本發(fā)明是有關(guān)一種封裝結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)及晶片承載座。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有高功率之發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)對(duì)于技術(shù)要求較高，例如：波長、照度、與散熱之要求?，F(xiàn)有高功率之發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)大都采用高溫共燒多層陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramic，HTCC)，而上述高溫共燒技術(shù)之技術(shù)門檻與成本費(fèi)用皆較高，進(jìn)而阻礙高功率之發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)之發(fā)展。

于是，本發(fā)明人有感上述缺陷之可改善，乃特潛心研究并配合學(xué)理之運(yùn)用，終于提出一種設(shè)計(jì)合理且有效改善上述缺陷之本發(fā)明。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例在于提供一種發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)及晶片承載座，其能有效地改善上述現(xiàn)有高功率之發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生之問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)，包括：一晶片承載座，包含：一陶瓷基板，其具有一第一板面、位于該第一板面相反側(cè)的一第二板面、及位于該第一板面與該第二板面之間的一外側(cè)面；其中，該陶瓷基板形成有貫穿該第一板面與該第二板面的一容置孔；一線路層，其設(shè)置于該陶瓷基板的該第一板面；一金屬塊，包含：一本體部，其設(shè)置于該陶瓷基板的該容置孔，該本體部凸伸出該第一板面大致10微米至30微米；其中，凸伸出該第一板面的該本體部區(qū)塊定義為一凸出塊；及一延伸部，其相連于該凸出塊的外緣，并且該延伸部表面以及該凸出塊表面大致呈共平面并共同定義為一固晶面；及一陶瓷反射板，其具有一第一表面、位于該第一表面相反側(cè)的一第二表面、及位于該第一表面與該第二表面之間的一側(cè)表面；其中，該陶瓷反射板設(shè)置于該陶瓷基板上并覆蓋部分的該線路層，并且該陶瓷反射板形成有 貫穿該第一表面與該第二表面的一貫孔，該金屬塊的該固晶面經(jīng)由該貫孔而顯露于該陶瓷反射板之外；以及一發(fā)光二極體晶片，其設(shè)置于該晶片承載座的該固晶面上，并且該發(fā)光二極體晶片電性連接于該線路層。

在一可選的實(shí)施例中，該延伸部包含一第一延伸部及設(shè)置在該第一延伸部上的一第二延伸部，該第一延伸部與該第二延伸部呈環(huán)型并圍繞該本體部的該凸出塊。

在一可選的實(shí)施例中，該線路層具有一第一線路及一第二線路，該第一線路與該第一延伸部相接，且該第一線路與該第一延伸部共平面，而該第二線路分離于該延伸部與該第一線路。

在一可選的實(shí)施例中，該第一線路與該第二線路皆大致呈L型且各包含有垂直相連的一長側(cè)部與一短側(cè)部，該第一線路的該長側(cè)部與該第二線路的該長側(cè)部分別位于該固晶面的相反兩側(cè)且彼此平行，該第一線路的該短側(cè)部與該第二線路的該短側(cè)部位于該固晶面的一側(cè)且彼此相向。

在一可選的實(shí)施例中，該第一線路的該長側(cè)部與該第二線路的該長側(cè)部各于鄰接其短側(cè)部的內(nèi)緣處，凹設(shè)形成有一缺口。

在一可選的實(shí)施例中，進(jìn)一步包括有一齊納二極體晶片，該齊納二極體晶片固定在自該貫孔而顯露于該陶瓷反射板外的該第一線路之短側(cè)部。

在一可選的實(shí)施例中，該陶瓷基板與該陶瓷反射板皆大致為多邊形構(gòu)造，該陶瓷基板的該外側(cè)面切齊于該陶瓷反射板的該側(cè)表面，并且該陶瓷基板的該外側(cè)面及該陶瓷反射板的該側(cè)表面于其各個(gè)角落處形成有一圓弧狀的缺角，該晶片承載座具有多個(gè)延伸線路，所述多個(gè)延伸線路分別形成于該陶瓷基板的該外側(cè)面的所述多個(gè)缺角，并且所述多個(gè)延伸線路連接于該線路層，該晶片承載座具有一焊墊層，并且該焊墊層設(shè)置于該陶瓷基板的該第二板面，而所述多個(gè)延伸線路連接或分離于該焊墊層。

在一可選的實(shí)施例中，該晶片承載座具有一焊墊層，并且該焊墊層設(shè)置于該陶瓷基板的該第二板面，而該金屬塊的該本體部連接于該焊墊層。

在一可選的實(shí)施例中，該晶片承載座具有多個(gè)極性辨識(shí)墊，并且所述多個(gè)極性辨識(shí)墊包含有兩種不同的外型，而所述多個(gè)極性辨識(shí)墊間隔地設(shè)置于該陶瓷反射板的該第一表面上。

