本申請涉及量子點(diǎn)材料領(lǐng)域，具體而言，涉及一種量子點(diǎn)、墨水及量子點(diǎn)發(fā)光顯示器件。

背景技術(shù)：

為了量子點(diǎn)的穩(wěn)定性，傳統(tǒng)cdse/cds、cdse/zns等簡單core/shell(核/殼)結(jié)構(gòu)通常會將殼層做得比較厚，比如直徑10nm大小的cdse/cds結(jié)構(gòu)的紅光量子點(diǎn)，核直徑只有約3nm。這樣在量子點(diǎn)自發(fā)光顯示(quantumdotlightemittingdiodes，qled)應(yīng)用中，量子點(diǎn)才可能在經(jīng)過提純、配體交換等處理后仍保持好的光電性質(zhì)。但是目前qled器件的壽命，尤其是藍(lán)光仍舊不夠理想，還沒有達(dá)到應(yīng)用的要求。解決這個(gè)問題，可以將量子點(diǎn)繼續(xù)做厚，現(xiàn)有技術(shù)中一般采用約15nm的大尺寸量子點(diǎn)做qled提高了器件壽命。但是過厚的殼層提高了電荷注入的難度，會導(dǎo)致啟動(dòng)電壓提升，發(fā)光效率下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請的主要目的在于提供一種量子點(diǎn)、墨水及量子點(diǎn)發(fā)光顯示器件，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的qled器件中無法在維持量子點(diǎn)穩(wěn)定性的同時(shí)提高發(fā)光效率的問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本申請的一個(gè)方面，提供了一種量子點(diǎn)，該量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)為核殼結(jié)構(gòu)，包括：c/b1/a1……/bn/an/bn+1/an+1，或c/b1/a1……/bn/an/bn+1，其中，c為核，b1至bn+1各殼層為b類殼層，a1至an+1各殼層為a類殼層，各殼層遞增排列逐漸遠(yuǎn)離c核，且a類殼層和b類殼層交叉排列形成多個(gè)相鄰的a/b殼組，n為整數(shù)，且n≥1；c核和a類殼層用于發(fā)光；在c/b核殼組和任意a/b殼組中，b類殼層的導(dǎo)帶底高于a類殼層或c核的導(dǎo)帶底，b類殼層的價(jià)帶頂?shù)陀赼類殼層或c核的價(jià)帶頂。

進(jìn)一步地，a類殼層的材料選自cdse、cdte、cds、znse、znte、inp、gap、cuins、cugas、cdsse、cdzns、cdznse；b類殼層的材料選自zns、znse、cds、inp、cuins、cugas、cdzns、cdznse中的一種或多種。

進(jìn)一步地，量子點(diǎn)用于發(fā)射目標(biāo)顏色的光，目標(biāo)顏色的光包括一種或多種波長，優(yōu)選地，波長值選自390至780nm之間的任意值。

進(jìn)一步地，在c/b核殼組或至少一個(gè)a/b殼組中，b類殼層阻斷與之相鄰的a類殼層或c核參與耦合發(fā)光，b類殼層的導(dǎo)帶底比a類殼層或c核的導(dǎo)帶底高0.5ev以上，b類殼層的價(jià)帶頂?shù)捅萢類殼層或c核的價(jià)帶頂?shù)?.5ev以上，且b類殼層的厚度大于等于預(yù)設(shè)厚度。

進(jìn)一步地，在c/b核殼組或至少一個(gè)a/b殼組中，b類殼層不阻斷與之相鄰的a類殼層或c核參與耦合發(fā)光，b類殼層的厚度小于等于預(yù)設(shè)厚度。

進(jìn)一步地，在b類殼層為zns，且a類殼層為cdse，預(yù)設(shè)厚度為4個(gè)單分子層。

進(jìn)一步地，量子點(diǎn)的粒徑為5nm～20nm。

進(jìn)一步地，量子點(diǎn)的a類殼層和b類殼層的殼層數(shù)之和為3～20。

根據(jù)本發(fā)明另一方面，還提供了一種量子點(diǎn)，該量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)為核殼結(jié)構(gòu)，包括：c/d1/a1……/dn/an/dn+1/an+1，或c/d1/a1……/dn/an/dn+1，其中，dx＝b1/b2/……/bm，n、m、x為整數(shù)，且n≥1，m≥1，n+1≥x≥1，c為核，a1至an+1各殼層為a類殼層，各殼層遞增排列逐漸遠(yuǎn)離c核，c核和a類殼層用于發(fā)光；d1至dn+1各殼層組為d類殼層組，b1至bm各殼層為b類殼層，至少一個(gè)d類殼層組包括兩個(gè)以上的b類殼層，a類殼層和d類殼層組交叉排列形成多個(gè)相鄰的a/d殼組；在c/d核殼組和任意a/d殼組中，d類殼層組中各b類殼層的導(dǎo)帶底均高于a類殼層或c核的導(dǎo)帶底，d類殼層組中各b類殼層的價(jià)帶頂均低于a類殼層或c核的價(jià)帶頂，在包括兩個(gè)以上b類殼層的d類殼層組中，各b類殼層導(dǎo)帶底沿遠(yuǎn)離核c的方向逐層升高，各b類殼層的價(jià)帶頂沿靠近核c的方向逐層降低。

