本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電致發(fā)光器件及該電致發(fā)光器件的制備方法和包括該電致發(fā)光器件的顯示面板。

背景技術(shù)：

目前，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體(AMOLED，Active-Matrix Organic Light Emitting Diode，)顯示技術(shù)與傳統(tǒng)液晶顯示器(LCD，Liquid Crystal Display，)顯示技術(shù)相比具有自主發(fā)光的優(yōu)勢，將逐漸擴(kuò)大在電子顯示設(shè)備中的份額。AMOLED顯示器與傳統(tǒng)LCD顯示器相比，具有更寬的視角、更高的刷新率和更薄的尺寸，因此正在得到智能設(shè)備如智能手機(jī)、手環(huán)和虛擬現(xiàn)實(shí)(VR，Virtual Reality)/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR，Augmented Reality)等產(chǎn)品的大范圍采用。

相關(guān)技術(shù)中，目前的AMOLED發(fā)光器件通常包含反射式電極，為避免環(huán)境光影響，需要貼圓偏光片和1/4波片，導(dǎo)致?lián)p失一半光效而增加了面板功耗，同時(shí)增加了制作成本及面板厚度。所以亟需新的器件結(jié)構(gòu)提升和改善光效以降低面板功耗，同時(shí)降低成本并使AMOLED產(chǎn)品滿足超薄、小型化的需求。

因此，有必要提供一種新的技術(shù)方案改善上述方案中存在的一個或者多個問題。

需要說明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的目的在于提供一種電致發(fā)光器件及該電致發(fā)光器件的制備方法和包括該電致發(fā)光器件的顯示面板，進(jìn)而至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷而導(dǎo)致的一個或者多個問題。

本公開的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過本公開的實(shí)踐而習(xí)得。

根據(jù)本公開實(shí)施例的第一方面，提供一種電致發(fā)光器件，包括依次疊設(shè)的第一透明電極層、電致發(fā)光層、溝道層、第二透明電極層、介電層、光吸收層以及第三透明電極層；其中，所述光吸收層能夠被所述電致發(fā)光層出射的光激發(fā)產(chǎn)生光生載流子。

本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述光吸收層為由量子點(diǎn)構(gòu)成的量子點(diǎn)層。

本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述電致發(fā)光層包括藍(lán)色電致發(fā)光層，所述量子點(diǎn)層對應(yīng)包括綠光量子點(diǎn)或黃光量子點(diǎn)；

及/或，所述電致發(fā)光層包括綠色電致發(fā)光層，所述量子點(diǎn)層對應(yīng)包括黃光量子點(diǎn)或綠光量子點(diǎn)；

及/或；所述電致發(fā)光層包括紅色電致發(fā)光層，所述量子點(diǎn)層對應(yīng)包括近紅外光量子點(diǎn)。

本公開的一種示例性實(shí)施例中，還包括：

空穴阻擋層，設(shè)置于所述量子點(diǎn)層與所述第三透明電極層之間。

本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述第一透明電極層電連接第一電源的陽極，所述第三透明電極層電連接第二電源的陽極，所述第二透明電極層電連接所述第一電源的陰極和所述第二電源的陰極。

本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)層中的量子點(diǎn)的粒徑為5～20nm，所述量子點(diǎn)層的厚度為5～500nm。

本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)層包括II-VI族元素核殼結(jié)構(gòu)、III-V族元素核殼結(jié)構(gòu)、過渡族金屬摻雜納米晶、稀土金屬摻雜納米晶或者鉛基鈣鈦礦納米晶中的一種或多種。

根據(jù)本公開實(shí)施例的第二方面，提供一種電致發(fā)光器件的制備方法，所述方法包括：

形成依次疊設(shè)的第一透明電極層、電致發(fā)光層、溝道層、第二透明電極層、介電層、光吸收層以及第三透明電極層；

其中，所述光吸收層能夠被所述電致發(fā)光層出射的光激發(fā)產(chǎn)生光生載流子。

本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述光吸收層為由量子點(diǎn)形成的量子點(diǎn)層。

本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述電致發(fā)光層包括藍(lán)色電致發(fā)光層，所述量子點(diǎn)層對應(yīng)包括綠光量子點(diǎn)或黃光量子點(diǎn)；

及/或，所述電致發(fā)光層包括綠色電致發(fā)光層，所述量子點(diǎn)層對應(yīng)包括黃光量子點(diǎn)或綠光量子點(diǎn)；

及/或；所述電致發(fā)光層包括紅色電致發(fā)光層，所述量子點(diǎn)層對應(yīng)包括近紅外光量子點(diǎn)。

本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)層中的量子點(diǎn)的粒徑為5～20nm，所述量子點(diǎn)層的厚度為5～500nm。

本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)層包括II-VI族元素核殼結(jié)構(gòu)、III-V族元素核殼結(jié)構(gòu)、過渡族金屬摻雜納米晶、稀土金屬摻雜納米晶或者鉛基鈣鈦礦納米晶中的一種或多種。

根據(jù)本公開實(shí)施例的第三方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括上述任一實(shí)施例中所述的電致發(fā)光器件。

本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述顯示面板包括依次疊設(shè)的透明基板、發(fā)光層以及封裝層；

其中，所述發(fā)光層包括陣列設(shè)置的具有第一顏色電致發(fā)光層的所述電致發(fā)光器件、具有第二顏色電致發(fā)光層的所述電致發(fā)光器件以及具有第三顏色電致發(fā)光層的所述電致發(fā)光器件。