在一可選的實(shí)施例中，進(jìn)一步包括有一蓋板與多個(gè)黏著膠體，該蓋板經(jīng) 由所述多個(gè)黏著膠體而黏固于該陶瓷反射板的該第一表面上，該陶瓷反射板的該第一表面凹設(shè)有多個(gè)膠槽，并且所述多個(gè)黏著膠體填設(shè)于所述多個(gè)膠槽并有至少部分突伸出所述多個(gè)膠槽。

在一可選的實(shí)施例中，進(jìn)一步包括有多個(gè)間隔件，所述多個(gè)間隔件夾設(shè)于該陶瓷反射板的該第一表面以及該蓋板之間，并且任一間隔件大致位于兩相鄰的該膠槽之間。

在一可選的實(shí)施例中，進(jìn)一步包括有一固晶膠體，該發(fā)光二極體晶片經(jīng)由該固晶膠體而黏固于該晶片承載座的該固晶面上，并且該固晶膠體為一納米銀膏，該納米銀膏未包含有任何環(huán)氧樹脂。

本發(fā)明實(shí)施例另提供一種晶片承載座，包括：一陶瓷基板，其具有位于一第一板面、位于該第一板面相反側(cè)的一第二板面、及位于該第一板面與該第二板面之間的一外側(cè)面；其中，該陶瓷基板形成有貫穿該第一板面與該第二板面的一容置孔；一線路層，其設(shè)置于該陶瓷基板的該第一板面；一金屬塊，包含：一本體部，其設(shè)置于該陶瓷基板的該容置孔，該本體部凸伸出該第一板面大致10微米至30微米；其中，凸伸出該第一板面的該本體部區(qū)塊定義為一凸出塊；及一延伸部，其相連于該凸出塊的外緣，并且該延伸部表面與該凸出塊表面大致呈共平面并定義為一固晶面；以及一陶瓷反射板，其具有一第一表面、位于該第一表面相反側(cè)的一第二表面、及位于該第一表面與該第二表面之間的一側(cè)表面；其中，該陶瓷反射板設(shè)置于該陶瓷基板上并覆蓋部分的該線路層，并且該陶瓷反射板形成有貫穿該第一表面與該第二表面的一貫孔，該金屬塊的該固晶面經(jīng)由該貫孔而顯露于該陶瓷反射板之外。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)及晶片承載座，其通過金屬塊的本體部凸出于容置孔，由此避免曲面狀之固晶面產(chǎn)生。再者，金屬塊通過延伸部之設(shè)置，能有效地提升金屬塊所具備的固晶面積，進(jìn)而適用于更多尺寸之發(fā)光二極體晶片。

為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明之特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明之詳細(xì)說明與附圖，但是此等說明與所附附圖僅系用來說明本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的權(quán)利范圍作任何的限制。

附圖說明

圖1為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的立體示意圖。

圖2為圖1另一視角的立體示意圖。

圖3為圖1的局部分解示意圖。

圖4為圖3中的晶片承載座、發(fā)光二極體晶片、與齊納二極體晶片的分解示意圖。

圖5為圖4中的晶片承載座俯視圖。

圖6為圖4中的晶片承載座之局部分解示意圖。

圖7為圖6中的晶片承載座未包含陶瓷反射板與極性辨識(shí)墊時(shí)的分解示意圖。

圖8為圖7另一視角的分解示意圖。

圖9為圖1沿X1-X1剖線的剖視示意圖。

圖10為圖9的局部放大示意圖。

圖11為圖1的發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)加裝環(huán)型擋止層時(shí)的立體示意圖。

圖12為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的立體示意圖。

圖13為圖12的局部分解示意圖。

圖14為圖12沿Y-Y剖線的剖視示意圖。

圖15為圖14的局部放大示意圖。

圖16A為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的變化形式示意圖。

圖16B為圖16A沿Z-Z剖線的剖視示意圖(一)。

圖16C為圖16A沿Z-Z剖線的剖視示意圖(二)。

圖17為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的又一變化形式示意圖。

圖18為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例的立體示意圖。

圖19為圖18另一視角的立體示意圖。

圖20為圖18中的晶片承載座之局部分解示意圖。

圖21為圖18沿X2-X2剖線的剖視示意圖。

圖22為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第四實(shí)施例的立體示意圖。

圖23為圖22的局部分解示意圖。

圖24為圖22沿X3-X3剖線的剖視示意圖。

具體實(shí)施方式

[第一實(shí)施例]

請(qǐng)參閱圖1至圖11，其為本發(fā)明的第一實(shí)施例，需先說明的是，本實(shí)施例對(duì)應(yīng)附圖所提及之相關(guān)數(shù)量與外型，僅用以具體地說明本發(fā)明的實(shí)施方式，以便于了解其內(nèi)容，而非用以局限本發(fā)明的權(quán)利范圍。

如圖1和圖2所示，本實(shí)施例為一種發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000，尤指一種高功率發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)(如：紫外線發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu))，并適于采用低溫共燒多層陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)，但本發(fā)明于實(shí)際運(yùn)用時(shí)，并不以上述的條件為限。

