晶片封裝體及其制造方法
【專利摘要】一種晶片封裝體及其制造方法。晶片封裝體包含一晶片、一間隔層、一乘載基板以及一遮光保護(hù)層。晶片具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面，以及一側(cè)面位于第一表面與第二表面之間。間隔層位于第一表面上，而乘載基板位于間隔層上。遮光保護(hù)層位于晶片的第二表面下，且遮光保護(hù)層延伸入乘載基板中并覆蓋晶片的側(cè)面。本發(fā)明不僅能夠有效阻隔水氣，還可以遮蔽自乘載基板的側(cè)面處進(jìn)入的光線，由此提高了制程的良率與晶片封裝體的偵測精度。
【專利說明】
晶片封裝體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明是有關(guān)一種晶片封裝體及一種晶片封裝體的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在各項(xiàng)電子產(chǎn)品要求多功能且外型尚須輕薄短小的需求之下，各項(xiàng)電子產(chǎn)品所對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體晶片，不僅其尺寸微縮化，當(dāng)中的布線密度亦隨之提升，因此后續(xù)在制造半導(dǎo)體晶片封裝體的挑戰(zhàn)亦漸趨嚴(yán)峻。其中，晶圓級(jí)晶片封裝是半導(dǎo)體晶片封裝方式的一種，是指晶圓上所有晶片生產(chǎn)完成后，直接對(duì)整片晶圓上所有晶片進(jìn)行封裝制程及測試，完成之后才切割制成單顆晶片封裝體的晶片封裝方式。
[0003]在半導(dǎo)體晶片尺寸微縮化、布線密度提高的情形之下，晶片封裝體的絕緣性質(zhì)是當(dāng)今晶片封裝技術(shù)重要的研發(fā)方向之一，以防止水氣、溫度或壓力影響晶片封裝體的內(nèi)部線路，造成良率與可靠度的下降。通常在線路布局完成后，會(huì)再形成保護(hù)層覆蓋此線路以阻隔空氣，并切割成獨(dú)立的晶片封裝體。然而，晶片封裝體的側(cè)面不具有任何保護(hù)層，自側(cè)面進(jìn)入的水氣將使得晶片封裝體的內(nèi)部線路產(chǎn)生氧化，更甚者會(huì)擠壓晶片封裝體的硅穿孔造成錯(cuò)誤的電性連接。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]因此，本發(fā)明提供一種晶片封裝體與其制備方法，以提升晶片封裝體的良率與可靠度。
[0005]本發(fā)明的一態(tài)樣提供一種晶片封裝體，包含一晶片、一間隔層、一乘載基板以及一遮光保護(hù)層。晶片具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面，以及一側(cè)面位于第一表面與第二表面之間。間隔層位于第一表面上，而乘載基板位于間隔層上。遮光保護(hù)層位于晶片的第二表面下，且遮光保護(hù)層延伸入乘載基板中并覆蓋晶片的側(cè)面。
[0006]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，遮光保護(hù)層的材質(zhì)包含環(huán)氧樹脂或低透光率材料。
[0007]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，晶片還包含一感測層、一第一絕緣層、一導(dǎo)電墊區(qū)、一測試電路與一穿孔。感測層位于第一表面上，且間隔層環(huán)繞感測層。第一絕緣層位于第一表面下，而導(dǎo)電墊區(qū)與測試電路位于第一絕緣層中，且彼此電性分離。穿孔則自晶片的第二表面朝第一表面延伸，并暴露導(dǎo)電墊區(qū)。
[0008]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，測試電路暴露于晶片的側(cè)面，而遮光保護(hù)層覆蓋測試電路。
[0009]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，第一絕緣層暴露于晶片的側(cè)面，而遮光保護(hù)層覆蓋第一絕緣層。
[0010]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，乘載基板具有位于感測層上的一第一開口。
[0011 ]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，晶片封裝體還包含:一第二絕緣層，位于第二表面下，并延伸至穿孔中覆蓋穿孔的側(cè)壁；以及一導(dǎo)電層，位于第二絕緣層與遮光保護(hù)層之間，并延伸至穿孔中接觸導(dǎo)電墊區(qū)。
[0012]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，第一絕緣層與第二絕緣層的材質(zhì)包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其組合。
[0013]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，第二絕緣層還延伸覆蓋側(cè)面，并夾設(shè)于晶片的側(cè)面與遮光保護(hù)層之間。
[0014]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，遮光保護(hù)層具有一第二開口暴露部分該導(dǎo)電層。
[0015]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，晶片封裝體還包含一外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第二開口中，并接觸導(dǎo)電層。
[0016]本發(fā)明的一態(tài)樣提供一種晶片封裝體的制造方法，包含下列步驟:先提供一晶圓，其具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面;接著形成一間隔層于第一表面上，并形成一乘載基板于間隔層上;移除部分晶圓、部分間隔層與部分乘載基板以形成一缺口暴露晶圓的一側(cè)面;最后形成一遮光保護(hù)層于第二表面下與缺口中，且遮光保護(hù)層延伸入乘載基板中并覆蓋晶圓的側(cè)面。
[0017]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，還研磨晶圓的第二表面。
[0018]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，晶圓還包含一感測層、一第一絕緣層、一導(dǎo)電墊區(qū)、一測試電路。感測層位于第一表面上，且間隔層環(huán)繞感測層。第一絕緣層位于第一表面下，而導(dǎo)電墊區(qū)與測試電路位于第一絕緣層中，且彼此電性分離。
[0019]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，測試電路暴露于晶片的側(cè)面，而位于缺口中的遮光保護(hù)層覆蓋測試電路。
