本發(fā)明涉及半導(dǎo)體
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種高亮度發(fā)光二極管的芯片及其制造方法。
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體發(fā)光二極管(英文：LightEmittingDiode，簡稱：LED)具有體積小、耗電量低、使用壽命長、安全可靠性高、衛(wèi)生環(huán)保等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于指示燈、顯示屏、照明等領(lǐng)域。目前AlGaInP基LED芯片包括GaAs襯底、以及依次層疊在GaAs襯底上的N型限制層、有源層、P型限制層、GaP窗口層，P型電極設(shè)置在GaP窗口層上，N型電極設(shè)置在GaAs襯底上。在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：雖然AlGaInP基LED芯片具有極高的內(nèi)量子效率，但是AlGaInP的折射率(約為2.9)與空氣的折射率相差很大，AlGaInP基LED和空氣的交界面的全反射臨界角約為20°，有源層產(chǎn)生的光僅有很小一部分(約3％)可以射出到空氣中，加上GaAs襯底會吸收有源層發(fā)出的光，造成AlGaInP基LED芯片的外量子效率不佳。技術(shù)實現(xiàn)要素：為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明實施例提供了一種高亮度發(fā)光二極管的芯片及其制造方法。所述技術(shù)方案如下：一方面，本發(fā)明實施例提供了一種高亮度發(fā)光二極管的芯片的制造方法，所述制造方法包括：在GaAs襯底的第一表面上依次外延生長N型限制層、有源層、P型限制層、GaP窗口層；在所述GaP窗口層上設(shè)置至少兩個P型電極；在所述GaAs襯底的第二表面上的所有區(qū)域設(shè)置N型電極，得到芯片半成品，所述第二表面為與所述第一表面相反的表面；在所述GaP窗口層上沿所述芯片半成品外延生長的方向切割所述芯片半成品，形成從所述GaP窗口層延伸至所述GaAs襯底的切割道，所述切割道將所述芯片半成品分成至少兩個芯片，每個芯片包括一個所述P型電極；通過所述切割道濕法腐蝕所述GaAs襯底，所述第一表面與所述第一表面的相鄰表面的夾角從直角變成鈍角；沿所述切割道的延伸方向劈裂所述芯片半成品，得到至少兩個相互獨立的芯片。在本發(fā)明一種可能的實現(xiàn)方式中，所述在所述GaP窗口層上設(shè)置至少兩個P型電極，包括：采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在所述GaP窗口層上形成歐姆接觸層；采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在所述歐姆接觸層上形成臨時保護(hù)層；利用合金爐管對所述歐姆接觸層進(jìn)行高溫處理，所述歐姆接觸層在所述臨時保護(hù)層的限制下滲入所述GaP窗口層形成歐姆接觸；去除所述臨時保護(hù)層，并采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在所述歐姆接觸層上形成打線粘結(jié)層；利用光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)去除部分的所述打線粘結(jié)層和所述歐姆接觸層，所述GaP窗口層在歐姆接觸的作用下變成粗化表面，留下的所述打線粘結(jié)層和所述歐姆接觸層形成所述P型電極。在本發(fā)明另一種可能的實現(xiàn)方式中，所述在所述GaP窗口層上設(shè)置至少兩個P型電極，包括：采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在所述GaP窗口層上形成歐姆接觸層和打線粘結(jié)層；利用光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)去除部分的所述打線粘結(jié)層和所述歐姆接觸層，形成所述P型電極；采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在所述打線粘結(jié)層和所述GaP窗口層上形成臨時保護(hù)層；利用合金爐管對所述歐姆接觸層進(jìn)行高溫處理，所述歐姆接觸層在所述臨時保護(hù)層的限制下滲入所述GaP窗口層形成歐姆接觸；去除所述臨時保護(hù)層?？