本發(fā)明涉及發(fā)光元器件技術領域,尤其涉及一種集成表貼發(fā)光器件的生產工藝。
背景技術:
現有的發(fā)光顯示器件大部分采用smd封裝,smd封裝是將led芯片用導電膠和絕緣膠固定在燈珠支架的焊盤上,然后進行l(wèi)ed芯片導通性能焊接,那功能測試后,用環(huán)氧樹脂膠包封,再進行分光、切割和打編帶。
這種smd封裝制成的發(fā)光器件內僅有單個rgb芯片,單燈珠單體化分裝雖然容易加工,但其封裝中使用的四角或六角支架為后續(xù)的生產環(huán)節(jié)帶來了技術困難和可靠性隱患。當需要生產高分辨率顯示屏時,發(fā)光點密度增加,發(fā)光器件需要貼片加工到顯示屏電路板上,這種smd封裝結構存在數量龐大的支架管腳焊接良率問題,無法生產高分辨率顯示屏。
技術實現要素:
為了解決現有技術中存在的上述缺陷,本發(fā)明提出一種集成表貼發(fā)光器件的生產工藝,填補了高清、高分辨率顯示屏的空白。
本發(fā)明采用的技術方案是,設計一種集成表貼發(fā)光器件的生產工藝,包括以下步驟:
步驟1、將若干個發(fā)光點組排列封裝在基板的正面上,每個發(fā)光點組包含至少一個紅光led芯片、至少一個綠光led芯片和至少一個藍光led芯片,所有l(wèi)ed芯片采用cob封裝在基板上;
步驟2、將基板切割分成若干個獨立的發(fā)光器件,每個發(fā)光器件內設有一個發(fā)光點組;
步驟3、將每個發(fā)光器件內的紅光led芯片、綠光led芯片及藍光led芯片分別點亮測試波長和亮度值,按照測試數據將所有發(fā)光器件分bin;
步驟4、測試每個發(fā)光器件的正向電壓和反向漏電流,將不合格的挑出。
較優(yōu)的,步驟1中每個發(fā)光點組內包含多個紅光led芯片、多個綠光led芯片及多個藍光led芯片,發(fā)光點組內的紅光led芯片、綠光led芯片及藍光led芯片行列間距可任意排列組合。
優(yōu)選的,步驟1中所有l(wèi)ed芯片采用正裝cob封裝或倒裝cob封裝。
優(yōu)選的,基板正面設有用于封裝led芯片的焊盤,基板的背面設有用于焊接控制引腳的引腳焊盤。
優(yōu)選的,基板為黑色雙面線路板或多層線路板,基板的材料為bt、碳纖維或fr4。
在第一實施例中,生產工藝還包括:步驟5、將合格的發(fā)光器件排列安裝在高分辨率顯示屏的電路板上,在電路板上覆蓋面罩。
在第二實施例中,步驟2中切割基板之前,先對基板進行模壓封膠,使基板的正面覆蓋一層透明的膠質。優(yōu)選的,膠質的厚度范圍為0.8mm至1.2mm。在第二實施例中,生產工藝還包括:步驟5、將合格并位于同一bin范圍的發(fā)光器件編入載帶,在載帶上熱封保護膜。
本發(fā)明集成了cob封裝及smd封裝技術,將若干個紅綠藍基色led芯片采用cob封裝在基板上,led芯片之間的間距可按照需要調整,led芯片封裝完成后再切割成獨立的發(fā)光器件,發(fā)光器件體積小,且一個發(fā)光器件內可封裝有一組紅綠藍led芯片或多組紅綠藍led芯片,發(fā)光器件的分辨率高,適用于加工高分辨率及高亮度產品。
與現有技術相比,本發(fā)明的led芯片采用cob封裝在基板上,去除傳統smd封裝中的支架,可提高單個發(fā)光器件內的led芯片數量,封裝后將基板切割形成單個發(fā)光器件,再分別對發(fā)光器件進行分光、測試,解決了傳統cob封裝中產品一次通過率難控制、成品率低的問題。
附圖說明
下面結合實施例和附圖對本發(fā)明進行詳細說明,其中:
圖1是本發(fā)明中基板未切割時的整版結構示意圖;
圖2是本發(fā)明中基板上單個發(fā)光器件區(qū)域的正面焊盤排布示意圖;
圖3是本發(fā)明中基板上單個發(fā)光器件區(qū)域的背面引腳焊盤排布示意圖;
圖4是本發(fā)明中l(wèi)ed芯片封裝在基板上的結構示意圖;
