本申請涉及光電器件技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種量子點(diǎn)電致發(fā)光器件、具有其的顯示裝置與照明裝置。

背景技術(shù)：

量子點(diǎn)是一種新型的納米發(fā)光材料，其直徑在1-20nm的范圍內(nèi)。由于其尺寸較小，因此，其內(nèi)部的電子和空穴在運(yùn)動中會受到限制，產(chǎn)生量子限域效應(yīng)，連續(xù)的能帶結(jié)構(gòu)變成分子特性的分立能級結(jié)構(gòu)，當(dāng)量子點(diǎn)受激發(fā)后，電子從導(dǎo)帶躍遷至價(jià)帶后與空穴復(fù)合發(fā)射出光子。

隨著量子點(diǎn)合成技術(shù)的進(jìn)步，基于量子點(diǎn)的發(fā)光器件的發(fā)光效率可以高達(dá)100％；而且量子點(diǎn)的發(fā)光光譜容易調(diào)節(jié)，只要改變量子點(diǎn)尺寸或摻入其它元素，其發(fā)光波長便可以在所有可見波段調(diào)節(jié)，并能延伸至近紅外波段和近紫外波段，大大增加了其可開發(fā)利用的前景。除此之外，量子點(diǎn)發(fā)光光譜的半峰寬較窄，一般小于30nm，滿足了發(fā)光二極管(Light-emitting diode，LED)做高性能顯示設(shè)備的一個(gè)重要條件。另外，與有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)相比，量子點(diǎn)電致發(fā)光二極管(Quantum dot light-emitting diode，QLED)中的量子點(diǎn)的光化學(xué)穩(wěn)定性較OLED中的有機(jī)材料有大幅提升，可有效延長LED器件壽命，達(dá)到商用要求。同時(shí)，量子點(diǎn)發(fā)光二極管可通過全溶液工藝大面積加工生產(chǎn)，也可加工在柔性襯底上，大大降低了LED生產(chǎn)成本。

QLED有望應(yīng)用于新一代高色彩質(zhì)量與低功耗的平板顯示中，受到越來越多人們的關(guān)注。QLED工作時(shí)，正電荷和負(fù)電荷分別從陽極和陰極注入器件，再流入量子點(diǎn)層，最終在量子點(diǎn)上復(fù)合形成激子對后發(fā)出光子。

然而，由于能級結(jié)構(gòu)不匹配的問題，空穴注入效率相比電子注入效率普遍偏低，導(dǎo)致QLED的量子點(diǎn)層中的載流子注入不平衡，量子點(diǎn)呈現(xiàn)非電中性；再加上外加電場的影響，大大降低了量子點(diǎn)的本身發(fā)光效率。

以藍(lán)光QLED為例，其外量子效率(External quantum efficiency，EQE)最高僅為10.7％，壽命也只有1000h(T50100cd/m²)，與已經(jīng)推向量產(chǎn)的OLED性能有一定的差距，不能滿足商業(yè)化產(chǎn)品的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請的主要目的在于提供一種量子點(diǎn)電致發(fā)光器件、具有其的顯示裝置與照明裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的量子點(diǎn)層中載流子注入不平衡的問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本申請的一個(gè)方面，提供了一種量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，該量子點(diǎn)電致發(fā)光器件包括：陽極；量子點(diǎn)層，設(shè)置在上述陽極的表面上；電子阻擋層，設(shè)置在上述量子點(diǎn)層的遠(yuǎn)離上述陽極的表面上，形成上述電子阻擋層的材料包括空穴傳輸材料和/或空穴注入材料；陰極，設(shè)置在上述電子阻擋層的遠(yuǎn)離上述量子點(diǎn)層的表面上。

進(jìn)一步地，上述電子阻擋層的材料的最低未占分子軌道能級大于上述量子點(diǎn)層的導(dǎo)帶能級。

進(jìn)一步地，上述空穴傳輸材料包括聚乙烯咔唑、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N'-(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺中的一種或多種，上述空穴注入材料包括氧化鉬、氧化鎢、氧化鎳、氧化釩、硫化鉬、硫化鎢、硒化鉬、聚(3,4-乙撐二氧噻吩)與聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽)中的一種或多種。