蛇x地，所述歐姆接觸層的材料采用Au、Cr、Pt、AuBe、AuZn、Ti、Ni中的一種或多種，所述臨時保護(hù)層的材料采用SiO2、SiN中的一種或兩種，所述打線粘結(jié)層的材料采用Au、Al、Cr、Pt、AuBe、AuZn、Ti、Ni中的一種或多種。可選地，所述高溫處理的溫度為480℃，所述高溫處理的時間為10min以上。在本發(fā)明又一種可能的實現(xiàn)方式中，所述通過所述切割道濕法腐蝕所述GaAs襯底，所述第一表面與所述第一表面的相鄰表面的夾角從直角變成鈍角，包括：在所述N型電極上涂覆一層光刻膠；將氨水、雙氧水、水混合在一起，得到弱堿性溶液；將所述芯片半成品放入所述弱堿性溶液中，所述弱堿性溶液通過所述切割道進(jìn)入所述芯片半成品內(nèi)腐蝕所述GaAs襯底，將所述第一表面與所述第一表面的相鄰表面的夾角腐蝕成鈍角；從所述弱堿性溶液中取出所述芯片半成品，并去除所述光刻膠?？蛇x地，所述弱堿性溶液中氨水、雙氧水、水的體積比為2：1：18或者2：1：5，所述弱堿性溶液腐蝕的溫度為18～22℃，所述弱堿性溶液腐蝕的時間為7～15min。另一方面，本發(fā)明實施例提供了一種高亮度發(fā)光二極管的芯片，所述芯片包括GaAs襯底、以及依次層疊在所述GaAs襯底的第一表面上的N型限制層、有源層、P型限制層、GaP窗口層、P型電極，N型電極設(shè)置在所述GaAs襯底的第二表面上，所述第二表面為與所述第一表面相反的表面，所述第一表面與所述第一表面的相鄰表面的夾角為鈍角?？蛇x地，所述GaP窗口層設(shè)置所述P型電極的表面為粗化表面?？蛇x地，所述第二表面與所述第一表面的邊長差為15～30μm。本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：通過將GaAs襯底進(jìn)行外延生長的表面與其相鄰表面的夾角從直角腐蝕成鈍角，GaAs襯底呈梯形結(jié)構(gòu)，一方面改變光線的出光角度，有源層產(chǎn)生的光的入射角度容易滿足臨界角要求而射出，有效減少了出光界面的全反射，避免光線限制在LED芯片內(nèi)被損耗，提高LED芯片的出光效率，另一方面減少了LED芯片內(nèi)吸收光的GaAs襯底，進(jìn)一步提高LED芯片的出光效率，最終提高AlGaInP基LED芯片的外量子效率。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本發(fā)明實施例一提供的一種高亮度發(fā)光二極管的芯片的制造方法的流程示意圖；圖2a-圖2d是本發(fā)明實施例一提供的芯片半成品制造過程中的結(jié)構(gòu)示意程圖；圖3是本發(fā)明實施例五提供的一種高亮度發(fā)光二極管的芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。實施例一本發(fā)明實施例提供了一種高亮度發(fā)光二極管的芯片的制造方法，參見圖1，該制造方法包括：步驟101：在GaAs襯底的第一表面上依次外延生長N型限制層、有源層、P型限制層、GaP窗口層。在本實施例中，N型限制層為N型AlInP層，有源層包括交替層疊的兩種Al組分含量不同的AlGaInP層，P型限制層為P型AlInP層。步驟102：在GaP窗口層上設(shè)置至少兩個P型電極。在本實施例的一種實現(xiàn)方式中，該步驟102可以包括：采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在GaP窗口層上形成歐姆接觸層；采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在歐姆接觸層上形成臨時保護(hù)層；利用合金爐管對歐姆接觸層進(jìn)行高溫處理，歐姆接觸層在臨時保護(hù)層的限制下滲入GaP窗口層形成歐姆接觸；去除臨時保護(hù)層，并采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在歐姆接觸層上形成打線粘結(jié)層；利用光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)去除部分的打線粘結(jié)層和歐姆接觸層，GaP窗口層在歐姆接觸的作用下變成粗化表面，留下的打線粘結(jié)層和歐姆接觸層形成P型電極。