用于制造固體層的方法和設(shè)備以及根據(jù)該方法制造的晶片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于制造固體層的方法。根據(jù)本發(fā)明的方法優(yōu)選至少包括下述步驟：提供固體(2)用于分開至少一個(gè)固體層(4)；借助于至少一個(gè)輻射源(18)的輻射、尤其激光器的輻射在所述固體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生缺陷以預(yù)設(shè)剝離平面(8)，所述固體層(4)沿著所述剝離平面從所述固體(2)處分開，借助于沿著所述剝離平面(8)引導(dǎo)的裂紋將所述固體層(4)從所述固體(2)處分開，由此所述固體(2)處露出表面并且在所述固體層(4)處露出表面，其中在將所述固體層(4)分開之后借助于回火裝置執(zhí)行射束處理以使被分開的所述固體層(4)的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)和/或所述固體(2)的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)平滑。
【專利說明】
用于制造固體層的方法和設(shè)備以及根據(jù)該方法制造的晶片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種相關(guān)類型的用于制造固體層的方法、一種借助于該方法制造的晶片以及涉及一種相關(guān)類型的用于制造固體層的設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在許多技術(shù)領(lǐng)域(例如微電子技術(shù)或者光伏技術(shù))中使用例如硅、鍺或者藍(lán)寶石的材料，通常呈薄片和板的形式(所謂的晶片)。符合標(biāo)準(zhǔn)地，這種晶片目前通過鋸割由晶錠來制造，其中產(chǎn)生相對(duì)大的材料損耗(“鋸口損失”)。因?yàn)樗褂玫某跏疾牧贤ǔＪ欠浅０嘿F的，所以強(qiáng)烈希望制造具有小的材料耗費(fèi)從而更有效且更成本適宜地制造這種晶片。
[0003]例如，借助于目前常用的方法，僅在制造用于太陽(yáng)能電池的硅晶片時(shí)，所使用的材料的幾乎50 %作為“鋸口損失”損失。在全球范圍來看，這對(duì)應(yīng)于每年超過20億歐元的損失。因?yàn)榫某杀菊贾瞥傻奶?yáng)能電池的成本的最大份額(超過40%)，所以能夠通過相應(yīng)地改進(jìn)晶片制造來顯著地降低太陽(yáng)能電池的成本。
[0004]對(duì)于這種不具有鋸口損失的晶片制造(“無(wú)鋸口切片”)而言如下方法是特別有吸引力的，所述方法棄用傳統(tǒng)的鋸割并且例如能夠通過使用溫度誘導(dǎo)的應(yīng)力直接將薄的晶片從較厚的工件處分離出來。其中尤其包括例如在PCT/US2008/012140和PCT/EP2009/067539中所描述的方法，在所述文獻(xiàn)中為了產(chǎn)生這種應(yīng)力使用涂鍍到工件上的聚合物層。
[0005]聚合物層在所提到的方法中具有相比于工件高大約兩個(gè)數(shù)量級(jí)的熱膨脹系數(shù)。此夕卜，能夠通過利用玻璃轉(zhuǎn)化實(shí)現(xiàn)聚合物層中的相對(duì)高的彈性模量，使得在層系統(tǒng)中聚合物層-工件能夠通過冷卻誘導(dǎo)產(chǎn)生足夠高的應(yīng)力，以便實(shí)現(xiàn)從工件處分離晶片。
[0006]在從工件處分離晶片時(shí)，在所提到的方法中分別在晶片的一側(cè)上仍附著有聚合物。晶片在此極其強(qiáng)烈地沿著朝向該聚合物層的方向彎曲，這使得受控的分離變得困難，并且例如會(huì)引起所分離的晶片的厚度波動(dòng)。此外，強(qiáng)烈的彎曲使得進(jìn)一步的加工變得困難并且甚至?xí)鹁钠扑椤?br>[0007]在使用根據(jù)迄今為止的現(xiàn)有技術(shù)的方法時(shí)，所制造的晶片通常分別具有較大的厚度波動(dòng)，其中空間的厚度分布通常顯示出具有四重對(duì)稱性的圖案?？偟暮穸炔▌?dòng)在整個(gè)晶片上來看(“total thickness variat1n”，TTV)在使用迄今為止的方法時(shí)通常大于平均的晶片厚度的100% (平均厚度例如為100微米的晶片，所述晶片例如在其最薄的部位處為50微米厚并且在其最厚的部位處為170微米厚，具有170-50 = 120微米的TTV，這相對(duì)于其平均厚度對(duì)應(yīng)于120%的總厚度波動(dòng))。具有如此大的厚度波動(dòng)的晶片對(duì)于許多應(yīng)用而言都是不適合的。此外，在最常出現(xiàn)的四重的厚度分布圖案中，具有最大的波動(dòng)的區(qū)域偏偏位于晶片的中心中，在該處所述波動(dòng)干擾性最強(qiáng)。
[0008]此外，在根據(jù)當(dāng)前的現(xiàn)有技術(shù)的方法中，在分離時(shí)引起的裂紋擴(kuò)展期間甚至在所參與的層系統(tǒng)中產(chǎn)生所不期望的振蕩，所述振蕩不利地影響裂紋前沿的走向并且尤其會(huì)導(dǎo)致分離的晶片的顯著的厚度波動(dòng)。
[0009 ]此外，在迄今為止的方法中困難的是，保證在聚合物層的整個(gè)面上可重現(xiàn)的良好的熱接觸。但是局部不足的熱接觸由于所使用的聚合物的低的導(dǎo)熱性會(huì)引起層系統(tǒng)中的所不期望的、顯著的局部溫度偏差，這就其而言對(duì)所產(chǎn)生的應(yīng)力場(chǎng)的可控制性起負(fù)面影響從而對(duì)所制造的晶片的質(zhì)量起負(fù)面影響。
[0010]此外，從文獻(xiàn)DE 196 40 594 Al中已知一種用于借助于光誘導(dǎo)的邊界面分解來分割半導(dǎo)體材料和借助所述方法制造的設(shè)備、如結(jié)構(gòu)化的和獨(dú)立式的半導(dǎo)體層和器件的方法。根據(jù)DE 196 40 594 Al的方法包括照亮在襯底和半導(dǎo)體層之間的或者在多個(gè)半導(dǎo)體層之間的邊界面，由此在邊界面處的或者在為此設(shè)置的吸收層中的光吸收引起材料分解。進(jìn)入分解的邊界面或者半導(dǎo)體層的選擇通過對(duì)光波長(zhǎng)和光強(qiáng)度的選擇、入射方向或者在材料制造期間裝入薄的犧牲層進(jìn)行。該方法具有如下缺點(diǎn):為了破壞全部層必須使用高的能量劑量，由此能量需求是非常高的從而所述方法的成本是非常高的。