[0020]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，晶片封裝體的制造方法還包含下列步驟。形成一穿孔自晶圓的第二表面朝第一表面延伸，以暴露導(dǎo)電墊區(qū)。接著形成一第二絕緣層于第二表面下與穿孔中，并移除穿孔中的部分第二絕緣層以暴露導(dǎo)電墊區(qū)。最后形成一導(dǎo)電層于第二絕緣層下與穿孔中，其中遮光保護(hù)層覆蓋導(dǎo)電層。
[0021]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，晶片封裝體的制造方法還包含下列步驟:圖案化遮光保護(hù)層以形成一第二開口暴露導(dǎo)電層；以及形成一外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)于第二開口中。
[0022]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，晶片封裝體的制造方法還包含研磨乘載基板以形成一第一開口 O
[0023]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，晶片封裝體的制造方法還包含沿缺口切割遮光保護(hù)層與乘載基板，以形成一晶片封裝體。
[0024]根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式，保護(hù)層以涂布、沉積或印刷的方式形成。
[0025]本發(fā)明不僅能夠有效阻隔水氣，還可以遮蔽自乘載基板的側(cè)面處進(jìn)入的光線，由此提高了制程的良率與晶片封裝體的偵測精度。
【附圖說明】
[0026]圖1繪示根據(jù)本發(fā)明部分實(shí)施方式的一種晶片封裝體的剖面圖；
[0027]圖2繪示根據(jù)本發(fā)明其他部分實(shí)施方式的一種晶片封裝體的剖面圖；
[0028]圖3繪示根據(jù)本發(fā)明其他部分實(shí)施方式的一種晶片封裝體的剖面圖；
[0029]圖4繪示根據(jù)本發(fā)明其他部分實(shí)施方式的一種晶片封裝體的剖面圖；
[0030]圖5繪示根據(jù)本發(fā)明部分實(shí)施方式的晶片封裝體的制造方法流程圖；[0031 ]圖6A-6G繪示圖1的晶片封裝體在制程各個(gè)階段的剖面圖；
[0032]圖7繪示根據(jù)本發(fā)明部分實(shí)施方式的晶片封裝體的制造方法流程圖；
[0033]圖8A-8G繪示圖2的晶片封裝體在制程各個(gè)階段的剖面圖；以及
[0034]圖9A-9G繪示圖4的晶片封裝體在制程各個(gè)階段的剖面圖。
[0035]其中，附圖中符號(hào)的簡單說明如下:
[0036]100:晶片封裝體
[0037]110:晶片
[0038]112:第一表面
[0039]113、313:側(cè)面
[0040]114:第二表面
[0041]115:感測層
[0042]115a:感測區(qū)
[0043]116:導(dǎo)電墊區(qū)
[0044]117:測試電路
[0045]118:第一絕緣層
[0046]119:穿孔
[0047]120:間隔層
[0048]130:乘載基板
[0049]130T:上表面
[0050]130S:側(cè)面[0051 ]132:第一開口
[0052]140、240:第二絕緣層
[0053]150:導(dǎo)電層
[0054]160、360、460:保護(hù)層
[0055]162:第二開口
[0056]164:接觸面
[0057]170:外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
[0058]464:底部
[0059]600、800、900:晶圓
[0060]610、810、910:凹洞[0061 ]620、820、920:缺口
[0062]621、821、921:底部
[0063]630、830、930:暫時(shí)粘著層
[0064]640、840、940:切割道
[0065]915:暫時(shí)乘載層
[0066]510 ?590:步驟
[0067]710 ?790:步驟。
【具體實(shí)施方式】
[0068]以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些已知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示。
[0069]此外，相對(duì)詞匯，如“下”或“底部”與“上”或“頂部”，用來描述文中在附圖中所示的一元件與另一元件的關(guān)系。相對(duì)詞匯是用來描述裝置在附圖中所描述之外的不同方位是可以被理解的。例如，如果一附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，元件將會(huì)被描述原為位于其它元件的“下”側(cè)將被定向?yàn)槲挥谄渌摹吧稀眰?cè)。例示性的詞匯“下”，根據(jù)附圖的特定方位可以包含“下”和“上”兩種方位。同樣地，如果一附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，元件將會(huì)被描述原為位于其它元件的“下方”或“之下”將被定向?yàn)槲挥谄渌系摹吧戏健?。例示性的詞匯“下方”或“之下”，可以包含“上方”和“上方”兩種方位。
[0070]圖1繪示根據(jù)本發(fā)明部分實(shí)施方式的一種晶片封裝體100的剖面圖。如圖1所示，一晶片封裝體100包含一晶片110、一間隔層120、一乘載基板130、一第二絕緣層140、一導(dǎo)電層150、一遮光保護(hù)層160與一外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170。晶片110具有相對(duì)的一第一表面112與一第二表面114，以及一側(cè)面113位于第一表面112與第二表面114之間。間隔層120則位于第一表面112上，而乘載基板130位于間隔層120上。遮光保護(hù)層160位于晶片110的第二表面114下，且延伸入乘載基板130中并覆蓋晶片110的側(cè)面113。換言之，遮光保護(hù)層160覆蓋晶片110的第二表面114，并延伸至晶片封裝體100的兩側(cè)以覆蓋晶片110的側(cè)面113、間隔層120的側(cè)面與乘載基板130。值得注意的是，部分的遮光保護(hù)層160嵌入乘載基板130中，使兩者之間的一接觸面164具有階狀輪廓，但不以此為限。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，接觸面164亦可具有弧狀輪廓，或其他合適的形狀。