進(jìn)一步地，a類殼層的材料選自cdse、cdte、cds、znse、znte、inp、gap、cuins、cugas、cdsse、cdzns、cdznse；b類殼層的材料選自zns、znse、cds、inp、cuins、cugas、cdzns、cdznse中的一種或多種。

進(jìn)一步地，m＝2，a1為cdse，d1殼層組包括兩個(gè)b類殼層，分別為cds殼層和zns殼層。

根據(jù)本發(fā)明第三方面，還提供了一種墨水，該墨水包括上述的量子點(diǎn)。

根據(jù)本發(fā)明第四方面，還提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光顯示器件，該量子點(diǎn)發(fā)光顯示器件包括第一電極、量子點(diǎn)發(fā)光層和第二電極，形成量子點(diǎn)發(fā)光層的材料包括上述的量子點(diǎn)。

應(yīng)用本申請的技術(shù)方案，在具有多層殼層的核殼結(jié)構(gòu)的c/b1/a1……/bn/an/bn+1/an+1，或c/b1/a1……/bn/an/bn+1量子點(diǎn)中，殼層包括用于發(fā)光的a類殼層和非發(fā)光的b類殼層，并且a類殼層和b類殼層交叉排列形成多個(gè)相鄰的a/b殼組，且在任意a/b殼組和c/b核殼組中，b類殼層的導(dǎo)帶底高于a類殼層或c核的導(dǎo)帶底，而b類殼層的價(jià)帶頂?shù)陀赼類殼層或c核的價(jià)帶頂，從而c/b核殼組和任意a/b殼組中的b類殼層的帶隙寬度大于a類殼層或c核的帶隙寬度，使量子點(diǎn)中的各殼層形成了帶隙交替的多層結(jié)構(gòu)，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的采用一厚殼層來保護(hù)量子點(diǎn)提高穩(wěn)定性的方案來說，在殼層總厚度相同的前提下，本申請將厚殼層結(jié)構(gòu)分解成多個(gè)薄殼層的結(jié)構(gòu)，又在殼層結(jié)構(gòu)中引入了帶隙更小的材料做發(fā)光中心，使殼層帶隙整體降低，降低注入勢壘，提高了電荷的注入效率，而多個(gè)殼層交替的結(jié)構(gòu)也保護(hù)了量子點(diǎn)內(nèi)部發(fā)光結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了在維持量子點(diǎn)穩(wěn)定性的同時(shí)，提高發(fā)光效率的效果，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的qled器件中無法在維持量子點(diǎn)穩(wěn)定性的同時(shí)提高發(fā)光效率的問題，此外，通過進(jìn)一步調(diào)整各殼層的厚度可實(shí)現(xiàn)對量子點(diǎn)的發(fā)光波長的調(diào)節(jié)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)通過量子點(diǎn)來發(fā)射單色光或白光。

附圖說明

構(gòu)成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本申請的進(jìn)一步理解，本申請的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請，并不構(gòu)成對本申請的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1示出了根據(jù)本申請實(shí)施例提供的一種可選的量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖；以及

圖2示出了根據(jù)本申請實(shí)施例提供的另一種可選的量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本申請。

如背景技術(shù)所記載的，現(xiàn)有技術(shù)的qled器件中無法在維持量子點(diǎn)穩(wěn)定性的同時(shí)提高發(fā)光效率，為了解決該問題，本申請一種典型的實(shí)施方式提供了一種量子點(diǎn)、墨水及量子點(diǎn)發(fā)光顯示器件，該量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)為核殼結(jié)構(gòu)，包括：c/b1/a1……/bn/an/bn+1/an+1，或c/b1/a1……/bn/an/bn+1，其中，c為核，b1至bn+1各殼層為b類殼層，a1至an+1各殼層為a類殼層，各殼層遞增排列逐漸遠(yuǎn)離c核，且a類殼層和b類殼層交叉排列形成多個(gè)相鄰的a/b殼組，n為整數(shù)，且n≥1；c核和a類殼層用于發(fā)光；在c/b核殼組和任意a/b殼組中，b類殼層的導(dǎo)帶底高于a類殼層或c核的導(dǎo)帶底，b類殼層的價(jià)帶頂?shù)陀赼類殼層或c核的價(jià)帶頂。