[0011]此外，通過文獻(xiàn)EP000002390044B1、EP000001498215B1、EP000001494271B1、EP000001338371B1公開了如下方法，其中使用激光用于豎直地分割工件。
[0012]此外，用于在晶片內(nèi)部產(chǎn)生受損部位的激光輔助的方法是已知的。在此借助于聚焦的激光在一定深度中實(shí)現(xiàn)多光子激發(fā)，借助于所述多光子激發(fā)，在一定深度處的損傷是可行的而在材料進(jìn)入時(shí)沒有損傷。
[0013]通常，在此使用具有ns-脈沖持續(xù)時(shí)間(納秒脈沖持續(xù)時(shí)間)的激光，由此會(huì)引起加熱的材料與激光的強(qiáng)的相互作用。通常，這經(jīng)由光子-聲子相互作用發(fā)生，所述光子-聲子相互作用與多光子激發(fā)相比具有明顯更高的吸收。
[0014]這種方法例如通過Ohmura等(Journalof Achievements in Materials andManufacturing Engineering,2006，第17卷，第381頁(yè)ff)已知。由Ohmura等所提出的晶片處理用于通過在晶片內(nèi)部產(chǎn)生缺陷來產(chǎn)生裂紋引導(dǎo)線，如其在切割晶片板的晶片元件時(shí)部分地所設(shè)置的那樣。在該方法中產(chǎn)生的缺陷在此沿著豎直方向延伸，由此在各個(gè)晶片元件之間的連接結(jié)構(gòu)垂直于晶片元件的主表面發(fā)現(xiàn)長(zhǎng)形的弱化部。長(zhǎng)形的弱化部在此具有>50μπι的延展部。
[0015]對(duì)于切割晶片元件而言所利用的優(yōu)點(diǎn)、即產(chǎn)生具有>50μπι的豎直延展部的延展部，防止這種類型的缺陷產(chǎn)生轉(zhuǎn)移給用于從固體處分離一個(gè)或多個(gè)晶片層的方法。一方面，在晶片面上以分布的方式產(chǎn)生這種長(zhǎng)形的缺陷時(shí)，在固體的內(nèi)部中產(chǎn)生如下材料層，所述材料層僅能夠用于引導(dǎo)裂紋，然而對(duì)于稍后的使用是不適合的從而是廢品。另一方面，該廢品例如必須通過拋光法去除，由此可能產(chǎn)生附加的耗費(fèi)。由此本發(fā)明的目的是提供一種用于制造固體層或者固體的方法，所述方法能夠?qū)崿F(xiàn)成本適宜地制造固體板或者具有所期望的厚度分布的不平坦的固體，其中將圍繞裂紋平面的豎直的損傷部減小到最小程度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]由此，本發(fā)明的目的是提供一種用于制造固體層的方法，所述方法能夠?qū)崿F(xiàn)成本適宜地制造具有均勻的厚度和平滑的表面的固體板或者晶片、尤其具有小于120微米的TTV的固體板或者晶片。根據(jù)本發(fā)明的另一方面產(chǎn)生如下目的，提出一種用于制造一個(gè)或多個(gè)固體層的方法，其中借助于激光在固體內(nèi)部產(chǎn)生裂紋擴(kuò)展平面，其中形成裂紋擴(kuò)展平面的各個(gè)缺陷應(yīng)具有小于50μηι的豎直延展部。
[0017]之前所提到的目的通過下述用于制造固體層的方法實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的方法優(yōu)選至少包括下述步驟:提供固體用于分開至少一個(gè)固體層;借助于至少一個(gè)輻射源的輻射、尤其激光器的輻射在固體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生缺陷以預(yù)設(shè)剝離平面，沿著所述剝離平面將固體層從固體處分開;借助于沿著剝離平面引導(dǎo)的裂紋將固體層從固體分處開，由此在固體處露出表面并且在固體層處露出表面，其中在分開固體層之后借助于回火裝置執(zhí)行射束處理，以使被分開的固體層的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)和/或固體的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)平滑。
[0018]該解決方案是有利的，因?yàn)橛捎谳椛湓纯稍诠腆w中產(chǎn)生剝離層或缺陷層，通過所述剝離層或缺陷層，裂紋在裂紋擴(kuò)展部中傳導(dǎo)或引導(dǎo)，這能夠?qū)崿F(xiàn)非常小的TTV、尤其小于200微米或者100微米或者小于80微米或者小于60微米或者小于40微米或者小于20微米或者小于10微米或者小于5微米、尤其4微米、3微米、2微米、I微米的TTV。晶片的射束加載因此在第一步驟中實(shí)現(xiàn)固體的內(nèi)部中的一種穿孔，沿著所述穿孔，在第二步驟中實(shí)現(xiàn)裂紋擴(kuò)展，或者沿著所述穿孔實(shí)現(xiàn)固體層與固體的分開。
[0019]其它有利的實(shí)施方式是下述描述的主題。
[0020]尤其有利的是，實(shí)行呈超短期回火形式的附加的激光處理，其中被分離的固體層在毫秒和微秒的范圍中被加載激光射束。
[0021 ]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式，激光具有小于10ps、尤其優(yōu)選小于Ips并且最佳地小于500f s的脈沖持續(xù)時(shí)間。
