相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)根據(jù)35u.s.c.§119和35u.s.c.§365要求于2015年11月27日在韓國提交的第10-2015-0167641號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部公開內(nèi)容通過引用的方式并入此處。

本公開文本涉及一種發(fā)光封裝和照明器件。

背景技術(shù)：

發(fā)光器件是一種將電能轉(zhuǎn)換為光的半導(dǎo)體器件，并且作為替代現(xiàn)有熒光燈和白熾燈的下一代光源而受到關(guān)注。

與通過加熱鎢絲產(chǎn)生光的燈泡或者當(dāng)通過高壓放電產(chǎn)生的紫外線與熒光體碰撞時(shí)產(chǎn)生光的熒光燈相比，發(fā)光二極管通過使用半導(dǎo)體器件產(chǎn)生光，并且消耗非常低的功率。

此外，由于發(fā)光二極管通過使用半導(dǎo)體元件的位勢(shì)差產(chǎn)生光，所以與現(xiàn)有光源相比，發(fā)光二極管具有長的使用壽命，具有快速響應(yīng)特性和環(huán)境友好特性。

因此，已經(jīng)進(jìn)行了許多用發(fā)光二極管來替代現(xiàn)有光源的研究，并且發(fā)光二極管已經(jīng)被越來越多地用作照明器件(例如，各種燈、液晶顯示器件、電子顯示器或路燈)的光源。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)施例提供了一種具有改進(jìn)的電氣特性檢查可靠性的發(fā)光封裝和照明器件。

實(shí)施例提供了一種包括用于改善因氧化而腐蝕的引線框的發(fā)光封裝以及照明器件。

根據(jù)本公開文本的一個(gè)方面，提供了一種發(fā)光封裝，包括：第一引線框；第二引線框，沿第一方向與第一引線框間隔開；主體，耦接到第一引線框和第二引線框；以及發(fā)光元件，位于第一引線框上，其中第一引線框包括第一側(cè)部至第四側(cè)部，第一側(cè)部包括從主體的一個(gè)側(cè)表面向外突出的第一突起以及布置在第一突起的端部的第一接觸部，其中第二引線框包括第五側(cè)部至第八側(cè)部，第五側(cè)部包括從主體的側(cè)表面向外突出的第二突起以及布置在第二突起的端部的第二接觸部，并且其中第一接觸部和第二接觸部中的每一個(gè)包括覆蓋第二層的第一層。

本實(shí)施例的照明器件可以包括發(fā)光封裝。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光封裝的透視圖；

圖2是示出根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光封裝的平面圖；

圖3是示出根據(jù)一實(shí)施例的第一引線框和第二引線框的平面圖；

圖4是示出根據(jù)一實(shí)施例的第一引線框和第二引線框的透視圖；

圖5是示出沿圖3的b-b截取的第一引線框和第二引線框的剖視圖；

圖6和圖7是示出根據(jù)一實(shí)施例的單元發(fā)光封裝的制造工藝的視圖；

圖8是示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的第一引線框和第二引線框的平面圖；

圖9是示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的第一引線框和第二引線框的平面圖；

圖10是示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光封裝的平面圖；

圖11是示出沿圖10的d-d截取的發(fā)光封裝的剖視圖；

圖12是示出設(shè)置在一實(shí)施例的發(fā)光封裝中的發(fā)光芯片的剖視圖；

圖13是示出設(shè)置在該實(shí)施例的發(fā)光封裝中的發(fā)光芯片的另一個(gè)示例的剖視圖；

圖14是示出包括該實(shí)施例的發(fā)光封裝的顯示器件的透視圖；以及

圖15是示出包括該實(shí)施例的發(fā)光封裝的顯示器件的另一個(gè)示例的剖視圖。

具體實(shí)施方式

本公開文本的實(shí)施例可以被修改成其它形式或者可以彼此結(jié)合，并且本公開文本的范圍不限于將在下文描述的實(shí)施例。

雖然沒有在其它實(shí)施例中對(duì)已經(jīng)在具體實(shí)施例中描述的內(nèi)容進(jìn)行描述，但是這些內(nèi)容可以被解釋為同樣與其它實(shí)施例相關(guān)的內(nèi)容，除非其它實(shí)施例做出相反的或相矛盾的描述。

例如，如果一個(gè)具體實(shí)施例描述了元件a的特征，而另一個(gè)實(shí)施例描述了元件b的特征，即使沒有明確描述將元件a和元件b結(jié)合的實(shí)施例，但它們也落入本公開文本的范圍內(nèi)，除非它們彼此相對(duì)或相矛盾。

在下文中，將參考附圖描述用于實(shí)現(xiàn)目的的本公開文本的示例性實(shí)施例。

在本公開文本的實(shí)施例的詳細(xì)描述中，當(dāng)描述第一元件形成在第二元件上或下時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解，兩個(gè)元件可以直接彼此接觸，或者一個(gè)或多個(gè)元件布置在兩個(gè)元件之間。此外，上或下可以表示一個(gè)元件可以布置在另一個(gè)元件下以及布置在第二元件上。

半導(dǎo)體元件可以包括各種電子元件，這些電子元件包括發(fā)光元件和光接收元件，并且發(fā)光元件和光接收元件都可以包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。

根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體元件可以是發(fā)光元件。

當(dāng)電子和空穴彼此重新耦接時(shí)，發(fā)光元件發(fā)出光，并且光的波長由材料的自然能帶隙決定。因此，發(fā)光可能根據(jù)材料的成分而不同。

圖1是示出根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光封裝的透視圖。圖2是示出根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光封裝的平面圖。圖3是示出根據(jù)一實(shí)施例的第一引線框和第二引線框的平面圖。圖4是示出根據(jù)一實(shí)施例的第一引線框和第二引線框的透視圖。

如圖1至圖4所示，根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光封裝100可以包括第一引線框130、第二引線框140、主體120、保護(hù)元件160以及發(fā)光元件150。

發(fā)光元件150可以布置在第一引線框130上。發(fā)光元件150可以布置在第一引線框130的從主體120暴露的上表面上。已經(jīng)描述了在該實(shí)施例中設(shè)置一個(gè)發(fā)光元件150，但是本公開文本不限于此而是可以包括兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光元件來提供陣列形式。發(fā)光元件150可以經(jīng)由導(dǎo)線連接，但是本公開文本不限于此。發(fā)光元件150可以布置在主體120的中心部分，但是本公開文本不限于此。

保護(hù)元件160可以布置在第二引線框140上。保護(hù)元件160可以布置在第二引線框140的暴露于主體120的上表面上。保護(hù)元件160可以是齊納二極管、晶閘管、瞬態(tài)電壓抑制(tvs)等，但是本公開文本不限于此。作為示例描述的是，該實(shí)施例的保護(hù)元件160是保護(hù)發(fā)光元件150免受靜電放電(esd)的齊納二極管。保護(hù)元件160可以經(jīng)由導(dǎo)線連接至第一引線框130。

主體120可以包括半透明材料、反射材料和絕緣材料中的至少一種。對(duì)于從發(fā)光元件150發(fā)射的光，主體120可以包括其透射率高于其反射率的材料。主體120可以由樹脂基絕緣材料形成。例如，主體120可以由諸如聚鄰苯二甲酰胺(ppa)或環(huán)氧樹脂等樹脂、硅、金屬、光敏玻璃、藍(lán)寶石(al2o3)和印刷電路板(pcb)中的至少一種形成。主體120可以包括具有特定曲率的外表面或者具有成角度表面的外表面。主體120的俯視圖例如可以具有圓形或多邊形形狀。作為示例描述的是，該實(shí)施例的主體120具有包括第一外表面121至第四外表面124的多邊形形狀。

主體120可以耦接到第一引線框130和第二引線框140。主體120可以包括暴露第一引線框130和第二引線框140的上表面的一部分的空腔125。

空腔125可以包括暴露第一引線框130的第一底表面125a，以及暴露第二引線框140的第二底表面125b和第三底表面125c。第一底表面125a是安裝發(fā)光元件150的區(qū)域，并且可以與發(fā)光元件150的形狀對(duì)應(yīng)。第一底表面125a還可以包括與保護(hù)元件160的導(dǎo)線連接的區(qū)域。第一底表面125a的角部可以具有特定曲率。第一底表面125a的具有特定曲率的角部可以通過不斷地保持發(fā)光元件150與空腔125的內(nèi)表面之間的間隙來提高光學(xué)效率。第二底表面125b是使發(fā)光元件150的導(dǎo)線與第二引線框140連接的區(qū)域，并且可以布置在與第一引線框130相鄰的區(qū)域中。第三底表面125c是安裝保護(hù)元件160的區(qū)域，并且可以與第二底表面125b間隔開特定間隙，但是本公開文本不限于此。