請(qǐng)參閱圖3至圖5，所述發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000包括一晶片承載座100、收容于上述晶片承載座100的一發(fā)光二極體晶片200與一齊納二極體晶片300、及設(shè)于晶片承載座100并密封上述發(fā)光二極體晶片200與齊納二極體晶片300的一封裝膠體400。本實(shí)施例于下述將先就晶片承載座100的構(gòu)造作一說明，而后再介紹就晶片承載座100與其他元件之間的連接關(guān)系。

如圖6至圖8，并請(qǐng)于元件連接關(guān)系時(shí)適時(shí)參酌圖9和圖10，所述晶片承載座100包含一陶瓷基板1、設(shè)置于陶瓷基板1的兩導(dǎo)電柱2、一線路層3、四個(gè)延伸線路4、一金屬塊5、及一焊墊層6、堆迭于陶瓷基板1的一陶瓷反射板7、及設(shè)置于陶瓷反射板7的四個(gè)極性辨識(shí)墊8、8’。

所述陶瓷基板1具有一第一板面11、位于第一板面11相反側(cè)的一第二板面12、及位于第一板面11與第二板面12之間的一外側(cè)面13。其中，上述陶瓷基板1為多邊形構(gòu)造(于本實(shí)施例中是以方形為例)，并且陶瓷基板1的外側(cè)面13于其各個(gè)角落處形成有一1/4圓弧狀之缺角131。由此，陶瓷基板1通過在角落處形成有缺角131，以有效地避免角落產(chǎn)生崩裂之情事。

進(jìn)一步地說，所述陶瓷基板1的大致中央處形成有貫穿第一板面11與第二板面12的一容置孔14，并且容置孔14的截面形狀于本實(shí)施例中大致呈邊長為1公厘至1.2公厘的正方形。而陶瓷基板1于上述容置孔14的相反兩側(cè)處各形成有貫穿第一板面11與第二板面12的一穿孔15，并且各個(gè)穿孔15的截面形狀于本實(shí)施例中大致呈圓形。

所述兩導(dǎo)電柱2分別位于上述陶瓷基板1的兩穿孔15內(nèi)，并且每個(gè)穿孔15被其所對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電柱2所布滿。其中，各個(gè)導(dǎo)電柱2的一端(如圖9中的導(dǎo)電柱2頂端)與陶瓷基板1的第一板面11呈共平面，而各個(gè)導(dǎo)電柱2的另 一端(如圖9中的導(dǎo)電柱2底端)則與陶瓷基板1的第二板面12呈共平面。

所述線路層3于本實(shí)施例中是以銀線路層為例，并且線路層3設(shè)置于上述陶瓷基板1的第一板面11，并且線路層3具有一第一線路32及一第二線路33。其中，所述第一線路32與第二線路33分別位于第一板面11的兩側(cè)部位并且分別抵接于上述兩導(dǎo)電柱2。

更詳細(xì)地說，所述第一線路32與第二線路33皆大致呈L型且各包含有垂直相連的一長側(cè)部321、331與一短側(cè)部322、332。所述L型之第一線路32與第二線路33的轉(zhuǎn)角部位323、333以及長側(cè)部321、331的末端部位3211、3311分別鄰設(shè)于陶瓷基板1的缺角131。進(jìn)一步來說，上述轉(zhuǎn)角部位323、333之部分端緣與末端部位3211、3311之部分端緣各呈1/4圓弧狀并且分別切齊于所述缺角131的端緣。

其中，上述第一線路32的長側(cè)部321與第二線路33的長側(cè)部331分別位于第一板面11的相反兩側(cè)部位且彼此平行，并且第一線路32的長側(cè)部321與第二線路33的長側(cè)部331分別覆蓋于陶瓷基板1第一板面11上的兩穿孔15，使上述兩導(dǎo)電柱2分別抵接于第一線路32的長側(cè)部321與第二線路33的長側(cè)部331(如圖9)。而上述第一線路32的短側(cè)部322與第二線路33的短側(cè)部332位于第一板面11的一側(cè)部位且彼此相向。

再者，所述第一線路32的長側(cè)部321與第二線路33的長側(cè)部331各于鄰接其短側(cè)部322、332的內(nèi)緣處，凹設(shè)形成有一半圓狀的缺口3212、3312。

所述延伸線路4分別形成于上述陶瓷基板1外側(cè)面13上的缺角131，并且所述多個(gè)延伸線路4分別垂直地連接于該線路層3之第一線路32與第二線路33的外轉(zhuǎn)角部位323、333端緣及長側(cè)部321、331的末端部位3211、3311端緣。

