本發(fā)明涉及光器件晶片的加工方法，沿著分割預(yù)定線將光器件晶片分割成一個(gè)個(gè)的光器件芯片，在該光器件晶片中，在藍(lán)寶石基板的正面上形成有發(fā)光層，在通過格子狀的多條分割預(yù)定線劃分出的多個(gè)區(qū)域中分別形成有光器件。

背景技術(shù)：

在光器件制造工藝中，在作為大致圓板形狀的藍(lán)寶石基板的正面上層疊了由n型氮化鎵半導(dǎo)體層和p型氮化鎵半導(dǎo)體層構(gòu)成的發(fā)光層(外延層)，在由呈格子狀形成的多條分割預(yù)定線劃分出的多個(gè)區(qū)域中形成有發(fā)光二極管、激光二極管等光器件而構(gòu)成光器件晶片。并且，通過沿著分割預(yù)定線切斷光器件晶片而對(duì)形成有光器件的區(qū)域進(jìn)行分割從而制造出一個(gè)個(gè)的光器件芯片。

上述的光器件晶片的沿著分割預(yù)定線的切斷通常是通過被稱為切割機(jī)的切削裝置而進(jìn)行的。該切削裝置具有：卡盤工作臺(tái)，其對(duì)被加工物進(jìn)行保持；切削單元，其用于對(duì)保持在該卡盤工作臺(tái)上的被加工物進(jìn)行切削；以及切削進(jìn)給單元，其使卡盤工作臺(tái)與切削單元相對(duì)地移動(dòng)。切削單元包含主軸、裝配于該主軸的切削刀具、以及對(duì)主軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。切削刀具由圓盤狀的基臺(tái)和裝配于該基臺(tái)的側(cè)面外周部的環(huán)狀的切削刃構(gòu)成，關(guān)于切削刃，通過電鑄將例如粒徑為3μm左右的金剛石磨粒固定于基臺(tái)，厚度形成為20μm左右。

但是，由于構(gòu)成光器件晶片的藍(lán)寶石基板的莫氏硬度較高，因此基于上述切削刀具的切斷必然不容易。此外，由于切削刀具具有20μm左右的厚度，因此作為劃分器件的分割預(yù)定線，寬度需要為50μm左右。因此，分割預(yù)定線所占的面積比例變高，存在生產(chǎn)性變差這樣的問題。

為了解決上述的問題，作為沿著分割預(yù)定線分割光器件晶片的方法提出了如下的方法：通過沿著分割預(yù)定線照射對(duì)于藍(lán)寶石基板具有吸收性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線而形成作為斷裂的起點(diǎn)的激光加工槽，通過沿著形成有作為該斷裂的起點(diǎn)的激光加工槽的分割預(yù)定線施加外力而進(jìn)行割斷(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

但是，存在如下的問題：當(dāng)沿著構(gòu)成光器件晶片的藍(lán)寶石基板的正面上所形成的分割預(yù)定線照射激光光線而形成激光加工槽時(shí)，由于發(fā)光二極管等光器件的外周被燒蝕而導(dǎo)致被稱為碎屑的熔融物附著，因此亮度降低，光器件的品質(zhì)降低。

為了解決這樣的問題，在下述專利文獻(xiàn)2中公開了如下的加工方法：從未形成發(fā)光層(外延層)的藍(lán)寶石基板的背面?zhèn)葘?duì)于藍(lán)寶石基板具有透射性的波長(zhǎng)的激光光線的聚光點(diǎn)定位在內(nèi)部而沿著分割預(yù)定線進(jìn)行照射，在藍(lán)寶石基板的內(nèi)部沿著分割預(yù)定線形成改質(zhì)層，由此沿著因形成改質(zhì)層而強(qiáng)度降低的分割預(yù)定線對(duì)藍(lán)寶石基板進(jìn)行分割。

但是，存在如下的問題：當(dāng)在藍(lán)寶石基板的內(nèi)部沿著分割預(yù)定線形成改質(zhì)層時(shí)，光器件的外周被改質(zhì)層覆蓋，光器件的抗折強(qiáng)度降低，并且無法在從背面到正面的范圍中垂直地分割。

