包括含有金屬原子,如鋯、鈦、鋁、錳和硅原子的那些。用于中間層中的化合物可作為兩種或多種化合物的混合物或作為兩種或多種化合物的縮聚產(chǎn)物而單獨(dú)使用。

特別地,中間層可以是包含有機(jī)金屬化合物的層,該有機(jī)金屬化合物含有鋯原子或硅原子。

中間層可通過任何已知的方法形成。例如,用于形成中間層的涂布液可通過將上述組分添加至溶劑中并進(jìn)行涂覆以形成涂布膜而進(jìn)行制備,且涂布膜可進(jìn)行干燥,且如果需要的話,可進(jìn)行加熱。用于涂覆用于形成中間層的溶液的技術(shù)的實(shí)例包括已知的技術(shù),如浸涂技術(shù)、提升涂布(liftcoating)技術(shù)、線棒涂布技術(shù)、噴涂技術(shù)、刮刀涂布技術(shù)、刀片涂布技術(shù)和簾式涂布技術(shù)。

中間層的厚度可被設(shè)置在0.1μm以上且3μm以下的范圍中。中間層還可充當(dāng)?shù)淄繉印?/p>

電荷產(chǎn)生層

電荷產(chǎn)生層5含有粘合劑樹脂和電荷產(chǎn)生材料。任何已知的電荷產(chǎn)生材料可被用作電荷產(chǎn)生材料。電荷產(chǎn)生材料可以是酞菁顏料。酞菁顏料可以是羥基鎵酞菁,其具有高電荷產(chǎn)生效率。

當(dāng)感光體的感光層含有作為電荷產(chǎn)生材料的羥基鎵酞菁時(shí),可更有效地防止正重影和負(fù)重影的出現(xiàn)。包括含有作為電荷產(chǎn)生材料的羥基鎵酞菁的感光層的感光體之所以能更有效地防止正重影和負(fù)重影的出現(xiàn)的原因是羥基鎵酞菁具有很高的電荷產(chǎn)生效率。由于羥基鎵酞菁的高電荷產(chǎn)生效率,前一循環(huán)中所累積的電荷量增加,在下一循環(huán)的充電后,更多的電荷遷移至感光體表面,且因此平穩(wěn)地降低表面電位。此外,在轉(zhuǎn)印步驟中,當(dāng)施加具有與感光體表面電位相反極性的電壓時(shí),具有相反極性的電荷很容易地在感光層中累積,且因此推測很容易降低前一循環(huán)的非圖像部分的表面電位。

將電荷產(chǎn)生材料分散在粘合劑樹脂中以構(gòu)成電荷產(chǎn)生層5。

粘合劑樹脂可選自各種絕緣樹脂。粘合劑樹脂的實(shí)例包括絕緣樹脂,如聚乙烯醇縮醛樹脂、聚芳酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、苯氧樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酰胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚丙烯酰胺樹脂、聚乙烯基吡啶樹脂、纖維素樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂、酪蛋白、聚乙烯醇樹脂和聚乙烯吡咯烷酮樹脂;以及有機(jī)光電導(dǎo)性聚合物,如聚-n-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、聚乙烯基芘和聚硅烷。在這些中,可使用聚乙烯醇縮醛樹脂或氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。這些粘合劑樹脂可單獨(dú)或組合使用。

電荷產(chǎn)生材料與粘合劑樹脂的混合比例可位于10:1至1:10的范圍中或可位于8:2至3:7的范圍中。

在形成電荷產(chǎn)生層5時(shí),使用通過將電荷產(chǎn)生材料分散在通過將粘合劑樹脂溶解在有機(jī)溶劑中而制備的溶液中而制備的涂布液。用于制備用于形成電荷產(chǎn)生層的涂布液的有機(jī)溶劑的實(shí)例包括可溶解粘合劑樹脂的有機(jī)溶劑。其實(shí)例包括醇溶劑、芳香族溶劑、鹵代烴溶劑、酮溶劑、酮醇溶劑、醚溶劑和酯溶劑。更具體的實(shí)例包括甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、芐醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二惡烷、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。這些溶劑可單獨(dú)或組合使用。

用于將電荷產(chǎn)生材料分散在粘合劑樹脂溶液中的方法的實(shí)例包括使用球磨機(jī)、輥磨機(jī)、砂磨機(jī)、磨碎機(jī)或超聲波的方法。

用形成電荷產(chǎn)生層的涂布液涂布底涂層(或中間層)的方法的實(shí)例包括常用的方法,如刮刀涂布方法、線棒涂布方法、噴涂方法、浸涂方法、珠涂方法、氣刀涂布方法和簾式涂布方法。

電荷產(chǎn)生層的厚度設(shè)置在,例如,從0.1μm以上至0.27μm以下的范圍中或可以是0.1μm以上且0.25μm以下的范圍中。

電荷輸送層

電荷輸送層6含有粘合劑樹脂和電荷輸送材料。任何已知的電荷輸送材料可被用作電荷輸送材料。例如,可使用由下面的通式(ct1)表示的化合物和由下面的通式(ct2)表示的化合物。

在通式(ct1)中,rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、具有1至20個(gè)碳原子的烷基、具有1至20個(gè)碳原子的烷氧基或具有6至30個(gè)碳原子的芳基。相鄰兩個(gè)取代基可相互鍵合以形成烴環(huán)結(jié)構(gòu)。在通式中,n和m各自獨(dú)立地表示0、1或2。

在通式(ct2)中,rc21、rc22和rc23各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、具有1至10個(gè)碳原子的烷基、具有1至10個(gè)碳原子的烷氧基或具有6至10個(gè)碳原子的芳基。