[0071]具體而言，晶片110包含一導(dǎo)電墊區(qū)116、一測試電路117與一第一絕緣層118。第一絕緣層118位于第一表面112下，而導(dǎo)電墊區(qū)116與測試電路117位于第一絕緣層118中，且彼此電性分離。此處的測試電路117意指在前段制程時(shí)用于測試的金屬層，但其在晶片封裝體100中不具有任何功能性(funct1nality)。然而，在切割成獨(dú)立的晶片封裝體100后，此測試電路117會(huì)暴露于晶片100的側(cè)面113并直接與空氣接觸。空氣中的水氣將使得測試電路117氧化膨脹，而產(chǎn)生高伸張應(yīng)力擠壓晶片封裝體100的內(nèi)部電路，例如:穿孔119中的導(dǎo)電層150，而導(dǎo)致良率的下降。為解決上述的問題，位于第二表面114的遮光保護(hù)層160還延伸至晶片110的側(cè)面113覆蓋暴露的測試電路117，以防止水氣進(jìn)入測試電路117中。另一方面，間隔層120與晶片110的接合處亦易受水氣影響而造成剝離，遮光保護(hù)層160還覆蓋間隔層120的側(cè)面以使間隔層120不易吸收水氣。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，晶片110中不具有測試電路117，而第一絕緣層118暴露于晶片110的側(cè)面113。因第一絕緣層118亦會(huì)吸收水氣并產(chǎn)生應(yīng)力擠壓內(nèi)部電路，遮光保護(hù)層160還延伸至晶片110的側(cè)面113覆蓋暴露的第一絕緣層118，以防止水氣進(jìn)入第一絕緣層118中。
[0072]在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，晶片110包含半導(dǎo)體元件、內(nèi)層介電層(ILD)、內(nèi)金屬介電層(IMD)、鈍化層(passivat1n layer)與內(nèi)連金屬結(jié)構(gòu)。值得注意的是，導(dǎo)電墊區(qū)116與測試電路117為晶片110中的內(nèi)連金屬結(jié)構(gòu)，其具有多個(gè)平行排列的金屬層與連接此些金屬層的連通柱(via)。且部分的第一絕緣層118位于此些金屬層間以作為內(nèi)金屬介電層，而連通柱通過第一絕緣層118以電性連接相鄰的金屬層。此外，第一絕緣層118還使導(dǎo)電墊區(qū)116與測試電路117電性絕緣。在本發(fā)明的其他部分實(shí)施例中，第一絕緣層118的材質(zhì)包含氧化硅、氮化硅、或其他合適的絕緣材料，而遮光保護(hù)層160的材質(zhì)包含環(huán)氧樹脂或低透光度材料。在本發(fā)明的其他部分實(shí)施例中，乘載基板130為空白的硅基板。
[0073]晶片110還具有一感測層115位于晶片110的第一表面112上，間隔層120環(huán)繞此感測層115，且此感測層115電性連接至導(dǎo)電墊區(qū)116。間隔層120可如圖1所示跨至感測層115上，但不以此為限。間隔層120亦可與感測層115維持一間距，而不影響本發(fā)明的精神。感測層115為濕度感測層、光感測層或壓力感測層，但不以此為限。在本實(shí)施例中，感測層115為濕度感測層，其材質(zhì)包含濕度感測高分子。因此，乘載基板130還具有一第一開口 132于感測層115上，且第一開口 132在垂直投影方向重疊于感測層115的感測區(qū)115a。自第一開口 132進(jìn)入的水氣使感測區(qū)115a中的濕度感測高分子的性質(zhì)(電阻值、電容值)產(chǎn)生變化，感測區(qū)115a并將此信號(hào)傳至晶片110以換算濕度值。本發(fā)明的遮光保護(hù)層160除了能保護(hù)測試電路117外，其還阻擋外部能量進(jìn)入乘載基板130中。詳細(xì)而言，進(jìn)入乘載基板130的光線具有一定的能量，并會(huì)往感測層115方向擴(kuò)散，而影響感測區(qū)115a所偵測到的數(shù)值(尤其是當(dāng)感測層為光感測層或濕度感測層時(shí))。據(jù)此，本發(fā)明提供的遮光保護(hù)層160至少會(huì)延伸至乘載基板130中，以阻檔大部分的光線自乘載基板130的側(cè)面進(jìn)入，進(jìn)一步提高感測的精準(zhǔn)度。
[0074]晶片110還具有一穿孔119自第二表面114朝第一表面112延伸，并暴露導(dǎo)電墊區(qū)116。第二絕緣層140位于第二表面114下，并延伸至穿孔119中覆蓋穿孔119的側(cè)壁，而導(dǎo)電層150位于第二絕緣層140與遮光保護(hù)層160之間，并延伸至穿孔119中接觸導(dǎo)電墊區(qū)116。具體而言，導(dǎo)電層150接觸導(dǎo)電墊區(qū)116中的金屬層。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，導(dǎo)電層150的材質(zhì)包含鋁、銅、鎳、或任何合適的導(dǎo)電材料，而第二絕緣層140的材質(zhì)包含氧化硅、氮化硅、或其他合適的絕緣材料。遮光保護(hù)層160還具有一第二開口 162暴露部分的導(dǎo)電層150，而一外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170結(jié)位于第二開口 162中，并接觸導(dǎo)電層150。借此，外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170通過導(dǎo)電層150與導(dǎo)電墊區(qū)116電性連接，以將晶片110運(yùn)算后的濕度值傳送至外部裝置，例如:印刷電路板。外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170為焊球、凸塊等業(yè)界熟知的結(jié)構(gòu)，且形狀可以為圓形、橢圓形、方形、長方形，并不用以限制本發(fā)明。
[0075]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖2，圖2為本發(fā)明其他部分實(shí)施方式中一種晶片封裝體的剖面圖。此處需注意的是相同元件的材質(zhì)并不再做詳述。圖2的晶片封裝體200與圖1的晶片封裝體100的差別在于，晶片封裝體200的第二絕緣層240位于第二表面114下，且延伸入乘載基板130中并覆蓋晶片110的側(cè)面113與間隔層120的側(cè)面。如圖2所示，第二絕緣層240夾設(shè)于晶片110的側(cè)面113與遮光保護(hù)層160之間，并覆蓋暴露于側(cè)面113的測試電路117。具體而言，設(shè)置第二絕緣層240與遮光保護(hù)層160于晶片封裝體200的兩側(cè)，以阻隔暴露于側(cè)面113的測試電路117與水氣接觸的機(jī)會(huì)，進(jìn)一步提升晶片封裝體200的良率。
[0076]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖3，圖3為本發(fā)明其他部分實(shí)施方式中一種晶片封裝體的剖面圖。此處需注意的是相同元件的材質(zhì)并不再做詳述。圖3的晶片封裝體300與圖1的晶片封裝體100的差別在于，晶片封裝體300的遮光保護(hù)層360位于第二表面114下，且延伸通過晶片110、間隔層120與部分乘載基板130，以覆蓋晶片110中的測試電路117。但遮光保護(hù)層360并未覆蓋晶片封裝體300的兩側(cè)，因此晶片110的側(cè)面313與間隔層120仍暴露于大氣中。雖然水氣會(huì)自晶片110的側(cè)面313進(jìn)入，但通過晶片110、間隔層120與部分乘載基板130的遮光保護(hù)層360仍可提供測試電路117良好的阻隔效果，使其不受水氣影響。