所述金屬塊5于本實(shí)施例中是以銀塊為例，并且金屬塊5包含一本體部51及一延伸部52，所述本體部51設(shè)置于陶瓷基板1的容置孔14，并且容置孔14被本體部51所布滿。其中，上述本體部51截面于本實(shí)施例中呈正方形且邊長為1公厘至1.2公厘，但本體部51截面的形狀不以上述為限，也可以是長方形或圓形。本體部51的一端(如圖9中的本體部51底端)大致與陶瓷基板1的第二板面12呈共平面，而本體部51的另一端(如圖9中的本體部51頂端)凸伸出陶瓷基板1第一板面11大致10微米至30微米，并且上述凸 伸出第一板面11的本體部51區(qū)塊定義為一凸出塊511(如圖10)。換言之，上述凸出塊511凸伸出第一板面11的高度H大致為10微米至30微米。

須說明的是，由于金屬塊5是通過網(wǎng)印方式于容置孔14內(nèi)填充金屬膠(即金屬粉末混合膠體，如銀膠)而形成，所以當(dāng)金屬粉末的量大致等同容置孔14的容積，使得燒結(jié)形成的金屬塊未能凸出容置孔時(shí)，使金屬塊的頂面因內(nèi)聚力將呈現(xiàn)曲面狀，進(jìn)而影響后續(xù)之發(fā)光二極體晶片的固晶作業(yè)。因此，本實(shí)施例的晶片承載座100通過金屬塊5的本體部51凸出于容置孔14，由此避免上述曲面狀之固晶面產(chǎn)生。

所述延伸部52一體相連于凸出塊511的外緣(如圖10)，進(jìn)一步說，延伸部52于本實(shí)施例中呈方環(huán)型并圍繞于本體部51的凸出塊511，且延伸部52是位在陶瓷基板1的第一板面11上。延伸部52表面以及本體部51的凸出塊511表面大致呈共平面并共同定義為一固晶面53，而上述固晶面53大致呈正方形。其中，就上述陶瓷基板1與金屬塊5的頂面來看，所述固晶面53的面積大致占陶瓷基板1與金屬塊5頂面的5～15％，并且較佳為8.5％。再者，所述第一線路32的長側(cè)部321與第二線路33的長側(cè)部331分別位于固晶面53的相反兩側(cè)，上述第一線路32的短側(cè)部322與第二線路33的短側(cè)部332位于固晶面53的一側(cè)。

更詳細(xì)地說，所述延伸部52包含有一第一延伸部521及設(shè)置在該第一延伸部521上的一第二延伸部522。其中，上述第一延伸部521與第二延伸部522各呈寬度為50～100微米的方環(huán)型，并且第一延伸部521與第二延伸部522皆圍繞在容置孔14的周緣，也就是說，所述第一延伸部521與第二延伸部522的內(nèi)緣相互切齊，并切齊于容置孔14的端緣。換個(gè)角度來說，第一延伸部521與第二延伸部522皆圍繞且無縫隙地連接于本體部51的凸出塊511周緣。再者，所述第一延伸部521相接于第一線路32的長側(cè)部321，并且第一延伸部521與線路層3之第一線路32與第二線路33共平面，而第二線路33分離于延伸部52與第一線路32。

由此，通過金屬塊5的延伸部52相接于第一線路32，以使金屬塊5能夠與第一線路32電性連接，因而令金屬塊5的固晶面53能夠適用于水平式或垂直式之發(fā)光二極體晶片200(具體實(shí)施于后詳述)。再者，金屬塊5通過延伸部52之設(shè)置，能有效地提升金屬塊5所具備的固晶面積，進(jìn)而適用于更多 尺寸之發(fā)光二極體晶片200。

所述焊墊層6設(shè)置于陶瓷基板1的第二板面12，并且焊墊層6包含有長型的兩電極墊61及位于兩電極墊61之間的一長型導(dǎo)熱墊62，上述電極墊61與導(dǎo)熱墊62彼此呈間隔地設(shè)置并且長度方向大致彼此平行。其中，所述兩電極墊61大致位于線路層3之兩長側(cè)部321、331的正下方，并且該兩電極墊61的末端部位611之部分端緣各呈1/4圓弧狀并且分別切齊于所述缺角131的端緣，而位于缺角131的所述多個(gè)延伸線路4可分別連接或分離于上述焊墊層6的兩電極墊61的末端部位611。

由此，在所述多個(gè)延伸線路4分別連接于上述兩電極墊61的末端部位611的方式中，所述多個(gè)電極墊61于焊接時(shí)，對(duì)應(yīng)于各個(gè)電極墊61的焊料因受到內(nèi)聚力的影響而傾向與可焊接材料相互鍵結(jié)，以使焊料沿著所述延伸線路4攀爬，進(jìn)而有效地增加晶片承載座100的吃錫面積。

再者，所述兩電極墊61分別覆蓋陶瓷基板1第二板面12上的兩穿孔15(如圖9)，并且上述兩導(dǎo)電柱2分別抵接于該兩電極墊61，由此使該兩電極墊61分別經(jīng)由所述兩導(dǎo)電柱2而電性連接于第一線路32與第二線路33。