為了解決這樣的問題，在下述專利文獻(xiàn)3中公開如下的激光加工方法：在對(duì)脈沖激光光線進(jìn)行聚光的聚光透鏡的數(shù)值孔徑(na)除以單晶基板的折射率(n)而得到的值為0.05～0.2的范圍內(nèi)設(shè)定聚光透鏡的數(shù)值孔徑(na)，照射由該聚光透鏡聚光的脈沖激光光線而在定位于單晶基板的聚光點(diǎn)與脈沖激光光線所入射的一側(cè)之間使細(xì)孔和對(duì)該細(xì)孔進(jìn)行盾構(gòu)的非晶質(zhì)生長(zhǎng)從而形成盾構(gòu)隧道。

專利文獻(xiàn)1：日本特開平10-305420號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特許第3408805號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開2014-221483號(hào)公報(bào)

能夠通過在上述專利文獻(xiàn)3中記載的激光加工方法對(duì)由藍(lán)寶石基板構(gòu)成的光器件晶片沿著分割預(yù)定線實(shí)施激光加工，而在藍(lán)寶石基板的從背面到正面的范圍中使細(xì)孔和對(duì)該細(xì)孔進(jìn)行盾構(gòu)的非晶質(zhì)生長(zhǎng)從而形成盾構(gòu)隧道，因此能夠沿著分割預(yù)定線垂直地分割光器件晶片，并且能夠防止因碎屑的飛散導(dǎo)致的光器件的品質(zhì)和抗折強(qiáng)度的降低。

但是，存在如下的問題：因藍(lán)寶石基板的從背面到正面的范圍中生長(zhǎng)的盾構(gòu)隧道而給層疊于藍(lán)寶石基板的正面的由n型氮化鎵半導(dǎo)體層和p型氮化鎵半導(dǎo)體層構(gòu)成的發(fā)光層(外延層)帶來損害，導(dǎo)致光器件的亮度的降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是為了解決上述情況而完成的，其主要的技術(shù)課題在于，提供光器件晶片的加工方法，能夠不會(huì)對(duì)藍(lán)寶石基板的正面上所層疊的發(fā)光層帶來損害而分割成一個(gè)個(gè)的光器件芯片。

為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供光器件晶片的加工方法，將光器件晶片分割成一個(gè)個(gè)的光器件芯片，該光器件晶片在藍(lán)寶石基板的正面上形成有發(fā)光層并且在由呈格子狀形成的多條分割預(yù)定線劃分出的多個(gè)區(qū)域中分別形成有光器件，該光器件晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：盾構(gòu)隧道形成工序，將對(duì)于藍(lán)寶石基板具有透射性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線的聚光點(diǎn)從藍(lán)寶石基板的背面?zhèn)榷ㄎ辉趦?nèi)部而沿著與分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行照射，使細(xì)孔和對(duì)該細(xì)孔進(jìn)行盾構(gòu)的非晶質(zhì)生長(zhǎng)而沿著與分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成盾構(gòu)隧道；發(fā)光層層疊工序，在實(shí)施了該盾構(gòu)隧道形成工序的藍(lán)寶石基板的正面上層疊發(fā)光層而形成光器件晶片；以及分割工序，對(duì)實(shí)施了該發(fā)光層層疊工序的光器件晶片施加外力，而沿著分割預(yù)定線將光器件晶片分割成一個(gè)個(gè)的光器件芯片。

優(yōu)選在上述盾構(gòu)隧道形成工序中，在與藍(lán)寶石基板的背面之間留出非加工區(qū)域而形成盾構(gòu)隧道，在實(shí)施了上述發(fā)光層層疊工序之后且在實(shí)施上述分割工序之前實(shí)施將非加工區(qū)域去除的非加工區(qū)域去除工序。

在本發(fā)明的光器件晶片的加工方法中，實(shí)施盾構(gòu)隧道形成工序，將對(duì)于藍(lán)寶石基板具有透射性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線的聚光點(diǎn)從藍(lán)寶石基板的背面?zhèn)榷ㄎ辉趦?nèi)部而沿著與分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行照射，使細(xì)孔和對(duì)該細(xì)孔進(jìn)行盾構(gòu)的非晶質(zhì)生長(zhǎng)而沿著與分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成盾構(gòu)隧道，然后實(shí)施發(fā)光層層疊工序，在藍(lán)寶石基板的正面上層疊發(fā)光層而形成光器件晶片，因此解決了因形成盾構(gòu)隧道給發(fā)光層帶來損害而導(dǎo)致光器件的亮度的降低的問題。