應(yīng)用本申請，在具有多層殼層的核殼結(jié)構(gòu)的c/b1/a1……/bn/an/bn+1/an+1，或c/b1/a1……/bn/an/bn+1量子點(diǎn)中，殼層包括用于發(fā)光的a類殼層和非發(fā)光的b類殼層，并且a類殼層和b類殼層交叉排列形成多個(gè)相鄰的a/b殼組，且在c/b核殼組和任意a/b殼組(例如an/bn+1)，中，b類殼層的導(dǎo)帶底高于a類殼層或c核的導(dǎo)帶底，而b類殼層的價(jià)帶頂?shù)陀赼類殼層或c核的價(jià)帶頂，從而c/b核殼組和任意a/b殼組中的b類殼層的帶隙寬度大于a類殼層或c核的帶隙寬度，使量子點(diǎn)中的各殼層形成了帶隙交替的多層結(jié)構(gòu)，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的采用一厚殼層來保護(hù)量子點(diǎn)提高穩(wěn)定性的方案來說，在殼層總厚度相同的前提下，本申請將厚殼層結(jié)構(gòu)分解成多個(gè)薄殼層的結(jié)構(gòu)，又在殼層結(jié)構(gòu)引入了帶隙更小的材料做發(fā)光中心，使殼層帶隙整體降低，降低注入勢壘，提高電荷注入效率，而多個(gè)殼層交替的結(jié)構(gòu)同時(shí)也保護(hù)了量子點(diǎn)內(nèi)部發(fā)光結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了在維持量子點(diǎn)穩(wěn)定性的同時(shí)，提高發(fā)光效率的效果，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的qled器件中無法在維持量子點(diǎn)穩(wěn)定性的同時(shí)提高發(fā)光效率的問題，此外，通過進(jìn)一步調(diào)整各殼層的厚度可實(shí)現(xiàn)對量子點(diǎn)的發(fā)光波長的調(diào)節(jié)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)通過量子點(diǎn)來發(fā)射單色光或白光。上述實(shí)施例中的a類殼層中a1、a2至an殼層是根據(jù)殼層位置來進(jìn)行區(qū)分的，b類殼層的區(qū)分方式相同。a類殼層和b類殼層的化學(xué)組成是不同的，多個(gè)a類殼層之間和多個(gè)b類殼層之間的化學(xué)組成可以是相同的也可以是不同的。

上述a類殼層的材料選自cdse、cdte、cds、znse、znte、inp、gap、cuins、cugas、cdsse、cdzns、cdznse；上述b類殼層的材料選自zns、znse、cds、inp、cuins、cugas、cdzns、cdznse中的一種或多種。

在上述實(shí)施例中，量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)為：c/b1/a1……/bn/an/bn+1/an+1，或c/b1/a1……/bn/an/bn+1，其中，c為核，b1至bn+1各殼層為b類殼層，a1至an+1各殼層為a類殼層，各殼層遞增排列逐漸遠(yuǎn)離c核，n為整數(shù)，且n≥1。

當(dāng)n＝8時(shí)，上述量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)為：c/b1/a1/b2/a2/b3/a3/b4/a4/b5/a5/b6/a6/b7/a7/b8/a8/b9/a9；此時(shí)b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7、b8、b9都屬于b類殼層，a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8、a9都屬于a類殼層。此時(shí)，各b類殼層的下標(biāo)和a類殼層的下標(biāo)遞增排列逐漸遠(yuǎn)離c核，且上述a類殼層和b類殼層交叉排列形成多個(gè)相鄰的a/b殼組，具體列舉如下：a1/b2殼組、a2/b3殼組、a3/b4殼組、a4/b5殼組、a5/b6殼組、a6/b7殼組、a7/b8殼組、a8/b9殼組，另外上述量子點(diǎn)還包括一組核殼組，即c/b1核殼組。

如圖1所示，當(dāng)n＝2時(shí)，量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)為c/b1/a1/b2/a2/b3，其中，b類殼層b1、b2、b3與a類殼層a1、a2、a3交疊包覆于核c的外表面。a1至an+1、和b1至bn+1中的下角標(biāo)n用于區(qū)別a類殼層或b類殼層的位置。