[0077]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖4，圖4為本發(fā)明其他部分實(shí)施方式中一種晶片封裝體的剖面圖，且相同元件的材質(zhì)不再詳述。圖4的晶片封裝體400與圖1的晶片封裝體100的差別在于，晶片封裝體400的遮光保護(hù)層460還延伸以完全覆蓋乘載基板130的側(cè)面130S，且其底部462與乘載基板130的上表面130T大致為共平面。在圖4的實(shí)施方式中，遮光保護(hù)層460不僅阻隔水氣進(jìn)入測試電路117，還能完全遮蔽自乘載基板130的側(cè)面130S處進(jìn)入的光線，以使感測區(qū)115a不受干擾而提升晶片封裝體400的偵測精度。
[0078]接著參閱圖5，圖5繪示根據(jù)本發(fā)明部分實(shí)施方式的晶片封裝體的制造方法流程圖。并同時(shí)參閱圖6A-6G以進(jìn)一步理解晶片封裝體的制造方法，圖6A-6G繪示圖1的晶片封裝體在制程各個(gè)階段的剖面圖。
[0079]請(qǐng)先參閱步驟510與圖6A，提供一晶圓600，晶圓600具有相對(duì)的第一表面112與第二表面114，并包含感測層115、第一絕緣層118、導(dǎo)電墊區(qū)116與測試電路117，其中感測層115位于第一表面112上、第一絕緣層118位于第一表面112下、而導(dǎo)電墊區(qū)116與測試電路117位于第一絕緣層118中，且彼此電性分離。晶圓600上具有多個(gè)晶片區(qū)，在后續(xù)制程中會(huì)切割此些晶片區(qū)以形成多個(gè)晶片封裝體100。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，晶圓600中具有半導(dǎo)體元件、內(nèi)層介電層(ILD)、內(nèi)金屬介電層(IMD)、鈍化層(passivat1n layer)與內(nèi)連金屬結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電墊區(qū)116與測試電路117為晶圓600中的內(nèi)連金屬結(jié)構(gòu)，其具有多個(gè)平行排列的金屬層與連接此些金屬層的連通柱(via)。且部分的第一絕緣層118位于此些金屬層間以作為內(nèi)金屬介電層，而連通柱通過第一絕緣層118以電性連接相鄰的金屬層。此外，第一絕緣層118還使導(dǎo)電墊區(qū)116與測試電路117電性絕緣。
[0080]繼續(xù)參閱步驟520與圖6A，形成一間隔層120于第一表面112上，以環(huán)繞感測層115，接著形成一乘載基板130于間隔層120上，以覆蓋感測層115。在此步驟中，使用一粘著層(未繪示)以粘合感測層115至第一表面112，接著在接合乘載基板130至間隔層120上。值得注意的是，乘載基板130具有一凹洞610，其用于定義感測層115的感測區(qū)域，將于后續(xù)詳述。
[0081 ] 請(qǐng)繼續(xù)參閱步驟530與圖6B，形成一穿孔119自晶圓600的第二表面114朝第一表面112延伸，以暴露導(dǎo)電墊區(qū)116。在此步驟中，可利用微影蝕刻的方式移除部分的晶圓600，以形成穿孔119于晶圓600中以暴露導(dǎo)電墊區(qū)116，但不以此為限。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，在形成穿孔119前，先研磨晶圓600的第二表面114以減少晶圓600的厚度。
[0082]接著請(qǐng)參閱步驟540與圖6C，形成第二絕緣層140于晶圓600的第二表面114下與穿孔119中，并移除穿孔119中的部分第二絕緣層140以暴露導(dǎo)電墊區(qū)116于穿孔119中。在此步驟中，以化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposit1n,CVD)順應(yīng)的沉積絕緣材料至第二表面114下，而部分的絕緣材料會(huì)進(jìn)入穿孔119中覆蓋其側(cè)壁與底部。接著，可使用微影蝕刻的方式移除穿孔119中的絕緣材料以形成第二絕緣層140，并使導(dǎo)電墊區(qū)116暴露于穿孔119的底部。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，第二絕緣層140的材質(zhì)包含氧化硅、氮化硅、或其他合適的絕緣材料。
[0083]請(qǐng)繼續(xù)參閱步驟550與圖6D，形成一導(dǎo)電層150于第二絕緣層140下與穿孔119中?？衫美缡菫R鍍、蒸鍍、電鍍或無電鍍的方式來沉積導(dǎo)電材料至第二絕緣層140下，而部分的導(dǎo)電材料延伸至穿孔119中覆蓋其側(cè)壁，并接觸暴露于穿孔119底部的導(dǎo)電墊區(qū)116。具體而言，導(dǎo)電材料接觸導(dǎo)電墊區(qū)116中的金屬層。之后，可使用微影蝕刻的方式圖案化導(dǎo)電材料，以形成導(dǎo)電層150。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，導(dǎo)電層150的材質(zhì)例如可以采用鋁(aluminum)、銅(copper)、鎳(nickel)或其他合適的導(dǎo)電材料。
[0084]請(qǐng)繼續(xù)參閱步驟560與圖6E，移除部分的晶圓600、部分的間隔層120與部分的乘載基板130以形成一缺口620暴露晶圓600的側(cè)面113。在此步驟中，使用刀具切除部分的晶圓600以形成側(cè)面113于第一表面112與第二表面114之間，且測試電路117暴露于晶圓600的側(cè)面113。值得注意的是，此步驟為一預(yù)切割制程，并不會(huì)完全切開乘載基板130。換言之，刀具切割至乘載基板130中即停止，而形成的缺口 620通過晶圓600、間隔層120與部分的乘載基板130，且缺口620的底部621位于乘載基板130中。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，晶圓600不具有測試電路117，而第一絕緣層118暴露于晶圓600的側(cè)面113。