附圖說明

圖1是藍(lán)寶石基板的立體圖。

圖2是用于實(shí)施盾構(gòu)隧道形成工序的激光加工裝置的主要部分立體圖。

圖3的(a)～(e)是示出盾構(gòu)隧道形成工序的第1實(shí)施方式的說明圖。

圖4的(a)～(e)是示出盾構(gòu)隧道形成工序的第2實(shí)施方式的說明圖。

圖5的(a)～(c)是發(fā)光層層疊工序的說明圖。

圖6的(a)、(b)是放大示出通過實(shí)施發(fā)光層層疊工序而形成的光器件晶片的立體圖和主要部分的剖視圖。

圖7是放大示出將圖6所示的光器件晶片粘貼于環(huán)狀的框架上所裝配的劃片帶的正面上的狀態(tài)的立體圖。

圖8的(a)、(b)是保護(hù)部件粘貼工序的說明圖。

圖9的(a)～(c)是非加工區(qū)域去除工序的說明圖。

圖10的(a)～(c)是分割工序的說明圖。

標(biāo)號(hào)說明

2：藍(lán)寶石基板；2c：定向平面；20：發(fā)光層(外延層)；203：分割預(yù)定線；204：光器件；21：盾構(gòu)隧道；3：激光加工裝置；31：激光加工裝置的卡盤工作臺(tái)；32：激光光線照射單元；322：聚光器；5：外延生長(zhǎng)裝置；6：磨削裝置；61：磨削裝置的卡盤工作臺(tái)；62：磨削單元；634：磨削輪；7：分割裝置。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖更詳細(xì)地說明本發(fā)明的光器件晶片的加工方法。

在圖1中示出形成光器件晶片的藍(lán)寶石基板的立體圖。圖1所示的藍(lán)寶石(al2o3)基板2的厚度為500μm且具有形成為相互平行的正面2a和背面2b，在外周形成有表示結(jié)晶方位的定向平面2c。

要想使用上述的藍(lán)寶石基板2來實(shí)施本發(fā)明的光器件晶片的加工方法，首先，實(shí)施盾構(gòu)隧道形成工序，將對(duì)于藍(lán)寶石基板2具有透射性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線的聚光點(diǎn)從藍(lán)寶石基板2的背面?zhèn)榷ㄎ辉趦?nèi)部而沿著與后述的分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行照射，使細(xì)孔和對(duì)該細(xì)孔進(jìn)行盾構(gòu)的非晶質(zhì)生長(zhǎng)而沿著與后述的分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成盾構(gòu)隧道。該盾構(gòu)隧道形成工序是使用圖2所示的激光加工裝置3來實(shí)施的。圖2所示的激光加工裝置3具有：卡盤工作臺(tái)31，其對(duì)被加工物進(jìn)行保持；激光光線照射單元32，其對(duì)保持在該卡盤工作臺(tái)31上的被加工物照射激光光線；以及拍攝單元33，其對(duì)保持在卡盤工作臺(tái)31上的被加工物進(jìn)行拍攝?？ūP工作臺(tái)31構(gòu)成為對(duì)被加工物進(jìn)行吸引保持，通過未圖示的加工進(jìn)給單元而在圖2中箭頭x所示的加工進(jìn)給方向(x軸方向)上移動(dòng)，并且通過未圖示的分度進(jìn)給單元而在圖2中(y軸方向)所示的分度進(jìn)給方向上移動(dòng)。

上述激光光線照射單元32包含實(shí)質(zhì)上水平配置的圓筒形狀的殼體321。在殼體321內(nèi)配設(shè)有具有未圖示的脈沖激光光線振蕩器及重復(fù)頻率設(shè)定單元的脈沖激光光線振蕩單元。在上述殼體321的前端部裝配有具有聚光透鏡322a的聚光器322，該聚光透鏡322a用于對(duì)從脈沖激光光線振蕩單元振蕩出的脈沖激光光線進(jìn)行聚光。該聚光器322的聚光透鏡322a的數(shù)值孔徑(na)被設(shè)定為如下。即，關(guān)于聚光透鏡322a的數(shù)值孔徑(na)，將數(shù)值孔徑(na)除以藍(lán)寶石(al2o3)基板的折射率而得到的值設(shè)定在0.05～0.2的范圍。因此，由于藍(lán)寶石(al2o3)基板的折射率是1.7，因此將聚光透鏡322a的數(shù)值孔徑(na)設(shè)定在0.085～0.34的范圍。另外，上述激光光線照射單元32具有聚光點(diǎn)位置調(diào)整單元(未圖示)，該聚光點(diǎn)位置調(diào)整單元(未圖示)用于對(duì)由聚光器322的聚光透鏡322a聚光的脈沖激光光線的聚光點(diǎn)位置進(jìn)行調(diào)整。