在一個(gè)可選的實(shí)施例中，核c和a類殼層的材料都為cdse，b類殼層的材料為zns，量子點(diǎn)的殼層共有5層，此時(shí)，量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)為cdse/zns/cdse/zns/cdse/zns。

在另一個(gè)可選的實(shí)施例中，核c的材料為cds，a類殼層的材料為inp，b類殼層的材料為znse或zns，量子點(diǎn)的殼層共有6層，此時(shí)，該結(jié)構(gòu)為c/b1/a1/b2/a2/b3/a3量子點(diǎn)可以為cds/zns/inp/znse/inp/zns/inp。

上述各實(shí)施例中的量子點(diǎn)可以用于發(fā)射目標(biāo)顏色的光，目標(biāo)顏色的光包括一種或多種波長，既可以發(fā)單波長的光也可以發(fā)多波長的復(fù)合光，優(yōu)選地，波長值選自390至780nm之間的任意值，目標(biāo)顏色的光可以為可見光波段的光，如紅光、綠光或者白光等，這樣量子點(diǎn)可以用在照明、顯示等領(lǐng)域的發(fā)光器件中。

在一個(gè)可選的實(shí)施例中，在c/b核殼組或至少一個(gè)a/b殼組中，b類殼層阻斷與之相鄰的a類殼層或c核參與耦合發(fā)光，b類殼層的導(dǎo)帶底比a類殼層或c核的導(dǎo)帶底高0.5ev以上，b類殼層的價(jià)帶頂?shù)捅萢類殼層或c核的價(jià)帶頂?shù)?.5ev以上，且b類殼層的厚度大于等于預(yù)設(shè)厚度。

在另一個(gè)可選的實(shí)施例中，在c/b核殼組或至少一個(gè)a/b殼組中，b類殼層不阻斷與之相鄰的a類殼層或c核參與耦合發(fā)光，即與該b類殼層相鄰的兩a類殼層之間可以發(fā)生耦合發(fā)光、或與b類殼層相鄰的a類殼層和c核之間可以發(fā)生耦合發(fā)光，b類殼層的厚度小于等于預(yù)設(shè)厚度。

上述可選的實(shí)施例中的預(yù)設(shè)厚度是根據(jù)核、a類殼層和b類殼層的材料和性質(zhì)來確定的，具體的，量子點(diǎn)核或a類殼層與相應(yīng)的包覆其的b類殼層之間帶隙差越大，相應(yīng)的預(yù)設(shè)厚度越小，預(yù)設(shè)厚度可通過實(shí)驗(yàn)確定。

比如，在b類殼層的材料為zns，且a類殼層的材料為cdse的情況下，上述的預(yù)設(shè)厚度為4個(gè)單分子層，即在結(jié)構(gòu)如cdse/zns/cdse/zns/cdse中，若與cdse相鄰的zns的厚度大于4個(gè)單分子層，那么包覆該核的b類殼層zns就可以阻斷與之相鄰的核cdse與a類殼層cdse的耦合發(fā)光。

在兩a類殼層之間、或核與相鄰的a類殼層之間耦合發(fā)光的情況下，耦合后發(fā)光的光波長大于a類殼層或核單獨(dú)發(fā)光的光波長，可以通過調(diào)節(jié)b類殼層的厚度，來控制核與a類殼層的發(fā)光的耦合，從而控制最終的目標(biāo)顏色的波長和波長組成。

為了使量子點(diǎn)的穩(wěn)定性更高，上述各實(shí)施例中的量子點(diǎn)的粒徑優(yōu)選為5nm～20nm。上述量子點(diǎn)的第一殼層和第二殼層的殼層數(shù)之和可以為3～20。

本申請另一種典型的實(shí)施方式還提供了一種量子點(diǎn)，該量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)為核殼結(jié)構(gòu)，包括：c/d1/a1……/dn/an/dn+1/an+1，或c/d1/a1……/dn/an/dn+1，

其中，dx＝b1/b2/……/bm，n、m、x為整數(shù)，且n≥1，m≥1，n+1≥x≥1，c為核，a1至an+1各殼層為a類殼層，各殼層遞增排列逐漸遠(yuǎn)離c核，c核和a類殼層用于發(fā)光；d1至dn+1各殼層組為d類殼層組，b1至bm各殼層為b類殼層，至少一個(gè)d類殼層組包括兩個(gè)以上的b類殼層，a類殼層和d類殼層組交叉排列形成多個(gè)相鄰的a/d殼組；在c/d核殼組和任意a/d殼組中，d類殼層組中各b類殼層的導(dǎo)帶底均高于a類殼層或c核的導(dǎo)帶底，d類殼層組中各b類殼層的價(jià)帶頂均低于a類殼層或c核的價(jià)帶頂，在包括兩個(gè)以上b類殼層的d類殼層組中，各b類殼層導(dǎo)帶底沿遠(yuǎn)離核c的方向逐層升高，各b類殼層的價(jià)帶頂沿靠近核c的方向逐層降低。