[0085]請(qǐng)接著參閱步驟570與圖6F，形成一遮光保護(hù)層160于第二表面114下與缺口 620中，且遮光保護(hù)層160延伸入乘載基板130中并覆蓋晶圓600的側(cè)面113?？赏ㄟ^涂布、沉積或印刷環(huán)氧樹脂系或具有低透光率的材料于導(dǎo)電層150下，且此些材料在未固化前具有流動(dòng)性并受重力影響流入缺口 620中覆蓋晶圓600的側(cè)面113與測試電路117、間隔層120的側(cè)面以及位于乘載基板130中的缺口 620的底部621。據(jù)此，部分的環(huán)氧樹脂系或低透光率的材料嵌于乘載基板130中。之后，再使用熱固化或光交聯(lián)的方式固化此些材料，以形成遮光保護(hù)層160。覆蓋側(cè)面113的遮光保護(hù)層160可保護(hù)測試線路117不被水氣侵蝕，而提高制程的良率。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，晶圓600不具有測試電路117，而遮光保護(hù)層160覆蓋暴露于側(cè)面113的第一絕緣層118。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，部分的遮光保護(hù)層160位于穿孔119中，但未完全填滿穿孔119。
[0086]請(qǐng)接著參閱步驟580與圖6F，形成第二開口162于遮光保護(hù)層160中以暴露導(dǎo)電層150，接著形成一外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170于第二開口 162中。在此步驟中，圖案化遮光保護(hù)層160以形成第二開口 162，使部分的導(dǎo)電層150于遮光保護(hù)層160的第二開口 162中暴露出來。在本實(shí)施例中，此遮光保護(hù)層160的材質(zhì)為感光性材料，具體而言為感光性環(huán)氧樹脂或低透光率的感光材料，因此不需額外使用光阻層定義遮光保護(hù)層160的圖案，可直接以微影蝕刻方式來圖案化遮光保護(hù)層160以形成第二開口 162。接著，再形成外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170于此第二開口162中，且外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170接觸導(dǎo)電層150以電性連接至導(dǎo)電層150。
[0087]最后請(qǐng)參閱步驟590，并請(qǐng)參閱圖6G，研磨乘載基板130以形成一第一開口 132，并沿缺口切割遮光保護(hù)層160與乘載基板130，以形成一晶片封裝體。在形成外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170后，先形成一暫時(shí)粘著層630覆蓋遮光保護(hù)層160與外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170，接著再研磨乘載基板130。此研磨制程停止于凹洞610處，以形成第一開口 132于感測層115上，而感測層115在第一開口 132的垂直投影處即為感測區(qū)115a。在本實(shí)施例中，自第一開口 132進(jìn)入的水氣使感測區(qū)115a中的濕度感測高分子的性質(zhì)(電阻值、電容值)產(chǎn)生變化。在本發(fā)明的其他部分實(shí)施例中，形成第一開口 132后可繼續(xù)研磨乘載基板130以降低其厚度。接著，沿著缺口620中的切割道640切割遮光保護(hù)層160、乘載基板130與暫時(shí)粘著層630，以分離晶圓600上個(gè)多個(gè)晶片區(qū)。最后移除暫時(shí)粘著層630以形成圖1所示的晶片封裝體100。暫時(shí)粘著層630提供研磨時(shí)所需的乘載力，并使晶圓600在切割時(shí)不易受應(yīng)力影響而破裂。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，暫時(shí)粘著層630為一膠帶。
[0088]接著參閱圖7，圖7繪示根據(jù)本發(fā)明部分實(shí)施方式的晶片封裝體的制造方法流程圖。并同時(shí)參閱圖8A-8G以進(jìn)一步理解晶片封裝體的制造方法，圖8A-8G繪示圖2的晶片封裝體在制程各個(gè)階段的剖面圖。
[0089]請(qǐng)先參閱步驟710與圖8A，提供一晶圓800，晶圓800具有相對(duì)的第一表面112與第二表面114，并包含感測層115、第一絕緣層118、導(dǎo)電墊區(qū)116與測試電路117，其中感測層115位于第一表面112上、第一絕緣層118位于第一表面112下、而導(dǎo)電墊區(qū)116與測試電路117位于第一絕緣層118中，且彼此電性分離。晶圓800上具有多個(gè)晶片區(qū)，在后續(xù)制程中會(huì)切割此些晶片區(qū)以形成多個(gè)晶片封裝體200。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，晶圓800中具有半導(dǎo)體元件、內(nèi)層介電層(ILD)、內(nèi)金屬介電層(IMD)、鈍化層(passivat1n layer)與內(nèi)連金屬結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電墊區(qū)116與測試電路117為晶圓800中的內(nèi)連金屬結(jié)構(gòu)，其具有多個(gè)平行排列的金屬層與連接此些金屬層的連通柱(via)。且部分的第一絕緣層118位于此些金屬層間以作為內(nèi)金屬介電層，而連通柱通過第一絕緣層118以電性連接相鄰的金屬層。此外，第一絕緣層118還使導(dǎo)電墊區(qū)116與測試電路117電性絕緣。
[0090]繼續(xù)參閱步驟720與圖8A，形成一間隔層120于第一表面112上，以環(huán)繞感測層115，接著形成一乘載基板130于間隔層120上，以覆蓋感測層115。在此步驟中，使用一粘著層(未繪示)以粘合感測層115至第一表面112，接著在接合乘載基板130至間隔層120上。值得注意的是，乘載基板130具有一凹洞810，其用于定義感測層115的感測區(qū)域，將于后續(xù)詳述。
[0091]請(qǐng)繼續(xù)參閱步驟730與圖8B，形成一穿孔119自晶圓800的第二表面114朝第一表面112延伸，以暴露導(dǎo)電墊區(qū)116。在此步驟中，可利用微影蝕刻的方式移除部分的晶圓800，以形成穿孔119于晶圓800中以暴露導(dǎo)電墊區(qū)116，但不以此為限。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，在形成穿孔119前，先研磨晶圓800的第二表面114以減少晶圓800的厚度。
[0092]接著請(qǐng)參閱步驟740與圖8C，移除部分的晶圓800、部分的間隔層120與部分的乘載基板130以形成一缺口820暴露晶圓800的側(cè)面113。在此步驟中，使用刀具切除部分的晶圓700以形成側(cè)面113于第一表面112與第二表面114之間，且測試電路117暴露于晶圓800的側(cè)面113。值得注意的是，此步驟為一預(yù)切割制程，并不會(huì)完全切開乘載基板130。換言之，刀具切割至乘載基板130中即停止，而形成的缺口 820通過晶圓800、間隔層120與部分的乘載基板130，且缺口 820的底部821位于乘載基板130中。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，晶圓800不具有測試電路117，而第一絕緣層118暴露于晶圓800的側(cè)面113。