[0022]用于將固體層剝離的應(yīng)力根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式從固體處通過熱加載容納層、尤其熱加載聚合物層來產(chǎn)生。熱加載優(yōu)選是將容納層或聚合物層冷卻到環(huán)境溫度或者冷卻到低于環(huán)境溫度并且優(yōu)選低于10°C并且尤其優(yōu)選低于(TC并且進(jìn)一步優(yōu)選低于-1O°C。對(duì)聚合物層的冷卻最優(yōu)選進(jìn)行為，使得優(yōu)選由PDMS構(gòu)成的聚合物層的至少一部分實(shí)行玻璃轉(zhuǎn)化。冷卻在此能夠是直到-100°C以下的冷卻，所述直到-100°C以下的冷卻例如可借助于液態(tài)氮引起。該實(shí)施方式是有利的，因?yàn)榫酆衔飳痈鶕?jù)溫度改變而收縮和/或經(jīng)受玻璃轉(zhuǎn)化并且在此所產(chǎn)生的力傳遞到固體上，由此可在固體中產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力，所述機(jī)械應(yīng)力引起裂紋的觸發(fā)和/或引起裂紋擴(kuò)展，其中裂紋首先沿著第一剝離平面擴(kuò)展以將固體層分開。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式，固體設(shè)置在用于保持固體的保持層上，其中保持層設(shè)置在固體的平坦的第一平面部上，其中固體的平坦的第一平面部與固體的平坦的第二平面部隔開，其中在平坦的第二平面部上設(shè)置有聚合物層，并且其中剝離平面相對(duì)于平坦的第一平面部和/或平坦的第二平面部平行地定向或者平行地產(chǎn)生。
[0024]該實(shí)施方式是有利的，因?yàn)楣腆w至少部分地并且優(yōu)選全部地設(shè)置在保持層和聚合物層之間，由此借助于這些層中的一個(gè)或者借助于這兩個(gè)層可將用于產(chǎn)生裂紋或者擴(kuò)展裂紋的應(yīng)力導(dǎo)入到固體中。
[0025]至少一個(gè)或者恰好一個(gè)輻射源根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式為了提供待引入到固體中的輻射而配置為，使得由其射出的射束在固體內(nèi)的預(yù)定的地點(diǎn)處產(chǎn)生缺陷。該實(shí)施方式是有利的，因?yàn)榻柚谳椛湓?、尤其借助于激光器可在固體中極其精確地產(chǎn)生缺陷。
[0026]對(duì)于所述方法而言尤其適合的是在下文中稱為“切片”和“打薄”的兩種應(yīng)用情況。在“切片”時(shí)，所述方法通常用于將厚層從更厚的半導(dǎo)體塊處剝離，通常用于將(具有行業(yè)特定的厚度的)晶片從晶錠處剝離。在“打薄”時(shí)所述方法用于將非常薄的層從晶片處分離，這對(duì)應(yīng)于現(xiàn)今的磨削工藝，然而具有下述優(yōu)點(diǎn):不需要的材料保持完整并且能夠再次使用。“打薄”和“切片”的明確分開是復(fù)雜的，因?yàn)槔纭按虮　币材軌蛲ㄟ^作用于晶片的背側(cè)來進(jìn)行，使得雖然產(chǎn)生薄層但是激光深入到材料中。
[0027]對(duì)于“打薄”情況而言:
[0028]輻射源根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式被設(shè)置為，使得由其射出的射束為了產(chǎn)生剝離平面而以限定的深度、尤其〈ΙΟΟμπ?的深度進(jìn)入到固體中。優(yōu)選地，剝離平面以與固體的外部的并且優(yōu)選平坦的表面平行地間隔開的方式構(gòu)成。優(yōu)選的是，剝離平面以小于100微米并且優(yōu)選小于50微米并且尤其優(yōu)選小于或等于20微米、10微米、5微米或者2微米地與固體的平坦的平面間隔開的方式在固體內(nèi)部構(gòu)成。由此，剝離平面優(yōu)選以由缺陷產(chǎn)生的平面的形式構(gòu)成，其中缺陷以小于100微米并且優(yōu)選小于50微米并且尤其優(yōu)選小于20微米、10微米或者2微米地與固體的平坦的表面間隔開的方式在固體內(nèi)部構(gòu)成。
[0029]對(duì)于“切片”情況而言:
[0030]輻射源根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式被設(shè)置為，使得由其射出的射束為了產(chǎn)生剝離平面而以限定的深度、尤其>100μπι的深度進(jìn)入到固體中。優(yōu)選地，剝離平面以與固體的外部的并且優(yōu)選平坦的表面平行地間隔開的方式構(gòu)成。優(yōu)選的是，剝離平面以大于100微米并且優(yōu)選大于200微米并且尤其優(yōu)選大于400微米或700微米地與固體的平坦的平面間隔開的方式在固體內(nèi)部構(gòu)成。由此，剝離平面優(yōu)選以由缺陷產(chǎn)生的平面的形式構(gòu)成，其中缺陷以大于100微米并且優(yōu)選大于200微米并且尤其優(yōu)選大于400微米或700微米地與固體的平坦的表面間隔開的方式在固體內(nèi)部構(gòu)成。
[0031]固體根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式以預(yù)設(shè)的波長(zhǎng)和/或功率來加載，其中預(yù)設(shè)的波長(zhǎng)優(yōu)選匹配于相應(yīng)的材料或襯底。該實(shí)施方式是有利的，因?yàn)槿毕荽笮】赏ㄟ^波長(zhǎng)和/或功率來影響。
[0032]固體根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式具有硅和/或鎵或者鈣鈦礦，并且聚合物層和/或保持層至少部分地并且優(yōu)選完全地或者超過75%由聚二甲基硅氧烷(PDMS)構(gòu)成，其中保持層設(shè)置在穩(wěn)定化裝置的至少局部地平坦的平面上，所述穩(wěn)定化裝置至少部分地由至少一種金屬構(gòu)成。穩(wěn)定化裝置優(yōu)選是板，尤其是具有鋁或者由鋁構(gòu)成的板。該實(shí)施方式是有利的，因?yàn)橥ㄟ^穩(wěn)定化裝置和保持層限定或者牢固地保持固體，由此應(yīng)力能夠非常精確地在固體中產(chǎn)生。
[0033]根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式，應(yīng)力在固體中可設(shè)置或產(chǎn)生為，使得用于產(chǎn)生如下表面的形貌的裂紋觸發(fā)和/或裂紋擴(kuò)展是可控的，所述表面在裂紋平面中得出。應(yīng)力由此優(yōu)選可在固體的不同的區(qū)域中優(yōu)選至少部分地不同強(qiáng)度地產(chǎn)生。該實(shí)施方式是有利的，因?yàn)橥ㄟ^控制裂紋觸發(fā)和/或裂紋走向可有利地影響所產(chǎn)生的或分開的固體層的形貌。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式，缺陷預(yù)設(shè)至少一個(gè)裂紋引導(dǎo)層，其中至少一個(gè)裂紋引導(dǎo)層具有不同于平坦的造型的造型。該解決方案是有利的，因?yàn)樗a(chǎn)生的固體層或者所產(chǎn)生的固體能夠具有不同于平坦的層的造型。由此，借助于裂紋擴(kuò)展不僅能夠從工件中形成或產(chǎn)生平坦的層而且同樣能夠形成或產(chǎn)生三維的本體。如此制造的固體由于制造方法而具有非常有利的并且僅小程度地要再加工的甚至無(wú)需再加工的表面。因此例如能夠以一級(jí)的或者多級(jí)的、尤其兩級(jí)或三級(jí)的剝離工藝(Splitprozess)來制造光學(xué)元件、例如晶石或者透鏡。