本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述顯示面板包括依次疊設(shè)的透明基板、發(fā)光層、彩膜層以及封裝層；

其中，所述發(fā)光層包括具有白色電致發(fā)光層的所述電致發(fā)光器件；所述彩膜層包括陣列設(shè)置的第一顏色濾光區(qū)、第二顏色濾光區(qū)以及第三顏色濾光區(qū)。

本公開的實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果：

本公開的一種實(shí)施例中，通過上述顯示面板、電致發(fā)光器件及其制備方法，通過在所述電致發(fā)光器件中設(shè)置光吸收層，該光吸收層包括能夠被所述電致發(fā)光器件中的電致發(fā)光層出射的光激發(fā)產(chǎn)生光生載流子的半導(dǎo)體納米材料。這樣，一方面，該電致發(fā)光器件可以利用自身發(fā)光產(chǎn)生光生載流子并可以注入到電致發(fā)光層中以實(shí)現(xiàn)發(fā)光，從而可以降低面板的功耗；另一方面，該電致發(fā)光器件不需要貼圓偏光片和1/4波片，降低了成本并使顯示面板等產(chǎn)品滿足超薄、小型化的需求。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本公開的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1示意性示出本公開示例性實(shí)施例中電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2示意性示出本公開示例性實(shí)施例中另一電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示意性示出本公開示例性實(shí)施例中又一電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4示意性示出本公開示例性實(shí)施例中電致發(fā)光器件的工作原理示意圖；

圖5示意性示出本公開示例性實(shí)施例中顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6示意性示出本公開示例性實(shí)施例中另一顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的范例；相反，提供這些實(shí)施方式使得本公開將更加全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個或更多實(shí)施方式中。

此外，附圖僅為本公開的示意性圖解，并非一定是按比例繪制。圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的部分，因而將省略對它們的重復(fù)描述。

本示例實(shí)施方式中首先提供了一種電致發(fā)光器件，參考圖1中所示，該電致發(fā)光器件100可以包括依次疊設(shè)的第一透明電極層101、電致發(fā)光層102、溝道層103、第二透明電極層104、介電層105、光吸收層106以及第三透明電極層107；其中，所述光吸收層106包括能夠被所述電致發(fā)光層102出射的光激發(fā)產(chǎn)生光生載流子的半導(dǎo)體納米材料。

本示例實(shí)施方式中的電致發(fā)光器件，一方面可以利用自身發(fā)光產(chǎn)生光生載流子并可以注入到電致發(fā)光層102中以實(shí)現(xiàn)發(fā)光，從而可以降低面板的功耗。另一方面，該電致發(fā)光器件不需要貼圓偏光片和1/4波片，降低了成本并使顯示面板等產(chǎn)品滿足超薄、小型化的需求。下面對該電致發(fā)光器件100各部分進(jìn)行更為詳細(xì)的說明。

本示例實(shí)施方式中，所述第一透明電極層101可以是Drain透明電極層，即漏極電極層，該第一透明電極層101可以采用如氧化銦錫ITO、氧化銦鋅IZO或者石墨烯Graphene以及與金屬如Li，Al，Ag，Mg，Au，Mo，Cr，Ti，Cu等其中兩種以上的合金而摻雜形成。該第一透明電極層101的厚度可以為10～2000nm。所述電致發(fā)光層102可以采用OLED(Organic Light-Emitting Diode)熒光或磷光發(fā)光材料，如精細(xì)有機(jī)材料DCM、綠光材料C-545MT、藍(lán)光材料TBPSF等形成。示例性的，所述溝道層103可以采用足球烯C60等材料形成，該溝道層103的厚度可以是10～2000nm。所述第二透明電極層104可以是Source透明電極層，即源極電極層。該第二透明電極層104可以采用如ITO、IZO、Graphene等或其中兩種以上復(fù)合形成，該第二透明電極層104的厚度可以是2～200nm。所述第二透明電極層104還可以為準(zhǔn)連續(xù)結(jié)構(gòu)或具有鏤空結(jié)構(gòu)。示例性的，所述鏤空結(jié)構(gòu)可以是近似圓形、方形或條形等陣列，或納米線/管薄膜形成的多孔結(jié)構(gòu)，鏤空結(jié)構(gòu)直徑或長邊為10nm～2000nm。所述介電層105可以采用如無機(jī)材料SiN_x、SiO_x或者氧化鉿HfO₂等或其中兩種以上復(fù)合形成，該介電層105的厚度可以是10～2000nm。所述第三透明電極層107可以是Gate透明電極層，即柵極電極層。該第三透明電極層107可以采用如ITO、IZO、Graphene等或其中兩種以上復(fù)合形成，且該第三透明電極層107的厚度可以是1～100nm。

參考圖2中所示，所述半導(dǎo)體納米材料可以為量子點(diǎn)(Quantum Dot，QD)，所述光吸收層106為所述量子點(diǎn)構(gòu)成的量子點(diǎn)層106’。量子點(diǎn)QD是可以把導(dǎo)帶電子、價(jià)帶空穴及激子在三個空間方向上束縛住的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其內(nèi)部電子在各方向上的運(yùn)動都受到局限，所以量子限域效應(yīng)(Quantum Confinement Effect)特別顯著。量子點(diǎn)又可稱為納米晶，由于電子和空穴被量子限域，連續(xù)的能帶結(jié)構(gòu)變成具有分子特性的分立能級結(jié)構(gòu)，因此受激后可以發(fā)射熒光。本示例實(shí)施方式中所述量子點(diǎn)層106’能夠被所述電致發(fā)光層102出射的光激發(fā)載流子，如空穴和電子，光生的該空穴和電子可以注入到所述電致發(fā)光層102中以實(shí)現(xiàn)發(fā)光，從而可以降低面板的功耗。