[0093]請(qǐng)繼續(xù)參閱步驟750與圖8D，形成第二絕緣層240于晶圓800的第二表面114下、穿孔119與缺口820中，并移除穿孔119中的部分第二絕緣層240以暴露導(dǎo)電墊區(qū)116于穿孔119中。在此步驟中，以化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposit1n，CVD)順應(yīng)的沉積絕緣材料至第二表面114下，而部分的絕緣材料會(huì)進(jìn)入穿孔119中覆蓋其側(cè)壁與底部。值得注意的是，圖8A?8G與圖6A?6G的制程步驟的差別在于，圖8A?8G在形成第二絕緣層240前形成缺口820，因此絕緣材料還順應(yīng)的覆蓋晶圓的側(cè)面113與缺口 820的底部821，以形成保護(hù)測試電路117的第二絕緣層240。接著，可使用微影蝕刻的方式移除穿孔119中的絕緣材料，使導(dǎo)電墊區(qū)116暴露于穿孔119的底部。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，晶圓800不具有測試電路117，而第二絕緣層240覆蓋暴露于側(cè)面113的第一絕緣層118。
[0094]請(qǐng)繼續(xù)參閱步驟760與圖8E，形成一導(dǎo)電層150于第二絕緣層240下與穿孔119中?？衫美缡菫R鍍、蒸鍍、電鍍或無電鍍的方式來沉積導(dǎo)電材料至第二絕緣層240下，而部分的導(dǎo)電材料延伸至穿孔119中覆蓋其側(cè)壁，并接觸暴露于穿孔119底部的導(dǎo)電墊區(qū)116。具體而言，導(dǎo)電材料接觸導(dǎo)電墊區(qū)116中的金屬層。之后，可使用微影蝕刻的方式圖案化導(dǎo)電材料，以形成導(dǎo)電層150。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，導(dǎo)電層150的材質(zhì)例如可以采用鋁(aluminum)、銅(copper)、鎳(nickel)或其他合適的導(dǎo)電材料。
[0095]請(qǐng)接著參閱步驟770與圖8F，形成一遮光保護(hù)層160于第二表面114下與缺口 820中，且遮光保護(hù)層160延伸入乘載基板130中并覆蓋位于晶圓800的側(cè)面113的第二絕緣層240?？赏ㄟ^涂布、沉積或印刷環(huán)氧樹脂系或具有低透光率的材料于導(dǎo)電層150下，且此些材料在未固化前具有流動(dòng)性，其受重力影響流入缺口 820中覆蓋位于晶圓800的側(cè)面113的第二絕緣層240，且部分的環(huán)氧樹脂系或低透光率的材料流至缺口 820的底部821，并嵌于乘載基板130中。之后，再使用熱固化或光交聯(lián)的方式固化此些材料，以形成遮光保護(hù)層160。覆蓋側(cè)面113的第二絕緣層240與遮光保護(hù)層160可保護(hù)測試線路117不被水氣侵蝕，而提高制程的良率。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，部分的遮光保護(hù)層160位于穿孔119中，但未完全填滿穿孔119。
[0096]請(qǐng)接著參閱步驟780與圖8F，形成第二開口162于遮光保護(hù)層160中以暴露導(dǎo)電層150，接著形成一外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170于第二開口 162中。在此步驟中，圖案化遮光保護(hù)層160以形成第二開口 162，使部分的導(dǎo)電層150于遮光保護(hù)層160的第二開口 162中暴露出來。在本實(shí)施例中，此遮光保護(hù)層160的材質(zhì)為感光性材料，具體而言為感光性環(huán)氧樹脂或低透光率的感光材料，因此不需額外使用光阻層定義遮光保護(hù)層160的圖案，可直接以微影蝕刻方式來圖案化遮光保護(hù)層160以形成第二開口 162。接著，再形成外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170于此第二開口 162中，且外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170接觸導(dǎo)電層150以電性連接至導(dǎo)電層150。
[0097]最后請(qǐng)參閱步驟790，并請(qǐng)參閱圖SG，研磨乘載基板130以形成一第一開口 132，并沿缺口切割遮光保護(hù)層160、第二絕緣層240與乘載基板130，以形成一晶片封裝體。在形成外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170后，先形成一暫時(shí)粘著層830覆蓋遮光保護(hù)層160與外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170，接著再研磨乘載基板130。此研磨制程停止于凹洞810處，以形成第一開口 132于感測層115上，而感測層115在第一開口 132的垂直投影處即為感測區(qū)115a。接著，沿著缺口 820中的切割道840切割遮光保護(hù)層160、第二絕緣層240與乘載基板130，以分離晶圓800上個(gè)多個(gè)晶片區(qū)。最后移除暫時(shí)粘著層830以形成圖2所示的晶片封裝體200。
[0098]還請(qǐng)參閱圖9A-9G以理解本發(fā)明的晶片封裝體的另一種制造方法，圖9A-9G繪示圖2的晶片封裝體在制程各個(gè)階段的剖面圖。
[0099]請(qǐng)先參閱與圖9A，提供一晶圓900，晶圓900具有相對(duì)的第一表面112與第二表面114，并包含感測層115、第一絕緣層118、導(dǎo)電墊區(qū)116與測試電路117，其中感測層115位于第一表面112上、第一絕緣層118位于第一表面112下、而導(dǎo)電墊區(qū)116與測試電路117位于第一絕緣層118中，且彼此電性分離。晶圓900的詳細(xì)內(nèi)容可參考前述的晶圓600與晶圓800，在此不再詳述。
[0100]繼續(xù)參閱圖9A，形成一間隔層120于第一表面112上，以環(huán)繞感測層115，接著形成一乘載基板130于間隔層120上，以覆蓋感測層115。在此步驟中，使用一粘著層(未繪示)以粘合感測層115至第一表面112，接著在接合乘載基板130至間隔層120上。值得注意的是，乘載基板130具有一凹洞910，其用于定義感測層115的感測區(qū)域，將于后續(xù)詳述。在形成乘載基板130后，還形成一暫時(shí)乘載層915覆蓋乘載基板130的上表面130T。暫時(shí)乘載層915有利于在后續(xù)的制程形成遮光保護(hù)層，其將于后詳述。在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，暫時(shí)乘載層915可為膠帶、玻璃、藍(lán)寶石基板或任何能提供乘載力的材料，但本發(fā)明并不加以限制其類型。