[0035]由此裂紋引導(dǎo)層的造型根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式至少局部地具有三維物體的、尤其透鏡或者晶石的輪廓。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式，缺陷借助于缺陷產(chǎn)生設(shè)備或輻射源產(chǎn)生，其中缺陷產(chǎn)生設(shè)備配置為，使得缺陷以距缺陷產(chǎn)生設(shè)備恒定的距離在工件中產(chǎn)生，其中工件和缺陷產(chǎn)生設(shè)備相對(duì)于彼此傾斜為，使得由缺陷產(chǎn)生設(shè)備產(chǎn)生的缺陷在裂紋引導(dǎo)層中產(chǎn)生，其中缺陷產(chǎn)生設(shè)備和工件在缺陷產(chǎn)生期間僅二維地彼此重新定位。缺陷產(chǎn)生設(shè)備由此優(yōu)選相對(duì)于工件重新定位或者工件相對(duì)于缺陷產(chǎn)生設(shè)備重新定位或者缺陷產(chǎn)生設(shè)備和工件均彼此重新定位。
[0037]該實(shí)施方式是有利的，因?yàn)橛糜诋a(chǎn)生缺陷的輻射源或缺陷產(chǎn)生裝置僅必須重新定位并且不必引起缺陷產(chǎn)生設(shè)備的改型，尤其不必確定和設(shè)置改變的缺陷引入深度。
[0038]缺陷根據(jù)另一優(yōu)選的實(shí)施方式借助于缺陷產(chǎn)生設(shè)備或福射源產(chǎn)生，其中缺陷產(chǎn)生設(shè)備配置為，使得缺陷以距缺陷產(chǎn)生設(shè)備暫時(shí)改變的距離在工件中產(chǎn)生，其中根據(jù)缺陷產(chǎn)生設(shè)備距待產(chǎn)生的缺陷的距離至少暫時(shí)地引起缺陷產(chǎn)生設(shè)備的改型，尤其確定和設(shè)置改變的缺陷引入深度。該實(shí)施方式是有利的，因?yàn)閮?yōu)選不必設(shè)置用于使工件傾斜的傾斜設(shè)備。
[0039]固體優(yōu)選具有出自元素周期表的3、4和5主族之一的材料或材料組合，例如S1、SiC、SiGe、Ge、GaAs、InP、GaN、Al203(藍(lán)寶石)、A1N。尤其優(yōu)選地，固體具有出自周期表的第三和第五族中的元素的組合?？煽紤]的材料或者材料組合在此例如是砷化鎵、硅、碳化硅等。此外，固體能夠具有陶瓷(例如A1203-氧化鋁)或者由陶瓷構(gòu)成，優(yōu)選地，陶瓷在此例如通常是鈣鈦礦陶瓷(例如含鉛、含氧、含鈦/鋯的陶瓷)并且具體是鈮鎂酸鉛、鈦酸鋇、鈦酸鋰、釔招石植石、尤其是用于固體激光器應(yīng)用的乾招石植石晶體、SAW陶瓷(surface acousticwave，表面聲波)、例如鈮酸鋰、鎵磷酸鹽、石英、鈦酸鈣等。固體由此優(yōu)選具有半導(dǎo)體材料或者陶瓷材料或者尤其優(yōu)選固體由至少一種半導(dǎo)體材料或者陶瓷材料構(gòu)成。此外可以考慮的是，固體具有透明材料或者部分地由透明材料構(gòu)成或者制成，例如藍(lán)寶石。在此作為固體材料單獨(dú)地或者與另一材料組合地來考慮的其它材料例如是“寬帶隙”(wide band gap)材料、InAlSb、高溫超導(dǎo)體、尤其是稀土銅酸鹽(例如YBa2Cu307)。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式，輻射源或者輻射源的一部分構(gòu)成為飛秒激光器(fs-laser)。該解決方案是有利的，因?yàn)橥ㄟ^使用飛秒激光器，受干擾的材料的豎直延展部被降低到最小程度。通過使用飛秒激光器可以在工件中極其精確地引入缺陷或者在其中產(chǎn)生缺陷。飛秒激光器的波長(zhǎng)和/或能量?jī)?yōu)選根據(jù)材料來選擇。
[0041]根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式，輻射源的、尤其激光射束的、尤其飛秒激光器的能量被選擇為，使得固體或者晶體中的損傷延展部比瑞利長(zhǎng)度小三倍、優(yōu)選小于瑞利長(zhǎng)度并且尤其優(yōu)選小于瑞利長(zhǎng)度的三分之一。
[0042]激光射束的、尤其飛秒激光器的激光射束的波長(zhǎng)根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式被選擇為，使得固體或材料的吸收小于1cnf1并且優(yōu)選小于lcm—1并且尤其優(yōu)選小于
0.1 cm—1 ο
[0043]各個(gè)缺陷根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式分別從由輻射源、尤其激光器、尤其飛秒激光器弓丨起的多光子激發(fā)中產(chǎn)生。
[0044]根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式，回火裝置具有多個(gè)光源、尤其鹵素?zé)?，和至少一個(gè)用于反射光束的反射器，其中回火裝置為了對(duì)固體層的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)或者固體的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行射束處理而相對(duì)于固體層的露出的表面或者固體的露出的表面定向?yàn)?，使得在固體層的露出的表面或固體的露出的表面和反射器之間設(shè)置有光源。該實(shí)施方式是有利的，因?yàn)槟軌蛞苑浅：?jiǎn)單且快速的方式將回火裝置和待處理的表面彼此定向。