進(jìn)一步地，上述電子阻擋層的厚度在0.1～20nm之間。

進(jìn)一步地，上述電子阻擋層的熒光光譜與上述量子點(diǎn)層的吸收光譜部分重疊。

進(jìn)一步地，上述電子阻擋層的厚度在0.1～10nm之間。

進(jìn)一步地，上述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件還包括：空穴功能層，設(shè)置在上述陽極與上述量子點(diǎn)層之間。

進(jìn)一步地，上述空穴功能層的材料包括聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽)、摻雜聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩并噻吩、氧化鎳、氧化鎢、氧化鉬、氧化鉻、氧化釩、p型氮化鎵、MoS₂、WS₂、WSe₂、MoSe₂、聚[N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺]、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基對苯醌、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(苯并[2,1,3]噻二唑-4,8-二基)]、4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、N,N'-雙-(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺與4-丁基苯基-二苯基胺和N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-雙(苯基)-9,9-螺二芴中的一種或多種。

進(jìn)一步地，上述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件還包括：電子功能層，設(shè)置在上述陰極與上述電子阻擋層之間。

進(jìn)一步地，上述電子功能層的材料包括無機(jī)氧化物納米顆粒、摻雜的無機(jī)氧化物納米顆?；蛴袡C(jī)材料，上述無機(jī)氧化物納米顆粒的材料選自ZnO、TiO₂、SnO₂、ZrO₂和Ta₂O₃中的一種或多種，上述摻雜的無機(jī)氧化物納米顆粒中的摻雜物選自Li、Mg、Al、Cd、In、Cu、Cs、Ga、Gd和8-羥基喹啉鋁中的一種或多種。

根據(jù)本申請的另一方面，提供了一種顯示裝置，包括量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，該量子點(diǎn)電致發(fā)光器件為上述的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件。

根據(jù)本申請的另一方面，提供了一種照明裝置，包括量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，該量子點(diǎn)電致發(fā)光器件為上述的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件。

應(yīng)用本申請的技術(shù)方案，在量子點(diǎn)電致發(fā)光器件中的量子點(diǎn)層與陰極之間增加包括空穴傳輸材料和/或空穴注入材料的電子阻擋層，該電子阻擋層主要用于阻擋電子由陰極傳輸?shù)搅孔狱c(diǎn)層，降低電子的傳輸速率，使得電子和空穴注入量子點(diǎn)層的速率基本一致，從而使得器件運(yùn)行過程中的電子與空穴接近或達(dá)到注入平衡，進(jìn)而使得量子點(diǎn)呈現(xiàn)電中性，避免量子點(diǎn)中由于電子過量帶來的非輻射復(fù)合和量子點(diǎn)充電等現(xiàn)象，提高了器件的發(fā)光效率和壽命；并且，當(dāng)該電子阻擋層的熒光光譜與量子點(diǎn)層的吸收光譜有部分重疊時(shí)，還會發(fā)生熒光共振能量轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象，從而進(jìn)一步提高了器件的發(fā)光效率和工作壽命。

附圖說明

構(gòu)成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本申請的進(jìn)一步理解，本申請的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請，并不構(gòu)成對本申請的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1示出了本申請的一種典型的實(shí)施方式提供的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2示出了本申請的一種實(shí)施例提供的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示出了本申請的另一種實(shí)施例提供的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4示出了本申請的再一種實(shí)施例提供的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；以及

圖5示出了本申請的一種實(shí)施例提供的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的能級結(jié)構(gòu)示意圖。

其中，上述附圖包括以下附圖標(biāo)記：

01、基板；10、陽極；20、空穴功能層；30、量子點(diǎn)層；40、電子阻擋層；50、電子功能層；60、陰極。

具體實(shí)施方式

應(yīng)該指出，以下詳細(xì)說明都是例示性的，旨在對本申請?zhí)峁┻M(jìn)一步的說明。除非另有指明，本文使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語具有與本申請所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。