另外，位于中央的該導(dǎo)熱墊62與金屬塊5的本體部51相接。進(jìn)一步地說，上述位于中央的導(dǎo)熱墊62之長度與寬度皆大于本體部51的方形截面之邊長，以使本體部51能夠完全抵接于上述位于中央的導(dǎo)熱墊62。其中，上述抵接于本體部51之中央的導(dǎo)熱墊62部位，其相反兩側(cè)各形成有一切口621，由此避免導(dǎo)熱墊62的連續(xù)焊接之面積過大而產(chǎn)生翹曲。

此外，所述各個(gè)電極墊61與導(dǎo)熱墊62之間還可進(jìn)一步設(shè)有一隔離墊63，如黑色玻璃膠，由此通過玻璃膠使各個(gè)電極墊61與導(dǎo)熱墊62彼此間的電性相互隔絕。

請(qǐng)參閱圖6和圖9，所述陶瓷反射板7具有一第一表面71、位于第一表面71相反側(cè)的一第二表面72、及位于第一表面71與第二表面72之間的一側(cè)表面73。其中，上述陶瓷反射板7為多邊形構(gòu)造(于本實(shí)施例中是以方形為例)，陶瓷反射板7的側(cè)表面73于其各個(gè)角落處形成有一1/4圓弧狀的缺角731。由此，上述陶瓷反射板7通過在角落處形成有缺角731，以有效地避免角落產(chǎn)生崩裂之情事。再者，所述陶瓷反射板7的大致中央處形成有貫穿第一表面71與第二表面72的一圓形貫孔74，并且上述貫孔74的直徑大于 所述固晶面53的對(duì)角線長度。此外，本實(shí)施例貫孔74雖為圓形，但貫孔74的具體形狀并不受限于此。舉例來說，貫孔74亦可以是方形。

所述陶瓷反射板7的第二表面72設(shè)置于陶瓷基板1的第一板面11上并覆蓋部分的線路層3，而陶瓷反射板7的側(cè)表面73切齊于陶瓷基板1的外側(cè)面13。其中，上述未被陶瓷反射板7所覆蓋的線路層3部位，包含有鄰近環(huán)型線路31的第一線路32與第二線路33之部分長側(cè)部321、331與部分短側(cè)部322、332。

如圖5所示，為便于本實(shí)施例之說明，上述未被陶瓷反射板7所覆蓋的第一線路32之部分長側(cè)部321定義為一第一打線區(qū)3213，未被陶瓷反射板7所覆蓋的第二線路33之部分長側(cè)部331定義為一第二打線區(qū)3313，上述未被陶瓷反射板7所覆蓋的第一線路32之部分短側(cè)部322定義為一齊納二極體固晶區(qū)3221，未被陶瓷反射板7所覆蓋的第二線路33之部分短側(cè)部332定義為一齊納二極體打線區(qū)3321。所述金屬塊5的固晶面53、第一打線區(qū)3213、第二打線區(qū)3313、齊納二極體固晶區(qū)3221、齊納二極體打線區(qū)3321、及第一線路32與第二線路33之缺口3212、3312皆經(jīng)由所述貫孔74而顯露于陶瓷反射板7之外。

由此，由于在對(duì)應(yīng)相同波長之光線的前提下，陶瓷的光反射率大于銀的光反射率，所以陶瓷基板1的光反射率是大于上述銀線路層3的反射率，因而通過在上述第一線路32與第二線路33形成有缺口3212、3312，以使陶瓷基板1的第一板面11能夠有更多的面積經(jīng)由貫孔74而顯露于陶瓷反射板7外，進(jìn)而有效地提升發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000的出光率。

請(qǐng)參閱圖5和圖6，所述極性辨識(shí)墊8、8’的厚度大致為10微米至20微米，并且極性辨識(shí)墊8、8’可以是多個(gè)黑色的玻璃膠墊或是金屬墊。上述極性辨識(shí)墊8、8’分別間隔地設(shè)置于陶瓷反射板7的第一表面71之四個(gè)角落上，并且各個(gè)極性辨識(shí)墊8、8’的轉(zhuǎn)角內(nèi)緣系面向陶瓷反射板7的貫孔74。進(jìn)一步地說，所述極性辨識(shí)墊8、8’包含有兩種不同的外型，并且上述極性辨識(shí)墊8、8’于本實(shí)施例中是大致呈L型，其中兩個(gè)極性辨識(shí)墊8的轉(zhuǎn)角內(nèi)緣呈直角狀且位于第一線路32的上方，而另外兩個(gè)極性辨識(shí)墊8’的轉(zhuǎn)角內(nèi)緣則呈圓弧狀且位于第二線路33的上方。

由此，通過分別在第一線路32與第二線路33上方設(shè)置有不同外型的極 性辨識(shí)墊8、8’，以使上述極性辨識(shí)墊8、8’能夠提供發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000極性辨識(shí)之用。