[0045]固體層的露出的表面或者固體的露出的表面根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式借助于回火裝置調(diào)溫到大于1000開爾文、尤其大于2000開爾文或者大于3000開爾文的溫度上。該實(shí)施方式是有利的，因?yàn)楦鶕?jù)固體的材料能夠引起適當(dāng)?shù)恼{(diào)溫，由此固體材料在被處理的表面或暴露的外部的分子層的區(qū)域中優(yōu)選熔化或者液化。由于熔化或者液化產(chǎn)生表面結(jié)構(gòu)的平滑。
[0046]根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式，回火裝置的加熱速率大于5000開爾文/秒、尤其大于10000開爾文/秒。該實(shí)施方式是有利的，因?yàn)樵诜浅６痰臅r(shí)間中能夠產(chǎn)生非常高的溫度用于使表面平滑。
[0047 ]固體層的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)或者固體的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式在平滑之后具有平均的粗糙度(Ra)，所述粗糙度小于通過輻射源發(fā)射的輻射的、尤其激光射束的波長(zhǎng)的1/4或者小于其1/5或者小于其1/8或者小于其1/10或者小于其1/12或者小于其1/15或者小于其1/18或者小于其1/20，其中輻射的波長(zhǎng)小于2.5μm、尤其小于2μπι或者小于1.5μπι或者小于1.2μπι。該實(shí)施方式是有利的，因?yàn)槟軌驅(qū)崿F(xiàn)具有非常小的平均粗糙度的表面。
[0048]本發(fā)明此外涉及一種晶片，所述晶片根據(jù)本文中所述的方法來制造。
[0049]之前提到的目的同樣通過一種用于制造固體層的設(shè)備來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備在此優(yōu)選包括:用于提供、尤其保持固體的至少一個(gè)保持裝置，其中至少一個(gè)固體層能夠從固體處分開;輻射源、尤其激光器，用于借助于輻射在固體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生缺陷以預(yù)設(shè)剝離平面，固體層可沿著所述剝離平面從固體處分開;調(diào)溫裝置，用于對(duì)在固體上產(chǎn)生的或者設(shè)置在固體上的應(yīng)力生成層進(jìn)行調(diào)溫、尤其冷卻，以產(chǎn)生應(yīng)力以便借助于通過應(yīng)力產(chǎn)生的并且沿著剝離平面引導(dǎo)的裂紋將固體層從固體處分開，由此在固體處露出表面并且在固體層處露出表面;和至少一個(gè)回火裝置，其中借助于所述回火裝置可執(zhí)行射束處理，以使被分開的固體層的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)和/或固體的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)平滑。
[0050]此外，文獻(xiàn)PCT/US2008/012140和PCT/EP2009/067539的主題通過參引全部并入本專利申請(qǐng)的主題。同樣地，所有其它在本專利申請(qǐng)的申請(qǐng)日同樣由
【申請(qǐng)人】提交的并且涉及固體層的制造的領(lǐng)域的其它專利申請(qǐng)的主題通過參引全部并入本專利申請(qǐng)的主題。
【附圖說明】
[0051 ]本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特性借助對(duì)附圖的下述描述來闡述，在附圖中示例性地示出根據(jù)本發(fā)明的晶片制造。根據(jù)本發(fā)明的晶片制造的、在附圖中至少主要在其功能方面一致的構(gòu)件或元件在此能夠以相同的附圖標(biāo)記來表示，其中這些構(gòu)件或元件不必在所有的附圖中用數(shù)字標(biāo)明或者闡述。
[0052]接下來所描述的附圖的單個(gè)的或者所有的視圖優(yōu)選視為結(jié)構(gòu)圖，也就是說，從一個(gè)或多個(gè)附圖中得出的尺寸、比例、功能關(guān)系和/或設(shè)置優(yōu)選精確地或者優(yōu)選基本上對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備或根據(jù)本發(fā)明的產(chǎn)品的尺寸、比例、功能關(guān)系和/或設(shè)置。
[0053]附圖中示出:
[0054]圖1a示出用于在固體中產(chǎn)生缺陷的示意性結(jié)構(gòu)；
[0055]圖1b示出在固體層與固體分開之前的層設(shè)置方案的示意圖；
[0056]圖1c示出在固體層與固體分開之后層設(shè)置方案的示意圖；
[0057]圖2a示出用于借助于光波產(chǎn)生缺陷的第一示意性示出的變型形式；
[0058]圖2b示出用于借助于光波產(chǎn)生缺陷的第二示意性示出的變型形式；
[°°59]圖3示出剝離平面的示意圖；
[0060]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的被分開的固體層的附加的激光處理的示意圖；
[0061]圖5示出根據(jù)本發(fā)明的被分開的固體層的根據(jù)圖4處理的表面的示意圖；以及
[0062]圖6示出根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0063]在圖1a中示出固體2或襯底，所述襯底設(shè)置在輻射源18的、尤其激光器的區(qū)域中。固體2優(yōu)選具有平坦的第一平面部14和平坦的第二平面部16，其中平坦的第一平面部14優(yōu)選基本上或者精確地平行于平坦的第二平面部16定向。平坦的第一平面部14和平坦的第二平面部16優(yōu)選沿著Y方向?qū)腆w2限界，所述Y方向優(yōu)選豎直地或者鉛垂地定向。平坦的平面部14和16優(yōu)選分別在X-Z平面中延伸，其中X-Z平面優(yōu)選水平地定向。此外可從該視圖中得出:輻射源18將射束6射出到固體2上。射束6以根據(jù)配置限定的深度進(jìn)入到固體2中并且在相應(yīng)的位置處或在預(yù)定的位置處產(chǎn)生缺陷。