需要注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述具體實(shí)施方式，而非意圖限制根據(jù)本申請的示例性實(shí)施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。

正如背景技術(shù)所介紹的，現(xiàn)有技術(shù)中的量子點(diǎn)層中載流子注入不平衡，導(dǎo)致發(fā)光器件的發(fā)光效率較低，為了解決如上的技術(shù)問題，本申請?zhí)岢隽艘环N量子點(diǎn)電致發(fā)光器件、具有其的顯示裝置與照明裝置。

在本申請一種典型的實(shí)施方式中，提供了一種量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，如圖1所示，該量子點(diǎn)電致發(fā)光器件包括陽極10、量子點(diǎn)層30、電子阻擋層40與陰極60。其中，量子點(diǎn)層30設(shè)置在上述陽極10的表面上；電子阻擋層40設(shè)置在上述量子點(diǎn)層30的遠(yuǎn)離上述陽極10的表面上，形成上述電子阻擋層40的材料包括空穴傳輸材料和/或空穴注入材料；陰極60設(shè)置在上述電子阻擋層40的遠(yuǎn)離上述量子點(diǎn)層30的表面上。

在上述的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件中的量子點(diǎn)層30與陰極60之間增加包括空穴傳輸材料和/或空穴注入材料(簡稱空穴傳輸和/或注入材料)的電子阻擋層40，其中，在傳統(tǒng)電致發(fā)光器件中，空穴傳輸或注入材料用于空穴傳輸或空穴注入層，空穴傳輸或空穴注入層位于發(fā)光層與陽極之間，是在電場作用下主要可以實(shí)現(xiàn)空穴的定向有序的可控遷移從而達(dá)到傳輸電荷的功能層?？昭▊鬏敾蜃⑷氩牧贤ǔ＞邆漭^高的空穴遷移率，常用于傳輸空穴，而本發(fā)明中將空穴傳輸和/或注入材料置于陰極與量子點(diǎn)層之間，作為電子阻擋層用于減緩陰極電子注入到量子點(diǎn)層(發(fā)光層)的電子傳輸速率，消除了傳統(tǒng)觀念中的空穴傳輸材料或注入材料只能在量子點(diǎn)層和陽極之間作為空穴傳輸或注入層的技術(shù)偏見，利用空穴傳輸或注入材料較弱的電子傳輸能力來實(shí)現(xiàn)電子阻擋。

綜上，采用本發(fā)明，將空穴傳輸材料和/或空穴注入材料作為電子阻擋層40的材料可以用于阻擋電子由陰極60傳輸?shù)搅孔狱c(diǎn)層30，降低電子的傳輸速率，使得電子和空穴注入量子點(diǎn)層30的速率基本一致，從而使得器件運(yùn)行過程中的電子與空穴的注入接近或達(dá)到平衡，進(jìn)而使得量子點(diǎn)呈現(xiàn)電中性，避免量子點(diǎn)中由于電子過量帶來的非輻射復(fù)合和量子點(diǎn)充電等現(xiàn)象，提高了器件的發(fā)光效率和壽命。

優(yōu)選的，該構(gòu)成電子阻擋層40的材料的最低未占分子軌道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)能級大于量子點(diǎn)層30的導(dǎo)帶能級，有效地阻擋電子從陰極的導(dǎo)帶能級躍遷到量子點(diǎn)層的導(dǎo)帶能級，進(jìn)一步阻礙了電子從陰極到量子點(diǎn)層的傳輸。

在本申請的一種實(shí)施例中，上述電子阻擋層40的空穴傳輸材料可以為聚乙烯咔唑(PVK)、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)(Poly-TPD)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N'-(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺(TPD)中的一種或多種。

但是，并不限于上述的空穴傳輸材料，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況選擇合適的材料作為空穴傳輸材料。