如圖2所示，當(dāng)n＝2、m＝3、x＝3時(shí)，c/d1/a1……/dn/an/dn+1/an+1量子點(diǎn)的具體結(jié)構(gòu)可以為：c/d1/a1/d2/a2/d3/a3，其中，d1包括b1、d2包括b1、d3包括b1、b2和b3，上述量子點(diǎn)也可以表示為：c/b1/a1/b1/a2/b1/b2/b3/a3，d3中的b1、b2和b3的導(dǎo)帶底均滿足如下條件：b3＞b2＞b1＞a2，d2中的b1＞a1，d1中的b1＞c；價(jià)帶頂滿足如下條件：b3＜b2＜b1＜a2；d2中的b1＜a1，d1中的b1＜c。

通過上述實(shí)施例，在具有多層殼層的核殼結(jié)構(gòu)的c/d1/a1……/dn/an/dn+1/an+1，或c/d1/a1……/dn/an/dn+1量子點(diǎn)中，每個(gè)d類殼層組均包括至少一個(gè)b類殼層，且在d類殼層組中至少有一個(gè)殼層組包括兩個(gè)以上的b類殼層，該量子點(diǎn)中包括用于發(fā)光的核c和a類殼層以及包括一個(gè)或多個(gè)非發(fā)光的b類殼層的d類殼層組。

在c/d核殼組和任意a/d殼組中，d類殼層組中各b類殼層的導(dǎo)帶底均高于a類殼層或c核的導(dǎo)帶底，d類殼層組中各b類殼層的價(jià)帶頂均低于a類殼層或c核的價(jià)帶頂，從而c/d核殼組和任意a/d殼組中的各d殼層組中的b類殼層的帶隙寬度均大于a類殼層或c核的帶隙寬度。

在包括兩個(gè)以上b類殼層的d類殼層組中，各b類殼層導(dǎo)帶底沿遠(yuǎn)離核c的方向逐層升高，各b類殼層的價(jià)帶頂沿靠近核c的方向逐層降低，d殼層組中的多個(gè)b類殼層的帶隙逐層增大。

通過上述的排列方式，使量子點(diǎn)中的各殼層形成了帶隙交替的多層結(jié)構(gòu)，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的采用一厚殼層來保護(hù)量子點(diǎn)提高穩(wěn)定性的方案來說，在殼層總厚度相同的前提下，本申請將厚殼層結(jié)構(gòu)分解成多個(gè)薄殼層的結(jié)構(gòu)，又在殼層結(jié)構(gòu)中引入了帶隙更小的材料做發(fā)光中心，使殼層帶隙整體降低，降低注入勢壘，提高電荷注入效率，而多個(gè)殼層交替的結(jié)構(gòu)同時(shí)也保護(hù)了量子點(diǎn)內(nèi)部發(fā)光結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了在維持量子點(diǎn)穩(wěn)定性的同時(shí)，提高發(fā)光效率的效果，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的qled器件中無法在維持量子點(diǎn)穩(wěn)定性的同時(shí)提高發(fā)光效率的問題，此外，通過進(jìn)一步調(diào)整各殼層的厚度可實(shí)現(xiàn)對量子點(diǎn)的發(fā)光波長的調(diào)節(jié)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)通過量子點(diǎn)來發(fā)射單色光或白光。

a類殼層的材料選自cdse、cdte、cds、znse、znte、inp、gap、cuins、cugas、cdsse、cdzns、cdznse；b類殼層的材料選自zns、znse、cds、inp、cuins、cugas、cdzns、cdznse中的一種或多種。

優(yōu)選地，m＝2，a1為cdse，d1殼層組包括兩個(gè)b類殼層，分別為cds殼層和zns殼層。

上述實(shí)施例中的各d類殼層組中的b1至bm殼層的材料可以是不同的，處于不同d類殼層組中的編號相同的b類殼層材料可以采用相同材料，也可以是不同材料的，b類殼層的編號作用為位置關(guān)系的排序。為了避免重復(fù)，b類殼層的編號可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整。

上述實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)還可以理解為：相比于上述實(shí)施例中結(jié)構(gòu)為c/b1/a1……/bn/an/bn+1/an+1，或c/b1/a1……/bn/an/bn+1的量子點(diǎn)來說，該結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)中的bm殼層和am殼層之間(n+1≥m≥1)還包括多個(gè)b類殼層，且這些位于bm殼層和am殼層之間的b類殼層的帶隙寬度是沿著遠(yuǎn)離核的方向越來越大的，且都大于被bm殼層包覆且接觸相鄰的am-1殼層。