以上即為本實(shí)施例晶片承載座100的構(gòu)造說明，本實(shí)施例于下述將接著說明上述發(fā)光二極體晶片200、齊納二極體晶片300、及封裝膠體400相對(duì)于晶片承載座100的連接關(guān)系。

請(qǐng)參閱圖3至圖5，所述發(fā)光二極體晶片200于本實(shí)施例中是水平式晶片，但發(fā)光二極體晶片200的類型不受限于此。舉例來說，發(fā)光二極體晶片200亦可以是垂直式晶片。進(jìn)一步地說，所述發(fā)光二極體晶片200于本實(shí)施例中為水平式晶片，其發(fā)光波長可以介于255納米納米至410納米納米，例如：波長介于UVA波段(315nm-400nm)的發(fā)光二極體晶片、波長介于UVB波段(280nm-315nm)的發(fā)光二極體晶片、或波長介于UVC波段(100nm-280nm)的發(fā)光二極體晶片。

所述發(fā)光二極體晶片200安裝于晶片承載座100的固晶面53上，并且發(fā)光二極體晶片200電性連接于線路層3。進(jìn)一步地說，當(dāng)發(fā)光二極體晶片200為水平式晶片時(shí)(如圖3)，位于發(fā)光二極體晶片200頂面的極性相反電極將分別經(jīng)由打線而電性連接于第一線路32的第一打線區(qū)3213以及第二線路33的第二打線區(qū)3313。若當(dāng)所述發(fā)光二極體晶片200為垂直式晶片時(shí)(圖略)，位于上述發(fā)光二極體晶片200底面的電極將經(jīng)由金屬塊5而電性連接于上述第一線路32，位于發(fā)光二極體晶片200頂面的電極則將經(jīng)由打線而電性連接于上述第二線路33的第二打線區(qū)3313。

此外，所述發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000可進(jìn)一步包括有一固晶膠體(圖略)，發(fā)光二極體晶片200則經(jīng)由固晶膠體而黏固于晶片承載座100的固晶面53上。其中，本實(shí)施例中的固晶膠體成分為一納米納米銀膏，上述納米納米銀膏較佳為未包含有任何環(huán)氧樹脂，并且所述固晶膠體所包含的銀粒子大致為85％至90％的體積百分比，由此具備有較佳的熱阻且不易黃化。進(jìn)一步地說，于納米納米銀膏中，粒徑小于20nm的銀納米納米粒子之重量百分比為20～35％，而粒徑介于20～100nm的銀納米納米粒子之重量百分比為40～50％；納米納米銀膏所使用的黏合劑為環(huán)己醇異冰片(Isobornyl Cyclohexanol、IBCH)，其重量百分比為2～7％；納米納米銀膏所使用的溶劑為1-decanol(1-癸醇)，其重量百分比為5～15％。所述納米納米銀膏的化學(xué)式為： nAg-m(AgOOCR-l(AgOR)，R＝[CH₃(CH₂)x]，并且l、m、n、x皆為正整數(shù)。

所述齊納二極體晶片300固定在上述自貫孔74而顯露于陶瓷反射板7之外的第一線路32之部分短側(cè)部322，也就是說，齊納二極體晶片300固定且電性連接于第一線路32的齊納二極體固晶區(qū)3221。并且，齊納二極體晶片300通過打線而電性連接于第二線路33的齊納二極體打線區(qū)3321。

如圖3和圖9，所述封裝膠體400于本實(shí)施例中為縮合型態(tài)的硅膠，上述縮合型態(tài)的硅膠是指其主鏈鍵結(jié)皆為具有大致452kj/mol鍵結(jié)能的Si-O鍵結(jié)，并且封裝膠體400位于陶瓷反射板7的貫孔74內(nèi)。進(jìn)一步地說，陶瓷反射板7的貫孔74內(nèi)布滿封裝膠體400，并且發(fā)光二極體晶片200與齊納二極體晶片300皆埋置于上述封裝膠體400內(nèi)。而所述封裝膠體400的頂面大致與上述陶瓷反射板7的第一表面71呈共平面。

此外，本實(shí)施例的晶片承載座100可進(jìn)一步設(shè)有一環(huán)型擋止層10(如圖11所示)，上述環(huán)型擋止層10的材質(zhì)于本實(shí)施例中為透明玻璃膠。所述環(huán)型擋止層10設(shè)置于陶瓷反射板7的第一表面71，并且環(huán)型擋止層10圍繞于陶瓷反射板7的貫孔74，以限制封裝膠體400于灌注作業(yè)中向外延伸。

[第二實(shí)施例]

請(qǐng)參閱圖12至圖17所示，其為本發(fā)明的第二實(shí)施例，本實(shí)施例與第一實(shí)施例類似，兩者相同處則不再贅述，而兩者的差異主要在于：本實(shí)施例的發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000進(jìn)一步包括有一蓋板500且未包括第一實(shí)施例中的封裝膠體400。而有關(guān)本實(shí)施例與第一實(shí)施例的具體差異說明如下：