在本申請的另一種實(shí)施例中，上述空穴注入材料可以為氧化鉬納米顆粒、氧化鎢納米顆粒、氧化鎳納米顆粒、氧化釩納米顆粒、硫化鉬納米顆粒、硫化鎢納米顆粒、硒化鉬納米顆粒、聚(3,4-乙撐二氧噻吩)、聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽)中的一種或多種。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況選擇合適的空穴注入材料。

本申請的一種實(shí)施例中，上述實(shí)施例中的電子阻擋層40的厚度在0.1～20nm之間。這樣能夠進(jìn)一步保證了該量子點(diǎn)電致發(fā)光器件具有較高的發(fā)光效率，避免了由于電子阻擋層過厚導(dǎo)致的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較低的問題。

通過上述實(shí)施例中的包括空穴傳輸材料和/或空穴注入材料的電子阻擋層，可以使得該量子點(diǎn)電致發(fā)光器件中量子點(diǎn)層的空穴數(shù)量微大于或等于電子的數(shù)量，其中，當(dāng)量子點(diǎn)層中的空穴數(shù)量等于電子數(shù)量時(shí)，也即空穴和電子在量子點(diǎn)層達(dá)到注入平衡，此時(shí)空穴與電子在量子點(diǎn)層形成激子并在量子點(diǎn)層復(fù)合；當(dāng)量子點(diǎn)層的空穴數(shù)量微大于電子數(shù)量時(shí)，也即空穴與電子在量子點(diǎn)層注入接近平衡時(shí)，在電子阻擋層處形成激子，為了避免激子在電子阻擋層復(fù)合，構(gòu)成電子阻擋層的空穴傳輸材料或空穴注入材料可以選用具有與量子點(diǎn)層的吸收光譜全部或部分重疊的熒光光譜的發(fā)光材料，并且當(dāng)該電子阻擋層的厚度較薄時(shí)，會發(fā)生熒光能量共振轉(zhuǎn)移(Forster resonance energy transfer，簡稱FRET)現(xiàn)象，從而在電子阻擋層中形成的激子能夠在該熒光能量共振轉(zhuǎn)移的作用下，把能量傳遞給量子點(diǎn)層的量子點(diǎn)，然后在返回到量子點(diǎn)層進(jìn)行復(fù)合，提高了量子點(diǎn)層的發(fā)光效率。

具體地，為了使得電子阻擋層40與量子點(diǎn)層30發(fā)生熒光能量共振轉(zhuǎn)移，進(jìn)而使得電子阻擋層40通過熒光能量共振轉(zhuǎn)移的方式把能量轉(zhuǎn)移到量子點(diǎn)層30，這樣可以提高其發(fā)光效率，使得量子點(diǎn)發(fā)光器件的外量子效率得到提升，同時(shí)提升量子點(diǎn)發(fā)光器件的工作壽命，本申請優(yōu)選上述電子阻擋層40的厚度在0.1～10nm之間，且上述電子阻擋層40的熒光光譜與上述量子點(diǎn)層30的吸收光譜全部或部分重疊，即量子點(diǎn)的吸收光譜的波長與電子阻擋層的熒光譜的波長范圍有部分是相同的。

在本申請中的一種實(shí)施例中，如圖2至圖4所示，上述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件還包括空穴功能層20，該層設(shè)置在上述陽極10與上述量子點(diǎn)層30之間。該空穴功能層20包括現(xiàn)有技術(shù)中的空穴傳輸層和/或空穴注入層，空穴功能層20可以使得空穴有效地注入到量子點(diǎn)層30中。

本申請中的空穴功能層主要是用于進(jìn)行空穴注入和傳輸?shù)?，該功能層可以只有一層，兼具空穴注入和傳輸?shù)墓δ?；該空穴功能層可以為多層，即該空穴功能層可以包括空穴注入層和空穴傳輸層，其中，空穴傳輸層可以不止一層，各空穴傳輸層之間最高占據(jù)分子軌道(Highest Occupied Molecular Orbital，簡稱HOMO)能級成階梯式分布，該空穴注入層位于陽極和該空穴傳輸層之間。

