本發(fā)明涉及到led技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種微小化多色發(fā)光csp芯片制作方法。
背景技術(shù)：
發(fā)明原因：多顏色led混色補色的背光技術(shù)是當(dāng)前研究的熱點。早在2000年，日本就已生產(chǎn)出多芯片型led背光產(chǎn)品。隨后，各大公司相繼推出以多芯片型led為背光的高性能lcd。但具體怎樣混色補色，現(xiàn)在公開的文獻(xiàn)還很少。
雖然紅綠藍(lán)3種顏色led燈混合出的背光色域?qū)?，但存在紅邊現(xiàn)象。本文采用白色led燈作為主光源，然后用橙燈和藍(lán)燈作為補色光源，得到出屏白場色溫在(6500±100)k以內(nèi)，色坐標(biāo)u′在0。198±0。01以內(nèi)，v′在0。468±0。01以內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)白色光。
光刻技術(shù)：
光刻的步驟主要有：前處理、旋涂光刻膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、檢查圖形幾個步驟。
光刻通常分為以光子為光源的光刻技術(shù)、以粒子為光源的光刻技術(shù)以及物理接觸式光刻技術(shù)。在上述光刻技術(shù)中，以光子為基礎(chǔ)的光刻技術(shù)種類很多，其原理是當(dāng)光照射到光刻膠上時，受到光照的部分發(fā)生降解反應(yīng)而能被顯影液溶解(正膠)，或發(fā)生交鏈反應(yīng)而成為不溶物(負(fù)膠)，正膠顯影后的圖形與掩膜板上圖形一致，負(fù)膠顯影后的圖形與掩膜板上互補。
csp技術(shù)：雖然業(yè)內(nèi)人士都大概知道csp的定義，但各類翻譯和說法不一，簡單地說，csp(chipscalepackage)，翻譯成中文的意思是芯片尺寸封裝，或者叫芯片級封裝。
csp是最新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)，其技術(shù)性主要體現(xiàn)為讓芯片面積與封裝面積之比超過1:1.14，與理想情況的1:1相當(dāng)接近；相對led產(chǎn)業(yè)而言，csp封裝是基于倒裝技術(shù)而存在的，csp器件是指將封裝體積與倒裝芯片體積控制至相同或封裝體積不大于倒裝芯片體積的20％。
從以上定義可以獲取幾個關(guān)鍵性特點：1、面積大約是芯片面積的1.2倍或者更??；2、沒有金線和支架3、目前只能采用倒裝芯片技術(shù)來實現(xiàn)；4、生產(chǎn)工藝及設(shè)備精度要求高。
ic芯片內(nèi)部：ic芯片內(nèi)部是晶體管、二極管、電容、電阻、電感等等元件，加上多個淀積金屬材料形成的互連層和多個淀積絕緣材料形成的絕緣層。然后再封裝，用導(dǎo)線連到印刷版或襯底上。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種微小化多色發(fā)光csp芯片制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
s1:在藍(lán)光led芯片的襯底上制作多個獨立的藍(lán)光控制單元，并對各藍(lán)光控制單元之間進(jìn)行絕緣處理；
s2:從所述藍(lán)光led芯片內(nèi)部引出導(dǎo)線至底部焊盤，通過底部焊盤控制電流通斷達(dá)到分別對各藍(lán)光控制單元進(jìn)行獨立供電控制；
s3:先在藍(lán)光led芯片表面涂上熒光膠和光刻膠，選擇一個藍(lán)光控制單元對應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行顯影，對其他藍(lán)光控制單元對應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行曝光，然后去除顯影部分的光刻膠，同時去除曝光區(qū)域的熒光膠；
s4:在藍(lán)光led芯片表面涂上另一顏色熒光膠和光刻膠，選擇另外一個藍(lán)光控制單元進(jìn)行顯影，對其他藍(lán)光控制單元對應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行曝光，然后去除顯影部分的光刻膠，同時去除曝光區(qū)域的熒光膠；
s5：多次重復(fù)步驟s4的光刻曝光工藝，直至各藍(lán)光控制單元表面分別涂布有不同的顏色的熒光膠；完成多色可控csp芯片的制備。
較佳地，所述各獨立的藍(lán)光控制單元數(shù)量與大小可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。
本發(fā)明具有以下有益效果：
本發(fā)明將ic制成工藝和光刻技術(shù)應(yīng)用到ledcsp芯片封裝工藝中，在單顆芯片上實現(xiàn)單顆芯片的微小化可控多色發(fā)光技術(shù)。
當(dāng)然，實施本發(fā)明的任一產(chǎn)品并不一定需要同時達(dá)到以上所述的所有優(yōu)點。
附圖說明
圖1為本發(fā)明提供的微小化多色發(fā)光csp芯片制作方法流程示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例對本發(fā)明中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
本發(fā)明實施例提供了本發(fā)明提供了一種微小化多色發(fā)光csp芯片制作方法，其包括以下步驟：
s1:在藍(lán)光led芯片的襯底上制作多個獨立的藍(lán)光控制單元，并對各藍(lán)光控制單元之間進(jìn)行絕緣處理；
s2:從所述藍(lán)光led芯片內(nèi)部引出導(dǎo)線至底部焊盤，通過底部焊盤控制電流通斷達(dá)到分別對各藍(lán)光控制單元進(jìn)行獨立供電控制；本實施例中藍(lán)光控制單元分別具有正極與負(fù)極，通過對正極與負(fù)極的供電控制完成對藍(lán)光控制單元的供電控制；
s3:先在藍(lán)光led芯片表面涂上熒光膠和光刻膠，選擇一個藍(lán)光控制單元對應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行顯影，對其他藍(lán)光控制單元對應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行曝光，然后去除顯影部分的光刻膠，同時去除曝光區(qū)域的熒光膠；
s4:在藍(lán)光led芯片表面涂上另一顏色熒光膠和光刻膠，選擇另外一個藍(lán)光控制單元進(jìn)行顯影，對其他藍(lán)光控制單元對應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行曝光，然后去除顯影部分的光刻膠，同時去除曝光區(qū)域的熒光膠；
s5：多次重復(fù)步驟s4的光刻曝光工藝，直至各藍(lán)光控制單元表面分別涂布有不同的顏色的熒光膠；完成多色可控csp芯片的制備。
本實施例中所述各獨立的藍(lán)光控制單元數(shù)量與大小可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。
本發(fā)明將ic制成工藝和光刻技術(shù)應(yīng)用到ledcsp芯片封裝工藝中，在單顆芯片上實現(xiàn)單顆芯片的微小化可控多色發(fā)光技術(shù)。
以上公開的本發(fā)明優(yōu)選實施例只是用于幫助闡述本發(fā)明。優(yōu)選實施例并沒有詳盡敘述所有的細(xì)節(jié)，也不限制該發(fā)明僅為所述的具體實施方式。顯然，根據(jù)本說明書的內(nèi)容，可作很多的修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實施例，是為了更好地解釋本發(fā)明的原理和實際應(yīng)用，從而使所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員能很好地理解和利用本發(fā)明。本發(fā)明僅受權(quán)利要求書及其全部范圍和等效物的限制。