當(dāng)感光體包括含有作為電荷輸送材料的由通式(ct1)表示的化合物和由通式(ct2)表示的化合物的電荷輸送層時(shí),更有效地抑制了正重影和負(fù)重影。據(jù)推測,之所以當(dāng)感光體包括含有作為電荷輸送材料的由通式(ct1)表示的化合物和由通式(ct2)表示的化合物的電荷輸送層時(shí)更有效地抑制了正重影和負(fù)重影的原因如下。由于由通式(ct1)表示的化合物和由通式(ct2)表示的化合物具有高電荷移動(dòng)能力(高電荷遷移率),在下一循環(huán)的充電后,在前一循環(huán)中累積的電荷快速遷移至感光體表面,且平穩(wěn)地降低前一循環(huán)的圖像部分的表面電位。此外,當(dāng)在轉(zhuǎn)印步驟中施加具有與感光體表面電位相反極性的電壓時(shí),具有相反極性的電荷很容易地在感光層中累積,且因此很容易降低前一循環(huán)的非圖像部分的表面電位。

由通式(ct1)中rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16表示的鹵原子的實(shí)例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。鹵原子優(yōu)選為氟原子或氯原子,且更優(yōu)選為氯原子。

由通式(ct1)中rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16表示的烷基的實(shí)例包括具有1至20個(gè)碳原子(優(yōu)選為1至6個(gè)碳原子且更優(yōu)選為1至4個(gè)碳原子)的直鏈或支鏈烷基。

直鏈烷基的具體實(shí)例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基和正二十烷基。

支鏈烷基的具體實(shí)例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基、叔癸基、異十一烷基、仲十一烷基、叔十一烷基、新十一烷基、異十二烷基、仲十二烷基、叔十二烷基、新十二烷基、異十三烷基、仲十三烷基、叔十三烷基、新十三烷基、異十四烷基、仲十四烷基、叔十四烷基、新十四烷基、1-異丁基-4-乙基辛基、異十五烷基、仲十五烷基、叔十五烷基、新十五烷基、異十六烷基、仲十六烷基、叔十六烷基、新十六烷基、1-甲基十五烷基、異十七烷基、仲十七烷基、叔十七烷基、新十七烷基、異十八烷基、仲十八烷基、叔十八烷基、新十八烷基、異十九烷基、仲十九烷基、叔十九烷基、新十九烷基、1-甲基辛基,異二十烷基、仲二十烷基、叔二十烷基和新二十烷基。

在這些中,烷基優(yōu)選為低級(jí)烷基,如甲基、乙基或異丙基。

由通式(ct1)中rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16表示的烷氧基的實(shí)例包括具有1至20個(gè)碳原子(優(yōu)選為1至6個(gè)碳原子且更優(yōu)選為1至4個(gè)碳原子)的直鏈或支鏈烷氧基。

直鏈烷氧基的具體實(shí)例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基、正十三烷氧基、正十四烷氧基、正十五烷氧基、正十六烷氧基、正十七烷氧基、正十八烷氧基、正十九烷氧基和正二十烷氧基。

支鏈烷氧基的具體實(shí)例包括異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、異己氧基、仲己氧基、叔己氧基、異庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、異辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、異壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、異癸氧基、仲癸氧基、叔癸氧基、異十一烷氧基、仲十一烷氧基、叔十一烷氧基、新十一烷氧基、異十二烷氧基、仲十二烷氧基、叔十二烷氧基、新十二烷氧基、異十三烷氧基、仲十三烷氧基、叔十三烷氧基、新十三烷氧基、異十四烷氧基、仲十四烷氧基、叔十四烷氧基、新十四烷氧基、1-異丁基-4-乙基辛氧基、異十五烷氧基、仲十五烷氧基、叔十五烷氧基、新十五烷氧基、異十六烷氧基、仲十六烷氧基、叔十六烷氧基、新十六烷氧基、1-甲基十五烷氧基、異十七烷氧基、仲十七烷氧基、叔十七烷氧基、新十七烷氧基、異十八烷氧基、仲十八烷氧基、叔十八烷氧基、新十八烷氧基、異十九烷氧基、仲十九烷氧基、叔十九烷氧基、新十九烷氧基、1-甲基辛氧基、異二十烷氧基、仲二十烷氧基、叔二十烷氧基和新二十烷氧基。

在這些中,甲氧基優(yōu)選地被當(dāng)作烷氧基。

由通式(ct1)中rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16表示的芳基的實(shí)例包括具有6至30個(gè)碳原子(優(yōu)選為6至20個(gè)碳原子且更優(yōu)選為6至16個(gè)碳原子)的芳基。

芳基的具體實(shí)例包括苯基、萘基、菲基和聯(lián)苯基。在這些中,苯基和萘基優(yōu)選地被當(dāng)作芳基。

由通式(ct1)中rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16表示的取代基包括具有取代基的那些。這些取代基的實(shí)例包括如上面實(shí)例所述的原子和基團(tuán)(例如,鹵原子、烷基、烷氧基、芳基等)。

當(dāng)選自通式(ct1)中rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16的相鄰兩個(gè)取代基(例如,rc11和rc12、rc13和rc14以及rc15和rc16)彼此連接以形成烴環(huán)結(jié)構(gòu)時(shí),連接那些取代基的連接基團(tuán)的實(shí)例包括單鍵、2,2’-亞甲基、2,2’-亞乙基和2,2’-亞乙烯基。連接基團(tuán)可以是單鍵或2,2’-亞甲基。

烴環(huán)結(jié)構(gòu)的具體實(shí)例包括環(huán)烷烴結(jié)構(gòu)、環(huán)烯烴結(jié)構(gòu)和環(huán)烷烴多烯結(jié)構(gòu)。

在通式(ct1)中,n和m可各自為1。

為了形成具有高電荷輸送能力的感光層(電荷輸送層),通式(ct1)中的rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16各自可獨(dú)立地表示氫原子、具有1至20個(gè)碳原子的烷基或具有1至20個(gè)碳原子的烷氧基,且m和n各自可獨(dú)立地表示1或2。更優(yōu)選地,rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16各自可獨(dú)立地表示氫原子,且m和n各自表示1。