在一示例性實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)層106’中的量子點(diǎn)的粒徑可以為5～20nm，例如5nm、10nm、15nm或者20nm等。所述量子點(diǎn)層106’的厚度可以為5～500nm，例如5nm、30nm、50nm、100nm、300nm、或者500nm等。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要具體選擇量子點(diǎn)的粒徑或者量子點(diǎn)層106’的厚度，對此不作特殊限制。

在又一示例性實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)層106’可以包括II-VI族元素核殼結(jié)構(gòu)、III-V族元素核殼結(jié)構(gòu)、過渡族金屬摻雜納米晶、稀土金屬摻雜納米晶或者鉛基鈣鈦礦納米晶中的一種或多種。核殼結(jié)構(gòu)是由一種材料通過化學(xué)鍵或其他作用力將另一種材料包覆起來形成的有序組裝結(jié)構(gòu)。核殼微粒具有核殼結(jié)構(gòu)。而核殼微粒是由一種納米材料通過化學(xué)鍵或其他作用力將另一種納米材料包覆起來形成的納米尺度的有序組裝結(jié)構(gòu)。其中包覆技術(shù)通過對內(nèi)核微粒表面性質(zhì)進(jìn)行剪裁，改變內(nèi)核表面電荷、官能團(tuán)和反應(yīng)特性，進(jìn)而提高內(nèi)核的穩(wěn)定性與分散性，且通過摻雜、表面等離子體共振等技術(shù)可增強(qiáng)核殼微粒的發(fā)光。因此本示例性實(shí)施例中，該量子點(diǎn)層106’中的量子點(diǎn)可以采用II-VI族或III-V族元素核殼結(jié)構(gòu)，或者所述量子點(diǎn)層106’也可以采用過渡族金屬或稀土金屬摻雜納米晶而形成膜層，如Cu等過渡族金屬摻雜納米晶，或者如Ce等稀土金屬摻雜納米晶，或者所述量子點(diǎn)層106’也可以采用鉛基鈣鈦礦納米晶形成膜層，當(dāng)然也可以采用其他過渡族金屬或稀土金屬進(jìn)行摻雜，本示例實(shí)施方式中對此不作限制。通過上述具有微觀結(jié)構(gòu)和相應(yīng)材料摻雜形成的量子點(diǎn)層106’，可以提高該量子點(diǎn)層106’的穩(wěn)定性，增強(qiáng)發(fā)光以產(chǎn)生更多的光生載流子，進(jìn)而使得該電致發(fā)光器件可以進(jìn)一步降低面板的功耗。

為了使所述量子點(diǎn)層106’能夠更為有效地被所述電致發(fā)光層102出射的光激發(fā)產(chǎn)生載流子。在一示例性實(shí)施例中，所述電致發(fā)光層102可以包括藍(lán)色電致發(fā)光層，所述量子點(diǎn)層106’對應(yīng)包括綠光量子點(diǎn)或黃光量子點(diǎn)；及/或，所述電致發(fā)光層102可以包括綠色電致發(fā)光層，所述量子點(diǎn)層106’對應(yīng)包括黃光量子點(diǎn)或綠光量子點(diǎn)；及/或；所述電致發(fā)光層102可以包括紅色電致發(fā)光層，所述量子點(diǎn)層106’對應(yīng)包括近紅外光量子點(diǎn)。

也就是說，所述量子點(diǎn)層106’中可以單獨(dú)設(shè)置對應(yīng)藍(lán)色電致發(fā)光層的量子點(diǎn)，如綠(G)或黃(Y)QD，也可以單獨(dú)設(shè)置對應(yīng)綠色電致發(fā)光層的量子點(diǎn)，如黃(Y)或紅(R)QD，或者可以單獨(dú)設(shè)置對應(yīng)紅色電致發(fā)光層的量子點(diǎn)，如近紅外光QD。當(dāng)然也可以是同時(shí)設(shè)置以上3種量子點(diǎn)中任意兩種或三種組合的混合量子點(diǎn)。這樣，通過在所述量子點(diǎn)層106’中設(shè)置與所述電致發(fā)光層102中的藍(lán)色、綠色和紅色發(fā)光層分別對應(yīng)的不同量子點(diǎn)，使得所述量子點(diǎn)層106’能夠與白色發(fā)光譜匹配并吸收所述電致發(fā)光層102的發(fā)光，使得量子點(diǎn)更容易被激發(fā)，從而可以使所述量子點(diǎn)層106’能夠更為有效地被所述電致發(fā)光層102出射的光激發(fā)產(chǎn)生載流子。

參考圖2中所示，在一示例性實(shí)施例中，所述電致發(fā)光器件100還可以包括空穴阻擋層108，該空穴阻擋層108設(shè)置于所述量子點(diǎn)層106’與所述第三透明電極層107之間。示例性的，所述空穴阻擋層108可以采用如氧化鋅ZnO、二氧化鈦TiO₂、氧化錫SnO₂等材料形成，所述空穴阻擋層108的厚度可以是10～200nm。該空穴阻擋層108起到阻擋空穴的作用，以使所述量子點(diǎn)層106’產(chǎn)生的空穴位于該空穴阻擋層108而不進(jìn)入所述第三電極層107，這樣以便于在所述介電層105一側(cè)產(chǎn)生更多電子，進(jìn)而可以在一定程度上提高發(fā)光效率，且進(jìn)一步降低面板功耗。