上述空穴功能層20的材料可以是本領(lǐng)域技術(shù)中的任何空穴功能層20的材料，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況選擇合適的材料作為空穴功能層20材料。

在本申請的一種實(shí)施例中，上述空穴功能層20的材料包括聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽)、摻雜聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩并噻吩、氧化鉬納米顆粒、氧化鉻納米顆粒、氧化鎢納米顆粒、氧化鎳納米顆粒、氧化釩納米顆粒、硫化鉬納米顆粒、硫化鎢納米顆粒、硒化鉬納米顆粒、p型氮化鎵、聚[N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺]、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基對苯醌、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(苯并[2,1,3]噻二唑-4,8-二基)]、4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、N,N'-雙-(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺與4-丁基苯基-二苯基胺和N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-雙(苯基)-9,9-螺二芴中的一種或多種。

為了進(jìn)一步使得電子能夠有效地由陰極60注入到量子點(diǎn)層30，本申請的一種實(shí)施例中，如圖2至圖4所示，上述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件還包括電子功能層50，該層設(shè)置在上述陰極60與上述電子阻擋層40之間。

上述的電子功能層包括現(xiàn)有技術(shù)中的電子傳輸層和/或電子注入層。

上述電子功能層50的材料可以是本領(lǐng)域技術(shù)中的任何空電子功能層50的材料，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況選擇合適的材料作為電子功能層50的材料。

本申請中的電子功能層主要是用于進(jìn)行電子注入和傳輸?shù)?，該電子功能層可以由一層或多層組成，優(yōu)選的，該電子功能層可以為多層，即電子注入層和電子傳輸層，其中，電子傳輸層之間的最低未占分子軌道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)能級呈階梯式分布。其中，該電子注入層位于陰極和該電子傳輸層之間。

在本申請的另一種實(shí)施例中，上述電子功能層50的材料包括無機(jī)氧化物納米顆粒、摻雜的無機(jī)氧化物納米顆粒或有機(jī)材料，上述無機(jī)氧化物納米顆粒的材料選自ZnO、TiO₂、SnO₂、ZrO₂和Ta₂O₃中的一種或多種，上述摻雜無機(jī)氧化物納米顆粒中的摻雜物選自Li、Mg、Al、Cd、In、Cu、Cs、Ga、Gd和8-羥基喹啉鋁中的一種或多種，且上述摻雜物占上述摻雜無機(jī)氧化物納米顆粒的重量的0.001～50wt％。

在本申請中陽極10可以是本領(lǐng)域中的任何材料形成的陽極10，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況選擇合適的陽極10材料。本申請的一種實(shí)施例中，陽極10的材料為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物、氧化錫、鋁鋅氧化物或鎘錫氧化物。

陰極60為Al極、Ca極、Ba極、Ca/Al極、Ag極、Ca/Ag極、BaF₂/Ca/Al極、BaF₂/Ca/Ag極與Mg極中的一種或多種的合金。但并不限于上述的陰極60，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況選擇合適的陰極60。

在本申請的再一種實(shí)施例中，如圖3與圖4所示，上述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件還包括基板01，該基板01設(shè)置在上述陽極10的遠(yuǎn)離上述量子點(diǎn)層30的表面上(如圖3所示)，此時(shí)的器件結(jié)構(gòu)為正型器件；或設(shè)置在上述陰極60的遠(yuǎn)離上述量子點(diǎn)層30的表面上(如圖4所示)，此時(shí)的器件結(jié)構(gòu)為反型器件?；蹇梢愿玫乇Ｗo(hù)量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的其他結(jié)構(gòu)。