換句話說,由通式(ct1)表示的化合物(ct1)可以是由下面的通式(ct1a)表示的電荷輸送材料(實(shí)例化合物(ct1-3)):

由通式(ct1)表示的化合物的非限制性具體實(shí)例如下:

[化學(xué)8]

實(shí)例化合物的縮寫如下所示且在取代基前的數(shù)字表示相關(guān)于苯環(huán)的取代位點(diǎn):

·-ch3:甲基

·-och3:甲氧基

由通式(ct1)表示的化合物(ct1)可單獨(dú)或組合使用。

現(xiàn)在將描述由通式(ct2)表示的電荷輸送材料。

由通式(ct2)中rc21、rc22和rc23表示的鹵原子的實(shí)例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。鹵原子優(yōu)選為氟原子或氯原子,且更優(yōu)選為氯原子。

由通式(ct2)中rc21、rc22和rc23表示的烷基的實(shí)例包括具有1至10個(gè)碳原子(優(yōu)選為1至6個(gè)碳原子且更優(yōu)選為1至4個(gè)碳原子)的直鏈或支鏈烷基。

直鏈烷基的具體實(shí)例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基和正癸基。

支鏈烷基的具體實(shí)例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基和叔癸基。

在這些中,低級(jí)烷基,如甲基、乙基或異丙基優(yōu)選地被當(dāng)作烷基。

由通式(ct2)中rc21、rc22和rc23表示的烷氧基的實(shí)例包括具有1至10個(gè)碳原子(優(yōu)選為1至6個(gè)碳原子且更優(yōu)選為1至4個(gè)碳原子)的直鏈或支鏈烷氧基。

直鏈烷氧基的具體實(shí)例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基和正癸氧基。

支鏈烷氧基的具體實(shí)例包括異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、異己氧基、仲己氧基、叔己氧基、異庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、異辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、異壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、異癸氧基、仲癸氧基和叔癸氧基。烷氧基可以是甲氧基。

由通式(ct2)中rc21、rc22和rc23表示的芳基的實(shí)例包括具有6至10個(gè)碳原子(優(yōu)選為6至9個(gè)碳原子且更優(yōu)選為6至8個(gè)碳原子)的芳基。

芳基的具體實(shí)例包括苯基和萘基。芳基可以是苯基。

由通式(ct2)中rc21、rc22和rc23表示的取代基包括具有取代基的那些。這些取代基的實(shí)例包括如上面實(shí)例所述的原子和基團(tuán)(例如,鹵原子、烷基、烷氧基、芳基等)。

為了形成具有高電荷輸送能力的感光層(電荷輸送層),通式(ct2)中的rc21、rc22和rc23各自可獨(dú)立地表示氫原子或具有1至10個(gè)碳原子的烷基。更優(yōu)選地,rc21和rc23各自表示氫原子且rc22表示具有1至10個(gè)碳原子的烷基(特別是甲基)。

具體地說,由通式(ct2)表示的化合物可以是由下面的通式(ct2a)表示的電荷輸送材料(實(shí)例化合物(ct2-2)):

由通式(ct2)表示的化合物的非限制性具體實(shí)例如下:

[化學(xué)10]

實(shí)例化合物的縮寫如下所示且在取代基前的數(shù)字表示相關(guān)于苯環(huán)的取代位點(diǎn):

·-ch3:甲基

·-c2h5:乙基

·-oh3:甲氧基

·-oc2h5:乙氧基

由通式(ct2)表示的化合物可單獨(dú)或組合使用。

用于電荷輸送層中的粘合劑樹脂的實(shí)例包括聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚芳酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐共聚物、硅酮樹脂、硅酮醇酸樹脂、苯酚-甲醛樹脂、苯乙烯-醇酸樹脂、聚-n-乙烯基咔唑和聚硅烷。粘合劑樹脂可以是聚碳酸酯樹脂或聚芳酯樹脂。這些粘合劑樹脂可單獨(dú)或組合使用。

電荷輸送材料與粘合劑樹脂的混合比例以重量計(jì)可以是10:1至1:5。

電荷輸送層6可含有受阻酚類抗氧化劑。受阻酚類抗氧化劑為具有受阻酚環(huán)的化合物。

當(dāng)電荷輸送層中含有受阻酚類抗氧化劑時(shí),更有效地抑制了正重影和負(fù)重影。據(jù)推測,之所以當(dāng)電荷輸送層中含有受阻酚類抗氧化劑時(shí)更有效地抑制了正重影和負(fù)重影的原因是在受阻酚類抗氧化劑和通過前一循環(huán)的圖像曝光而在感光層中激發(fā)的短暫的捕獲位點(diǎn)之間的交互,如電荷交換,其消除了捕獲位點(diǎn)。

受阻酚的分子量可以是300以上。只要使用了分子量為300以上的受阻酚類抗氧化劑,就會(huì)抑制在涂布感光層后的干燥步驟中的受阻酚類抗氧化劑的蒸發(fā)。因此,在進(jìn)行實(shí)現(xiàn)上述功能所需的干燥后可在感光層中留下足夠的受阻酚類抗氧化劑。

現(xiàn)在將描述受阻酚類抗氧化劑。

受阻酚類抗氧化劑為具有受阻酚環(huán)和具有為300以上的分子量的化合物。

受阻酚類抗氧化劑的受阻酚環(huán)為,例如,用具有4至8個(gè)碳原子的至少一種烷基(例如,具有4至8個(gè)碳原子的支鏈烷基)進(jìn)行取代的酚環(huán)。具體地說,受阻酚環(huán)為一種酚環(huán),其中酚羥基的鄰位用叔烷基(例如,叔丁基)進(jìn)行取代。

受阻酚類抗氧化劑的實(shí)例包括下列內(nèi)容:

1)具有一個(gè)受阻酚環(huán)的抗氧化劑;