參考圖2中所示，在一示例性實(shí)施例中，所述電致發(fā)光器件100還可以包括空穴注入層109和空穴傳輸層110。其中，所述空穴注入層109設(shè)置于所述第一透明電極層101與所述電致發(fā)光層102之間。示例性的，該空穴注入層109可以采用如LG101、氧化鉬MoO_x、C60等或其中兩種復(fù)合形成，該空穴注入層109的厚度可以是1～200nm。所述空穴傳輸層110設(shè)置于所述空穴注入層109與所述電致發(fā)光層102之間。示例性的，所述空穴傳輸層110可以采用如聚(9,9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)二苯胺)TFB、聚(9-乙烯基咔唑)PVK、N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺NPB、4,4'-雙(N-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯CBP、酞菁銅CuPc等材料或其中兩種材料復(fù)合形成，該空穴傳輸層110的厚度可以是1～200nm。該空穴注入層109和空穴傳輸層110便于所述第一電極層101產(chǎn)生的空穴有效傳輸并注入所述電致發(fā)光層102，可以在一定程度上提高發(fā)光效率。

參考圖2中所示，在一示例性實(shí)施例中，所述電致發(fā)光器件100還可以包括電子傳輸層111，該電子傳輸層111設(shè)置于所述溝道層103和所述電致發(fā)光層102之間。示例性的，該電子傳輸層111可以采用如三(8-羥基喹啉鋁)Alq3、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯TPBi等或其中兩種復(fù)合形成，且該電子傳輸層111的厚度可以是1～200nm。該電子傳輸層111可以便于所述第二電極層104產(chǎn)生的電子，以及與所述第二電極層104緊挨的所述介電層105一側(cè)的電子傳輸至所述電致發(fā)光層102，提高發(fā)光效率。其中，所述介電層105一側(cè)的電子由所述所述介電層105另一側(cè)的量子點(diǎn)層106’被光激發(fā)所產(chǎn)生的空穴而感應(yīng)產(chǎn)生。

示例性的，可以通過印刷、轉(zhuǎn)印、蒸鍍(如真空蒸鍍或電子束蒸鍍)、磁控濺射和原子層沉積中的一種或多種成熟工藝形成上述如圖1或圖2所示的電致發(fā)光器件100中的各個層。

參考圖2中所示，在一示例性實(shí)施例中，所述第一透明電極層101電連接第一電源120的陽極，所述第三透明電極層107電連接第二電源130的陽極，所述第二透明電極層104電連接所述第一電源120的陰極和所述第二電源130的陰極。

舉例來說，所述第一透明電極層101可以是Drain透明電極層，即漏極電極層，簡稱漏極D。所述第二透明電極層104可以是Source透明電極層，即源極電極層，簡稱源極S。所述第三透明電極層107可以是Gate透明電極層，即柵極電極層，簡稱柵極G。那么在本示例中，該電致發(fā)光器件的漏極D電連接第一電源120的陽極，源極S電連接第二電源130的陽極，而柵極G電連接所述第一電源120的陰極和所述第二電源130的陰極。在所述柵極G和源極S之間的電壓(對應(yīng)第二電源130電壓)，即V_GS正向偏壓為如0～20V下，所述量子點(diǎn)層106’被光激發(fā)產(chǎn)生的空穴在該量子點(diǎn)層106’/介電層105的界面積累，相應(yīng)地在介電層105/第二透明電極層104/溝道層103的界面積累了對應(yīng)的電子，經(jīng)該溝道層103收集并可以通過電子傳輸層111注入所述電致發(fā)光層102中。所述電致發(fā)光層102例如可以是OLED有機(jī)發(fā)光層或QLED量子點(diǎn)發(fā)光層等。這樣，通過將所述量子點(diǎn)層106’被光激發(fā)而最終形成的電子注入所述電致發(fā)光層102，可降低V_GS電壓即通過所述量子點(diǎn)層106’吸收該電致發(fā)光器件自身的發(fā)光來降低面板功耗。

參考圖3中所示，圖3示例性示出一電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖。該電致發(fā)光器件可以包括由下往上依次疊設(shè)的以下各層：Gate透明電極、空穴阻擋層HBL(Hole Blocking Layer)、量子點(diǎn)層QDs、介電層Directive、Source透明電極、垂直溝道層Channel、電子傳輸層ETL(Electron-Transporting Layer)、發(fā)光層EML(Emissive Layer)、空穴傳輸層HTL(Hole-Transporting Layer)、空穴注入層HIL(Hole-Injection Layer)和Drain透明電極。