在本實施例的另一種實現(xiàn)方式中，該步驟102可以包括：采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在GaP窗口層上形成歐姆接觸層和打線粘結(jié)層；利用光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)去除部分的打線粘結(jié)層和歐姆接觸層，形成P型電極；采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在打線粘結(jié)層和GaP窗口層上形成臨時保護(hù)層；利用合金爐管對歐姆接觸層進(jìn)行高溫處理，歐姆接觸層在臨時保護(hù)層的限制下滲入GaP窗口層形成歐姆接觸；去除臨時保護(hù)層。需要說明的是，電極直接沉積在GaP窗口層上是無法與GaP窗口層之間形成歐姆接觸的，本發(fā)明一方面創(chuàng)造高溫環(huán)境，使作為電極底部的歐姆接觸層上下滲透，另一方面利用臨時保護(hù)層的阻擋作用，使歐姆接觸層只能向下滲透到GaP窗口層內(nèi)形成歐姆接觸。歐姆接觸層與GaP之間形成歐姆接觸之后，作為電極頂部的打線粘結(jié)層形成在歐姆接觸層上時，即可與歐姆接觸層之間形成歐姆接觸?？蛇x地，歐姆接觸層的材料可以采用Au、Cr、Pt、AuBe、AuZn、Ti、Ni中的一種或多種?？蛇x地，臨時保護(hù)層的材料可以采用SiO2、SiN中的一種或兩種?？蛇x地，打線粘結(jié)層的材料可以采用Au、Al、Cr、Pt、AuBe、AuZn、Ti、Ni中的一種或多種?？蛇x地，高溫處理的溫度可以為480℃，高溫處理的時間可以為10min以上。步驟103：在GaAs襯底的第二表面上的所有區(qū)域設(shè)置N型電極，得到芯片半成品。在本實施例中，第二表面為與第一表面相反的表面。圖2a為步驟103執(zhí)行之后芯片半成品的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為GaAs襯底，2為N型限制層，3為有源層，4為P型限制層，5為GaP窗口層，6為P型電極，7為N型電極。步驟104：在GaP窗口層上沿芯片半成品外延生長的方向切割芯片半成品，形成從GaP窗口層延伸至GaAs襯底的切割道。在本實施例中，切割道將芯片半成品分成至少兩個芯片，每個芯片包括一個P型電極。在具體實現(xiàn)中，切割道將芯片半成品切成網(wǎng)格狀。圖2b為步驟104執(zhí)行之后芯片半成品的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為GaAs襯底，2為N型限制層，3為有源層，4為P型限制層，5為GaP窗口層，6為P型電極，7為N型電極?？蛇x地，切割道的最大寬度可以為10～30μm，切割道的深度可以為25～50μm。優(yōu)選地，切割道的最大寬度可以為15～25μm，切割道的深度可以為30～40μm。步驟105：通過切割道濕法腐蝕GaAs襯底，第一表面與第一表面的相鄰表面的夾角從直角變成鈍角。圖2c為步驟105執(zhí)行之后芯片半成品的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為GaAs襯底，2為N型限制層，3為有源層，4為P型限制層，5為GaP窗口層，6為P型電極，7為N型電極。在本實施例的又一種實現(xiàn)方式中，該步驟105可以包括：在N型電極上涂覆一層光刻膠；將氨水、雙氧水、水混合在一起，得到弱堿性溶液；將芯片半成品放入弱堿性溶液中，弱堿性溶液通過切割道進(jìn)入芯片半成品內(nèi)腐蝕GaAs襯底，將第一表面與第一表面的相鄰表面的夾角腐蝕成鈍角；從弱堿性溶液中取出芯片半成品，并去除光刻膠。需要說明的是，由于弱堿性溶液是從切割道進(jìn)入芯片半成品內(nèi)，因此GaAs襯底內(nèi)越靠近GaP窗口層的位置接觸的弱堿性溶液越多，腐蝕越快，最終形成梯形結(jié)構(gòu)。容易知道，將氨水、雙氧水、水混合在一起之后，會將得到的弱堿性溶液攪拌均勻再使用。腐蝕過程中，光刻膠可以保護(hù)GaAs襯底的第二表面不被腐蝕?？蛇x地，弱堿性溶液中氨水、雙氧水、水的體積比可以為2：1：18，也可以為2：1：5?？