2)具有2個(gè)以上且4個(gè)以下受阻酚環(huán)的抗氧化劑,受阻酚環(huán)通過包括具有2至4價(jià)的直鏈或支鏈脂肪烴基的連接基團(tuán)或通過其中酯鍵(-c(=o)o-)和醚鍵(-o-)中的一個(gè)或兩個(gè)被插入脂肪烴基的碳-碳鍵的包括具有2至4價(jià)的脂肪烴基的連接基團(tuán)而彼此連接;以及

3)具有2個(gè)以上且4個(gè)以下受阻酚環(huán)以及一個(gè)苯環(huán)(未取代的苯環(huán)或用烷基等取代的苯環(huán))或一個(gè)異氰脲酸酯環(huán)的抗氧化劑,其中2個(gè)以上且4個(gè)以下受阻酚環(huán)通過苯環(huán)或異氰脲酸酯環(huán)和亞烷基進(jìn)行連接。

具體地說,從抑制殘像(burn-in)重影和光致疲勞的觀點(diǎn)出發(fā),由通式(hp)表示的抗氧化劑可被用作受阻酚類抗氧化劑。

在通式(hp)中,rh1和rh2各自獨(dú)立地表示具有4至8個(gè)碳原子的支鏈烷基,rh3和rh4各自獨(dú)立地表示氫原子或具有1至10個(gè)碳原子的烷基,且rh5表示具有1至10個(gè)碳原子的亞烷基。

由通式(hp)中rh1和rh2表示的烷基的實(shí)例包括具有4至8個(gè)碳原子(優(yōu)選為4至6個(gè)碳原子)的支鏈烷基。

支鏈烷基的具體實(shí)例包括異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基和叔辛基。

在這些中,優(yōu)選叔丁基和叔戊基,且更優(yōu)選將叔丁基當(dāng)作烷基。

通式(hp)中rh3和rh4的實(shí)例包括具有1至10個(gè)碳原子(優(yōu)選為1至4個(gè)碳原子)的直鏈或支鏈烷基。

直鏈烷基的具體實(shí)例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基和正癸基。

支鏈烷基的具體實(shí)例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基和叔癸基。

烷基可以是低級(jí)烷基,如甲基或乙基。

通式(hp)中rh5表示具有1至10個(gè)碳原子(優(yōu)選為1至4個(gè)碳原子)的直鏈或支鏈亞烷基。

直鏈亞烷基的具體實(shí)例包括亞甲基、亞乙基、正亞丙基、正亞丁基、正亞戊基、正亞己基、正亞庚基、正亞辛基、正亞壬基和正亞癸基。

支鏈亞烷基的具體實(shí)例包括異丙烯基、異丁烯基、仲丁烯基、叔丁烯基、異戊烯基、新戊烯基、叔戊烯基、異己烯基、仲己烯基、叔己烯基、異庚烯基、仲庚烯基、叔庚烯基、異辛烯基、仲辛烯基、叔辛烯基、異壬烯基、仲壬烯基、叔壬烯基、異癸烯基、仲癸烯基和叔癸烯基。

在這些中,低級(jí)亞烷基,如亞甲基、亞乙基和亞丁基可被用作亞烷基。

由通式(hp)中rh1、rh2、rh3、rh4和rh5表示的取代基包括具有取代基的那些。這些取代基的實(shí)例包括鹵原子(例如,氟原子或氯原子)、烷氧基(例如,具有1至4個(gè)碳原子的烷氧基)和芳基(例如,苯基或萘基)。

從抑制殘像重影和光致疲勞的觀點(diǎn)出發(fā),通式(hp)中rh1和rh2各自可表示叔丁基。優(yōu)選地,rh1和rh2各自表示叔丁基、rh3和rh4各自表示具有1至3個(gè)碳原子的烷基(具體地說,甲基)且rh5表示具有1至4個(gè)碳原子的亞烷基(具體地說,亞甲基)。

具體地說,受阻酚類抗氧化劑可以是由實(shí)例化合物(hp-3)表示的受阻酚類抗氧化劑。

從抑制重影和光致疲勞的觀點(diǎn)出發(fā),受阻酚類抗氧化劑的分子量可以是300以上且1000以下,更優(yōu)選為300以上且900以下,且更優(yōu)選為300以上且800以下。

受阻酚類抗氧化劑的非限制性具體實(shí)例如下。

這些受阻酚類抗氧化劑可單獨(dú)或組合使用。

電荷輸送層6是通過將用于形成含有上述材料的電荷輸送層的涂布液涂覆至電荷產(chǎn)生層5并干燥所涂覆的溶液而形成的。

用于涂布液中的溶劑可以是任何已知的有機(jī)溶劑,其可產(chǎn)生示例性實(shí)施方式的電子照相感光體的特性。例如,可使用二惡烷、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯或甲苯。這些有機(jī)溶劑可單獨(dú)或組合使用。

將用于形成電荷輸送材料的涂布液涂覆至電荷產(chǎn)生層的方法的實(shí)例包括常用的方法,如刮刀涂布方法、線棒涂布方法、噴涂方法、浸涂方法、珠涂方法、氣刀涂布方法和簾式涂布方法。

電荷輸送層6可具有5至50μm或10至45μm的厚度。

為了改善涂布膜的平滑性和平坦性,可添加少量的硅油作為流平劑。

保護(hù)層

如果需要的話,在感光層上形成保護(hù)層。形成保護(hù)層以防止在充電期間在感光層中的化學(xué)變化或進(jìn)一步地改善感光層的機(jī)械強(qiáng)度。

因此,保護(hù)層可以是由固化膜(交聯(lián)膜)形成的一層。這種層的實(shí)例包括在下面1)和2)中所描述的那些。

1)由根據(jù)含有包含反應(yīng)基的電荷輸送材料的組合物制備的固化膜形成的一層,該荷輸送材料具有反應(yīng)基和在相同分子中的電荷輸送骨架(換句話說,是含有包含反應(yīng)基的電荷輸送材料的聚合物或交聯(lián)產(chǎn)物的一層);以及