其中，源極S、柵極G和漏極D這三個電極均為透明電極，Drian透明電極可以認(rèn)為是OLED陽極，Source透明電極可以認(rèn)為是OLED陰極。本示例的電致發(fā)光器件中，在Source透明電極和Gate透明電極中間設(shè)置介電層Directive，在介電層Directive和Gate透明電極中間設(shè)置量子點(diǎn)層即QDs層作為光探測層，QDs層的材料與例如OLED發(fā)光層EML的發(fā)光顏色對應(yīng)。例如，EML中的藍(lán)色發(fā)光層對應(yīng)G或Y QD，綠色發(fā)光層對應(yīng)Y或R QD，紅色發(fā)光層對應(yīng)近紅外QD。因此該量子點(diǎn)層可以吸收到OLED EML自身發(fā)光，并產(chǎn)生光生電子和空穴，即光電流。另外，在Gate透明電極和QDs層之間設(shè)置空穴阻擋層HBL。在V_GS正向偏壓如0～20V下，光生空穴在QDs/Dielectric層界面積累，相應(yīng)地在Dielectric/Source/Channel界面積累了電子，經(jīng)垂直溝道層Channel收集并注入發(fā)光層EML，可降低V_GS電壓，即可通過量子點(diǎn)吸收電致發(fā)光器件自身的發(fā)光來降低面板功耗。

本示例的電致發(fā)光器件中，主要可通過量子點(diǎn)層QDs吸收自身發(fā)光層EML的發(fā)光，產(chǎn)生光生載流子經(jīng)增益和放大后注入到該電致發(fā)光器件中。

參考圖4中所示，該電致發(fā)光器件的工作原理具體如下：

一、探測單元(QDs/HBL)

量子點(diǎn)層QDs中的量子點(diǎn)吸收發(fā)光層EML的發(fā)光，產(chǎn)生光生電荷分離，電子回到Gate透明陽極，空穴在QDs/Channel界面積累。

二、增益單元(Gate-HBL-QDs-Dielectric-Source-Channel)

在電壓V_GS下，介電層Directive一側(cè)與所述光生的空穴相對應(yīng)的電子在Directive/Source/Channel的界面積累，即電子增益，導(dǎo)致垂直溝道層Channel的能帶彎曲及變薄，電子隧穿入垂直溝道層Channel，經(jīng)收集存儲后注入到電致發(fā)光器件的發(fā)光層EML。

三、發(fā)光單元(ETL-EML-HTL-HIL-Drain)

在V_DS電壓下，Drain透明電極產(chǎn)生的空穴被注入到EML層與上述電子復(fù)合發(fā)光，向上的發(fā)光用于如顯示面板的顯示，向下的發(fā)光用來激發(fā)量子點(diǎn)層QDs以產(chǎn)生光生載流子。

本示例實(shí)施方式中還提供了一種電致發(fā)光器件的制備方法，所述方法可以包括以下步驟：形成依次疊設(shè)的第一透明電極層、電致發(fā)光層、溝道層、第二透明電極層、介電層、光吸收層以及第三透明電極層；其中，所述光吸收層包括能夠被所述有機(jī)發(fā)光層出射的光激發(fā)載流子的半導(dǎo)體納米材料。

通過上述制備方法制備的電致發(fā)光器件，一方面，制備的該電致發(fā)光器件可以利用自身發(fā)光產(chǎn)生光生載流子并可以注入到電致發(fā)光層中以實(shí)現(xiàn)發(fā)光，從而可以降低面板的功耗；另一方面，該電致發(fā)光器件不需要貼圓偏光片和1/4波片，降低了成本并使顯示面板等產(chǎn)品滿足超薄、小型化的需求。

下面，對本示例實(shí)施方式中的上述制備方法進(jìn)行更詳細(xì)的說明。

如圖1所示，上述制備方法制成的示例性的電致發(fā)光器件100可以包括依次疊設(shè)的第一透明電極層101、電致發(fā)光層102、溝道層103、第二透明電極層104、介電層105、光吸收層106以及第三透明電極層107；其中，所述光吸收層106包括能夠被所述電致發(fā)光層102出射的光激發(fā)載流子的半導(dǎo)體納米材料。

示例性的，所述第一透明電極層101可以是Drain透明電極層，即漏極電極層，該第一透明電極層101可以采用如氧化銦錫ITO、氧化銦鋅IZO或者石墨烯Graphene以及與金屬如Li，Al，Ag，Mg，Au，Mo，Cr，Ti，Cu等其中兩種以上的合金而摻雜形成。該第一透明電極層101的厚度可以為10～2000nm。所述電致發(fā)光層102可以采用OLED(Organic Light-Emitting Diode)熒光或磷光發(fā)光材料，如紅光材料DCM、綠光材料C-545MT、藍(lán)光材料TBPSF等形成。示例性的，所述溝道層103可以采用足球烯C₆₀等材料形成，該溝道層103的厚度可以是10～2000nm。所述第二透明電極層104可以是Source透明電極層，即源極電極層。該第二透明電極層104可以采用如ITO、IZO、Graphene等或其中兩種以上復(fù)合形成，該第二透明電極層104的厚度可以是2～200nm。所述第二透明電極層104還可以為準(zhǔn)連續(xù)結(jié)構(gòu)或具有鏤空結(jié)構(gòu)。示例性的，所述鏤空結(jié)構(gòu)可以是近似圓形、方形或條形等圖案的陣列，或納米線/管薄膜形成的多孔結(jié)構(gòu)，鏤空結(jié)構(gòu)直徑或長邊為10nm～2000nm。所述介電層105可以采用如無機(jī)材料SiN_x、SiO_x或者氧化鉿HfO₂等或其中兩種以上復(fù)合形成，該介電層105的厚度可以是10～2000nm。所述第三透明電極層107可以是Gate透明電極層，即柵極電極層。該第三透明電極層107可以采用如ITO、IZO、Graphene等或其中兩種以上復(fù)合形成，且該第三透明電極層107的厚度可以是1～100nm。