主體120可以包括第一外表面121至第四外表面124，并且主體120的俯視圖可以具有矩形形狀。第一外表面121和第二外表面122可以沿第一方向x平行布置。在該實(shí)施例中，第一引線框130和第二引線框140的一部分可以從第一外表面121和第二外表面122暴露。在該實(shí)施例中，第一引線框130的第一側(cè)部130a可以從第一外表面121暴露。在該實(shí)施例中，第二引線框140的第五側(cè)部140a可以從第二外表面122暴露。第三外表面123和第四外表面124可以沿與第一方向x垂直的第二方向y平行布置。在該實(shí)施例中，第一引線框130和第二引線框140不從第三外表面123和第四外表面124暴露。也就是說，在該實(shí)施例中，第一引線框130和第二引線框140可以布置在第三外表面123和第四外表面124的內(nèi)部。

第一引線框130和第二引線框140可以彼此間隔開特定間隙以耦接到主體120。發(fā)光元件150可以安裝在第一引線框130上，而保護(hù)元件160可以安裝在第二引線框140上。第一引線框130和第二引線框140可以沿第一方向x平行布置。第一引線框130可以沿第一方向x具有大于第二引線框140的寬度的寬度，但是本公開文本不限于此。第一引線框130和第二引線框140可以包括導(dǎo)電材料。例如，第一引線框130和第二引線框140可以包括鈦(ti)、銅(cu)、鎳(ni)、金(au)、鉻(cr)、鉭(ta)、鉑(pt)、錫(sn)、銀(ag)、磷(p)、鐵(fe)、錫(sn)、鋅(zn)以及鋁(al)中的至少一種，并且可以具有多個(gè)層。該實(shí)施例的第一引線框130和第二引線框140可以包括第二層l2以及覆蓋第二層l2的第一層l1。第二層l2可以是導(dǎo)電的、散熱的以及節(jié)約成本的導(dǎo)電材料。例如，第二層l2可以包括銅(cu)。第一層l1包括防止氧化的功能。第一層l1可以是抗氧化且高反射的導(dǎo)電材料。例如，第一層l1可以包括銀(ag)。該實(shí)施例已經(jīng)描述了通過在銅(cu)的表面上鍍敷銀(ag)獲得的第一引線框130和第二引線框140，但是本公開文本不限于此。

第一引線框130可以包括第一側(cè)部130a至第四側(cè)部130d以及安裝發(fā)光元件150的上表面130e。第一側(cè)部130a至第四側(cè)部130d可以布置在第一引線框130的外部。

第一側(cè)部130a可以與主體120的第一側(cè)表面121對(duì)應(yīng)。第一側(cè)部130a可以從主體120的第一側(cè)表面121暴露。第一側(cè)部130a可以從主體120的第一側(cè)表面121突出。

第一側(cè)部130a可以從主體120的第一側(cè)表面121暴露。第一側(cè)部130a可以包括向外突出的第一突起131以及布置在第一突起131的相對(duì)側(cè)的第一切口部133和第二切口部135。

第一突起131可以包括第一接觸部131a。第一接觸部131a可以包括用于在發(fā)光封裝100的檢查工序中輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)的焊盤功能。也就是說，第一接觸部131a可以包括用于在檢查工序中輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電接觸功能。第一突起131可以比第一切口部133和第二切口部135更向外突出。第一接觸部131a可以布置在第一突起131的端部。第一接觸部131a可以布置在第一切口部133和第二切口部135的外側(cè)。第一突起131和第一接觸部131a可以由抗氧化且反射率高的導(dǎo)電材料形成。例如，包括銀(ag)的第一層l1可以銀鍍敷在第一突起131和第一接觸部131a的表面上，但是本公開文本不限于此。第一接觸部131a沿與第一方向x垂直的第二方向y的第一寬度w1可以不小于300μm。當(dāng)?shù)谝唤佑|部131a的第一寬度w1小于300μm時(shí)，可能導(dǎo)致檢查工序中的外部信號(hào)接觸缺陷。

一般的發(fā)光封裝可以通過切割第一引線框和第二引線框的突出區(qū)域而分成多個(gè)單元發(fā)光封裝。一般的發(fā)光封裝可以配置使得例如包括銅(cu)的第二層通過切割輸入有驅(qū)動(dòng)信號(hào)的第一引線框和第二引線框的外表面的工藝而暴露。例如包括銅(cu)的第二層的接觸電阻高于銀(ag)或金(au)的接觸電阻，因此不適合于電接觸點(diǎn)。

在該實(shí)施例中，通過切割工藝暴露切口表面的第一切口部133和第二切口部135可以布置在與第一突起131的輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)的第一接觸部131a偏離的區(qū)域中。例如，在該實(shí)施例中，第一切口部133和第二切口部135配置使得具有接觸電阻高于第一層l1的接觸電阻的第二層l2可以通過切割工藝暴露于外部。第一切口部133和第二切口部135可以布置在與電接觸點(diǎn)的第一接觸部131a偏離的區(qū)域中，使得可以抑制第一切口部133和第二切口部135的電氣特性的降低。

第一切口部133可以從第一突起131沿與第二方向y相反的方向延伸。第二切口部135可以從第一突起131沿第二方向y延伸。第一切口部133和第二切口部135可以通過切割金屬框架的工藝形成，由此制造發(fā)光封裝100。第一切口部133和第二切口部135可以通過切割工藝形成在第一引線框130的第一側(cè)部130a上。例如，第一切口部133和第二切口部135配置使得第二層l2可以從第一層l1向外暴露。第一切口部133和第二切口部135可以具有從第一接觸部131a呈臺(tái)階狀的結(jié)構(gòu)。第一接觸部131a與第一切口部133和第二切口部135之間的臺(tái)階的高度h可以不小于10μm。例如，第一接觸部131a與第一切口部133和第二切口部135之間的臺(tái)階的高度h可以為10μm至300μm。當(dāng)?shù)谝唤佑|部131a與第一切口部133和第二切口部135之間的臺(tái)階的高度h小于10μm時(shí)，第一切口部和第二切口部的一部分和檢查工序的連接部以及第一突起131的第一接觸部131a可以彼此接觸，因此，檢查工序的可靠性可能降低。當(dāng)?shù)谝唤佑|部131a與第一切口部133和第二切口部135之間的臺(tái)階的高度h超過300μm時(shí)，暴露于發(fā)光封裝100的側(cè)表面的第一側(cè)部130a的面積增加，因此生產(chǎn)率可能降低，并且產(chǎn)品的設(shè)計(jì)也可能受到限制。第一切口部133沿第二方向y的第二寬度w2可以為100μm至500μm，但本公開文本不限于此。第二切口部135沿第二方向y的第三寬度w3可以為100μm至500μm，但本公開文本不限于此。第一切口部133和第二切口部135的第二寬度w2和第三寬度w3可以相同，但本公開文本不限于此。

第一切口部133可以包括從第一接觸部131a延伸的第一傾斜部133a以及從第一傾斜部133a延伸的第一邊緣部133b。第一邊緣部133b可以布置為比第一接觸部131a更接近主體120的最外側(cè)。也就是說，第一接觸部131a可以布置在第一邊緣部133b的外側(cè)上。第一邊緣部133b可以沿第一方向x與第一接觸部131a平行地間隔開。

第一傾斜部133a和第一邊緣部133b可以包括小于第一引線框130的厚度的水平寬度。例如，第一傾斜部133a和第一邊緣部133b可以包括50μm至300μm的水平寬度。當(dāng)?shù)谝粌A斜部133a和第一邊緣部133b的水平寬度小于50μm時(shí)，可能很難切割小的水平寬度。當(dāng)?shù)谝粌A斜部133a和第一邊緣部133b的水平寬度超過300μm時(shí)，由于大于第一引線框130的厚度的第一傾斜部133a和第一邊緣部133b的水平寬度，在切割工藝中在切口表面周圍可能產(chǎn)生裂紋或偏斜，并且切口表面上的裂紋或偏斜降低了其外觀的質(zhì)量。