2)由根據(jù)含有非反應(yīng)性的電荷輸送材料和不含有電荷輸送骨架但卻具有反應(yīng)基的包含反應(yīng)基的非電荷輸送材料的組合物制備的固化膜形成的一層(換句話說,是含有非反應(yīng)基的電荷輸送材料和包含反應(yīng)基的非電荷輸送材料的聚合物或交聯(lián)產(chǎn)物的一層)。

包含反應(yīng)基的電荷輸送材料的反應(yīng)基的實(shí)例包括已知的反應(yīng)基,如鏈聚合基、環(huán)氧基、-oh、-or[其中r表示烷基]、-nh2、-sh、-cooh和-sirq13-qn(orq2)qn[其中,rq1表示氫原子、烷基或取代或未取代的芳基,rq2表示氫原子、烷基或三烷基甲硅烷基,且qn表示1至3的整數(shù)]。

鏈聚合基可以是可自由基聚合的任何官能團(tuán)。一種實(shí)例是至少具有碳-碳雙鍵的官能團(tuán)。其具體實(shí)例為含有選自乙烯基、乙烯醚基、乙烯硫醚基、苯乙烯基、乙烯基苯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及前述各項(xiàng)的衍生物的至少一個(gè)基團(tuán)的基團(tuán)。鏈聚合基可以是含有選自乙烯基、苯乙烯基、乙烯基苯基、丙烯?;⒓谆;扒笆龈黜?xiàng)的衍生物的至少一個(gè)作為鏈可聚合基的基團(tuán)。

包含反應(yīng)基的電荷輸送材料的電荷輸送骨架可以是用于電子照相感光體的任何已知結(jié)構(gòu)。其實(shí)例是具有從含氮空穴傳輸化合物衍生的骨架,如三芳香胺化合物、聯(lián)苯胺化合物或肼化合物并與氮原子共軛的結(jié)構(gòu)。三芳香胺骨架可被用作骨架。

具有反應(yīng)基和電荷輸送骨架的包含反應(yīng)基的電荷輸送材料、非反應(yīng)性的電荷輸送材料和包含反應(yīng)基的非電荷輸送材料可選自已知的材料。

保護(hù)層也可含有已知的添加劑。

保護(hù)層可通過任何已知的方法形成。例如,可將上述的化合物添加至溶劑以制備用于形成保護(hù)層的涂布液,可涂覆涂布液以形成膜,且可干燥膜并在需要時(shí)進(jìn)行加熱以進(jìn)行固化。

用于制備用于形成保護(hù)層的涂布液的溶劑的實(shí)例包括芳香族溶劑如甲苯和二甲苯;酮溶劑如甲基乙基酮、甲基異丁基酮和環(huán)己酮;酯溶劑如乙酸乙酯和乙酸丁酯;醚溶劑如四氫呋喃和二惡烷;溶纖劑溶劑如乙二醇單甲醚;和醇溶劑如異丙醇和丁醇。這些溶劑可單獨(dú)或組合使用。

用于形成保護(hù)層的涂布液可以是無溶劑的涂布液。

用于將用于形成保護(hù)層的涂布液涂覆至感光層(例如,電荷輸送層)的方法的實(shí)例包括常用方法,如浸涂方法、提升涂布方法、線棒涂布方法、噴涂方法、刮刀涂布方法、刀片涂布方法和簾式涂布方法。

保護(hù)層的厚度為,例如,1μm以上且20μm以下或可以是2μm以上且10μm以下。

單層型感光層

單層型感光層(電荷產(chǎn)生/電荷輸送層)為含有,例如,電荷產(chǎn)生材料、電荷輸送材料且如果需要的話還含有粘合劑樹脂和其他已知的添加劑的一層。這些材料與結(jié)合電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層所述的那些相同。

在單層型感光層中,相對(duì)于總固體含量的電荷產(chǎn)生材料的含量優(yōu)選為10重量%以上且85重量%以下,且更優(yōu)選為20重量%以上且50重量%以下。在單層型感光層中,相對(duì)于總固體含量的電荷輸送材料的含量優(yōu)選為5重量%以上且50重量%以下。

用于形成單層型感光層的方法與用于形成電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層的那些相同。

單層型感光層的厚度為,例如,5μm以上且50μm以下且可以是10μm以上且40μm以下。

充電裝置

充電裝置208的實(shí)例包括接觸型充電器,其使用導(dǎo)電或半導(dǎo)體充電輥、充電刷、充電膜、充電橡膠刮刀、充電管等。替代地,可使用已知的充電器,如非接觸型輥式充電器、使用電暈放電的格柵電暈管充電器或電暈管充電器等。

曝光裝置

曝光裝置210的一個(gè)實(shí)例為通過源于半導(dǎo)體激光器、led或液晶光閘的光照亮電子照相感光體207的表面以在表面上形成預(yù)期的光圖像的光學(xué)裝置。光源的波長要位于電子照相感光體的光譜靈敏度的區(qū)域內(nèi)。主流的半導(dǎo)體激光器為具有約為780nm的振蕩波長的紅外激光器。波長并不僅限于此,也可使用具有600nm量級(jí)的振蕩波長的激光器或具有400nm以上且450nm以下的振蕩波長的藍(lán)光激光器。能夠輸出多波束的表面發(fā)射型激光光源對(duì)于形成彩色圖像來說也是同樣有效的。

顯影裝置

顯影裝置211的一個(gè)實(shí)例是通過按接觸或非接觸方式使用顯影劑對(duì)圖像進(jìn)行顯影的常用顯影裝置。顯影裝置211可以是具有該功能且可根據(jù)用途自由地進(jìn)行選擇的任何裝置。一個(gè)實(shí)例為已知的顯影裝置,其具有通過使用刷子、輥等將一組分顯影劑或雙組分顯影劑附著到電子照相感光體207的功能。特別地,顯影裝置可使用在其表面上保留顯影劑的顯影輥。