當(dāng)量子點(diǎn)電致發(fā)光器件(簡稱器件)中的空穴功能層為兩層時(shí)，組成器件的各個(gè)層的能級結(jié)構(gòu)分布如圖5所示，由左到右(遠(yuǎn)離能量坐標(biāo)軸的方向)依次是陽極的能級分布、空穴注入層的能級分布、空穴傳輸層的能級分布、量子點(diǎn)層的能級分布、電子阻擋層的能級分布、電子功能層的能級分布以及陰極的能級分布，其中，空穴功能層包括空穴注入層和空穴傳輸層。如圖5所示，各個(gè)層對應(yīng)一個(gè)矩形，該矩形從下至上代表能量由低到高，空穴注入層和空穴傳輸層的HOMO能級(如圖5示出的空穴注入層的能級分布與空穴傳輸層的能級分布對應(yīng)的矩形下邊線)呈階梯分布，陽極和空穴注入層、空穴傳輸層以及量子點(diǎn)層各自對應(yīng)的矩形下邊線也是呈階梯分布的，有利于空穴從陽極傳輸至空穴注入層和空穴傳輸層，并最終傳輸至量子點(diǎn)層，而量子點(diǎn)層、電子阻擋層、電子功能層和陰極對應(yīng)的矩形的上邊線相當(dāng)于LUMO能級或?qū)芗?，電子可以從陰極傳輸至電子功能層，但在最終傳輸至量子點(diǎn)層的過程中被電子阻擋層阻擋，以減緩了電子注入和傳輸?shù)乃俾剩瑥亩沟每昭ê碗娮幼⑷肓孔狱c(diǎn)層的速率趨于一致，提高了在量子點(diǎn)層中復(fù)合發(fā)光的發(fā)光效率。當(dāng)該電子阻擋層材料的熒光光譜與上述量子點(diǎn)層的吸收光譜有部分或者全部重疊、且電子阻擋層的厚度較小時(shí)，還會發(fā)生熒光共振能量轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象，從而進(jìn)一步提高了器件的發(fā)光效率和工作壽命。

本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的是，陽極10與陰極60中至少有一個(gè)電極是透明的，并且，當(dāng)基板與透明電極接觸設(shè)置時(shí)，且該基板側(cè)為出光面的話，該基板也是透明的。

本申請的另一種典型的實(shí)施方式中，提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，該量子點(diǎn)電致發(fā)光器件為上述的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件。

上述的顯示裝置由于包括上述的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，使得顯示裝置的發(fā)光效率較高。

本申請的再一種典型的實(shí)施方式中，提供了一種照明裝置，該照明裝置包括量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，該量子點(diǎn)電致發(fā)光器件為上述的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件。

上述的照明裝置由于包括上述的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，使得其發(fā)光效率較高。

為了使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠更加清楚地了解本申請的技術(shù)方案，以下將結(jié)合具體的實(shí)施例與對比例詳細(xì)說明本申請的技術(shù)方案。

實(shí)施例1

量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)如圖3所示，其中，基板01為玻璃基板，陽極10的材料為ITO，厚度為150nm，量子點(diǎn)層30的材料為CdSe/ZnS紅色核殼量子點(diǎn)，其吸收光譜的波長范圍在300～610nm之間，量子點(diǎn)層30的厚度為20nm；電子阻擋層40的材料為空穴傳輸材料，具體為聚乙烯咔唑(PVK)，其熒光光譜的波長范圍在380～460nm間，其厚度為5nm，量子點(diǎn)層30的吸收光譜與電子阻擋層40的熒光光譜有重疊；電子功能層50材料為ZnO，厚度為40nm，空穴功能層20為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS和聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)(Poly-TPD)，厚度分別為40nm和30nm；陰極60的材料為Ag，厚度為100nm；其中，電子阻擋層40的材料PVK的最低未占分子軌道能級為-2.2eV，其大于量子點(diǎn)層的-3.59eV導(dǎo)帶能級。