[0101]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖9B，形成一穿孔119自晶圓900的第二表面114朝第一表面112延伸，以暴露導(dǎo)電墊區(qū)116。在此步驟中，可利用微影蝕刻的方式移除部分的晶圓900，以形成穿孔119于晶圓900中以暴露導(dǎo)電墊區(qū)116，但不以此為限。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，在形成穿孔119前，先研磨晶圓900的第二表面114以減少晶圓900的厚度。
[0102]接著請(qǐng)參閱圖9C，形成第二絕緣層140于晶圓900的第二表面114下與穿孔119中，并移除穿孔119中的部分第二絕緣層140以將導(dǎo)電墊區(qū)116暴露于穿孔119中。在此步驟中，以化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposit1n，CVD)順應(yīng)的沉積絕緣材料至第二表面114下，而部分的絕緣材料會(huì)進(jìn)入穿孔119中覆蓋其側(cè)壁與底部。接著，使用微影蝕刻的方式移除穿孔119中的絕緣材料以形成第一絕緣層140，并使導(dǎo)電墊區(qū)116暴露于穿孔119的底部。
[0103]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖9D，形成一導(dǎo)電層150于第二絕緣層140下與穿孔119中?？衫美缡菫R鍍、蒸鍍、電鍍或無電鍍的方式來沉積導(dǎo)電材料至第二絕緣層140下，而部分的導(dǎo)電材料延伸至穿孔119中覆蓋其側(cè)壁，并接觸暴露于穿孔119底部的導(dǎo)電墊區(qū)116。具體而言，導(dǎo)電材料接觸導(dǎo)電墊區(qū)116中的金屬層。之后，可使用微影蝕刻的方式圖案化導(dǎo)電材料，以形成導(dǎo)電層150。
[0104]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖9E，移除部分的晶圓900、部分的間隔層120與部分的乘載基板130以形成一缺口 920暴露晶圓900的側(cè)面113。在此步驟中，使用刀具切除部分的晶圓900以形成側(cè)面113于第一表面112與第二表面114之間，且測試電路117暴露于晶圓900的側(cè)面113。但圖9E與圖6E繪示的切割步驟之間的差異在于，在圖9E中會(huì)將乘載基板130完全切開。也就是說，此預(yù)切割制程將乘載基板130貫穿并停止于暫時(shí)乘載層915，因此形成的缺口920通過晶圓900、間隔層120與乘載基板130，且暫時(shí)乘載層915暴露于缺口 920的底部921。乘載基板130在切割后被分離成多個(gè)如圖4所示的乘載基板130，且此些乘載基板130的側(cè)面130S均暴露于缺口 920中。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，晶圓900不具有測試電路117，而第一絕緣層118暴露于晶圓900的側(cè)面113。
[0105]請(qǐng)接著參閱圖9F，形成一遮光保護(hù)層460于第二表面114下與缺口 920中，且遮光保護(hù)層460延伸覆蓋晶圓900的側(cè)面113與乘載基板130的側(cè)面130S。遮光保護(hù)層460的材料與形成方式可參考圖6F的遮光保護(hù)層160，在此不再詳述。如前所述，遮光保護(hù)層460在為固化前具有流動(dòng)性，并受重力影響流入缺口 920中覆蓋晶圓900的側(cè)面113與乘載基板130的側(cè)面130S，而暫時(shí)乘載層915提供阻擋能力以使此些材料不會(huì)繼續(xù)往下流動(dòng)，而能置留于缺口920之中。遮光保護(hù)層460不僅保護(hù)測試線路117不被水氣侵蝕，還完全遮蔽自乘載基板130的側(cè)面130S處進(jìn)入的光線，借此提高制程的良率與晶片封裝體的偵測精度。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，晶圓900不具有測試電路117，而遮光保護(hù)層160覆蓋暴露于側(cè)面113的第一絕緣層118。
[0106]請(qǐng)接著參閱圖9F，形成第二開口162于遮光保護(hù)層460中以暴露導(dǎo)電層150，接著形成一外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170于第二開口 162中。在此步驟中，圖案化遮光保護(hù)層460以形成第二開口 162，使部分的導(dǎo)電層150于遮光保護(hù)層460的第二開口 162中暴露出來。在本實(shí)施例中，此遮光保護(hù)層460的材質(zhì)為感光性材料，具體而言為感光性環(huán)氧樹脂或低透光率的感光材料，因此不需額外使用光阻層定義遮光保護(hù)層460的圖案，可直接以微影蝕刻方式來圖案化遮光保護(hù)層460以形成第二開口 162。接著，再形成外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170于此第二開口 162中，且外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170接觸導(dǎo)電層150以電性連接至導(dǎo)電層150。
[0107]最后請(qǐng)參閱圖9G，移除暫時(shí)乘載層915，并研磨乘載基板130以形成一第一開口132，再沿缺口920切割遮光保護(hù)層160，以形成一晶片封裝體。在形成外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170后，先形成一暫時(shí)粘著層930覆蓋遮光保護(hù)層160與外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170，接著將暫時(shí)乘載層915移除后再研磨乘載基板130。此研磨制程停止于凹洞910處，以形成第一開口 132于感測層115上，而感測層115在第一開口 132的垂直投影處即為感測區(qū)115a。在本發(fā)明的其他部分實(shí)施例中，可直接以研磨方式將暫時(shí)乘載層915移除，之后再繼續(xù)研磨乘載基板130來形成第一開口 132，還可在第一開口 132形成后繼續(xù)研磨乘載基板130以降低其厚度。接著，沿著缺口920中的切割道940切割遮光保護(hù)層460與暫時(shí)粘著層930，以分離晶圓900上個(gè)多個(gè)晶片區(qū)。最后移除暫時(shí)粘著層930以形成圖4所示的晶片封裝體400。暫時(shí)粘著層930提供研磨時(shí)所需的乘載力，并使晶圓900在切割時(shí)不易受應(yīng)力影響而破裂。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，暫時(shí)粘著層930為一膠帶。