構(gòu)成上述激光光線照射單元32的殼體321的前端部上所裝配的拍攝單元33由顯微鏡或ccd照相機(jī)等光學(xué)單元構(gòu)成，將拍攝到的圖像信號(hào)發(fā)送給未圖示的控制單元。

對(duì)使用上述的激光加工裝置3實(shí)施盾構(gòu)隧道形成工序的第1實(shí)施方式進(jìn)行說明。首先，在上述的圖2所示的激光加工裝置3的卡盤工作臺(tái)31上載置藍(lán)寶石基板2的正面2a側(cè)。并且，通過使未圖示的吸引單元工作，而將藍(lán)寶石基板2保持在卡盤工作臺(tái)31上(藍(lán)寶石基板保持工序)。因此，保持在卡盤工作臺(tái)31上的藍(lán)寶石基板2的背面2b成為上側(cè)。這樣，對(duì)藍(lán)寶石基板2進(jìn)行吸引保持的卡盤工作臺(tái)31被未圖示的加工進(jìn)給單元定位在拍攝單元33的正下方。

當(dāng)將卡盤工作臺(tái)31定位在拍攝單元33的正下方時(shí)，通過拍攝單元33和未圖示的控制單元檢測(cè)定向平面2c是否與加工進(jìn)給方向(x軸方向)平行地定位，假設(shè)在定向平面2c與加工進(jìn)給方向(x軸方向)不平行的情況下對(duì)卡盤工作臺(tái)31進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)調(diào)整而將定向平面2c調(diào)整為與加工進(jìn)給方向(x軸方向)平行(對(duì)準(zhǔn)工序)。通過實(shí)施該對(duì)準(zhǔn)工序，而使保持在卡盤工作臺(tái)31上的藍(lán)寶石基板2定位為在正面2a上層疊了后述的發(fā)光層的狀態(tài)。

在實(shí)施了上述的對(duì)準(zhǔn)工序之后，如圖3的(a)所示，使卡盤工作臺(tái)31向照射激光光線的激光光線照射單元32的聚光器322所在的激光光線照射區(qū)域移動(dòng)，將與藍(lán)寶石基板2的正面2a上所層疊的后述的發(fā)光層上所形成的規(guī)定的分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域定位在聚光器322的正下方。此時(shí)，如圖3的(a)所示，藍(lán)寶石基板2被定位為與分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域的一端(在圖3的(a)中為左端)位于聚光器322的正下方。并且，以由聚光器322的聚光透鏡322a聚光的脈沖激光光線lb的聚光點(diǎn)p從藍(lán)寶石基板2的背面定位在厚度方向上的期望的位置的方式使未圖示的聚光點(diǎn)位置調(diào)整單元工作而使聚光器322在光軸方向上移動(dòng)(定位工序)。另外，脈沖激光光線的聚光點(diǎn)p在本實(shí)施方式中從藍(lán)寶石基板2的背面2b設(shè)定在期望位置(例如從背面2b向正面2a側(cè)76μm的位置)。

在像上述那樣了實(shí)施定位工序之后，實(shí)施盾構(gòu)隧道形成工序，使激光光線照射單元32工作，從聚光器322照射脈沖激光光線lb而從定位于藍(lán)寶石基板2的聚光點(diǎn)p附近(背面2b)朝向正面2a使細(xì)孔和對(duì)該細(xì)孔進(jìn)行盾構(gòu)的非晶質(zhì)生長(zhǎng)從而形成盾構(gòu)隧道。即，從聚光器322照射對(duì)于藍(lán)寶石基板2具有透射性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線lb并且使卡盤工作臺(tái)31在圖3的(a)中箭頭x1所示的方向上以規(guī)定的進(jìn)給速度移動(dòng)(盾構(gòu)隧道形成工序)。并且，如圖3的(b)所示，在與分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域的另一端(在圖3的(b)中為右端)到達(dá)激光光線照射單元32的聚光器322的激光光線照射位置之后，停止脈沖激光光線的照射，并且停止卡盤工作臺(tái)31的移動(dòng)。