比如量子點(diǎn)還包括bn+2、bn+3、…、bn+x殼層，共x-1層殼層，x為≥2的整數(shù)，各殼層遞增排列逐漸遠(yuǎn)離c核，上述x-1層殼層位于bm殼層和am殼層之間，n+1≥m≥1，在上述x-1層殼層中，導(dǎo)帶底均滿足如下條件：bn+x＞…＞bn+3＞bn+2＞bm＞am-1，價(jià)帶頂滿足如下條件：bn+x＜…＜bn+3＜bn+2＜bm＜am-1。

下面還是以當(dāng)n＝2、m＝3、x＝3時(shí)為例，也即在如圖2所示的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中，量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)為c/b1/a1/b1/a2/b1/b2/b3/a3，而為了更好地區(qū)分不同d類殼層組中的b類殼層，可以將b類殼層的下標(biāo)進(jìn)行合理調(diào)整，使b類殼層的下標(biāo)沿遠(yuǎn)離核c的方向逐漸增大，例如，可調(diào)整為c/b1/a1/b2/a2/b3/b4/b5/a3，其中，b類殼層b4、b5位于b3與a類殼層a3之間，導(dǎo)帶底均滿足如下條件：b5＞b4＞b3＞a2，b1＞c，b2＞a1；價(jià)帶頂滿足如下條件：b5＜b4＜b3＜a2；b1＜c，b2＜a1。

本申請中量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)不限于上述實(shí)施例中結(jié)構(gòu)的形式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要設(shè)計(jì)a類殼層和d類殼層組及b類殼層的數(shù)量。

將相鄰的核與a類殼層之間、和相鄰的兩a類殼層之間的設(shè)置多個(gè)b類殼層，在遠(yuǎn)離核的方向上，d類殼層組中的各b類殼層的導(dǎo)帶底依次增高，且價(jià)帶頂依次降低；優(yōu)選，b類殼層組包括兩個(gè)b類殼層，a類殼層的材料為cdse，b類殼層的材料分別為cds和zns，此時(shí)，量子點(diǎn)可以為如下結(jié)構(gòu)：cdse/cds/zns/cdse/cds/zns或者cdse/cds/zns/cdse/cds/zns/cdse等。

上述各實(shí)施例中的量子點(diǎn)可以用于發(fā)射目標(biāo)顏色的光，目標(biāo)顏色的光包括一種或多種波長，既可以發(fā)單波長的光也可以發(fā)多波長的復(fù)合光，優(yōu)選地，波長值選自390至780nm之間的任意值，目標(biāo)顏色的光可以為可見光波段的光，如紅光、綠光或者白光等，這樣量子點(diǎn)可以用在照明、顯示等領(lǐng)域的發(fā)光器件中。

在一個(gè)可選的實(shí)施例中，在量子點(diǎn)的多個(gè)b類殼層或者b類殼層組(設(shè)置在兩個(gè)相鄰的a類殼層之間或設(shè)置在相鄰的a類殼層和c核之間)中，至少包括一個(gè)或一組用于阻斷與b類殼層相鄰的核或a類殼層參與耦合發(fā)光的b類殼層(或殼層組)，b類殼層的導(dǎo)帶底(或b類殼層組中最靠近核c的殼層)，比被其包覆的核c或a類殼層的導(dǎo)帶底高0.5ev以上，b類殼層(或b類殼層組中最靠近核c的殼層)的價(jià)帶頂，相應(yīng)地比被其包覆的核或a類殼層的價(jià)帶頂?shù)?.5ev以上，且b類殼層(或b類殼層組)的厚度大于等于預(yù)設(shè)厚度。

在另一個(gè)可選的實(shí)施例中，在量子點(diǎn)中的多個(gè)b類殼層或者b類殼層組(設(shè)置在兩個(gè)相鄰的a類殼層之間或設(shè)置在相鄰的a類殼層和c核之間)中，包括至少一個(gè)厚度小于等于預(yù)設(shè)厚度的b類殼層(或殼層組)，b類殼層不阻斷與之相鄰的a類殼層或c核參與耦合發(fā)光，即與該b類殼層(或殼層組)相鄰的核或a類殼層參與耦合發(fā)光。