蛇x地，弱堿性溶液腐蝕的溫度可以為18～22℃，弱堿性溶液腐蝕的時間可以為7～15min?？蛇x地，光刻膠的厚度可以為2μm以上?？蛇x地，第二表面與第一表面的邊長差可以變?yōu)?5～30μm。步驟106：沿切割道的延伸方向劈裂芯片半成品，得到至少兩個相互獨立的芯片。圖2d為步驟106執(zhí)行之后芯片半成品的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為GaAs襯底，2為N型限制層，3為有源層，4為P型限制層，5為GaP窗口層，6為P型電極，7為N型電極。在本實施例的一種實現(xiàn)方式中，該步驟106可以包括：采用切割刀片沿切割道的延伸方向劈裂芯片半成品，得到至少兩個相互獨立的芯片。在本實施例的另一種實現(xiàn)方式中，該步驟106可以包括：采用激光劃片機(jī)在N型電極上劃出與切割道位置相對的劃道；采用切割刀片從N型電極一側(cè)沿劃道的延伸方向劈裂芯片半成品，將劃道與位置相對的切割道連通，得到至少兩個相互獨立的芯片?？蛇x地，切割刀片的寬度可以為10～15μm，與切割道的尺寸匹配。在實際應(yīng)用中，可以先對芯片半成品進(jìn)行光電參數(shù)測試，在芯片半成品通過光電參數(shù)測試之后，再沿切割道的延伸方向劈裂芯片半成品，得到至少兩個相互獨立的芯片。本發(fā)明實施例通過將GaAs襯底進(jìn)行外延生長的表面與其相鄰表面的夾角從直角腐蝕成鈍角，GaAs襯底呈梯形結(jié)構(gòu)，一方面改變光線的出光角度，有源層產(chǎn)生的光的入射角度容易滿足臨界角要求而射出，有效減少了出光界面的全反射，避免光線限制在LED芯片內(nèi)被損耗，提高LED芯片的出光效率，另一方面減少了LED芯片內(nèi)吸收光的GaAs襯底，進(jìn)一步提高LED芯片的出光效率，最終提高AlGaInP基LED芯片的外量子效率。而且GaP窗口層變成粗化表面，也可以改變光線的出光角度，進(jìn)一步減少出光界面的全反射，提高AlGaInP基LED芯片的外量子效率。實施例二本發(fā)明實施例提供了一種高亮度發(fā)光二極管的芯片的制造方法，是實施例一提供的制造方法的一種具體實現(xiàn)。具體地，該制造方法包括：步驟201：在GaAs襯底的第一表面上依次外延生長N型限制層、有源層、P型限制層、GaP窗口層。步驟202：采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在GaP窗口層上形成歐姆接觸層，歐姆接觸層包括依次層疊的厚度為100埃的Au、厚度為1400埃的AuBe、厚度為2000埃的Au。步驟203：采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在歐姆接觸層上形成臨時保護(hù)層，臨時保護(hù)層為厚度為1500埃的SiO2。步驟204：利用合金爐管對歐姆接觸層進(jìn)行溫度為480℃、時間為20min的高溫處理，歐姆接觸層在臨時保護(hù)層的限制下滲入GaP窗口層形成歐姆接觸。步驟205：去除臨時保護(hù)層，并采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在歐姆接觸層上形成打線粘結(jié)層，打線粘結(jié)層包括依次層疊的厚度為500埃的Ti和厚度為2500埃的Au。步驟206：利用光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)去除部分的打線粘結(jié)層和歐姆接觸層，GaP窗口層在歐姆接觸的作用下變成粗化表面，留下的打線粘結(jié)層和歐姆接觸層形成P型電極。步驟207：減薄GaAs襯底，采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在GaAs襯底的第二表面上的所有區(qū)域設(shè)置N型電極，N型電極包括依次層疊的厚度為100埃的Au和厚度為1600埃的AuGe。步驟208：采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在P型電極上形成臨時保護(hù)層，并通過高溫處理使N型電極與GaAs襯底形成歐姆接觸。步驟209：去除臨時保護(hù)層，采用切割刀片形成從GaP窗口層延伸至GaAs襯底的切割道，切割道的最大寬度為20～25μm，切割道的深度為30～35μm。