另外，上述的盾構(gòu)隧道形成工序被設(shè)定為如下所示的加工條件。

波長(zhǎng)：1030nm

重復(fù)頻率：40khz

脈沖寬度：10ps

平均輸出：0.5w

光斑直徑：

加工進(jìn)給速度：400mm/秒

聚光透鏡的數(shù)值孔徑：0.25

通過實(shí)施上述的盾構(gòu)隧道形成工序，而在藍(lán)寶石基板2的內(nèi)部，像圖3的(c)所示那樣從脈沖激光光線lb的聚光點(diǎn)p附近(背面2b)朝向正面2a使細(xì)孔211與形成于該細(xì)孔211的周圍的非晶質(zhì)212生長(zhǎng)，沿著與分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域按照規(guī)定的間隔(在本實(shí)施方式中為10μm的間隔(加工進(jìn)給速度：400mm/秒)/(重復(fù)頻率：40khz))形成非晶質(zhì)的盾構(gòu)隧道21。這樣形成的盾構(gòu)隧道21像圖3的(d)和(e)所示那樣由形成于中心的直徑為左右的細(xì)孔211和形成于該細(xì)孔211的周圍的直徑為的非晶質(zhì)212構(gòu)成，在本實(shí)施方式中采用以相互鄰接的非晶質(zhì)212彼此連接的方式相連地形成的形態(tài)。

在像上述那樣沿著與規(guī)定的分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域?qū)嵤┥鲜龆軜?gòu)隧道形成工序之后，使卡盤工作臺(tái)31在箭頭y所示的方向上分度移動(dòng)與后述的分割預(yù)定線的間隔對(duì)應(yīng)的距離(分度工序)，并實(shí)施上述盾構(gòu)隧道形成工序。在這樣沿著與第1方向上所形成的所有的分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域?qū)嵤┝松鲜龆軜?gòu)隧道形成工序之后，使卡盤工作臺(tái)31轉(zhuǎn)動(dòng)90度，而沿著與上述第1方向上所形成的分割預(yù)定線垂直的方向上所形成的分割預(yù)定線所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?qū)嵤┥鲜龆軜?gòu)隧道形成工序。

接著，關(guān)于盾構(gòu)隧道形成工序的第2實(shí)施方式，參照?qǐng)D4進(jìn)行說明。

在實(shí)施了上述的對(duì)準(zhǔn)工序之后，與上述圖3的(a)至(e)所示的第1實(shí)施方式同樣，以像圖4的(a)所示那樣與在藍(lán)寶石基板2的正面2a上所層疊的后述的發(fā)光層上所形成的規(guī)定的分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域的一端(在圖4的(a)中為左端)位于聚光器322的正下方的方式進(jìn)行定位。并且，將由聚光器322的聚光透鏡322a聚光的脈沖激光光線lb的聚光點(diǎn)p從藍(lán)寶石基板2的背面2b定位在向正面2a側(cè)80～85μm的位置(定位工序)。

在像上述那樣實(shí)施了定位工序之后，實(shí)施盾構(gòu)隧道形成工序，使激光光線照射單元32工作，從聚光器322照射脈沖激光光線lb而從定位于藍(lán)寶石基板2的聚光點(diǎn)p附近朝向正面2a使細(xì)孔和對(duì)該細(xì)孔進(jìn)行盾構(gòu)的非晶質(zhì)生長(zhǎng)從而形成盾構(gòu)隧道。即，與上述圖3的(a)至(e)所示的第1實(shí)施方式同樣、從聚光器322照射對(duì)于藍(lán)寶石基板2具有透射性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線lb并且使卡盤工作臺(tái)31在圖4的(a)中箭頭x1所示的方向上以規(guī)定的進(jìn)給速度移動(dòng)(盾構(gòu)隧道形成工序)。并且，在像圖4的(b)所示那樣與分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域的另一端(在圖4的(b)中為右端)到達(dá)激光光線照射單元32的聚光器322的激光光線照射位置之后，停止脈沖激光光線的照射，并且停止卡盤工作臺(tái)31的移動(dòng)。另外，上述盾構(gòu)隧道形成工序的第2實(shí)施方式的加工條件可以與上述第1實(shí)施方式相同。