上述可選的實(shí)施例中的預(yù)設(shè)厚度是根據(jù)核c、a類殼層和d類殼層組中的b類殼層的材料和性質(zhì)來確定的，具體的，量子點(diǎn)的核或a類殼層與包覆其的d類殼層組中的b類殼層之間帶隙差越大，相應(yīng)的預(yù)設(shè)厚度越小，預(yù)設(shè)厚度可通過實(shí)驗(yàn)確定。

在兩a類殼層之間、或核與相鄰的a類殼層之間耦合發(fā)光的情況下，耦合后發(fā)光的光波長大于a類殼層或核c單獨(dú)發(fā)光的光波長，可以通過調(diào)節(jié)d類殼層組中的b類殼層的厚度，來控制核與a類殼層的發(fā)光的耦合，從而控制最終的目標(biāo)顏色的波長和波長組成。

為了使量子點(diǎn)的穩(wěn)定性更高，上述各實(shí)施例中的量子點(diǎn)的粒徑優(yōu)選為5nm～20nm。上述量子點(diǎn)的a類殼層和各d類殼層組中的b類殼層的殼層數(shù)之和可以為3～20。

根據(jù)本申請另一方面，還提供了一種墨水，該墨水包括上述各實(shí)施例中的量子點(diǎn)，該量子點(diǎn)可與適當(dāng)?shù)娜軇┻M(jìn)行混合形成墨水，該墨水可以用于制作光電器件的功能膜層。

根據(jù)本申請?jiān)僖环矫?，還提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光顯示器件，該量子點(diǎn)發(fā)光顯示器件包括第一電極、量子點(diǎn)發(fā)光層和第二電極，形成量子點(diǎn)發(fā)光層的材料包括上述各實(shí)施例中的量子點(diǎn)。

該量子點(diǎn)發(fā)光顯示器件中除了包括第一電極、量子點(diǎn)發(fā)光層和第二電極之外，還可以包括一種或多種功能層，比如，設(shè)置在電極(第一電極或第二電極)和量子點(diǎn)發(fā)光層之間的空穴傳輸層、空穴注入層、電子傳輸層或電子注入層等。

通過采用上述實(shí)施例，實(shí)現(xiàn)了在維持量子點(diǎn)穩(wěn)定性的同時(shí)，提高發(fā)光效率的效果，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的qled器件中無法在維持量子點(diǎn)穩(wěn)定性的同時(shí)提高發(fā)光效率的問題，此外，通過進(jìn)一步調(diào)整各殼層的厚度可實(shí)現(xiàn)對量子點(diǎn)的發(fā)光波長的調(diào)節(jié)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)通過量子點(diǎn)來發(fā)射單色光或白光。

以下將結(jié)合實(shí)施例和對比例，進(jìn)一步說明本申請的有益效果。

實(shí)施例1

cdse/zns/cdse/zns(結(jié)構(gòu)為c/b1/a1/b2)量子點(diǎn)的合成：

核c：合成粒徑約3nm的cdse核，熒光發(fā)射峰為580nm；

殼層b1：將單分子層的zns包覆于cdse核，得到c/b1結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)；

殼層a1：將單分子層的cdse包覆于c/b1結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，得到c/b1/a1結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)；

殼層b2：將單分子層的zns包覆于c/b1/a1結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，得到結(jié)構(gòu)為c/b1/a1/b2的量子點(diǎn)；

該量子點(diǎn)發(fā)紅色光，粒徑約5nm，熒光峰位620nm。

實(shí)施例2

cdse/cds/zns/cds/cds/zns(結(jié)構(gòu)為c/b1/b2/a1/b1/b2)量子點(diǎn)的合成：

核c：合成cdse核，熒光發(fā)射峰為580nm；

d1殼層組(包括b1/b2殼層)：將單分子層cds、zns依次包覆于核c外表面，得到c/b1/b2

結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)；

殼層a1：將單分子層的cds包覆于c/b1/b2結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)外表面，得到結(jié)構(gòu)為c/b1/b2/a1

結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)；

d2殼層組(包括b1/b2殼層)：將單分子層cds、zns依次包覆于核c外表面，得到c/b1/b2/a1/b1/b2結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)；

該量子點(diǎn)發(fā)紅光，熒光峰位620nm。

實(shí)施例3

本實(shí)施例的量子點(diǎn)的制作方法與實(shí)施例1相比，區(qū)別在于：

合成的cdse核熒光峰位置在520nm，在第二殼層b3外依次交疊包覆有第一殼層和第二殼層a3、b4、a4、b5、a5、……、b10、a10，共有20個(gè)殼層，殼層總厚度20個(gè)單分子層，各層厚度為1個(gè)單分子層，a3至a10的材料和實(shí)施例1中a1材料相同，最終發(fā)光顏色為紅色光，得到的量子點(diǎn)的粒徑約為20nm。