如圖12和圖13所示，所述蓋板500經(jīng)所述多個(gè)玻璃膠墊8、8’而黏固于晶片承載座100的陶瓷反射板7上，并且蓋板500與陶瓷反射板7第一表面71之間通過上述玻璃膠墊8、8’之設(shè)置而形成有多個(gè)間隙G(如圖14和圖15)，由此使晶片承載座100的貫孔74內(nèi)氣體經(jīng)由上述間隙G而能與外部空氣流通。

其中，所述蓋板500可為光學(xué)級(jí)的透鏡，于本實(shí)施例中是以平板狀為例，但蓋板500的構(gòu)造并不以此為限。舉例來說，所述蓋板500亦可于其表面形成有鍍層(圖略)，由此提升光線穿透率；或者，蓋板500亦可形成半球狀之構(gòu)造(圖略)，由此調(diào)整光線行進(jìn)路線。舉例來說，當(dāng)采用UVA波段的發(fā)光二極體晶片200時(shí)，發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000可采用一平板狀的蓋板500，蓋 板500的材料為玻璃或石英。當(dāng)采用UVA或UVC波段的發(fā)光二極體晶片200時(shí)，發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000可采用一平板狀的蓋板500，蓋板500的材料為玻璃或石英，并于蓋板500兩面加上鍍層。當(dāng)采用UVC波段的發(fā)光二極體晶片200時(shí)，蓋板500可采用一半球狀的透鏡，透鏡的材料為玻璃或石英，透鏡表面也可以加上鍍層或不加上鍍層。

此外，本實(shí)施例的發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000亦可有其他變化方式；如圖16A至圖16C所示意，其以黏著膠體80(如：UV膠體)替代上述玻璃膠墊8、8’。所述陶瓷反射板7的第一表面71凹設(shè)有多個(gè)膠槽711，并且上述黏著膠體80填設(shè)于所述多個(gè)膠槽711并有至少部分突伸出膠槽。而所述發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000進(jìn)一步包括有多個(gè)間隔件600，上述間隔件600夾設(shè)于陶瓷反射板7的第一表面71與蓋板500之間，并且任一間隔件600位于兩相鄰的膠槽711之間。由此，通過間隔件600之設(shè)置，以使陶瓷反射板7與蓋板500之間的間隙G能夠被控制在所需的范圍之中。其中，上述膠槽711可以形成如圖16B所示的單層凹槽或是如圖16C所示的雙層凹槽(即凹槽有階梯結(jié)構(gòu))，在此不對(duì)膠槽711外型加以限制。

或者，本實(shí)施例的發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000亦可變化為圖17所示之方式。具體來說，當(dāng)發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000內(nèi)的發(fā)光二極體晶片200為紫外線發(fā)光二極體晶片時(shí)，所述發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000較佳為包括有一反射膜700，并且所述反射膜700呈方環(huán)狀并設(shè)置于蓋板500上且對(duì)應(yīng)所述多個(gè)黏著膠體80的位置(即對(duì)應(yīng)多個(gè)膠槽711的位置)，而反射膜700的設(shè)置方式可以是經(jīng)由涂布方式成型于蓋板500上。由此，紫外線發(fā)光二極體晶片所發(fā)出的紫外光線在蓋板500內(nèi)傳導(dǎo)移動(dòng)時(shí)，上述反射膜700可有效地遮蔽黏著膠體80，以避免紫外光線照射于上述黏著膠體80，而產(chǎn)生黏著膠體80劣化之情事。

[第三實(shí)施例]

請(qǐng)參閱圖18至圖21所示，其為本發(fā)明的第三實(shí)施例，本實(shí)施例與第一實(shí)施例類似，兩者相同處則不再贅述，而兩者的差異主要在于：本實(shí)施例發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000的晶片承載座100進(jìn)一步具有一陶瓷夾層9，并且本實(shí)施例的焊墊層6構(gòu)造不同于第一實(shí)施例的焊墊層6構(gòu)造。而有關(guān)本實(shí)施例與第一實(shí)施例的具體差異說明如下：

所述陶瓷夾層9的厚度約為50微米至100微米，并且陶瓷夾層9位于陶瓷基板1的第二板面12與焊墊層6之間。其中，對(duì)應(yīng)于陶瓷基板1各個(gè)穿孔15的陶瓷夾層9部位各形成有一穿孔91，并且位于陶瓷基板1穿孔15的該兩導(dǎo)電柱2分別延伸穿設(shè)于陶瓷夾層9的兩穿孔91。而所述金屬塊5的本體部51則連接于上述陶瓷夾層9。