需要說明的是，在通過高溫處理使N型電極與GaAs襯底形成歐姆接觸的過程中，高溫會對P型電極造成影響，因此需要再次沉積臨時保護(hù)層對P型電極進(jìn)行保護(hù)。同時鑒于N型電極和P型電極設(shè)置區(qū)域的不同，N型電極在高溫處理的過程中，不需要沉積臨時保護(hù)層進(jìn)行保護(hù)。步驟210：在N型電極上涂覆一層厚度為2.5μm的光刻膠。步驟211：將氨水、雙氧水、水按照2:1:18的體積比混合在一起，攪拌均勻后控制溶液為18～22℃。步驟212：將芯片半成品放入溶液中腐蝕12min。步驟213：從溶液中取出芯片半成品，并去除光刻膠。步驟214：沿切割道的延伸方向劈裂芯片半成品，得到至少兩個相互獨立的芯片。實施例三本發(fā)明實施例提供了一種高亮度發(fā)光二極管的芯片的制造方法，是實施例一提供的制造方法的另一種具體實現(xiàn)。具體地，該制造方法包括：步驟301：在GaAs襯底的第一表面上依次外延生長N型限制層、有源層、P型限制層、GaP窗口層。步驟302：采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在GaP窗口層上形成歐姆接觸層，歐姆接觸層包括依次層疊的厚度為100埃的Au、厚度為1400埃的AuBe、厚度為2000埃的Au。步驟303：采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在歐姆接觸層上形成臨時保護(hù)層，臨時保護(hù)層為厚度為1500埃的SiO2。步驟304：利用合金爐管對歐姆接觸層進(jìn)行溫度為480℃、時間為20min的高溫處理，歐姆接觸層在臨時保護(hù)層的限制下滲入GaP窗口層形成歐姆接觸。步驟305：去除臨時保護(hù)層，并采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在歐姆接觸層上形成打線粘結(jié)層，打線粘結(jié)層包括依次層疊的厚度為500埃的Ti和厚度為2500埃的Au。步驟306：利用光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)去除部分的打線粘結(jié)層和歐姆接觸層，GaP窗口層在歐姆接觸的作用下變成粗化表面，留下的打線粘結(jié)層和歐姆接觸層形成P型電極。步驟307：減薄GaAs襯底，采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在GaAs襯底的第二表面上的所有區(qū)域設(shè)置N型電極，N型電極包括依次層疊的厚度為100埃的Au和厚度為1600埃的AuGe。步驟308：采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在P型電極上形成臨時保護(hù)層，并通過高溫處理使N型電極與GaAs襯底形成歐姆接觸。步驟309：去除臨時保護(hù)層，采用切割刀片形成從GaP窗口層延伸至GaAs襯底的切割道，切割道的最大寬度為20～25μm，切割道的深度為30～35μm。需要說明的是，在通過高溫處理使N型電極與GaAs襯底形成歐姆接觸的過程中，高溫會對P型電極造成影響，因此需要再次沉積臨時保護(hù)層對P型電極進(jìn)行保護(hù)。同時鑒于N型電極和P型電極設(shè)置區(qū)域的不同，N型電極在高溫處理的過程中，不需要沉積臨時保護(hù)層進(jìn)行保護(hù)。步驟310：在N型電極上涂覆一層厚度為2.5μm的光刻膠。步驟311：將氨水、雙氧水、水按照2:1:5的體積比混合在一起，攪拌均勻后控制溶液為18～22℃。步驟312：將芯片半成品放入溶液中腐蝕7min。步驟313：從溶液中取出芯片半成品，并去除光刻膠。步驟314：沿切割道的延伸方向劈裂芯片半成品，得到至少兩個相互獨立的芯片。實施例四本發(fā)明實施例提供了一種高亮度發(fā)光二極管的芯片的制造方法，是實施例一提供的制造方法的另一種具體實現(xiàn)。具體地，該制造方法包括：步驟401：在GaAs襯底的第一表面上依次外延生長N型限制層、有源層、P型限制層、GaP窗口層。步驟402：采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在GaP窗口層上形成歐姆接觸層和打線粘結(jié)層，歐姆接觸層包括依次層疊的厚度為100埃的Au、厚度為1400埃的AuBe、厚度為2000埃的Au，打線粘結(jié)層包括依次層疊的厚度為500埃的Ti和厚度為2500埃的Au。