圖5是本發(fā)明中單個發(fā)光器件未封膠的結構示意圖;
圖6是本發(fā)明中單個發(fā)光器件封膠的結構示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明提出的發(fā)光器件的生產工藝,包括封裝、切割、分bin、測試等步驟。
下面詳細闡述每個步驟:
步驟1、如圖1所示,基板1按照需要預先進行拼版設計,基板1的上下兩側設有工藝邊11,工藝邊11上設有定位孔12,便于在基板1上進行后續(xù)加工?;?為黑色雙面線路板或多層線路板,基板1的材料為bt、碳纖維或fr4,表面為沉金工藝,除發(fā)光區(qū)域整版均為黑色組焊,雙面線路導通過孔為盲孔。如圖2、3所示,基板1正面設有若干個用于封裝led芯片的焊盤13,基板1的背面設有若干個用于焊接控制引腳的引腳焊盤14。
如圖4所示,將若干個發(fā)光點組排列封裝在基板1的正面上,每個發(fā)光點組包含至少一個紅光led芯片、至少一個綠光led芯片和至少一個藍光led芯片,所有l(wèi)ed芯片2為單基色裸芯片,且采用cob封裝在基板1上。
為了便于描述,本文中提到的三色led芯片是紅光led芯片、綠光led芯片及藍光led芯片的簡稱。各發(fā)光點組內三色led芯片的數量和排列可相同或者不相同,較優(yōu)的,步驟1中每個發(fā)光點組內包含多個紅光led芯片、多個綠光led芯片及多個藍光led芯片,發(fā)光點組內的三色led芯片任意排列組合,按照實際需要調整三色led芯片之間的間距,發(fā)光點組內相鄰的三色led芯片顏色混合形成一個虛擬發(fā)光點,通過若干發(fā)光點的組合形成點間距各異的微型矩陣發(fā)光器件3。相比于現有smd元件來說,采用本發(fā)明加工的發(fā)光器件3內可排布若干個三色led芯片,且可隨意調整三色led芯片的間距,體積小、分辨率高。
另外,步驟1中所有l(wèi)ed芯片2可采用正裝cob封裝或倒裝cob封裝,正裝cob即將裸芯片正置放在基板1上,通過引線鍵合實現led芯片與基板的導通。反裝cob即將裸芯片倒置放在基板1上,led芯片2直接通過芯片電極與基板導通,倒裝cob尺寸可以做到更小,光學更容易匹配,散熱功能、芯片壽命及抗靜電能力好。
步驟2、發(fā)光點組封裝完成后,如圖5所示,將基板1切割分成若干個獨立的發(fā)光器件3,每個發(fā)光器件3內設有一個發(fā)光點組,發(fā)光器件3的尺寸在15×15mm以內,發(fā)光器件3正面發(fā)光、底面設有控制引腳31;
步驟3、將每個發(fā)光器件3內的三色led芯片分別點亮測試波長和亮度值,按照測試數據將所有發(fā)光器件3分bin;
步驟4、單點掃描測試每個發(fā)光器件3的正向電壓和反向漏電流,將不合格的挑出。
在第一實施例中,如圖5所示,生產工藝還包括:步驟5、將合格的發(fā)光器件3固化后排列安裝在電路板上,發(fā)光器件3固化的過程就是在發(fā)光器件3的led芯片2表面點膠,覆蓋led芯片2防止其被氧化,在電路板上覆蓋面罩保護發(fā)光器件上的led芯片2,led芯片發(fā)出的光線穿過面罩射出,面罩覆蓋的形式有利于后期拆卸維護,且發(fā)光更均勻、更亮。
在第二實施例中,如圖6所示,步驟2中切割基板1之前,先對整版基板進行模壓封膠,使基板1的正面覆蓋一層透明的膠質4,通過該膠質4保護led芯片2,led芯片2發(fā)出的光線穿過膠質4射出。較優(yōu)的,膠質4的厚度范圍為0.8mm至1.2mm。在第二實施例中,生產工藝還包括:步驟5、將合格并位于同一bin范圍的發(fā)光器件3編入載帶,在載帶上熱封保護膜。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等,均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。