所述焊墊層6設(shè)置于陶瓷夾層9，并且焊墊層6包含有長型的兩電極墊61，上述兩電極墊61彼此呈間隔地設(shè)置并且長度方向大致彼此平行。其中，所述兩電極墊61大致位于線路層3之兩長側(cè)部321、331的下方(如圖21)，并且該兩電極墊61的末端部位611之部分端緣各呈1/4圓弧狀并分別切齊于所述缺角131的端緣，而位于缺角131的所述多個(gè)延伸線路4可分別連接或分離于上述焊墊層6的兩電極墊61的末端部位611。

由此，在所述多個(gè)延伸線路4分別連接于上述兩電極墊61的末端部位611的方式中，所述多個(gè)電極墊61于焊接時(shí)，對(duì)應(yīng)于各個(gè)電極墊61的焊料因受到內(nèi)聚力的影響而傾向與可焊接材料相互鍵結(jié)，以使焊料沿著所述延伸線路4攀爬，進(jìn)而有效地增加晶片承載座100的吃錫面積。

再者，所述兩電極墊61分別覆蓋陶瓷夾層9上的兩穿孔91，并且上述兩導(dǎo)電柱2分別抵接于該兩電極墊61，由此使該兩電極墊61分別經(jīng)由所述兩導(dǎo)電柱2而電性連接于第一線路32與第二線路33。

[第四實(shí)施例]

請(qǐng)參閱圖22至圖24所示，其為本發(fā)明的第四實(shí)施例，本實(shí)施例與第二實(shí)施例類似，兩者相同處則不再贅述，而兩者的差異主要在于：本實(shí)施例發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)1000的晶片承載座100進(jìn)一步具有一陶瓷夾層9，并且本實(shí)施例的焊墊層6構(gòu)造不同于第二實(shí)施例的焊墊層6構(gòu)造。進(jìn)一步地說，本實(shí)施例的陶瓷夾層9與焊墊層6大致如同第三實(shí)施例中的陶瓷夾層9與焊墊層6，在此則不加以贅述。

[本發(fā)明實(shí)施例的可能效果]

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)可具有如下之效果：

所述晶片承載座通過金屬塊的本體部凸出于容置孔，由此避免曲面狀之固晶面產(chǎn)生。再者，金屬塊通過延伸部之設(shè)置，能有效地提升金屬塊所具備 的固晶面積，進(jìn)而適用于更多尺寸之發(fā)光二極體晶片。另外，本實(shí)施例通過金屬塊的延伸部與第一線路電性連接，因而令金屬塊的固晶面能夠適用于水平式或垂直式之發(fā)光二極體晶片。

本發(fā)明在所述多個(gè)延伸線路分別連接于上述兩電極墊的末端部位的方式中，所述多個(gè)電極墊于焊接時(shí)，對(duì)應(yīng)于各個(gè)電極墊的焊料因受到內(nèi)聚力的影響而傾向與可焊接材料相互鍵結(jié)，以使焊料沿著所述延伸線路攀爬，進(jìn)而有效地增加晶片承載座的吃錫面積。

所述陶瓷基板與陶瓷反射板通過在角落處形成有缺角，由此有效地避免角落產(chǎn)生崩裂之情事。再者，陶瓷基板的光反射率是大于線路層的光反射率，因而通過在上述第一線路與第二線路形成有缺口，以使陶瓷基板的第一板面能夠有更多的面積經(jīng)由貫孔而顯露于陶瓷反射板外，進(jìn)而有效地提升發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)的出光率。

通過分別在第一線路與第二線路上方設(shè)置有不同外型的極性辨識(shí)墊，以使上述極性辨識(shí)墊能夠提供發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)極性辨識(shí)之用。再者，蓋板可經(jīng)黏著膠體而黏固于晶片承載座的陶瓷反射板上，而上述蓋板與陶瓷反射板第一表面之間通過上述黏著膠體之設(shè)置而形成有多個(gè)間隙，由此使晶片承載座的貫孔內(nèi)氣體可經(jīng)由上述間隙而能與外部空氣流通。另外，本發(fā)明可通過在蓋板與陶瓷反射板第一表面之間設(shè)置間隔件，以使陶瓷反射板與蓋板之間的間隙能夠被控制在所需的范圍之中。

當(dāng)發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的發(fā)光二極體晶片為紫外線發(fā)光二極體晶片時(shí)，紫外線發(fā)光二極體晶片所發(fā)出的紫外光線在蓋板內(nèi)傳導(dǎo)移動(dòng)時(shí)，蓋板與陶瓷反射板之間通過設(shè)有反射膜來遮蔽黏著膠體，由此避免紫外光線照射于上述黏著膠體，而產(chǎn)生黏著膠體劣化之情事。

本發(fā)明于陶瓷反射板的第一表面設(shè)有圍繞于陶瓷反射板貫孔的環(huán)型擋止層，由此限制封裝膠體于灌注作業(yè)中向外延伸。

以上所述僅為本發(fā)明之較佳可行實(shí)施例，其并非用以局限本發(fā)明之專利范圍，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做之均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明之涵蓋范圍。