通過實(shí)施上述的盾構(gòu)隧道形成工序的第2實(shí)施方式，而在藍(lán)寶石基板2的內(nèi)部，像圖4的(c)所示那樣從脈沖激光光線lb的聚光點(diǎn)p附近朝向下表面(正面20a)使細(xì)孔211和形成于該細(xì)孔211的周圍的非晶質(zhì)212生長(zhǎng)，沿著與分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成盾構(gòu)隧道21。該盾構(gòu)隧道21像圖4的(d)和(e)所示那樣由形成于中心的直徑為左右的細(xì)孔211和形成于該細(xì)孔211的周圍的直徑為的非晶質(zhì)212構(gòu)成，在本實(shí)施方式中采用以相互鄰接的非晶質(zhì)212彼此連接的方式形成的形態(tài)。并且，在上述的盾構(gòu)隧道形成工序的第2實(shí)施方式中，由于將脈沖激光光線lb的聚光點(diǎn)p定位在距藍(lán)寶石基板2的脈沖激光光線所入射的上表面(背面2b)80～85μm的位置，因此在與藍(lán)寶石基板2的背面2b之間留出5～10μm的厚度的非加工區(qū)域22而形成盾構(gòu)隧道21。沿著與藍(lán)寶石基板2的正面2a上所層疊的后述的發(fā)光層上所形成的所有的分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域?qū)嵤┰摱軜?gòu)隧道形成工序的第2實(shí)施方式。

接著，實(shí)施發(fā)光層層疊工序，在實(shí)施了上述的盾構(gòu)隧道形成工序的藍(lán)寶石基板2的正面2a上層疊發(fā)光層而形成光器件晶片。該發(fā)光層層疊工序由公知的外延生長(zhǎng)法實(shí)施。

即，像圖5的(a)所示那樣使實(shí)施了上述的盾構(gòu)隧道形成工序的藍(lán)寶石基板2的正面2a朝向上側(cè)而將背面2b載置在外延生長(zhǎng)裝置5的基板支承工作臺(tái)51上。并且，使三甲基鎵或nh3等原料氣體52從水平方向流向藍(lán)寶石基板2的正面2a，為了將原料氣體52推壓于藍(lán)寶石基板2的正面2a而使h2或n2等惰性氣體53從與藍(lán)寶石基板2的正面2a垂直的方向流入，在藍(lán)寶石基板2的正面2a上使gan膜生長(zhǎng)，如圖5的(b)或者(c)所示，由n型氮化鎵半導(dǎo)體層201和p型氮化鎵半導(dǎo)體層202構(gòu)成的發(fā)光層20按照例如10μm的厚度層疊而形成。另外，圖5的(b)示出在實(shí)施了上述的盾構(gòu)隧道形成工序的第1實(shí)施方式的藍(lán)寶石基板2的正面2a上形成發(fā)光層20的例子，圖5的(c)示出在實(shí)施了上述的盾構(gòu)隧道形成工序的第2實(shí)施方式的藍(lán)寶石基板2的正面2a上形成發(fā)光層20的例子。在實(shí)施該發(fā)光層層疊工序時(shí)，當(dāng)如圖5的(b)所示，像實(shí)施了上述的盾構(gòu)隧道形成工序的第1實(shí)施方式的藍(lán)寶石基板2那樣在從背面到正面的范圍中形成盾構(gòu)隧道21時(shí)，存在沿著盾構(gòu)隧道21破裂的擔(dān)憂，如圖5的(c)所示，像實(shí)施了上述的盾構(gòu)隧道形成工序的第2實(shí)施方式的藍(lán)寶石基板2那樣，由于通過在盾構(gòu)隧道21與背面2b之間形成有非加工區(qū)域22而使剛性變高，因此不存在產(chǎn)生破裂的擔(dān)憂。

通過像上述那樣實(shí)施在藍(lán)寶石基板2的正面2a上層疊發(fā)光層20的發(fā)光層層疊工序，而構(gòu)成圖6的(a)和(b)所示的光器件晶片10。構(gòu)成圖6的(a)和(b)所示的光器件晶片10的發(fā)光層20中，在由呈格子狀形成的多條分割預(yù)定線203劃分出的多個(gè)區(qū)域中分別形成有光器件204。在層疊有這樣形成的發(fā)光層20的藍(lán)寶石基板2中，在與多條分割預(yù)定線203對(duì)應(yīng)的區(qū)域中在上述的盾構(gòu)隧道形成工序中形成盾構(gòu)隧道21。