用于顯影裝置211中的顯影劑可以是僅由色調(diào)劑制成的一組分顯影劑或可以是由色調(diào)劑和載體制成的雙組分顯影劑。顯影劑可以是磁性的或者是非磁性的??墒褂靡阎娘@影劑。

清潔裝置

清潔裝置213為配備有清潔刮板的清潔刮板型裝置。替代地,代替或除了清潔刮板方法之外,可采用毛刷清潔方法或同時(shí)進(jìn)行的顯影和清潔方法。

轉(zhuǎn)印裝置

轉(zhuǎn)印裝置212b的實(shí)例包括已知的轉(zhuǎn)印充電器,如使用帶、輥、膜、橡膠刮刀等的接觸型轉(zhuǎn)印充電器和使用電暈放電的格柵電暈管轉(zhuǎn)印充電器和電暈管轉(zhuǎn)印充電器。

中間轉(zhuǎn)印體

由聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚酯、橡膠等制成的半導(dǎo)電性帶形構(gòu)件(中間轉(zhuǎn)印帶)被用作一次轉(zhuǎn)印裝置212a。替代地,一次轉(zhuǎn)印裝置212a可具有鼓形。

圖像形成方法

一種圖像形成方法,包括:對(duì)電子照相感光體的表面進(jìn)行充電的充電步驟,該電子照相感光體包括含有電荷產(chǎn)生材料、電荷輸送材料和粘合劑樹脂的感光層;通過對(duì)電子照相感光體的充電表面進(jìn)行曝光而形成靜電潛像的靜電潛像形成步驟;用含有色調(diào)劑的顯影劑對(duì)電子照相感光體的表面上的靜電潛像進(jìn)行顯影以形成色調(diào)劑圖像的顯影步驟;以及將色調(diào)劑圖像轉(zhuǎn)印至記錄介質(zhì)的表面上的轉(zhuǎn)印步驟。每單位面積的所述電子照相感光體的所述表面的通過在所述靜電潛像的形成過程中進(jìn)行的曝光而在所述感光層中累積的電荷量δq(μc/m2)、在對(duì)所述電子照相感光體的所述表面進(jìn)行充電的過程中對(duì)所述電子照相感光體的所述表面進(jìn)行充電后的帶電電位vh(v)以及在所述靜電潛像的形成過程中進(jìn)行曝光的所述電子照相感光體的所述表面的一部分的曝光電位vl(v)滿足上述通式(1)。

一種通過使用在圖2中所示的示例性實(shí)施方式的圖像形成裝置200形成圖像的方法,將其描述為示例性實(shí)施方式的圖像形成方法的一個(gè)具體實(shí)例。

隨著電子照相感光體207旋轉(zhuǎn),電子照相感光體207的表面例如通過使用充電裝置208而使其帶負(fù)電荷。充電裝置208被電耦聯(lián)至在圖像形成裝置200中的控制器(未示出)。從電源209施加有電荷電壓的充電裝置208將感光體207的表面充電至與所施加的電荷電壓相應(yīng)的帶電電位。這表示通過調(diào)整從電源209施加的電荷電壓將感光體207充電至目標(biāo)帶電電位(vh)。

由于接觸型充電裝置208而具有帶負(fù)電荷的表面的電子照相感光體207通過使用曝光裝置210進(jìn)行曝光以在表面上形成靜電潛像。曝光裝置210被電耦聯(lián)至在圖像形成裝置200中的控制器且施加至電子照相感光體207的充電表面,該充電表面基于待形成(曝光)的圖像的圖像數(shù)據(jù)而經(jīng)光l進(jìn)行調(diào)制。由于曝光,在電子照相感光體207的表面上形成與圖像數(shù)據(jù)的圖像相應(yīng)的靜電潛像。感光體的曝光表面變得具有與用于曝光中的光量相應(yīng)的曝光電位(vl)。

隨著形成靜電潛像的電子照相感光體207的一部分接近顯影裝置211,顯影裝置211使色調(diào)劑附著到靜電潛像并形成色調(diào)劑圖像。

進(jìn)一步地旋轉(zhuǎn)當(dāng)前載有色調(diào)劑圖像的電子照相感光體207,并將色調(diào)劑圖像轉(zhuǎn)印至一次轉(zhuǎn)印裝置212a(一次轉(zhuǎn)印)且隨后通過二次轉(zhuǎn)印裝置212b轉(zhuǎn)印至記錄片材500。其結(jié)果是,在記錄片材500上形成色調(diào)劑圖像(二次轉(zhuǎn)印)。在一次轉(zhuǎn)印后,通過清潔裝置213移除在電子照相感光體207上的殘余色調(diào)劑。

記錄片材500和在其上形成的色調(diào)劑圖像一起通過定影裝置215以使色調(diào)劑圖像定影。定影裝置215并不特定僅限于此且可以是,例如,熱輥定影裝置或烤箱定影裝置。在圖1中,作為一個(gè)實(shí)例示出配備有加熱輥和與加熱輥相對(duì)的加壓輥的熱輥定影裝置。

本示例性實(shí)施方式的圖像形成裝置可配備有電荷擦除單元。電荷擦除單元例如設(shè)置在電子照相感光體207的旋轉(zhuǎn)方向上的清潔裝置213的下游并通過在轉(zhuǎn)印色調(diào)劑圖像后對(duì)電子照相感光體207的表面進(jìn)行曝光而擦除電荷。具體地說,例如,電荷擦除單元通過對(duì)電子照相感光體207的表面的所有部分(圖像形成區(qū)域的所有部分)進(jìn)行曝光而擦除電荷。