[0064]在圖1b中示出多層的設(shè)置方案，其中固體2包含剝離平面8并且在平坦的第一平面部14的區(qū)域中設(shè)有保持層12，所述保持層又優(yōu)選與另一層20重疊，其中另一層20優(yōu)選是穩(wěn)定化裝置、尤其金屬板。在固體2的平坦的第二平面部16上優(yōu)選設(shè)置有聚合物層10。聚合物層10和/或保持層12優(yōu)選至少部分地并且尤其優(yōu)選完全地由PDMS構(gòu)成。
[0065]在圖1c中示出在裂紋觸發(fā)和隨后的裂紋引導(dǎo)之后的狀態(tài)。固體層4附著在聚合物層10上并且與固體2的剩余的殘余部間隔開或者可與其間隔開。
[0066]在圖2a和2b中示出在圖1a中示出的通過借助于光束將缺陷引入到固體2中而產(chǎn)生剝離平面8的實(shí)例。
[0067]本發(fā)明由此涉及一種用于制造固體層的方法。根據(jù)本發(fā)明的方法在此至少包括下述步驟:提供固體2用于分開至少一個(gè)固體層4;借助于至少一個(gè)輻射源、尤其至少一個(gè)激光器、尤其至少一個(gè)飛秒激光器在固體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生缺陷以預(yù)設(shè)剝離平面，其中沿著所述剝離平面將固體層與固體分開;和熱加載設(shè)置在固體2上的聚合物層10以在固體2中尤其機(jī)械地產(chǎn)生應(yīng)力，其中通過應(yīng)力使裂紋在固體2中沿著剝離平面8擴(kuò)展，所述剝離平面將固體層4與固體2分開。
[0068]由此在圖2a中示意性地示出:如何能夠借助于輻射源18、尤其一個(gè)或多個(gè)激光器、尤其一個(gè)或多個(gè)飛秒激光器在固體2中產(chǎn)生缺陷34、尤其用于產(chǎn)生剝離平面8。輻射源18在此發(fā)射具有第一波長(zhǎng)30和第二波長(zhǎng)32的輻射6。波長(zhǎng)30、32在此彼此匹配為或者輻射源18和待產(chǎn)生的剝離平面8之間的間距匹配為，使得波30、32基本上或者精確地在固體2中的剝離平面8上相遇，由此在相遇的地點(diǎn)34處由于這兩個(gè)波30、32的能量產(chǎn)生缺陷。缺陷產(chǎn)生在此能夠通過不同的或者組合式的分解機(jī)制例如升華或者化學(xué)反應(yīng)來實(shí)現(xiàn)，其中分解在此例如能夠以熱學(xué)方式和/或以光化學(xué)的方式引發(fā)。
[0069]在圖2b中示出聚焦的光束6，其焦點(diǎn)優(yōu)選位于剝離平面8中。在此可以考慮的是，光束6通過一個(gè)或多個(gè)進(jìn)行聚焦的本體、尤其透鏡(未示出)來聚焦。固體2在該實(shí)施方式中多層地構(gòu)成并且優(yōu)選具有部分透明的或者透明的襯底層3或材料層，所述襯底層或材料層優(yōu)選由藍(lán)寶石構(gòu)成或者具有藍(lán)寶石。光束6穿過襯底層3到達(dá)剝離平面8，所述剝離平面優(yōu)選通過犧牲層5形成，其中犧牲層5通過輻射加載為，使得以熱學(xué)的方式和/或以光化學(xué)的方式在焦點(diǎn)中或在焦點(diǎn)的區(qū)域中引起犧牲層5的部分的或者完全的破壞。同樣可以考慮的是，在兩個(gè)層3、4之間的區(qū)域中或者精確地在這兩個(gè)層之間的邊界面上產(chǎn)生缺陷以產(chǎn)生剝離層8。由此同樣可以考慮的是，固體層4在載體層上、尤其在襯底層3上產(chǎn)生并且可借助于一個(gè)或多個(gè)犧牲層5和/或借助于在邊界面中、尤其在固體層4和載體層之間的邊界面中產(chǎn)生缺陷來產(chǎn)生剝離平面8以將固體層剝離或分開。
[0070]在圖3中示出剝離平面8，所述剝離平面具有缺陷濃度82、84、86不同的區(qū)域。在此可以考慮的是，多個(gè)缺陷濃度不同的區(qū)域形成剝離平面8，其中同樣可以設(shè)想的是，缺陷34在剝離平面8中基本上或者精確地均勻分布在面上。不同的缺陷濃度能夠按面積相同大地或者不同大地構(gòu)成。優(yōu)選地，第一提高的缺陷濃度是裂紋觸發(fā)濃度82，所述裂紋觸發(fā)濃度優(yōu)選在邊緣的區(qū)域中或者以朝向邊緣延伸或者與邊緣相鄰的方式產(chǎn)生。附加地或者替選地，裂紋引導(dǎo)濃度84能夠構(gòu)成為，使得將固體層4從固體2處分開的裂紋是受控的或者可控制的。此外，附加地或者替選地，能夠產(chǎn)生中央濃度86，所述中央濃度優(yōu)選在固體2的中央?yún)^(qū)域中實(shí)現(xiàn)非常平坦的表面。優(yōu)選的是，裂紋引導(dǎo)濃度84部分地或者完全地環(huán)形地或者環(huán)繞地構(gòu)成從而優(yōu)選局部地并且尤其優(yōu)選完全地圍繞固體2的或固體層4的中央。此外可以考慮的是，裂紋引導(dǎo)濃度84從固體2的邊緣起并且朝向固體2的中央的方向逐步地或者持續(xù)地或者流暢地降低。此外可以考慮的是，裂紋引導(dǎo)濃度84帶狀地并且均勻地或者基本上或精確均勻地構(gòu)成。
[0071]如從圖4中所看到的那樣，被分開的固體層或晶片從上方經(jīng)受附加的射束處理，其中借助于鹵素?zé)艋蛘唢w秒激光器在毫秒或者微秒的范圍中尤其使用超短期回火。
[0072]如果激光損傷借助于根據(jù)圖1a的具有100nm的波長(zhǎng)的輻射源18來實(shí)行，那么產(chǎn)生被分開的固體層的通常大于50nm的平均表面粗糙度(Ra)。被分開的固體層4在附加的射束處理之前通常具有毛糙的表面，所述表面能夠通過超短期回火借助于回火裝置轉(zhuǎn)化為平滑的表面并且優(yōu)選轉(zhuǎn)化為基本上鏡反射的表面，因?yàn)楸环珠_的固體層的最上方的分子層能夠通過超短期回火熔化并且由于已經(jīng)產(chǎn)生的均勻的表面而轉(zhuǎn)化為優(yōu)選鏡面平滑的表面。由此借助于射束將超短期回火施加到該被分開的固體層上，使得在分開之后毛糙的表面能夠通過超短期回火改變?yōu)椋沟卯a(chǎn)生優(yōu)選鏡反射的表面。
[0073]根據(jù)圖5示出閃光的固體層的溫度分布，所述固體層例如能夠至少部分地或者完全地由硅、玻璃或者Al2O3構(gòu)造。
[0074]根據(jù)本發(fā)明的方法由此優(yōu)選包括下述步驟:
[0075]本發(fā)明涉及一種用于制造固體層的方法。根據(jù)本發(fā)明的方法優(yōu)選至少包括下述步驟:提供固體2用于分開至少一個(gè)固體層4，
[0076]借助于至少一個(gè)輻射源18的、尤其激光器的輻射在固體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生缺陷以預(yù)設(shè)剝離平面8，沿著所述剝離平面，固體層4從固體2處分開，