第二切口部135可以包括從第一接觸部131a延伸的第二傾斜部135a以及從第二傾斜部135a延伸的第二邊緣部135b。也就是說，第一接觸部131a可以布置在第二邊緣部135b的外側(cè)上。第二邊緣部135b可以沿第一方向x與第一接觸部131a平行地間隔開。

第二傾斜部135a和第二邊緣部135b可以包括小于第一引線框130的厚度的水平寬度。例如，第二傾斜部135a和第二邊緣部135b可以包括50μm至300μm的水平寬度。當(dāng)?shù)诙A斜部135a和第二邊緣部135b的水平寬度小于50μm時(shí)，可能很難切割小的水平寬度。當(dāng)?shù)诙A斜部135a和第二邊緣部135b的水平寬度超過300μm時(shí)，由于大于第一引線框130的厚度的第二傾斜部135a和第二邊緣部135b的水平寬度，在切割工藝中在切口表面周圍可能產(chǎn)生裂紋或偏斜，并且切口表面上的裂紋或偏斜降低了其外觀的質(zhì)量。

第一切口部133和第二切口部135可以沿第二方向y彼此對(duì)稱。第一傾斜部133a和第二傾斜部135a可以彼此對(duì)稱，并且第一邊緣部133b和第二邊緣部135b可以沿第二方向y彼此重疊。第一邊緣部133b和第二邊緣部135b可以沿第二方向y布置在相同的平面上。

第二側(cè)部130b可以與第二引線框140相鄰布置。第二側(cè)部130b可以面對(duì)第二引線框140的第六側(cè)部140b。第二側(cè)部130b由于主體120而不暴露于外部。第一引線框130可以包括位于第二側(cè)部130b的相對(duì)端處的沿第二方向y彼此對(duì)稱的第三傾斜部138a和第四傾斜部138b。第三傾斜部138a和第四傾斜部138b與主體120的耦合力可以隨著主體120與第一引線框130和第二引線框140之間的接合面積增大而提高。例如，主體120可以通過注塑工藝耦接至第一引線框130和第二引線框140。第三傾斜部138a和第四傾斜部138b可以在主體120的注塑工藝中改進(jìn)第一引線框130和第二引線框140之間的注入流(injectionflow)。第三傾斜部138a和第二側(cè)部130b限定的第一傾斜角θ1可以大于90°并且可以小于180°。此外，第三傾斜部138a和第三側(cè)部130c限定的第二傾斜角θ2可以大于90°并且可以小于180°。第一傾斜角θ1和第二傾斜角θ2可以相同或不同。

第四傾斜部138b的傾斜角可以采用第三傾斜部138a的特性。

第三側(cè)部130c和第四側(cè)部130d可以彼此對(duì)稱并且可以具有平坦表面。第三側(cè)部130c和第四側(cè)部130d由于主體120而不暴露于外部。第三側(cè)部130c和第四側(cè)部130d可以布置在主體120中。第三側(cè)部130c可以布置在第二邊緣部135b與第三傾斜部138a。也就是說，第三側(cè)部130c可以從第二邊緣部135b延伸。第三側(cè)部130c可以從第三傾斜部138a延伸。第四側(cè)部130d可以布置在第一邊緣部133b與第四傾斜部138b之間。第四側(cè)部130d可以從第一邊緣部133b延伸。第四側(cè)部130d可以從第四傾斜部138b延伸。

第一引線框130可以包括位于其下表面上的第一臺(tái)階部136。第一臺(tái)階部136可以沿第一引線框130的下表面的外圍布置。該實(shí)施例的第一臺(tái)階部136可以布置在第二側(cè)部130b至第四側(cè)部130d的下方。第一臺(tái)階部136可以與第一側(cè)部130a間隔開特定間隙。因?yàn)榈谝粋?cè)部130a暴露于外部，使得切割工藝帶來的外力集中于第一側(cè)部130a中，所以為了強(qiáng)度，第一臺(tái)階部136可以與第一側(cè)部130a間隔開。第一臺(tái)階部136可以是凹陷的，并且第一臺(tái)階部136的橫截面可以是臺(tái)階狀的，但是本公開文本不限于此。第一臺(tái)階部136增大了與主體120的接觸面積，從而提高了與主體120的耦接力。此外，第一臺(tái)階部136可以由于臺(tái)階結(jié)構(gòu)而抑制外部水分的滲透。第一臺(tái)階部136可以通過蝕刻第一引線框130的下表面的外圍的一部分來形成，但是本公開文本不限于此。第一臺(tái)階部136的厚度可以是第一引線框130的厚度的50％，但是本公開文本不限于此。例如，第一臺(tái)階部136的厚度可以不小于第一引線框130的厚度的50％。當(dāng)?shù)谝慌_(tái)階部136的厚度小于第一引線框130的厚度的50％時(shí)，在第一引線框130的制造工藝中，在第一臺(tái)階部136周圍可能發(fā)生變形，例如扭曲。因此，考慮到第一引線框130的形狀的變形，第一臺(tái)階部136的厚度可以不小于第一引線框130的厚度的50％。

第一引線框130可以包括多個(gè)第一通孔137。多個(gè)第一通孔137可以包括提高與主體120的耦接力的功能。多個(gè)第一通孔137可以增大主體120與第一引線框130之間的接合面積，因此可以提高主體120與第一引線框130之間的耦接力。例如，第一通孔137可以從第一引線框130的上表面130e延伸到第一引線框130的下表面。第一通孔137可以與第一側(cè)部130a相鄰布置。第一通孔137可以布置在第一引線框130的與第一側(cè)部130a相鄰的角處，但是本公開文本不限于此。第一通孔137的位置和直徑可以自由改變。第一通孔137可以在與第一引線框130的下表面接觸的區(qū)域中包括臺(tái)階部(未示出)，但是本公開文本不限于此。

第二引線框140可以包括第五側(cè)部140a至第八側(cè)部140d，以及安裝保護(hù)元件160的上表面140e。第五側(cè)部140a至第八側(cè)部140d可以布置在第二引線框140的外部。

第五側(cè)部140a可以與主體120的第二側(cè)表面122對(duì)應(yīng)。第五側(cè)部140a可以從主體120的第二側(cè)表面122暴露。第五側(cè)部140a可以從主體120的第二側(cè)表面122向外突出。

第五側(cè)部140a可以從主體120的第二側(cè)表面122暴露。第五側(cè)表面140a可以包括向外突出的第二突起141以及布置在第二突起141的相對(duì)側(cè)的第三切口部143和第四切口部145。

第二突起141可以包括第二接觸部141a。第二接觸部141a可以包括用于在發(fā)光封裝100的檢查工序中輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)的焊盤功能。也就是說，第二接觸部141a可以包括用于在檢查工序中輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電接觸功能。第二突起141可以比第三切口部143和第四切口部145更向外突出。第二接觸部141a可以布置在第二突起141的端部。第二接觸部141a可以布置在第三切口部143和第四切口部145的外側(cè)。第二突起141和第二接觸部141a可以由抗氧化且反射率高的導(dǎo)電材料形成。例如，例如包括銀(ag)的第一層可以鍍敷在第二突起141和第二接觸部141a的表面上，但是本公開文本不限于此。第二接觸部141a沿與第一方向x垂直的第二方向y的第四寬度w4可以不小于300μm。當(dāng)?shù)诙佑|部141a的第四寬度w4小于300μm時(shí)，可能導(dǎo)致檢查工序的外部信號(hào)接觸缺陷。第一突起131和第二突起141可以布置在發(fā)光封裝100的彼此對(duì)稱的第一外表面121和第二外表面122上。第一接觸部131a和第二接觸部141a可以布置在發(fā)光封裝100的彼此對(duì)稱的第一外表面121和第二外表面122上。

在該實(shí)施例中，通過切割工藝暴露切口表面的第三切口部143和第四切口部145可以布置在與第二突起141的輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)的第二接觸部141a偏離的區(qū)域中。例如，在該實(shí)施例中，第三切口部143和第四切口部145配置使得具有接觸電阻高于第一層的接觸電阻的第二層可以通過切割工藝暴露于外部。第三切口部143和第四切口部145可以布置在與電接觸點(diǎn)的第二接觸部141a偏離的區(qū)域中，使得可以抑制第三切口部133和第四切口部135的電氣特性的降低。