電荷擦除單元的一個(gè)實(shí)例為配備有光源如發(fā)射白光的鎢燈或發(fā)射紅光的發(fā)光二極管(led)的裝置。

在圖2中所示的圖像形成裝置200配置成通過一次轉(zhuǎn)印和二次轉(zhuǎn)印將在感光體207的表面上形成的色調(diào)劑圖像轉(zhuǎn)印至記錄片材500。替代地,示例性實(shí)施方式的圖像形成裝置可配置成將在感光體207表面上的色調(diào)劑圖像直接轉(zhuǎn)印至記錄片材500上。

實(shí)施例

現(xiàn)在將描述示例性實(shí)施方式的非限制性實(shí)施例。在下面的描述中,除非另有說明外,“份”和“%”均以重量計(jì)。

實(shí)施例1

感光體的制備

感光體1

100重量份的氧化鋅(商品名為mz300,日本帝國化工公司(taycacorporation)制)、充當(dāng)硅烷耦聯(lián)劑的10重量份的n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷的10重量%的甲苯溶液以及200重量份的甲苯的混合物通過混合而制備。對(duì)混合物進(jìn)行攪拌并回流2個(gè)小時(shí)。隨后,在10mmhg將甲苯蒸餾掉并通過在135℃進(jìn)行2小時(shí)的烘烤而對(duì)表面進(jìn)行處理。

33重量份的經(jīng)表面處理的氧化鋅、6重量份的嵌段異氰酸酯(商品名:sumidur3175,住友拜耳聚氨酯株式會(huì)社(sumitomobayerurethaneco.,ltd.)制)、1重量份的由下面通式(3)表示的化合物以及25重量份的甲基乙基酮的混合物進(jìn)行30分鐘的混合,且隨后將5重量份的縮丁醛樹脂(商品名:s-lecbm-1,積水化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社(sekisuichemicalco.,ltd.)制)、3重量份的硅膠球(商品名:tospearl120,邁圖高性能材料公司(momentiveperformancematerialsinc.)制)以及充當(dāng)流平劑的0.01重量份的硅油(商品名:sh29pa,東麗道康寧有機(jī)硅株式會(huì)社(dowcorningtoraysiliconeco.,ltd.)制)添加至所產(chǎn)生的混合物中。在砂磨機(jī)中將所產(chǎn)生的混合物分散3個(gè)小時(shí)。其結(jié)果是,獲得分散液(用于形成的底涂層的涂布液)。

通式(3)

通過浸涂方法將涂布液涂覆至直徑為30mm、長度為365mm且厚度為1mm的鋁基板并在180℃進(jìn)行30分鐘的干燥和固化。其結(jié)果是,獲得厚度為25μm的底涂層。

將含有羥基鎵酞菁顏料、充當(dāng)粘合劑樹脂的氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂(商品名:vmch,日本尤尼卡有限公司(nipponunicarcompanylimited)制)和乙酸正丁酯的混合物與直徑為1.0mm的玻璃珠一起置于100ml的玻璃缸中,從而使填充率為50%。隨后,通過使用油漆攪拌器將混合物分散2.5個(gè)小時(shí)以制備用于形成電荷產(chǎn)生層的涂布液。

相對(duì)于羥基鎵酞菁顏料和氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的混合物,羥基鎵酞菁顏料的容量設(shè)置為55.0體積%。分散液的固體容量設(shè)置為6.0重量%。容量是通過假定羥基鎵酞菁顏料的比重為1.606g/cm3且假定氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的比重為1.35g/cm3而進(jìn)行計(jì)算的。

所獲得的涂布液通過浸涂被涂覆至底涂層且在150℃下干燥5分鐘。其結(jié)果是,形成厚度為0.14μm的電荷產(chǎn)生層。

通過將12重量份的由下面通式(ct1a)表示的化合物、28重量份的由下面通式(ct2a)表示的化合物以及60重量份的雙酚z型聚碳酸酯樹脂(分子量:40,000)溶解在340重量份的四氫呋喃中而制備的涂布液通過浸涂涂覆至電荷產(chǎn)生層并在150℃下干燥40分鐘以形成厚度為40μm的電荷輸送層。其結(jié)果是,獲得了按下述順序相繼堆疊的具有底涂層的感光體、電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層。每一層的厚度用電渦流厚度計(jì)(菲舍爾科技公司(fischertechnology,inc.)制)進(jìn)行測量的。

測量所獲得的感光體的初始q-v特性并確定在初始狀態(tài)中的qleak1(μc/m2)。

然后,將感光體加載至配備有充電裝置、曝光裝置和電荷擦除裝置的裝置上。將充電、曝光和電荷移除一系列步驟重復(fù)進(jìn)行800次循環(huán),將感光體留在暗處15分鐘并隨后再一次地測量q-v特性以確定在曝光歷史后的qleak2(μc/m2)。重復(fù)800次循環(huán)的條件如下。

帶電電位:700(v)

曝光量:10(mj/m2)

曝光波長:780(nm)

電荷擦除光源:鹵素?zé)?林時(shí)計(jì)工業(yè)株式會(huì)社制)

電荷擦除光波長:600nm以上且800nm以下

電荷擦除光量:30(mj/m2)

旋轉(zhuǎn)速度:66.7(rpm)

根據(jù)上述的通式(2),根據(jù)所觀測的qleak1(μc/m2)和qleak2(μc/m2)計(jì)算δq(μc/m2)。在表中示出了其結(jié)果。

對(duì)q-v特性的測量和關(guān)于帶電電位vh(v)和曝光電位vl(v)對(duì)感光體的表面電位的測量通過使用表面電位計(jì)(型號(hào)334,崔克日本有限公司(trekjapanco.,ltd.)制)來進(jìn)行,如下所述。

相關(guān)于假定為0(ms)的充電裝置的位置,充電裝置的位置和用于測量表面電位vh(v)、曝光電位vl(v)和q-v特性的表面電位計(jì)的位置如下。

充電裝置:0(ms)

安裝用于測量帶電電位vh的表面電位計(jì)(p1)的位置:110(ms)

安裝用于測量曝光電位vl的表面電位計(jì)(p2)的位置:247(ms)