實(shí)施例2

與實(shí)施例1的區(qū)別在于，電子阻擋層40的厚度為10nm。

實(shí)施例3

與實(shí)施例2不同的是：電子阻擋層40的厚度為0.1nm。

實(shí)施例4

與實(shí)施例2的區(qū)別在于，電子阻擋層40的厚度為20nm。

實(shí)施例5

與實(shí)施例2的區(qū)別在于，電子阻擋層40為空穴注入材料：具體為氧化鉬納米顆粒，其最低未占分子軌道能級為-2.3eV。

實(shí)施例6

與實(shí)施例2的區(qū)別在于，電子阻擋層40為空穴注入材料與空穴傳輸材料的混合物，空穴注入材料為氧化鉬納米顆粒，其重量占電子阻擋層的總重量的50％，其最低未占分子軌道能級為-2.3eV，空穴傳輸材料與實(shí)施例2中的相同，且其重量占電子阻擋層的總重量的50％。

對比例

與實(shí)施例2不同的是：量子點(diǎn)電致發(fā)光器件中，不包括電子阻擋層，量子點(diǎn)層與電子功能層直接接觸設(shè)置。

對上述各實(shí)施例與對比例的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的性能進(jìn)行測試，采用Keithley2400測定量子點(diǎn)發(fā)光器件的電流密度-電壓曲線，采用積分球(FOIS-1)結(jié)合海洋光學(xué)的光譜儀(QE-6500)測定量子點(diǎn)發(fā)光器件的亮度，根據(jù)測定得到的電流密度與亮度計(jì)算量子點(diǎn)發(fā)光器件的外量子效率，外量子效率表征在觀測方向上發(fā)光器件發(fā)出的光子數(shù)與注入器件的電子數(shù)之間的比值，是表征器發(fā)光器件發(fā)光效率的重要參數(shù)，外量子效率越高，說明器件的發(fā)光效率越高。具體的測試結(jié)果見表1。

表1

由表1的測試結(jié)果可知，與對比例的測試結(jié)果相比，由于電子阻擋層的設(shè)置，實(shí)施例1至實(shí)施例6的外量子效率均較高，實(shí)施例1至實(shí)施例3、實(shí)施例5以及實(shí)施例6中，量子點(diǎn)層30的吸收光譜與電子阻擋層40的熒光光譜有重疊，且電子阻擋層的厚度在0.1～10nm之間，使得電子阻擋層40與量子點(diǎn)層30發(fā)生熒光能量共振轉(zhuǎn)移，進(jìn)而其的外量子效率較高；與實(shí)施例1至實(shí)施例3相比。實(shí)施例4由于其的電子阻擋層的厚度較厚，過量地阻礙了電子的注入，使其外量子效率較低。

從以上的描述中，可以看出，本申請上述的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果：

1)、本申請的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件中，量子點(diǎn)層與陰極之間增加包括空穴傳輸材料和/或空穴注入材料的電子阻擋層，其中，空穴傳輸材料或空穴注入材料由于其本身的電子傳輸能力較差，其可以阻礙電子從陰極傳輸?shù)搅孔狱c(diǎn)層，從而空穴傳輸材料或空穴注入材料具有一定的電子阻擋作用，該包括空穴傳輸材料或空穴注入材料的電子阻擋層主要用于阻擋電子由陰極傳輸?shù)搅孔狱c(diǎn)層，降低電子的傳輸速率，使得電子和空穴注入量子點(diǎn)層的速率基本一致，從而使得器件運(yùn)行過程中的電子與空穴的注入平衡，進(jìn)而使得量子點(diǎn)呈現(xiàn)電中性，避免量子點(diǎn)中由于電子過量帶來的非輻射復(fù)合和量子點(diǎn)充電等現(xiàn)象，提高了器件的發(fā)光效率和壽命；并且，當(dāng)該電子阻擋層的熒光光譜與量子點(diǎn)層的吸收光譜有部分重疊時(shí)，還會發(fā)生熒光共振能量轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象，從而進(jìn)一步提高了器件的發(fā)光效率和工作壽命。

2)、本申請中的顯示裝置包括上述的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，使得顯示裝置的發(fā)光高效率較高。

3)、本申請中的照明裝置由于包括上述的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，其發(fā)光效率較高。

以上所述僅為本申請的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本申請，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請的保護(hù)范圍之內(nèi)。