第三切口部143可以從第二突起141沿與第二方向y相反的方向延伸。第四切口部145可以從第二突起141沿第二方向y延伸。第三切口部143和第四切口部145可以通過切割金屬框架的工藝形成，由此制造發(fā)光封裝100。第三切口部143和第四切口部145可以通過切割工藝形成在第二引線框140的第五側(cè)部140a上。例如，第三切口部143和第四切口部145配置使得第二層可以從第一層暴露。第三切口部143和第四切口部145可以具有從第二接觸部141a呈臺(tái)階狀的結(jié)構(gòu)。第二接觸部141a與第三切口部143和第四切口部145之間的臺(tái)階的高度可以不小于10μm。例如，第二接觸部141a與第三切口部143和第四切口部145之間的臺(tái)階的高度可以為10μm至300μm。當(dāng)?shù)诙佑|部141a與第三切口部143和第四切口部145之間的臺(tái)階的高度小于10μm時(shí)，第三切口部143和第四切口部145和檢查工序的連接部以及第二接觸部141a可能會(huì)彼此接觸，降低了檢查工序的可靠性。當(dāng)?shù)诙佑|部141a與第三切口部143和第四切口部145之間的臺(tái)階的高度超過300μm時(shí)，暴露于發(fā)光封裝100的側(cè)表面的第五側(cè)部140a的面積增加，因此，生產(chǎn)率可能降低，并且產(chǎn)品的設(shè)計(jì)也可能受到限制。第三切口部133沿第二方向y的第五寬度w5可以為100μm至500μm，但是本公開文本不限于此。第四切口部145沿第二方向y的第六寬度w6可以為100μm至500μm，但是本公開文本不限于此。第三切口部143和第四切口部145的第五寬度w5和第六寬度w6可以相同，但是本公開文本不限于此。

第三切口部143可以包括從第二接觸部141a延伸的第五傾斜部143a以及從第五傾斜部143a延伸的第三邊緣部143b。第三邊緣部143b可以布置為比第二接觸部141a更接近主體120。也就是說，第二接觸部141a可以布置在第三邊緣部143b的外側(cè)。第三邊緣部143b可以沿第一方向x與第二接觸部141a平行地間隔開。

第四切口部145可以包括從第二接觸部141a延伸的第六傾斜部145a以及從第六傾斜部145a延伸的第四邊緣部145b。也就是說，第二接觸部141a可以布置在第五邊緣部145b的外側(cè)。第四邊緣部145b可以沿第一方向x與第二接觸部141a平行地間隔開。

第五傾斜部143a和第六傾斜部145a以及第三邊緣部143b和第四邊緣部145b的水平寬度可以采用第一傾斜部133a和第二傾斜部135a以及第一邊緣部133b和第二邊緣部135b的技術(shù)特征。

第三切口部143和第四切口部145可以沿第二方向y彼此對(duì)稱。第五傾斜部143a和第六傾斜部145a可以彼此對(duì)稱，并且第三邊緣部143b和第四邊緣部145b可以沿第二方向y彼此平行地重疊。第三邊緣部143b和第四邊緣部145b可以沿第二方向y布置在相同的平面上。

第六側(cè)部140b可以與第一引線框130相鄰布置。第六側(cè)部140b可以面向第一引線框130的第二側(cè)部130b。第六側(cè)部140b由于主體120而不暴露于外部。第二引線框140可以包括位于第六側(cè)部140b的相對(duì)端處的沿第二方向y彼此對(duì)稱的第七傾斜部148a和第八傾斜部148b。第七傾斜部148a和第八傾斜部148b可以增大主體120與第二引線框140之間的接合面積，從而提高主體120與第二引線框140之間的耦接力。例如，主體120可以通過注塑工藝耦接至第一引線框130和第二引線框140。第七傾斜部148a和第八傾斜部148b可以在主體120的注塑工藝中改進(jìn)第一引線框130與第二引線框140之間的注入流。第七傾斜部148a和第六側(cè)部140b限定的傾斜角可以大于90°并且小于180°。此外，第七傾斜部148a和第七側(cè)部140c限定的傾斜角可以大于90°并且小于180°。這些傾斜角可以相同或不同。第八傾斜部148b的傾斜角可以采用第七傾斜部148a的特性。

第七側(cè)部140c和第八側(cè)部140d可以彼此對(duì)稱并且可以具有平坦表面。第七側(cè)部140c和第八側(cè)部140d由于主體120而不暴露于外部。第七側(cè)部140c和第八側(cè)部140d可以布置在主體120中。第七側(cè)部140c可以布置在第四邊緣部145b與第七傾斜部148a之間。第七側(cè)部140c可以從第四邊緣部145b延伸。第七側(cè)部140c可以從第七傾斜部148a延伸。第八側(cè)部140d可以布置在第三邊緣部143b與第八傾斜部148b之間。第八側(cè)部140d可以從第三邊緣部143b延伸。第八側(cè)部140d可以從第八傾斜部148b延伸。

第二引線框140可以包括位于其下表面上的第二臺(tái)階部146。第二臺(tái)階部146可以沿第二引線框140的下表面的外圍布置。該實(shí)施例的第二臺(tái)階部146可以布置在第六側(cè)部140b至第八側(cè)部140d的下方。第二臺(tái)階部146可以與第五側(cè)部140a間隔開特定間隙。因?yàn)榈谖鍌?cè)部140a暴露于外部，使得切割工藝帶來的外力集中于第五側(cè)部146中，所以為了強(qiáng)度，第二臺(tái)階部146可以與第五側(cè)部140a間隔開。第二臺(tái)階部146可以是凹陷的，并且第二臺(tái)階部146的橫截面可以是臺(tái)階狀的，但是本公開文本不限于此。第二臺(tái)階部146增大了與主體120的接觸面積，從而提高與主體120的耦接力。此外，第二臺(tái)階部146可以由于臺(tái)階結(jié)構(gòu)而抑制外部水分的滲透。第二臺(tái)階部146可以通過蝕刻第二引線框140的下表面的外圍的一部分來形成，但是本公開文本不限于此。第二臺(tái)階部146的厚度可以是第二引線框140的厚度的50％，但是本公開文本不限于此。例如，第二臺(tái)階部146的厚度可以不小于第二引線框140的厚度的50％。當(dāng)?shù)诙_(tái)階部146的厚度小于第二引線框140的厚度的50％時(shí)，在第二引線框140的制造工藝中，在第二臺(tái)階部146周圍可能發(fā)生變形，例如扭曲。因此，考慮到第二引線框140的形狀的變形，第二臺(tái)階部146的厚度可以不小于第二引線框140的厚度的50％。

第二引線框140可以包括第二通孔147。第二通孔147可以包括提高與主體120的耦接力的功能。第二通孔147可以增大主體120與第二引線框140之間的接合面積，因此可以提高主體120與第二引線框140之間的耦接力。第二通孔147可以從第二引線框140的上表面140e延伸到第二引線框140的下表面。第二通孔147可以與第五側(cè)部140a相鄰布置。第二通孔147可以與第五側(cè)部140a相鄰布置并且與第二引線框140的中心部分相鄰布置，但是本公開文本不限于此。第二通孔147的位置和直徑可以自由改變。第二通孔147可以在與第二引線框140的下表面接觸的區(qū)域中包括臺(tái)階部(未示出)，但是本公開文本不限于此。

在該實(shí)施例中，因?yàn)榫哂斜砻骖愋偷牡谝唤佑|部131a布置在第一引線框130的第一突起131的端部，具有表面類型的第二接觸部141a布置在第二引線框140的第二突起141的端部，并且第一接觸部131a和第二接觸部141a與切割線間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層l1布置在第一接觸部131a和第二接觸部141a中，所以可以抑制氧化引起的腐蝕。

在該實(shí)施例中，因?yàn)榈谝灰€框130的第一接觸部131a和第二引線框140的第二接觸部141a與切割線間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層l1包括在第一接觸部131a和第二接觸部141a的表面上，所以可以改進(jìn)檢查工序的可靠性。

圖6和圖7是示出根據(jù)一實(shí)施例的單元發(fā)光封裝的制造工藝的視圖。

參考圖6和圖7，本實(shí)施例的金屬框架110可以包括多個(gè)引線框a。金屬框架110可以包括第一狹縫111、第二狹縫113、分離孔115、第一通孔137、第二通孔147以及多個(gè)第一連接器112和多個(gè)第二連接器114。