[0077]借助于沿著剝離平面8引導(dǎo)的裂紋將固體層4從固體2處分開，由此在固體2處露出表面并且在固體層處露出表面，
[0078]其中在將固體層4分開之后借助于回火裝置執(zhí)行射束處理以使被分開的固體層4的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)和/或固體2的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)平滑。
[0079]圖6示出用于制造固體層的設(shè)備I。設(shè)備I在此優(yōu)選包括至少一個(gè)用于提供、尤其保持固體2的保持裝置40，其中至少一個(gè)固體層4能夠從固體處分開(對(duì)照?qǐng)D1或2)。此外，所述設(shè)備優(yōu)選包括至少一個(gè)輻射源18、尤其激光器，用于借助于輻射在固體2的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生缺陷以預(yù)設(shè)剝離平面8，沿著所述剝離平面可將固體層4從固體2處分開。在通過輻射源18進(jìn)行處理之后，被處理的固體2優(yōu)選沿著調(diào)溫裝置42的伸展方向46為了調(diào)溫、尤其冷卻被輸送給在固體2上產(chǎn)生的或者設(shè)置在所述固體上的應(yīng)力生成層，以產(chǎn)生應(yīng)力以便借助于通過應(yīng)力產(chǎn)生的并且沿著剝離平面8引導(dǎo)的裂紋將固體層4從固體2處分開。由于裂紋擴(kuò)展，在固體2處露出表面并且在固體層處露出表面(未示出)。
[0080]在調(diào)溫裝置42之后，固體2借助于保持或運(yùn)動(dòng)裝置40被輸送給至少一個(gè)回火裝置44，其中借助于回火裝置44可執(zhí)行射束處理以使被分開的固體層4的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)和/或固體2的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)平滑。
[0081]由此，本發(fā)明涉及一種用于制造固體層的方法。根據(jù)本發(fā)明的方法優(yōu)選至少包括下述步驟:提供固體2用于將至少一個(gè)固體層4分開;借助于由至少一個(gè)輻射源18、尤其激光器產(chǎn)生的輻射在固體2的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生缺陷以預(yù)設(shè)剝離平面8，固體層4沿著所述剝離平面從固體2處分開;借助于沿著剝離平面8引導(dǎo)的裂紋將固體層4從固體2處分開，由此在固體2處露出表面并且在固體層處露出表面，其中在分開固體層4之后借助于回火裝置執(zhí)行射束處理以使被分開的固體層4的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)和/或固體2的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)平滑。
[0082]附圖標(biāo)記列表
[0083]I 設(shè)備
[0084]2 固體
[0085]3 襯底
[0086]4 固體層
[0087]5 犧牲層
[0088]6 輻射
[0089]8 剝離平面
[0090]10 聚合物層
[0091]12 保持層
[0092]14 平坦的第一平面部
[0093]16 平坦的第二平面部
[0094]18 輻射源
[0095]20 穩(wěn)定化裝置
[0096]30 第一輻射份額
[0097]32 第二輻射份額
[0098]34缺陷產(chǎn)生的地點(diǎn)
[0099]40保持裝置
[0100]42調(diào)溫裝置
[0101]44回火裝置
[0102]46行進(jìn)路徑
[0103]82裂紋觸發(fā)濃度
[0104]84裂紋引導(dǎo)濃度
[0105]86中央濃度
[0106]X第一方向
[0107]Y第二方向
[0108]Z第三方向
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于制造固體層的方法，至少包括下述步驟: 提供固體(2)用于分開至少一個(gè)固體層(4); 借助于至少一個(gè)輻射源(I 8)的輻射、尤其激光器的輻射在所述固體(2)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生缺陷以預(yù)設(shè)剝離平面(8)，所述固體層(4)沿著所述剝離平面從所述固體(2)處分開，借助于沿著所述剝離平面(8)引導(dǎo)的裂紋將所述固體層(4)從所述固體(2)處分開，由此在所述固體(2)處露出表面并且在所述固體層(4)處露出表面， 其中在將所述固體層(4)分開之后借助于回火裝置(44)執(zhí)行射束處理，以使被分開的所述固體層(4)的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)和/或所述固體(2)的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)平滑。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其特征在于， 附加的激光處理以超短期回火的方式實(shí)行，其中將被分開的所述固體層在毫秒和微秒的范圍中加載激光射束。3.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其特征在于， 將所述固體層(4)分開包括:設(shè)置容納層(10)用于將所述固體層(4)保持在所述固體(2)上;和以熱學(xué)的方式加載所述容納層(10)以在所述固體(2)中尤其機(jī)械地產(chǎn)生應(yīng)力，其中通過所述應(yīng)力使所述裂紋在所述固體(2)中沿著所述剝離平面(8)擴(kuò)展，所述裂紋將所述固體層(4)從所述固體(2)處分開。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法， 其特征在于， 至少一個(gè)所述輻射源(18)配置用于提供待引入到所述固體(2)中的輻射(6)，使得由所述輻射源射出的射束(6)在所述固體(2)內(nèi)部預(yù)定的地點(diǎn)處產(chǎn)生所述缺陷。