參考圖2中所示，所述半導(dǎo)體納米材料可以為量子點(diǎn)(Quantum Dot，QD)，所述光吸收層106為所述量子點(diǎn)形成的量子點(diǎn)層106’。量子點(diǎn)QD是把導(dǎo)帶電子、價(jià)帶空穴及激子在三個空間方向上束縛住的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其內(nèi)部電子在各方向上的運(yùn)動都受到局限，所以量子限域效應(yīng)(Quantum Confinement Effect)特別顯著。量子點(diǎn)又可稱為納米晶，由于電子和空穴被量子限域，連續(xù)的能帶結(jié)構(gòu)變成具有分子特性的分立能級結(jié)構(gòu)，因此受激后可以發(fā)射熒光。本示例實(shí)施方式中形成的所述量子點(diǎn)層106’能夠被所述電致發(fā)光層102出射的光激發(fā)載流子，如空穴和電子，光生的該空穴和電子可以注入到所述電致發(fā)光層102中以實(shí)現(xiàn)發(fā)光，從而可以降低面板的功耗。

在一示例性實(shí)施例中，形成的所述量子點(diǎn)層106’中的量子點(diǎn)的粒徑可以為5～20nm，例如5nm、10nm、15nm或者20nm等。形成的所述量子點(diǎn)層106’的厚度可以為5～100nm，例如5nm、30nm、50nm、100nm、300nm或者500nm等。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要具體選擇量子點(diǎn)的粒徑或者量子點(diǎn)層106’的厚度，對此不作特殊限制。

在又一示例性實(shí)施例中，形成的所述量子點(diǎn)層106’可以包括II-VI族元素核殼結(jié)構(gòu)、III-V族元素核殼結(jié)構(gòu)、過渡族金屬摻雜納米晶、稀土金屬摻雜納米晶或者鉛基鈣鈦礦納米晶中的一種或多種。核殼結(jié)構(gòu)是由一種材料通過化學(xué)鍵或其他作用力將另一種材料包覆起來形成的有序組裝結(jié)構(gòu)。核殼微粒具有核殼結(jié)構(gòu)。而核殼微粒是由一種納米材料通過化學(xué)鍵或其他作用力將另一種納米材料包覆起來形成的納米尺度的有序組裝結(jié)構(gòu)。其中包覆技術(shù)通過對內(nèi)核微粒表面性質(zhì)進(jìn)行剪裁，改變內(nèi)核表面電荷、官能團(tuán)和反應(yīng)特性，進(jìn)而提高內(nèi)核的穩(wěn)定性與分散性，且通過摻雜、表面等離子體共振等技術(shù)可增強(qiáng)核殼微粒的發(fā)光。因此本示例性實(shí)施例中，該量子點(diǎn)層106’中的量子點(diǎn)可以采用II-VI族或III-V族元素核殼結(jié)構(gòu)，或者，所述量子點(diǎn)層106’也可以采用過渡族金屬或稀土金屬摻雜納米晶而形成膜層，如Cu等過渡族金屬摻雜納米晶，或者如Ce等稀土金屬摻雜納米晶，或者，所述量子點(diǎn)層106’也可以采用鉛基鈣鈦礦納米晶形成膜層，當(dāng)然也可以采用其他過渡族金屬或稀土金屬進(jìn)行摻雜，對此不作限制。通過上述具有微觀結(jié)構(gòu)和相應(yīng)材料摻雜形成的量子點(diǎn)層106’，可以提高該量子點(diǎn)層106’的穩(wěn)定性，增強(qiáng)發(fā)光以產(chǎn)生更多的光生載流子，進(jìn)而使得該電致發(fā)光器件可以進(jìn)一步降低面板的功耗。

為了使所述量子點(diǎn)層106’能夠更為有效地被所述電致發(fā)光層102出射的光激發(fā)產(chǎn)生載流子。在一示例性實(shí)施例中，形成的所述電致發(fā)光層102可以包括藍(lán)色電致發(fā)光層，所述量子點(diǎn)層106’對應(yīng)包括綠光量子點(diǎn)或黃光量子點(diǎn)；及/或，所述電致發(fā)光層102可以包括綠色電致發(fā)光層，所述量子點(diǎn)層106’對應(yīng)包括黃光量子點(diǎn)或綠光量子點(diǎn)；及/或；所述電致發(fā)光層102可以包括紅色電致發(fā)光層，所述量子點(diǎn)層106’對應(yīng)包括近紅外光量子點(diǎn)。也就是說，所述量子點(diǎn)層106’中可以單獨(dú)設(shè)置對應(yīng)藍(lán)色電致發(fā)光層的量子點(diǎn)，如綠(G)或黃(Y)QD，也可以單獨(dú)設(shè)置對應(yīng)綠色電致發(fā)光層的量子點(diǎn)，如黃(Y)或紅(R)QD，或者可以單獨(dú)設(shè)置對應(yīng)紅色電致發(fā)光層的量子點(diǎn)，如近紅外光QD。當(dāng)然也可以是同時(shí)設(shè)置以上3種量子點(diǎn)中任意兩種或三種組合的混合量子點(diǎn)。這樣，通過在所述量子點(diǎn)層106’中設(shè)置與所述電致發(fā)光層102中的藍(lán)色、綠色和紅色發(fā)光層分別對應(yīng)的不同量子點(diǎn)，使得所述量子點(diǎn)層106’能夠與白色發(fā)光譜匹配并吸收所述電致發(fā)光層102的發(fā)光，使得量子點(diǎn)更容易被激發(fā)，從而可以使所述量子點(diǎn)層106’能夠更為有效地被所述電致發(fā)光層102出射的光激發(fā)產(chǎn)生載流子。