金屬框架110可以經(jīng)由分離孔115沿第一方向x將第一引線框130和第二引線框140分離。

第一連接器112可以沿與第一方向x垂直的第二方向y布置在第一狹縫111與分離孔115之間。第一連接器112可以布置在切割線c上。

第二連接器114可以沿第二方向y布置在第二狹縫113與分離孔115之間。第二連接器114可以布置在切割線c上。

在本實(shí)施例中，如果在金屬框架110上完成主體120的注塑工藝，則沿切割線c切割金屬框架110以分離成單元發(fā)光封裝。

切割線c可以與主體120間隔開特定間隙。切割線c可以位于第一連接器112和第一狹縫111上，并且可以位于第二連接器114和第二狹縫113上。

這里，第一狹縫111可以包括第一內(nèi)表面111a至第四內(nèi)表面111d，而第二狹縫113可以包括第五內(nèi)表面113a至第八內(nèi)表面113d。

切割線c可以穿過第一狹縫111的第一內(nèi)表面111a以及第三內(nèi)表面111c和第四內(nèi)表面111d，并且可以穿過第二狹縫113的第五內(nèi)表面113a以及第七內(nèi)表面113c和第八內(nèi)表面113d。

參考圖1至圖7，在本實(shí)施例中，通過包括第一狹縫111、第二狹縫113、分離孔115、第一通孔137、第二通孔147以及多個(gè)第一連接器112和多個(gè)第二連接器114的金屬框架110的結(jié)構(gòu)，第一引線框130的第一接觸部131a和第二引線框140的第二接觸部141a可以與切割線c間隔開。例如，第一側(cè)部130a和第五側(cè)部140a分別包括第一突起131和第二突起141，具有表面類型的第一接觸部131a和第二接觸部141a分別布置在第一引線框130的第一突起131的端部和第二引線框140的第二突起141的端部。因此，因?yàn)榈谝唤佑|部131a和第二接觸部141a與切割線c間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層l1鍍敷在第一接觸部131a和第二接觸部141a的表面上，所以可以抑制氧化引起的腐蝕，并且第一層l1可以布置為電接觸點(diǎn)。

在本實(shí)施例中，因?yàn)榈谝灰€框130的第一接觸部131a和第二引線框140的第二接觸部141a與切割線間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層l1包括在第一接觸部131a和第二接觸部141a的表面上，所以可以提高檢查工序的可靠性。

圖8是示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的第一引線框和第二引線框的平面圖。

如圖8所示，除了第一引線框230的第一側(cè)部230a和第二引線框240的第五側(cè)部240a之外，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光封裝可以采用根據(jù)圖1至圖5的實(shí)施例的發(fā)光封裝100的技術(shù)特征。

第一引線框230的第一側(cè)部230a可以包括向外突出的第一突起231以及布置在第一突起231的相對(duì)側(cè)的第一切口部233和第二切口部235。第一突起231可以比第一切口部233和第二切口部235更向外突出。第一突起231可以包括第一接觸部231a。第一突起231和第一接觸部231a可以采用圖1至圖4的發(fā)光封裝的技術(shù)特征。

第一切口部233可以從第一突起231沿與第二方向y相反的方向延伸。第二切口部235可以從第一突起231沿第二方向y延伸。第一切口部233和第二切口部235可以通過切割金屬框架的工藝形成，由此制造發(fā)光封裝。第一切口部233和第二切口部235可以通過切割工藝形成在第一引線框230的第一側(cè)部230a上。例如，第一切口部233和第二切口部235的一部分可以配置使得例如包括銅(cu)的第二層可以從例如包括銀(ag)的第一層暴露。第一切口部233和第二切口部235可以具有從第一接觸部231a呈臺(tái)階狀的結(jié)構(gòu)。第一接觸部231a與第一切口部233和第二切口部235之間的臺(tái)階的高度h可以不小于10μm。例如，第一接觸部231a與第一切口部233和第二切口部235之間的臺(tái)階的高度h可以為10μm至300μm。當(dāng)?shù)谝唤佑|部231a與第一切口部233和第二切口部235之間的臺(tái)階的高度h小于10μm時(shí)，可能因受到氧化而腐蝕的例如包括銅(cu)的第二層可能會(huì)接觸暴露于外部的第一切口部233和第二切口部235以及檢查工序的連接部，這降低了檢查工序的可靠性。當(dāng)?shù)谝唤佑|部131a與第一切口部233和第二切口部235之間的臺(tái)階的高度h超過300μm時(shí)，暴露于發(fā)光封裝100的側(cè)表面的第一側(cè)部230a的面積增加，因此生產(chǎn)率可能降低，并且產(chǎn)品的設(shè)計(jì)也可能受到限制。第一切口部233沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但本公開文本不限于此。第二切口部235沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但本公開文本不限于此。第一切口部233和第二切口部235的寬度可以相同，但是本公開文本不限于此。

第一切口部233可以包括從第一接觸部231a延伸的第一彎曲部233a以及從第一彎曲部233a延伸的第一邊緣部233b。第一邊緣部233b可以布置為比第一接觸部231a更接近主體120。也就是說，第一接觸部231a可以布置在第一邊緣部233b的外側(cè)上。第一邊緣部233b可以沿第一方向x與第一接觸部231a平行地間隔開。

第二切口部235可以包括從第一接觸部231a延伸的第二彎曲部235a以及從第二彎曲部235a延伸的第二邊緣部235b。第二邊緣部235b可以布置在第一接觸部231a的內(nèi)側(cè)上。也就是說，第一接觸部231a可以布置在第二邊緣部235b的外側(cè)上。第二邊緣部235b可以沿第一方向x與第一接觸部231a平行地間隔開。

第一切口部233和第二切口部235可以沿第二方向y彼此對(duì)稱。第一彎曲部233a和第二彎曲部235a可以彼此對(duì)稱，并且第一邊緣部233b和第二邊緣部235b可以沿第二方向y彼此重疊。第一邊緣部233b和第二邊緣部235b可以沿第二方向y布置在相同的平面上。

第二引線框240的第五側(cè)部240a可以包括向外突出的第二突起241以及布置在第二突起241的相對(duì)側(cè)的第三切口部243和第四切口部245。第二突起241可以比第三切口部243和第四切口部245更向外突出。第二突起241可以包括第二接觸部241a。第二接觸部241a可以布置在第二突起241的端部。第二突起241和第二接觸部241a可以采用圖1至圖4的發(fā)光封裝的技術(shù)特征。

第三切口部243可以從第二突起241沿與第二方向y相反的方向延伸。第四切口部245可以從第二突起241沿第二方向y延伸。第三切口部243和第四切口部245可以通過切割金屬框架的工藝形成，由此制造發(fā)光封裝。第三切口部243和第四切口部245可以通過切割工藝形成在第二引線框240的第五側(cè)部240a上。例如，第三切口部243和第四切口部245配置使得第二層可以從第一層暴露。第三切口部243和第四切口部245可以具有從第二接觸部241a呈臺(tái)階狀的結(jié)構(gòu)。第二接觸部241a與第三切口部243和第四切口部245之間的臺(tái)階的高度可以不小于10μm。例如，第二接觸部241a與第三切口部243和第四切口部245之間的臺(tái)階的高度可以為10μm至300μm。當(dāng)?shù)诙佑|部241a與第三切口部243和第四切口部245之間的臺(tái)階的高度小于10μm時(shí)，可能因受到氧化而腐蝕的例如包括銅(cu)的第二層可能會(huì)接觸暴露于外部的第三切口部243和第四切口部245以及檢查工序的連接部，這降低了檢查工序的可靠性。當(dāng)?shù)诙佑|部241a與第三切口部243和第四切口部245之間的臺(tái)階的高度超過300μm時(shí)，暴露于發(fā)光封裝的側(cè)表面的第五側(cè)部240a的面積增加，因此生產(chǎn)率可能降低，并且產(chǎn)品的設(shè)計(jì)也可能受到限制。第三切口部243沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但是本公開文本不限于此。第四切口部245沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但本公開文本不限于此。第三切口部243和第四切口部245的寬度可以相同，但是本公開文本不限于此。

第三切口部243可以包括從第二接觸部241a延伸的第三彎曲部243a以及從第三彎曲部243a延伸的第三邊緣部243b。第三邊緣部243b可以布置為比第二接觸部241a更接近主體。也就是說，第二接觸部241a可以布置在第三邊緣部243b的外側(cè)。第三邊緣部243b可以沿第一方向x與第二接觸部241a平行地間隔開。

第四切口部245可以包括從第二接觸部241a延伸的第四彎曲部245a以及從第四彎曲部245a延伸的第四邊緣部245b。第四邊緣部245b可以布置在第二接觸部241a的內(nèi)側(cè)上。也就是說，第二接觸部241a可以布置在第四邊緣部245b的外側(cè)上。第四邊緣部245b可以沿第一方向x與第二接觸部241a平行地間隔開。