在實(shí)施了上述的發(fā)光層層疊工序之后，實(shí)施晶片支承工序，將構(gòu)成光器件晶片10的藍(lán)寶石基板2的正面2a上所層疊的發(fā)光層20側(cè)粘貼在外周部被安裝成覆蓋環(huán)狀的框架的內(nèi)側(cè)開口部的劃片帶的正面上。在本實(shí)施方式中，如圖7所示，將構(gòu)成光器件晶片10的藍(lán)寶石基板2的正面2a上所層疊的發(fā)光層20側(cè)粘貼在外周部被安裝成覆蓋環(huán)狀的框架f的內(nèi)側(cè)開口部的劃片帶t的正面上。因此，關(guān)于在劃片帶t的正面上所粘貼的光器件晶片10，藍(lán)寶石基板2的背面2b成為上側(cè)。

另外，在上述的盾構(gòu)隧道形成工序中，在通過實(shí)施第2實(shí)施方式而在藍(lán)寶石基板2的背面2b與盾構(gòu)隧道21之間形成有非加工區(qū)域22的光器件晶片10的情況下，實(shí)施將非加工區(qū)域22去除的非加工區(qū)域去除工序。在實(shí)施該非加工區(qū)域去除工序時(shí)，首先，實(shí)施保護(hù)部件粘貼工序，為了保護(hù)在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板2的正面2a上所層疊的發(fā)光層20，而在發(fā)光層20的正面上粘貼保護(hù)部件。即，像圖8所示那樣在構(gòu)成光器件晶片10的藍(lán)寶石基板2的正面2a上所層疊的發(fā)光層20的正面上粘貼作為保護(hù)部件的保護(hù)帶pt。另外，關(guān)于保護(hù)帶pt，在本實(shí)施方式中由厚度為100μm的聚氯乙烯(pvc)構(gòu)成的片狀基材的正面上涂布有厚度5μm左右的丙烯酸樹脂系的糊。

在實(shí)施了上述的保護(hù)部件粘貼工序之后，實(shí)施非加工區(qū)域去除工序，將在構(gòu)成光器件晶片10的藍(lán)寶石基板2的背面2b與盾構(gòu)隧道21之間所形成的非加工區(qū)域22去除。該非加工區(qū)域去除工序是使用圖9的(a)所示的磨削裝置6來實(shí)施的。圖9的(a)所示的磨削裝置6具有：作為保持單元的卡盤工作臺(tái)61，其對(duì)被加工物進(jìn)行保持；以及磨削單元62，其對(duì)保持在該卡盤工作臺(tái)61上的被加工物進(jìn)行磨削?？ūP工作臺(tái)61構(gòu)成為在上表面上對(duì)被加工物進(jìn)行吸引保持，通過未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而在圖9的(a)中箭頭61a所示的方向上旋轉(zhuǎn)。磨削單元62具有：主軸機(jī)殼631；主軸632，其旋轉(zhuǎn)自如地支承于該主軸機(jī)殼631，被未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)；安裝座633，其裝配于該主軸632的下端；以及磨削輪634，其安裝于該安裝座633的下表面。該磨削輪634由圓環(huán)狀的基臺(tái)635和呈環(huán)狀地裝配于該基臺(tái)635的下表面的磨削磨石636構(gòu)成，基臺(tái)635被緊固螺栓637安裝于安裝座633的下表面。