參考圖2中所示，上述制備方法制成的示例性的電致發(fā)光器件100還可以包括空穴阻擋層108，該空穴阻擋層108設(shè)置于所述量子點(diǎn)層106’與所述第三透明電極層107之間。示例性的，所述空穴阻擋層108可以采用如氧化鋅ZnO、二氧化鈦TiO₂、氧化錫SnO₂等材料形成，所述空穴阻擋層108的厚度可以是10～200nm。該空穴阻擋層108起到阻擋空穴的作用，以使所述量子點(diǎn)層106’產(chǎn)生的空穴位于該空穴阻擋層108而不進(jìn)入所述第三電極層107，這樣以便于在所述介電層105一側(cè)產(chǎn)生更多電子，進(jìn)而可以在一定程度上提高發(fā)光效率，且進(jìn)一步降低面板功耗。

參考圖2中所示，上述制備方法制成的示例性的電致發(fā)光器件100還可以包括空穴注入層109和空穴傳輸層110。其中，所述空穴注入層109設(shè)置于所述第一透明電極層101與所述電致發(fā)光層102之間。示例性的，該空穴注入層109可以采用如LG101、氧化鉬MoO_x、C₆₀等或其中兩種復(fù)合形成，該空穴注入層109的厚度可以是1～200nm。所述空穴傳輸層110設(shè)置于所述空穴注入層109與所述電致發(fā)光層102之間。示例性的，所述空穴傳輸層110可以采用如聚(9,9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)二苯胺)TFB、聚(9-乙烯基咔唑)PVK、N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺NPB、4,4'-雙(N-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯CBP、酞菁銅CuPc等材料或其中兩種材料復(fù)合形成，該空穴傳輸層110的厚度可以是1～200nm。該空穴注入層109和空穴傳輸層110便于所述第一電極層101產(chǎn)生的空穴有效傳輸并注入所述電致發(fā)光層102，可以在一定程度上提高發(fā)光效率。

參考圖2中所示，上述制備方法制成的示例性的電致發(fā)光器件100還可以包括電子傳輸層111，該電子傳輸層111設(shè)置于所述溝道層103和所述電致發(fā)光層102之間。示例性的，該電子傳輸層111可以采用如三(8-羥基喹啉鋁)Alq₃、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯TPBi等或其中兩種復(fù)合形成，且該電子傳輸層111的厚度可以是1～200nm。該電子傳輸層111可以便于所述第二電極層104產(chǎn)生的電子，以及與所述第二電極層104緊挨的所述介電層105一側(cè)的電子傳輸至所述電致發(fā)光層102，提高發(fā)光效率。其中，所述介電層105一側(cè)的電子由所述所述介電層105另一側(cè)的量子點(diǎn)層106’被光激發(fā)所產(chǎn)生的空穴而感應(yīng)產(chǎn)生。

示例性的，上述制備方法中可以通過印刷、轉(zhuǎn)印、蒸鍍(如真空蒸鍍、或電子束蒸鍍)、磁控濺射、原子層沉積中的一種或多種成熟工藝形成所述第一透明電極層101、空穴注入層109、空穴傳輸層110、有機(jī)發(fā)光層102、電子傳輸層111、溝道層103、第二透明電極層104、介電層105、量子點(diǎn)層106’、空穴阻擋層108和第三透明電極層107。關(guān)于上述各個工藝的具體內(nèi)容可參考現(xiàn)有技術(shù)，此處不再贅述。

參考圖2中所示，在一示例性實(shí)施例中，上述制備方法中形成的所述第一透明電極層101電連接第一電源120的陽極，形成的所述第三透明電極層107電連接第二電源130的陽極，形成的所述第二透明電極層104電連接所述第一電源120的陰極和所述第二電源130的陰極。

示例性的，所述第一透明電極層101可以是Drain透明電極層，即漏極電極層，簡稱漏極D。所述第二透明電極層104可以是Source透明電極層，即源極電極層，簡稱源極S。所述第三透明電極層107可以是Gate透明電極層，即柵極電極層，簡稱柵極G。那么在本示例中，該電致發(fā)光器件的漏極D電連接第一電源120的陽極，源極S電連接第二電源130的陽極，而柵極G電連接所述第一電源120的陰極和所述第二電源130的陰極。在所述柵極G和源極S之間的電壓(對應(yīng)第二電源130電壓)，即V_GS正向偏壓為如0～20V下，所述量子點(diǎn)層106’被光激發(fā)產(chǎn)生的空穴在該量子點(diǎn)層106’/介電層105的界面積累，相應(yīng)地在介電層105/第二透明電極層104/溝道層103的界面積累了對應(yīng)的電子，經(jīng)該溝道層103收集并可以通過電子傳輸層111注入所述電致發(fā)光層102中。所述電致發(fā)光層102例如可以是OLED有機(jī)發(fā)光層。這樣，通過將所述量子點(diǎn)層106’被光激發(fā)而最終形成的電子注入所述電致發(fā)光層102，可降低V_GS電壓即通過所述量子點(diǎn)層106’吸收該電致發(fā)光器件自身的發(fā)光來降低面板功耗。

進(jìn)一步的，本示例實(shí)施方式中，還提供了一種顯示面板，該顯示面板可以包括上述如圖1或圖2任一實(shí)施例中所述的電致發(fā)光器件100。下面對該顯示面板作出示例性說明。