第三切口部243和第四切口部245可以沿第二方向y彼此對(duì)稱。第三彎曲部243a和第四彎曲部245a可以彼此對(duì)稱，并且第三邊緣部243b和第四邊緣部245b可以沿第二方向y彼此重疊。第三邊緣部243b和第四邊緣部245b可以沿第二方向y布置在相同的平面上。

第二實(shí)施例的發(fā)光封裝的制造方法可以采用圖1至圖7的實(shí)施例的技術(shù)特征。

包括第一彎曲部233a和第一邊緣部233b的第一切口部233以及包括第二彎曲部235a和第二邊緣部235b的第二切口部235可以布置在第一接觸部231a的相對(duì)側(cè)，并且包括第三彎曲部243a和第三邊緣部243b的第三切口部243以及包括第四彎曲部245a和第四邊緣部245b的第四切口部245可以布置在第二接觸部241a的相對(duì)側(cè)。因?yàn)榈谝唤佑|部231a和第二接觸部241a可以通過第一至第四切口部233、235、243和245與切割線間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層位于第一接觸部231a和第二接觸部241a的表面上，所以可以抑制氧化引起的腐蝕。

在第二實(shí)施例中，因?yàn)榈谝灰€框230和第二引線框240的第一接觸部230a和第二接觸部240a與切割線間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層包括在第一接觸部230a和第二接觸部240a的表面上，所以可以提高檢查工序的可靠性。

圖9是示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的第一引線框和第二引線框的平面圖。

如圖9所示，除了第一引線框330的第一側(cè)部330a和第二引線框340的第五側(cè)部340a之外，根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光封裝可以采用根據(jù)圖1至圖5的實(shí)施例的發(fā)光封裝100的技術(shù)特征。

第一引線框330的第一側(cè)部330a可以包括向外突出的第一突起331以及布置在第一突起331的相對(duì)側(cè)的第一切口部333和第二切口部335。第一突起331可以比第一切口部333和第二切口部335更向外突出。第一突起331可以包括第一接觸部331a。第一突起331和第一接觸部331a可以采用圖1至圖5的發(fā)光封裝的技術(shù)特征。

第一切口部333和第二切口部335可以從第一突起331沿第二方向y延伸。第一切口部333和第二切口部335可以從第一突起331的相對(duì)端沿第二方向y延伸。第一切口部333和第二切口部335可以通過切割金屬框架的工藝形成，由此制造發(fā)光封裝。第一切口部333和第二切口部335可以通過切割工藝形成在第一引線框330的第一側(cè)部330a上。例如，第一切口部333和第二切口部335的一部分可以配置使得例如包括銅(cu)的第二層可以從例如包括銀(ag)的第一層暴露。第一切口部333和第二切口部335可以具有從第一接觸部331a傾斜的結(jié)構(gòu)。第一切口部333和第二切口部335可以隨著遠(yuǎn)離第一接觸部331a而變得更接近第一引線框330的第二側(cè)部330b。第一切口部333可以布置在第一突起331與第四側(cè)部330d之間。第二切口部335可以布置在第一突起331與第三側(cè)部330c之間。第一切口部333和第二切口部335沿第一方向x的高度可以不小于10μm。例如，第一切口部333和第二切口部335沿第一方向x的高度可以是10μm至300μm。當(dāng)?shù)谝磺锌诓?33和第二切口部335的高度小于10μm時(shí)，可能因氧化而腐蝕的例如包括銅(cu)的第二層可能會(huì)接觸暴露于外部的第一切口部333和第二切口部335和檢查工序的連接部，這降低了檢查工序的可靠性。當(dāng)?shù)谝磺锌诓?33和第二切口部335沿第一方向x的高度超過300μm時(shí)，暴露于發(fā)光封裝的一側(cè)的第一側(cè)部330a的面積顯著增加，使得生產(chǎn)率可能降低，并且產(chǎn)品的設(shè)計(jì)也可能受到限制。第一切口部333沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但是本公開文本不限于此。第二切口部335沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但是本公開文本不限于此。第一切口部333和第二切口部335的寬度可以相同，但是本公開文本不限于此。第一切口部333和第二切口部335可以沿第二方向y彼此對(duì)稱。第一切口部333和第二切口部335可以具有表面類型。第一切口部333與第一突起331之間的角度以及第一切口部333與第四側(cè)部130d之間的角度可以是鈍角。第二切口部335與第一突起331之間的角度以及第二切口部335與第三側(cè)部130c之間的角度可以是鈍角。

第二引線框340的第五側(cè)部340a可以包括向外突出的第二突起341以及布置在第二突起341的相對(duì)側(cè)上的第三切口部343和第四切口部345。第一突起331可以比第三切口部343和第四切口部345更向外突出。第二突起341可以包括第二接觸部341a。第二突起341和第二接觸部341a可以采用圖1至圖5的發(fā)光封裝的技術(shù)特征。

第三切口部343可以從第二突起341沿與第二方向y相反的方向延伸。第四切口部345可以從第二突起341沿第二方向y延伸。第三切口部343和第四切口部345可以通過切割金屬框架的工藝形成，由此制造發(fā)光封裝。第三切口部343和第四切口部345可以通過切割工藝形成在第二引線框340的第五側(cè)部340a上。例如，第三切口部343和第四切口部345配置使得第二層可以從第一層暴露。第三切口部343和第四切口部345可以具有從第二接觸部341a傾斜的結(jié)構(gòu)。第三切口部343和第四切口部345可以隨著遠(yuǎn)離第二接觸部341a而變得更接近第二引線框340的第六側(cè)部140b。第三切口部343可以布置在第二突起341與第八側(cè)部140d之間。第四切口部345可以布置在第二突起341與第七側(cè)部140c之間。第三切口部343和第四切口部345沿第一方向x的高度可以不小于10μm。例如，第三切口部343和第四切口部345沿第一方向x的高度可以是10μm至300μm。當(dāng)?shù)谌锌诓?43和第四切口部345的高度小于10μm時(shí)，可能因氧化而腐蝕的例如包括銅(cu)的第二層可能會(huì)接觸暴露于外部的第三切口部343和第四切口部345和檢查工序的連接部，這降低了檢查工序的可靠性。當(dāng)?shù)谌锌诓?43和第四切口部345沿第一方向x的高度超過300μm時(shí)，暴露于發(fā)光封裝的一側(cè)的第五側(cè)部340a的面積顯著增加，使得生產(chǎn)率可能降低，并且產(chǎn)品的設(shè)計(jì)也可能受到限制。第三切口部343沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但本公開文本不限于此。第四切口部345沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但本公開文本不限于此。第三切口部343和第四切口部345的寬度可以相同，但是本公開文本不限于此。第三切口部343和第四切口部345可以沿第二方向y彼此對(duì)稱。第三切口部343和第四切口部345可以具有表面類型。第三切口部343與第二突起341之間的角度以及第三切口部343與第八側(cè)部140d之間的角度可以是鈍角。第四切口部345與第二突起341之間的角度以及第四切口部345與第七側(cè)部140c之間的角度可以是鈍角。

第三實(shí)施例的發(fā)光封裝的制造方法可以采用圖5至圖6的實(shí)施例的技術(shù)特征。

在第三實(shí)施例中，傾斜的第一切口部333和第二切口部335可以布置在第一接觸部331a的相對(duì)側(cè)，而第三切口部343和第四切口部345可以布置在第二接觸部341a的相對(duì)側(cè)上。因?yàn)榈谝唤佑|部331a和第二接觸部341a可以與切割線間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層位于第一接觸部331a和第二接觸部341a的表面上，因此可以抑制氧化引起的腐蝕。

在第三實(shí)施例中，因?yàn)榈谝灰€框330的第一接觸部331a和第二引線框340的第二接觸部341a與切割線間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層包括在第一接觸部331a和第二接觸部341a的表面上，所以可以提高檢查工序的可靠性。

圖10是示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光封裝的透視圖。圖11是示出沿圖10的d-d截取的發(fā)光封裝的剖視圖。

如圖10和圖11所示，除了發(fā)光元件150和保護(hù)元件160之外，第二實(shí)施例的發(fā)光封裝200可以采用圖1至圖6的發(fā)光封裝100的技術(shù)特征。

發(fā)光元件150和保護(hù)元件160可以具有水平類型。例如，發(fā)光元件150和保護(hù)元件160可以包括耦接到第一引線框130和第二引線框140的導(dǎo)線。