步驟403：利用光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)去除部分的打線粘結(jié)層和歐姆接觸層,形成P型電極。步驟404：采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在打線粘結(jié)層和GaP窗口層上形成臨時保護(hù)層，臨時保護(hù)層為厚度為1500埃的SiN。步驟405：利用合金爐管對歐姆接觸層進(jìn)行溫度為480℃、時間為20min的高溫處理，歐姆接觸層在臨時保護(hù)層的限制下滲入GaP窗口層形成歐姆接觸。步驟406：減薄GaAs襯底，采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在GaAs襯底的第二表面上的所有區(qū)域設(shè)置N型電極，N型電極包括依次層疊的厚度為100埃的Au和厚度為1600埃的AuGe。步驟407：通過高溫處理使N型電極與GaAs襯底形成歐姆接觸。步驟408：去除臨時保護(hù)層，采用切割刀片形成從GaP窗口層延伸至GaAs襯底的切割道，切割道的最大寬度為20～25μm，切割道的深度為30～35μm。需要說明的是，在通過高溫處理使N型電極與GaAs襯底形成歐姆接觸的過程中，高溫會對P型電極造成影響，因此在通過高溫處理使P型電極中的歐姆接觸層與GaP窗口層形成歐姆接觸之后，并沒有立即去除臨時保護(hù)層，而是將臨時保護(hù)層保留在通過高溫處理使N型電極與GaAs襯底形成歐姆接觸之后再去除，以在通過高溫處理使N型電極與GaAs襯底形成歐姆接觸的過程中，再次利用臨時保護(hù)層對P型電極進(jìn)行保護(hù)。同時鑒于N型電極和P型電極設(shè)置區(qū)域的不同，N型電極在高溫處理的過程中，不需要沉積臨時保護(hù)層進(jìn)行保護(hù)。步驟409：在N型電極上涂覆一層厚度為2.5μm的光刻膠。步驟410：將氨水、雙氧水、水按照2:1:18的體積比混合在一起，攪拌均勻后控制溶液為18～22℃。步驟411：將芯片半成品放入溶液中腐蝕12min。步驟412：從溶液中取出芯片半成品，并去除光刻膠。步驟413：沿切割道的延伸方向劈裂芯片半成品，得到至少兩個相互獨立的芯片。將實施例二、實施例三、實施例四得到的芯片、以及進(jìn)行亮度比對的芯片進(jìn)行光電參數(shù)測試，其中進(jìn)行比對的芯片沒有經(jīng)過濕法腐蝕(即第一表面與其相鄰表面的夾角為直角)，尺寸等均與實施例二、實施例三、實施例四得到的芯片相同，測試后的亮度提升比例如下表一所示：表一表面是否粗化溶液的體積比濕法腐蝕時間亮度提升比例實施例二是2:1:1812min16％實施例三是2:1:57min15％實施例四否2:1:1812min6％實施例五本發(fā)明實施例提供了一種高亮度發(fā)光二極管的芯片，可以采用實施例一、實施例二、實施例三或者實施例四提供的制造方法制造而成，參見圖3，該芯片包括GaAs襯底1、以及依次層疊在GaAs襯底1的第一表面上的N型限制層2、有源層3、P型限制層4、GaP窗口層5、P型電極6，N型電極7設(shè)置在GaAs襯底1的第二表面上，第二表面為與第一表面相反的表面，第一表面與第一表面的相鄰表面的夾角為鈍角。可選地，GaP窗口層設(shè)置P型電極的表面可以為粗化表面。GaP窗口層變成粗化表面，可以改變光線的出光角度，減少出光界面的全反射，提高AlGaInP基LED芯片的外量子效率。可選地，第二表面與第一表面的邊長差可以為15～30μm。本發(fā)明實施例通過將GaAs襯底進(jìn)行外延生長的表面與其相鄰表面的夾角從直角腐蝕成鈍角，GaAs襯底呈梯形結(jié)構(gòu)，一方面改變光線的出光角度，有源層產(chǎn)生的光的入射角度容易滿足臨界角要求而射出，有效減少了出光界面的全反射，避免光線限制在LED芯片內(nèi)被損耗，提高LED芯片的出光效率，另一方面減少了LED芯片內(nèi)吸收光的GaAs襯底，進(jìn)一步提高LED芯片的出光效率，最終提高AlGaInP基LED芯片的外量子效率。上述本發(fā)明實施例序號僅僅為了描述，不代表實施例的優(yōu)劣。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3