實(shí)施例4

cdse/zns/cdse/zns/cds/zns(結(jié)構(gòu)為c/b1/a1/b2/a2/b3)量子點(diǎn)的合成：

核c：合成cdse核，熒光發(fā)射峰為520nm；

殼層b1：將單分子層的zns包覆于cdse核，得到c/b1結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)；

殼層a1：將單分子層的cdse包覆于c/b1結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，得到c/b1/a1結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)；

殼層b2：將4個(gè)單分子層的zns包覆于c/b1/a1結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，得到結(jié)構(gòu)為c/b1/a1/b2的量子點(diǎn)，此時(shí)量子點(diǎn)發(fā)黃光；

殼層a2：將4個(gè)單分子層的cds包覆于c/b1/a1/b2結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，得到c/b1/a1/b2/a2結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，其中b2用于發(fā)藍(lán)光；

殼層b3：將4個(gè)單分子層的zns包覆于c/b1/a1/b2/a2結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，得到結(jié)構(gòu)為c/b1/a1/b2/a2/b3的量子點(diǎn)；

該量子點(diǎn)發(fā)白光，為藍(lán)黃復(fù)合光。

對比例1

核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)，其中，核為cdse核，熒光發(fā)射峰為580nm，殼為zns殼層，包覆厚度為兩個(gè)單分子層。

對比例2

核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)，其中，核為cdse核，熒光發(fā)射峰為580nm，殼為zns殼層，包覆厚度為9個(gè)單分子層。

對實(shí)施例1至4和對比例1至2的量子點(diǎn)進(jìn)行光致發(fā)光效率檢測，并分別將各實(shí)施例和對比例中的量子點(diǎn)配置成量子點(diǎn)墨水應(yīng)用于量子點(diǎn)電致發(fā)光器件中，具體應(yīng)用如下：

1)對厚度為200nm的陽極ito(氧化銦錫)進(jìn)行清洗處理。

2)制作空穴注入層和空穴傳輸層。

在清潔ito透明導(dǎo)電玻璃上轉(zhuǎn)速旋涂pedot:pss(聚對苯乙烯磺酸溶液)；在ito表面形成一層pedot:pss層，干燥形成空穴注入層。然后在pedot:pss層上轉(zhuǎn)速旋涂聚乙烯基咔唑poly(n—vinylcarbazole)(pvk)的氯苯溶液，干燥形成pvk空穴傳輸層。

3)制作量子點(diǎn)發(fā)光層。

量子點(diǎn)為上述各實(shí)施例和對比例中的核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，將該量子點(diǎn)分散在合適的溶劑中，配置成墨水，然后設(shè)置該墨水于空穴傳輸層上，干燥形成量子點(diǎn)發(fā)光層。

4)制作電子傳輸層。

在量子點(diǎn)發(fā)光層上再旋涂一層氧化鋅納米晶的乙醇溶液，干燥形成電子傳輸層。

5)制作陰極。

將旋涂完成的器件置于真空蒸鍍倉內(nèi)，蒸鍍陰極銀電極，厚度為100nm，得到量子點(diǎn)電致發(fā)光器件。

對上述各實(shí)施例和對比例中的量子點(diǎn)進(jìn)行光致發(fā)光效率和對應(yīng)器件的外量子效率的檢

測，結(jié)果可知，上述實(shí)施例和對應(yīng)的對比例中量子點(diǎn)的光致發(fā)光效率基本一致，采用實(shí)施例1-4中的量子點(diǎn)制作的量子點(diǎn)發(fā)光器件較對比例中的，外量子效率更高，啟亮電壓更低。

通過采用本申請上述的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果：利用量子點(diǎn)中的各殼層形成了帶隙交替的多層結(jié)構(gòu)，在殼層總厚度相同的前提下，將厚殼層結(jié)構(gòu)分解成多個(gè)薄殼層的結(jié)構(gòu)，又在殼層結(jié)構(gòu)中引入了帶隙更小的材料做發(fā)光中心，使殼層帶隙整體降低，降低注入勢壘，提高電荷注入效率，而多個(gè)殼層交替的結(jié)構(gòu)同時(shí)也保護(hù)了量子點(diǎn)內(nèi)部發(fā)光結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了在提高量子點(diǎn)發(fā)光顯示器件發(fā)光效率的同時(shí)，維持量子點(diǎn)穩(wěn)定性的效果，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的qled器件中無法在維持量子點(diǎn)穩(wěn)定性的同時(shí)提高發(fā)光效率的問題。

以上所述僅為本申請的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本申請，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請的保護(hù)范圍之內(nèi)。