例如，發(fā)光元件150可以包括第一電極和第二電極(未示出)，并且可以包括將第一電極和第一引線框130電連接的第一導(dǎo)線150w-1以及將第二電極和第二引線框140電連接的第二導(dǎo)線150w-2。

保護(hù)元件160可以包括第三電極和第四電極(未示出)，并且可以包括將第三電極和第一引線框130電連接的第三導(dǎo)線160w-1以及將第四電極和第二引線框140電連接的第四導(dǎo)線160w-2。

<發(fā)光芯片>

圖12是示出設(shè)置在實(shí)施例的發(fā)光封裝中的發(fā)光芯片的剖視圖。

如圖12所示，該發(fā)光芯片包括襯底511、緩沖層512、發(fā)光結(jié)構(gòu)510、第一電極516以及第二電極517。襯底511可以是半透明或非半透明材料，并且可以包括導(dǎo)電或絕緣襯底。

緩沖層512減小了襯底511和發(fā)光結(jié)構(gòu)510的材料的晶格常數(shù)之間的差異，并且可以由氮化物半導(dǎo)體形成。未摻雜有摻雜劑的氮化物半導(dǎo)體層可以進(jìn)一步形成在緩沖層512與發(fā)光結(jié)構(gòu)510之間，以提高晶體的質(zhì)量。

發(fā)光結(jié)構(gòu)510包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513、有源層514和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層515。

例如，該發(fā)光結(jié)構(gòu)可以通過諸如第ii族-第iv族和第iii族-第v族等復(fù)合半導(dǎo)體來實(shí)現(xiàn)。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層513可以是單層或多層。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層513可以摻雜第一導(dǎo)電摻雜劑。例如，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類型半導(dǎo)體層513是n型半導(dǎo)體層時(shí)，其可以包括n型摻雜劑。例如，n型摻雜劑可以包括si、ge、sn、se和te，但是本公開文本不限于此。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513可以包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513例如可以包括包括gan、inn、aln、ingan、algan、inalgan、alinn、algaas、gap、gaas、gaasp和algainp中的至少一種的多個(gè)層的堆疊結(jié)構(gòu)。

第一覆層(cladlayer)可以形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513與有源層514之間。第一覆層可以由gan基半導(dǎo)體形成，并且第一覆層的帶隙可以不小于有源層514的帶隙。第一覆層可以由第一導(dǎo)電類型形成，并且可以包括約束載流子的功能。

有源層514布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層513上，并且選擇性地包括單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(mqw)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)和量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。有源層514包括阱層和勢(shì)壘層的周期。阱層包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，并且勢(shì)壘層可以包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。阱層和勢(shì)壘層的一個(gè)或多個(gè)周期例如可以通過使用ingan/gan、gan/algan、ingan/algan、ingan/ingan或inalgan/inalgan的堆疊結(jié)構(gòu)形成。勢(shì)壘層可以由帶隙大于阱層的帶隙的半導(dǎo)體材料形成。

第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515形成在有源層514上。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515可以由半導(dǎo)體復(fù)合材料實(shí)現(xiàn)，例如，第ii族-第iv族和第iii族-第v族復(fù)合半導(dǎo)體。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層515可以是單層或多層。當(dāng)?shù)诙?dǎo)電半導(dǎo)體層515是p型半導(dǎo)體層時(shí)，第二導(dǎo)電摻雜劑是p型摻雜劑并且可以包括mg、zn、ca、sr和ba。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層515可以摻雜第二導(dǎo)電摻雜劑。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層515可以包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤2，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515可以包括gan、inn、aln、ingan、algan、inalgan、alinn、algaas、gap、gaas、gaasp和algainp中的任何一個(gè)。

第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515可以包括超晶格結(jié)構(gòu)，并且超晶格結(jié)構(gòu)可以包括ingan/gan超晶格結(jié)構(gòu)或algan/gan超晶格結(jié)構(gòu)。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515的超晶格結(jié)構(gòu)異常地?cái)U(kuò)散包括在電壓中的電流，并且可以保護(hù)有源層514。

已經(jīng)描述了第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513是n型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515是p型半導(dǎo)體層，但是第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層513可以是p型半導(dǎo)體層，而第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515是n型半導(dǎo)體層，本公開文本不限于此。極性與第二導(dǎo)電類型的極性相反的半導(dǎo)體，例如，n型半導(dǎo)體層(未示出)可以形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515上。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)510可以通過n-p結(jié)結(jié)構(gòu)、p-n結(jié)結(jié)構(gòu)、n-p-n結(jié)結(jié)構(gòu)和p-n-p結(jié)結(jié)構(gòu)中的任何一個(gè)來實(shí)現(xiàn)。

第一電極516布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513上，而具有電流擴(kuò)散層的第二電極517設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515上。

<發(fā)光芯片>

圖13是示出設(shè)置在實(shí)施例的發(fā)光封裝中的發(fā)光芯片的另一個(gè)示例的剖視圖。

如圖13所示，將在第二示例中省略與圖9的發(fā)光芯片的相同構(gòu)造的說明。在第二示例的發(fā)光芯片中，接觸層521可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)510下方，反射層524可以布置在接觸層521下方，支撐元件525可以布置在反射層524下方，并且保護(hù)層523可以布置在反射層524和發(fā)光結(jié)構(gòu)510周圍。

在發(fā)光芯片中，接觸層521、保護(hù)層523、反射層524和支撐元件525可以布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515下方。

接觸層521可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)510的下表面(例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515)歐姆接觸。接觸層521可以由選自金屬氮化物、絕緣材料和導(dǎo)電材料中的材料形成，例如，可以由包括例如氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、銦鋅錫氧化物(izto)、銦鋁鋅氧化物(iazo)、銦鎵鋅氧化物(igzo)、銦鎵錫氧化物(igto)、氧化鋁鋅(azo)、氧化銻錫(ato)、氧化鎵鋅(gzo)、ag、ni、al、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、au、hf、其選擇性組合的材料形成。此外，接觸層521可以通過使用諸如izo、izto、iazo、igzo、igto、azo或ato等金屬材料和半透明導(dǎo)電材料形成為多層，并且例如，可以具有izo/ni、azo/ag、izo/ag/ni和azo/ag/ni的堆疊結(jié)構(gòu)。阻擋對(duì)應(yīng)于電極516的電流的電流阻擋層可以進(jìn)一步形成在接觸層521的內(nèi)部。

保護(hù)層523可以由選自金屬氧化物、絕緣材料和導(dǎo)電材料的材料形成，并且例如，可以由包括例如氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、銦鋅錫氧化物(izto)、銦鋁鋅氧化物(iazo)、銦鎵鋅氧化物(igzo)、銦鎵錫氧化物(igto)、氧化鋁鋅(azo)、氧化銻錫(ato)、氧化鎵鋅(gzo)、sio2、siox、sioxny、si3n4、al2o3和tio2的材料形成。保護(hù)層523可以通過使用濺射或沉積來形成，并且可以防止諸如反射層524等金屬將發(fā)光結(jié)構(gòu)510的多個(gè)層短路。

反射層524可以包括金屬。例如，反射層524可以由ag、ni、al、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、au、hf或其選擇性組合形成。反射層524具有的寬度可以大于發(fā)光結(jié)構(gòu)510的寬度，以提高光反射效率。用于接合的金屬層、用于散熱的金屬層等可以進(jìn)一步布置在反射層524與支撐元件525之間，但是本公開文本不限于此。

支撐元件525是基底襯底，并且可以由諸如銅(cu)、金(au)、鎳(ni)、鉬(mo)或銅-鎢(cu-w)等金屬或者載體晶片(例如，si、ge、gaas、zno或sic)來實(shí)現(xiàn)。接合層可以進(jìn)一步形成在支撐元件525與反射層524之間。

<照明系統(tǒng)>

圖14是示出包括實(shí)施例的發(fā)光封裝的顯示器件的透視圖。

如圖所示，本實(shí)施例的顯示器件1000可以包括：導(dǎo)光板1041；光源模塊1031，向?qū)Ч獍?041提供光；反射元件1022，位于導(dǎo)光板1041下面；光學(xué)片1051，位于導(dǎo)光板上面；顯示面板1061，位于光學(xué)片1051上面；以及底罩1011，容納導(dǎo)光板1041、光源模塊1031和反射元件1022。