[0108]與已知技術(shù)相較，本發(fā)明的晶片封裝體的遮光保護(hù)層延伸至晶片的側(cè)面覆蓋暴露的測試電路或第一絕緣層，以達(dá)到阻隔水氣的功效。借此，測試電路或第一絕緣層不受水氣影響而氧化，使晶片封裝體的內(nèi)部電路，例如:硅穿孔，維持良好電性。此外，遮光保護(hù)層還覆蓋間隔層的側(cè)面使其不易吸收水氣而與晶片剝離。在其他實(shí)施例中，晶片封裝體的第二絕緣層亦延伸至晶片的側(cè)面，并夾設(shè)于側(cè)面與遮光保護(hù)層之間。具有致密結(jié)構(gòu)的第二絕緣層進(jìn)一步阻隔晶片的側(cè)面與水氣接觸的機(jī)會(huì)。在一些實(shí)施方式中，遮光保護(hù)層還完全覆蓋乘載基板的側(cè)面，以避免自此處進(jìn)入的光線干擾感測結(jié)果?？偨Y(jié)以上數(shù)點(diǎn)，本發(fā)明提供的晶片封裝體與其制備方法能有效阻隔大氣中的水氣進(jìn)入晶片封裝體中，而大幅提升其良率與可靠度。
[0109]以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包含: 晶片，具有相對(duì)的第一表面與第二表面，以及側(cè)面位于該第一表面與該第二表面之間； 間隔層，位于該第一表面上； 乘載基板，位于該間隔層上；以及 遮光保護(hù)層，位于該晶片的該第二表面下，且該遮光保護(hù)層延伸入該乘載基板中并覆蓋該晶片的該側(cè)面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光保護(hù)層的材質(zhì)包含環(huán)氧樹脂或低透光率材料。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該晶片還包含: 感測層，位于該第一表面上，且該間隔層環(huán)繞該感測層； 第一絕緣層，位于該第一表面下； 導(dǎo)電墊區(qū)與測試電路，位于該第一絕緣層中，且彼此電性分離；以及 穿孔，自該晶片的第二表面朝該第一表面延伸，并暴露該導(dǎo)電墊區(qū)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該測試電路暴露于該晶片的該側(cè)面，而該遮光保護(hù)層覆蓋該測試電路。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一絕緣層暴露于該晶片的該側(cè)面，而該遮光保護(hù)層覆蓋該第一絕緣層。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該乘載基板具有位于該感測層上的第一開口。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，還包含: 第二絕緣層，位于該第二表面下，并延伸至該穿孔中覆蓋該穿孔的側(cè)壁；以及 導(dǎo)電層，位于該第二絕緣層與該遮光保護(hù)層之間，并延伸至該穿孔中接觸該導(dǎo)電墊區(qū)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一絕緣層與該第二絕緣層的材質(zhì)包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其組合。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二絕緣層還延伸覆蓋該側(cè)面，并夾設(shè)于該晶片的該側(cè)面與該遮光保護(hù)層之間。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光保護(hù)層具有第二開口暴露部分該導(dǎo)電層。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，還包含外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于該第二開口中，并接觸該導(dǎo)電層。12.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包含: 提供晶圓，該晶圓具有相對(duì)的第一表面與第二表面； 形成間隔層于該第一表面上； 形成乘載基板于該間隔層上； 移除部分該晶圓、部分該間隔層與部分該乘載基板以形成缺口暴露該晶圓的側(cè)面；以及 形成遮光保護(hù)層于該第二表面下與該缺口中，且該遮光保護(hù)層延伸入該乘載基板中并覆蓋該晶圓的該側(cè)面。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含研磨該晶圓的該第二表面。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該晶圓還包含: 感測層，位于該第一表面上，且該間隔層環(huán)繞該感測層； 第一絕緣層，位于該第一表面下；以及 導(dǎo)電墊區(qū)與測試電路，位于該第一絕緣層中，且彼此電性分離。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該測試電路暴露于該晶圓的該側(cè)面，而位于該缺口中的該遮光保護(hù)層覆蓋該測試電路。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含: 形成穿孔自該晶圓的該第二表面朝該第一表面延伸，以暴露該導(dǎo)電墊區(qū)； 形成第二絕緣層于該第二表面下與該穿孔中； 移除該穿孔中的部分該第二絕緣層以暴露該導(dǎo)電墊區(qū)；以及 形成導(dǎo)電層于該第二絕緣層下與該穿孔中，其中該遮光保護(hù)層覆蓋該導(dǎo)電層。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含: 圖案化該遮光保護(hù)層以形成第二開口暴露該導(dǎo)電層；以及 形成外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)于該第二開口中。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含: 研磨該乘載基板以形成第一開口。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含: 沿該缺口切割該遮光保護(hù)層，以形成晶片封裝體。20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該遮光保護(hù)層以涂布、沉積或印刷的方式形成。
【文檔編號(hào)】H01L21/56GK106098639SQ201610269194
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年4月27日 公開號(hào)201610269194.4, CN 106098639 A, CN 106098639A, CN 201610269194, CN-A-106098639, CN106098639 A, CN106098639A, CN201610269194, CN201610269194.4
【發(fā)明人】沈信隆, 賴俊諺, 黃郁庭
【申請(qǐng)人】精材科技股份有限公司