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法， 其特征在于， 所述輻射源(18)設(shè)置為，使得由所述輻射源射出的所述射束(6)為了產(chǎn)生所述剝離平面(8)以小于200μπ?的、優(yōu)選小于ΙΟΟμπ?的并且進(jìn)一步優(yōu)選小于50μπ?的并且尤其優(yōu)選小于20μm的限定的深度引入到所述固體(2)中，或者所述輻射源設(shè)置為，使得由所述輻射源射出的所述射束(6)為了產(chǎn)生所述剝離平面(8)以大于ΙΟΟμπ?的、優(yōu)選大于200μπι的并且進(jìn)一步優(yōu)選大于400μπι的并且尤其優(yōu)選大于700μπι的限定的深度引入到所述固體(2)中。6.根據(jù)上述權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的方法， 其特征在于， 所述固體(2)具有碳化硅和/或砷化鎵和/或陶瓷材料，并且所述容納層包含聚合物層(10)，其中所述聚合物層至少部分地包含PDMS。7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其特征在于， 所述輻射源是飛秒激光器和/或 所述福射源、尤其激光器具有小于1ps的、優(yōu)選小于Ips并且尤其優(yōu)選小于500f s的脈沖持續(xù)時(shí)間，和/或 所述激光射束的能量、尤其飛秒激光器的激光射束的能量選擇為，使得所述固體中的損傷擴(kuò)展部比瑞利長(zhǎng)度小三倍、優(yōu)選小于所述瑞利長(zhǎng)度并且尤其優(yōu)選小于所述瑞利長(zhǎng)度的三分之一，和/或 所述激光射束的波長(zhǎng)、尤其所述飛秒激光器的激光射束的波長(zhǎng)被選擇為，使得所述固體的吸收小于10cm—1并且優(yōu)選小于lcm—1并且尤其優(yōu)選小于0.lcm—1，和/或各個(gè)所述缺陷分別由于由所述飛秒激光器所引起的多光子激發(fā)而獲得。8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其特征在于， 所述回火裝置具有多個(gè)光源、尤其鹵素?zé)?，和至少一個(gè)用于反射光束的反射器，其中所述回火裝置為了對(duì)所述固體層(4)的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)或者所述固體(2)的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行射束處理而相對(duì)于所述固體層(4)的露出的表面或者所述固體(2)的露出的表面定向?yàn)?，使得所述光源設(shè)置在所述固體層(4)的露出的表面或所述固體(2)的露出的表面和所述反射器之間。9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其特征在于， 借助于所述回火裝置將所述固體層(4)的露出的表面或者所述固體(2)的露出的表面調(diào)溫到大于1000開爾文的溫度上、尤其調(diào)溫到大于2000開爾文或者大于3000開爾文的溫度上。10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其特征在于， 所述回火裝置的加熱速率大于5000開爾文/秒、尤其大于10000開爾文/秒。11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其特征在于， 所述固體層(4)的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)或者所述固體(2)的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)在平滑之后具有如下平均粗糙度(Ra)，所述平均粗糙度小于通過所述輻射源(18)發(fā)射的輻射的、尤其激光射束的波長(zhǎng)的1/4或者小于其1/5或者小于其1/8或者小于其1/10或者小于其1/12或者小于其1/15或者小于其1/18或者小于其1/20，其中所述輻射的波長(zhǎng)小于2.5μπι、尤其小于2μηι或者小于1.5μηι或者小于1.2μηι。12.—種根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的方法制造的晶片。13.—種用于制造固體層的設(shè)備(I)，所述設(shè)備至少包括: 用于提供、尤其保持固體(2)的保持裝置(40)，固體層(4)能夠從所述固體處分開，輻射源(18)、尤其激光器，用于借助于輻射在所述固體(2)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生缺陷以預(yù)設(shè)剝離平面(8)，所述固體層(4)能夠沿著所述剝離平面從所述固體(2)處分開， 調(diào)溫裝置(42)，用于對(duì)在所述固體上產(chǎn)生的或者設(shè)置在所述固體上的應(yīng)力生成層進(jìn)行調(diào)溫、尤其冷卻，以產(chǎn)生應(yīng)力以便借助于通過所述應(yīng)力產(chǎn)生的并且沿著所述剝離平面(8)弓丨導(dǎo)的裂紋將所述固體層(4)從所述固體(2)處分開，由此在所述固體(2)處露出表面并且在所述固體層處露出表面； 和至少一個(gè)回火裝置(44)，其中借助于所述回火裝置能夠執(zhí)行射束處理以使被分開的所述固體層(4)的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)和/或所述固體(2)的露出的表面的表面結(jié)構(gòu)平 Vο N
【文檔編號(hào)】B23K26/53GK106041330SQ201610221643
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年4月11日 公開號(hào)201610221643.8, CN 106041330 A, CN 106041330A, CN 201610221643, CN-A-106041330, CN106041330 A, CN106041330A, CN201610221643, CN201610221643.8
【發(fā)明人】揚(yáng)·黎克特, 沃爾弗拉姆·德雷舍爾
【申請(qǐng)人】西爾特克特拉有限責(zé)任公司