底罩1011、反射片1022、導(dǎo)光板1041以及光學(xué)片1051可以限定為照明單元1050。

導(dǎo)光板1041用于擴(kuò)散光，以提供表面光源。導(dǎo)光板1041由透明材料形成，例如，可以包括諸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)等丙烯酸樹脂以及包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯(pc)、環(huán)烯烴共聚物(coc)和聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)的樹脂中的任何一種。

光源模塊1031將光提供到導(dǎo)光板1041的至少一個(gè)表面并且最終用作顯示器件的光源。

至少一個(gè)光源模塊1031設(shè)置為從導(dǎo)光板1041的一個(gè)側(cè)表面直接或間接提供光。光源模塊1031可以包括根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光封裝110，并且多個(gè)發(fā)光封裝110可以彼此間隔開一間隙布置在襯底1033上。

襯底1033可以是包括電路圖案(未示出)的印刷電路板(pcb)。然而，襯底1033可以包括金屬芯pcb(mcpcb)和柔性pcb(fpcb)以及普通pcb，但本公開文本不限于此。發(fā)光封裝110可以直接布置在底罩1011的側(cè)表面或散熱板上。

反射元件1022可以布置在導(dǎo)光板1041下面。反射元件1022可以反射輸入到導(dǎo)光板1041的下表面的光以提高照明單元1050的亮度。反射元件1022例如可以由pet、pc或pvc形成，但本公開文本不限于此。

底罩1011可以容納導(dǎo)光板1041、光源模塊1031以及反射元件1022。底罩1011可以包括具有頂部開放的箱體形狀的容納部1012，但本公開文本不限于此。底罩1011可以與頂罩耦接，但本公開文本不限于此。

底罩1011可以由金屬或樹脂形成，并且可以通過使用諸如按壓或擠壓等工藝來制造。另外，底罩1011可以包括導(dǎo)電材料或非金屬。

顯示面板1061例如是lcd面板，并且可以包括彼此相對(duì)的第一透明襯底和第二透明襯底以及置于第一襯底與第二襯底之間的液晶層。偏振板可以布置在顯示面板1061的至少一個(gè)表面上。顯示面板1061通過穿過光學(xué)片1051的光來顯示信息。顯示器件1000可以應(yīng)用于各種便攜終端、筆記本電腦的顯示器、膝上型電腦的顯示器或者電視。

光學(xué)片1051可以布置在顯示面板1061與導(dǎo)光板1041之間。光學(xué)片1051可以包括至少一個(gè)透明片。光學(xué)片1051例如可以包括擴(kuò)散片、至少一個(gè)棱鏡片以及保護(hù)片中的至少一種。擴(kuò)散片可以包括擴(kuò)散輸入光的功能。棱鏡片可以包括會(huì)聚輸入到顯示區(qū)域的光的功能。保護(hù)片可以包括保護(hù)棱鏡片的功能。

<照明設(shè)備>

圖15是示出包括實(shí)施例的發(fā)光封裝的顯示器件的另一個(gè)示例的剖視圖。

如圖15所示，第二示例的顯示器件1100可以包括：底罩1152；襯底1120，其上安裝有發(fā)光封裝110；光學(xué)元件1154；以及顯示面板1155。

襯底1120和發(fā)光封裝110可以限定為光源模塊1160。底罩1152、至少一個(gè)光源模塊1160以及光學(xué)元件1154可以限定為照明單元1150。底罩1152可以耦接至頂罩，但是本公開文本不限于此。光源模塊1160可以包括襯底1120和布置在襯底1120上的多個(gè)發(fā)光封裝110。

這里，光學(xué)元件1154可以包括透鏡、擴(kuò)散板、擴(kuò)散片、棱鏡片以及保護(hù)片中的至少一種。擴(kuò)散板可以由pc或聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)形成。擴(kuò)散片可以擴(kuò)散輸入光，棱鏡片可以會(huì)聚輸入到顯示區(qū)域的光，并且保護(hù)片可以保護(hù)棱鏡片。

光學(xué)元件1154布置在光源模塊1060上，以將從光源模塊1060發(fā)出的光用作表面光源，并且對(duì)該光進(jìn)行擴(kuò)散和會(huì)聚。

發(fā)光元件可以包括用作照明系統(tǒng)的光源的發(fā)光封裝，例如，可以用作諸如圖像顯示器件的光源或照明器件等光源。

邊緣型背光單元或直下背光單元可以用作圖像顯示器件的背光單元，電燈或燈泡類型可以用作照明器件的光源，或者可以使用移動(dòng)終端的光源。

除了上述發(fā)光二極管之外，發(fā)光元件還包括激光二極管。

與發(fā)光元件類似，激光二極管可以包括具有上述結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。此外，對(duì)于在p型的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體彼此接合之后電流流動(dòng)時(shí)發(fā)出光的電致發(fā)光現(xiàn)象，光的方向性和相位之間存在差異。也就是說，激光二極管可以配置為使得通過使用受激發(fā)射現(xiàn)象和增強(qiáng)干涉現(xiàn)象，特定波長的光(單色束)具有相同的相位和相同的方向，并且由于這些特性，激光二極管可以用于光學(xué)通信、醫(yī)療設(shè)備或半導(dǎo)體工藝設(shè)備。

光接收元件例如可以包括光電探測(cè)器，光電探測(cè)器是檢測(cè)光以將光的強(qiáng)度轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的轉(zhuǎn)換器。光電探測(cè)器包括光學(xué)池(硅或硒)、光電導(dǎo)元件(硫化鎘、鎘硒)、光電二極管(例如，在可見盲光譜區(qū)或真正盲光譜區(qū)中具有峰值波長的pd)、光電晶體管、光子倍增器、光電管(真空或封裝氣體)或紅外(ir)檢測(cè)器，但是本公開文本不限于此。

此外，諸如光電探測(cè)器等半導(dǎo)體可以通過使用通常具有優(yōu)異的光轉(zhuǎn)換效率的直接帶隙半導(dǎo)體來制造。此外，光電探測(cè)器具有各種結(jié)構(gòu)，并且最普遍的結(jié)構(gòu)包括使用p-n結(jié)的針型光電探測(cè)器、使用肖特基結(jié)的肖特基光電探測(cè)器以及金屬半導(dǎo)體金屬(msm)型光電探測(cè)器。

類似于發(fā)光元件，光電二極管可以包括具有上述結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，并且具有pn結(jié)或針結(jié)構(gòu)。光電二極管通過施加反向偏壓或零偏壓進(jìn)行工作，并且電子和空穴產(chǎn)生使得通過將光輸入到光電二極管，電流流動(dòng)。然后，電流的大小可以與輸入到光電二極管的光的強(qiáng)度大體成比例。

光電池或太陽能電池是一種光電二極管，并且可以將光轉(zhuǎn)換成電流。與與發(fā)光元件類似，太陽能電池可以包括具有上述結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。

此外，通過使用p-n結(jié)的普通二極管的整流特性，太陽能電池還可以用作電子電路的整流器，并且可以應(yīng)用于超高頻電路，超高頻電路應(yīng)用于振蕩電路。

此外，上述半導(dǎo)體元件不一定是半導(dǎo)體，并且根據(jù)情況還可以包括金屬材料。例如，諸如光接收元件等半導(dǎo)體元件可以通過ag、al、au、in、ga、n、zn、se、p和as中的至少一種來實(shí)現(xiàn)，并且還可以通過使用摻雜p型或n型摻雜劑的半導(dǎo)體材料或者本征半導(dǎo)體材料來實(shí)現(xiàn)。盡管已經(jīng)主要描述了實(shí)施例，但這些實(shí)施例僅是示例性的，并且不限制本公開文本，并且本公開文本所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在不脫離這些實(shí)施例的必要特性的情況下，可以進(jìn)行各種修改和應(yīng)用。例如，可以修改這些實(shí)施例的詳細(xì)元件。此外，應(yīng)理解與權(quán)利要求書中限定的修改和應(yīng)用有關(guān)的不同也落入本公開文本的范圍內(nèi)。

該實(shí)施例的發(fā)光封裝可以通過設(shè)置暴露于主體的側(cè)表面的第一引線框和第二引線框的突起以具有在檢查工序中提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的焊盤功能，從而利用第一層改進(jìn)因氧化引起的腐蝕。

此外，因?yàn)楸緦?shí)施例的發(fā)光封裝在第一引線框和第二引線框的暴露于主體的側(cè)表面的突起的外圍處具有切口區(qū)域，所以可以通過抗氧化的導(dǎo)電突起提高檢查工序的可靠性。