施加電荷擦除光的位置:635(ms)

安裝用于在電荷擦除后測量電位的電位計(jì)(p4)的位置:772(ms)

由p1測量的電位用作帶電電位vh(v)。由p2測量的電位用作曝光后電位vl(v)。通過從p2測量的電位減去由p4測量的電位而獲得的電位用作在q-v特性測量期間的表面電位。在q-v特性測量期間的q(μc/m2)通過根據(jù)在充電期間從感光體的地側(cè)流動(dòng)的電流量計(jì)算每單元面積(1m2)的感光體的電荷量而獲得。已在每單元面積的感光體中流動(dòng)的電荷量通過用充電裝置的電荷寬度(m)乘以感光體的一轉(zhuǎn)的長度(m)以計(jì)算帶電面積(m2)并用已流入的電荷量(μc)除以帶電面積而獲得。

將所獲得的感光體加載至圖像形成裝置,即修改的電子照相圖像形成裝置(docucentreiv5540,富士施樂株式會(huì)社制)上,使用該圖像形成裝置可自由地調(diào)整帶電電位vh(v)和曝光電位vl(v)。接著,在a3大小的紙張上輸出圖像。

輸出圖像圖案包括與感光體的第一循環(huán)相對(duì)應(yīng)的且從a3紙張的前緣延伸的第一循環(huán)區(qū)域(從前緣至高達(dá)94.2mm的區(qū)域)以及在第一循環(huán)區(qū)域后與感光體的第二循環(huán)相對(duì)應(yīng)的第二循環(huán)區(qū)域(從前緣開始的94.2mm至188.4mm的區(qū)域)。在第一循環(huán)區(qū)域中,形成在中心處具有1cm黑色實(shí)心方形的全白圖像(濃度:100%)。在第二循環(huán)區(qū)域中,形成全半色調(diào)圖像(20%的濃度,黑色)。出現(xiàn)在半色調(diào)圖像中的第一循環(huán)的方形圖像的重影用于進(jìn)行評(píng)價(jià)。帶電電位vh為700(v)且曝光電位vl為250(v)。圖像進(jìn)行視覺感官評(píng)價(jià)(等級(jí)評(píng)定)。所獲得的感光體是可帶負(fù)電荷的感光體。因此,實(shí)際電位為負(fù)極性(vh=-700(v),vl=-250(v))。

從-5.0至5.0以0.5g的增量進(jìn)行等級(jí)評(píng)定。該值越小,其結(jié)果越好。負(fù)g值表示負(fù)重影且正g值表示正重影。重影等級(jí)的可允許范圍為-3.0至3.0。

在20%和40%rh的環(huán)境中輸出圖像。在表中示出了其結(jié)果。

實(shí)施例2至16

除了將電子照相感光體的電荷產(chǎn)生層的厚度、帶電電位vh和曝光電位vl變?yōu)樵诒碇兴镜闹低?,按?shí)施例1中所述方法制備感光體。也按實(shí)施例1中所述方法進(jìn)行評(píng)價(jià)。在表中示出其結(jié)果。

實(shí)施例17

除了將3重量份的由通式(hp-3)表示的受阻酚類抗氧化劑添加至用于形成電荷輸送層的涂布液外,按實(shí)施例1中所述方法制備感光體。也按實(shí)施例1中所述方法進(jìn)行評(píng)價(jià)。在表中示出其結(jié)果。

(hp-3)

實(shí)施例18和19

除了將在用于形成電荷輸送層的涂布液中的由通式(hp-3)表示的受阻酚類抗氧化劑的量變?yōu)樵诒碇兴镜闹狄酝?,按?shí)施例17中所述方法制備感光體。也按實(shí)施例17中所述方法進(jìn)行評(píng)價(jià)。在表中示出其結(jié)果。

實(shí)施例20

除了將用于形成電荷輸送層的涂布液的組成變?yōu)榘?0重量份的由下面通式(4)表示的化合物、60重量份的雙酚z型聚碳酸酯樹脂(分子量:40000)和340重量份的四氫呋喃外,按實(shí)施例1中所述方法制備感光體。按實(shí)施例1中所述方法進(jìn)行評(píng)價(jià)。在表中示出其結(jié)果。

通式(4)

實(shí)施例21

除了將用于形成電荷輸送層的涂布液的組成變?yōu)榘?0重量份的由下面通式(5)表示的化合物、60重量份的雙酚z型聚碳酸酯樹脂(分子量:40000)和340重量份的四氫呋喃外,按實(shí)施例1中所述方法制備感光體。按實(shí)施例1中所述方法進(jìn)行評(píng)價(jià)。在表中示出其結(jié)果。

通式(5)

實(shí)施例22和23

除了分別將電子照相感光體的電荷產(chǎn)生層的厚度和所添加的由通式(hp-3)表示的受阻酚類抗氧化劑的量變?yōu)樵诒碇兴镜闹低?,按?shí)施例1中所述方法制備感光體。按實(shí)施例1中所述方法進(jìn)行評(píng)價(jià)。在表中示出其結(jié)果。

比較例1至5

除了將電荷產(chǎn)生層的厚度、帶電電位vh和曝光電位vl分別變?yōu)樵诒碇兴镜闹低?,按?shí)施例1中所述方法制成感光體。按實(shí)施例1中所述方法進(jìn)行評(píng)價(jià)。在表中示出其結(jié)果。

為了進(jìn)行圖示和說明,以上對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式進(jìn)行了描述。其目的并不在于全面詳盡地描述本發(fā)明或?qū)⒈景l(fā)明限定于所公開的具體形式。很顯然,對(duì)本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員而言,可以做出許多修改以及變形。本實(shí)施例的選擇和描述,其目的在于以最佳方式解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用,從而使得本技術(shù)領(lǐng)域的其他熟練技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施例,并做出適合特定用途的各種變形。本發(fā)明的范圍由與本說明書一起提交的權(quán)利要求書及其等同物限定。

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