參考圖5中所示顯示面板，所述顯示面板可以包括依次疊設(shè)的透明基板501、發(fā)光層502以及封裝層503。其中：

所述發(fā)光層502可以包括陣列設(shè)置的具有第一顏色(如紅色R)電致發(fā)光層的所述電致發(fā)光器件、具有第二顏色(如綠色G)電致發(fā)光層的所述電致發(fā)光器件以及具有第三顏色(如藍(lán)色B)電致發(fā)光層的所述電致發(fā)光器件。示例性的，所述發(fā)光層502可以包括單獨(dú)的R、G、B三色發(fā)光層，所述封裝層503為透明封裝層。所述電致發(fā)光器件的具體描述可參考前述實(shí)施例中的詳細(xì)描述，此處不再贅述。

示例性的，結(jié)合圖2所示，所述顯示面板500中的電致發(fā)光器件中的量子點(diǎn)層106’中設(shè)置與所述電致發(fā)光層102中的藍(lán)色、綠色和紅色發(fā)光層分別對應(yīng)的不同量子點(diǎn)，使得所述量子點(diǎn)層106’更容易被激發(fā)，從而可以使所述量子點(diǎn)層106’能夠更為有效地被所述電致發(fā)光層102出射的光激發(fā)產(chǎn)生載流子。因此，該顯示面板中的電致發(fā)光器件可以利用自身發(fā)光產(chǎn)生光生載流子并可以注入到自身的電致發(fā)光層中以實(shí)現(xiàn)發(fā)光，從而可以降低面板的功耗。另外，由于不需要貼圓偏光片和1/4波片，降低了成本并使顯示面板等產(chǎn)品滿足超薄、小型化的需求。

參考圖6中所示顯示面板，所述顯示面板可以包括依次疊設(shè)的透明基板601、發(fā)光層602、彩膜層603以及封裝層604。其中：

所述發(fā)光層602可以包括具有白色電致發(fā)光層的所述電致發(fā)光器件；所述彩膜層603可以包括陣列設(shè)置的第一顏色(如紅色R)濾光區(qū)、第二顏色(如綠色G)濾光區(qū)以及第三顏色(如藍(lán)色B)濾光區(qū)。所述封裝層604為透明封裝層。所述電致發(fā)光器件的具體描述可參考前述實(shí)施例中的詳細(xì)描述，此處不再贅述。

該顯示面板600中，所述發(fā)光層602包括具有白色電致發(fā)光層的所述電致發(fā)光器件，而彩膜層603包括R、G、B三色濾光區(qū)，通過彩膜層603可以將所述發(fā)光層602中的所述電致發(fā)光器件發(fā)出的白色光分別過濾形成R、G、B三色光從所述封裝層604出射。該發(fā)光層602中的所述電致發(fā)光器件中的量子點(diǎn)層能夠與白色發(fā)光譜匹配，并吸收自身發(fā)光產(chǎn)生光生載流子。因此，該顯示面板中的電致發(fā)光器件可以利用自身發(fā)光產(chǎn)生光生載流子并可以注入到自身的電致發(fā)光層中以實(shí)現(xiàn)發(fā)光，從而可以降低面板的功耗。另外，由于不需要貼圓偏光片和1/4波片，降低了成本并使顯示面板等產(chǎn)品滿足超薄、小型化的需求。

上述所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個或更多實(shí)施方式中，如有可能，各實(shí)施例中所討論的特征是可互換的。在上面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對本發(fā)明的實(shí)施方式的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，可以實(shí)踐本發(fā)明的技術(shù)方案而沒有所述特定細(xì)節(jié)中的一個或更多，或者可以采用其它的方法、組件、材料等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知結(jié)構(gòu)、材料或者操作以避免模糊本發(fā)明的各方面。

雖然本說明書中使用相對性的用語，例如“上”“下”來描述圖標(biāo)的一個組件對于另一組件的相對關(guān)系，但是這些術(shù)語用于本說明書中僅出于方便，例如根據(jù)附圖中所述的示例的方向。能理解的是，如果將圖標(biāo)的裝置翻轉(zhuǎn)使其上下顛倒，則所敘述在“上”的組件將會成為在“下”的組件。其他相對性的用語，例如“高”“低”“前”“后”等也具有類似含義。當(dāng)某結(jié)構(gòu)在其它結(jié)構(gòu)“上”時(shí)，有可能是指某結(jié)構(gòu)一體形成于其它結(jié)構(gòu)上，或指某結(jié)構(gòu)“直接”設(shè)置在其它結(jié)構(gòu)上，或指某結(jié)構(gòu)通過另一結(jié)構(gòu)“間接”設(shè)置在其它結(jié)構(gòu)上。

本說明書中，用語“一個”、“一”、“該”和“所述”用以表示存在一個或多個要素/組成部分/等；用語“包含”、“包括”和“具有”用以表示開放式的包括在內(nèi)的意思并且是指除了列出的要素/組成部分/等之外還可存在另外的要素/組成部分/等；用語“第一”和“第二”等僅作為標(biāo)記使用，不是對其對象的數(shù)量限制。

本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說明書及實(shí)踐這里公開的發(fā)明后，將容易想到本公開的其它實(shí)施方案。本申請旨在涵蓋本公開的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本公開的一般性原理并包括本公開未公開的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識或慣用技術(shù)手段。說明書和實(shí)施例僅被視為示例性的，本公開的真正范圍和精神由所附的權(quán)利要求指出。