要想使用上述的磨削裝置6來實(shí)施上述非加工區(qū)域去除工序，需要像圖9的(a)所示那樣將構(gòu)成光器件晶片10的發(fā)光層20的正面上所粘貼的保護(hù)帶pt側(cè)載置在卡盤工作臺(tái)61的上表面(保持面)上。并且，通過未圖示的吸引單元在卡盤工作臺(tái)61上隔著保護(hù)帶pt對(duì)光器件晶片10進(jìn)行吸附保持(晶片保持工序)。因此，關(guān)于保持在卡盤工作臺(tái)61上的光器件晶片10，藍(lán)寶石基板2的背面2b成為上側(cè)。當(dāng)這樣在卡盤工作臺(tái)61上隔著保護(hù)帶pt對(duì)光器件晶片10進(jìn)行吸引保持之后，使卡盤工作臺(tái)61在圖9的(a)中箭頭61a所示的方向上以例如300rpm旋轉(zhuǎn)，并且使磨削單元62的磨削輪634在圖9的(a)中箭頭634a所示的方向上以例如6000rpm旋轉(zhuǎn)，而像圖9的(b)所示那樣使磨削磨石636與作為被加工面的構(gòu)成光器件晶片10的藍(lán)寶石基板2的背面2b接觸，使磨削輪634像箭頭634b所示那樣以例如1μm/秒的磨削進(jìn)給速度向下方(與卡盤工作臺(tái)61的保持面垂直的方向)磨削進(jìn)給的規(guī)定的量。其結(jié)果為，像圖9的(c)所示那樣對(duì)藍(lán)寶石基板2的背面2b進(jìn)行磨削而將非加工區(qū)域22去除，盾構(gòu)隧道21在藍(lán)寶石基板2的背面2b上露出。

在像上述那樣實(shí)施了非加工區(qū)域去除工序之后，實(shí)施晶片支承工序，將在構(gòu)成光器件晶片10的藍(lán)寶石基板2的正面2a上所層疊的發(fā)光層20的正面上所粘貼的作為保護(hù)部件的保護(hù)帶pt剝離，而像上述圖7所示那樣在外周部被安裝成覆蓋環(huán)狀的框架的內(nèi)側(cè)開口部的劃片帶t的正面上粘貼藍(lán)寶石基板2的正面2a上所層疊的發(fā)光層20側(cè)。

接著，實(shí)施分割工序，對(duì)光器件晶片10施加外力，沿著分割預(yù)定線203將光器件晶片10分割成一個(gè)個(gè)的具有光器件204的芯片。該分割工序是使用圖10的(a)所示的分割裝置7來實(shí)施的。即，對(duì)于隔著劃片帶t支承實(shí)施了上述晶片支承工序的光器件晶片10的環(huán)狀的框架f，以使劃片帶t側(cè)朝上的方式載置在圓筒狀的基座71的載置面71a上，并利用配設(shè)于圓筒狀的基座71的外周的夾具72固定。并且，將光器件晶片10的藍(lán)寶石基板2載置在構(gòu)成彎曲載荷賦予單元73的平行地配設(shè)的圓柱狀的多個(gè)支承部件731上。此時(shí)，如圖10的(b)所示，以將與上述分割預(yù)定線203對(duì)應(yīng)的區(qū)域中所形成的盾構(gòu)隧道21定位在支承部件731與731之間的方式進(jìn)行載置。并且，從構(gòu)成光器件晶片10的藍(lán)寶石基板2的正面2a上所層疊的發(fā)光層20的正面上所粘貼的劃片帶t側(cè)通過按壓部件732沿著分割預(yù)定線203進(jìn)行按壓。其結(jié)果為，沿著與分割預(yù)定線203對(duì)應(yīng)的區(qū)域中所形成的盾構(gòu)隧道21對(duì)于光器件晶片10作用彎曲載荷而對(duì)藍(lán)寶石基板2的背面2b上露出的盾構(gòu)隧道21側(cè)產(chǎn)生拉伸載荷，如圖10的(c)所示，在與分割預(yù)定線203對(duì)應(yīng)的區(qū)域中所形成的盾構(gòu)隧道21成為分割的起點(diǎn)而沿著分割預(yù)定線203進(jìn)行分割。

并且，在沿著第1方向上所形成的分割預(yù)定線203所對(duì)應(yīng)的區(qū)域中所形成的盾構(gòu)隧道21進(jìn)行分割之后，使圓筒狀的基座71轉(zhuǎn)動(dòng)90度，而沿著與上述第1方向垂直的方向上所形成的分割預(yù)定線203所對(duì)應(yīng)的區(qū)域中所形成的盾構(gòu)隧道21實(shí)施上述分割作業(yè)，由此能夠?qū)⒐馄骷?0分割成具有一個(gè)個(gè)的光器件204的芯片。另外，由于分割成一個(gè)個(gè)的光器件芯片的正面粘貼于劃片帶t，因此不會(huì)散亂而維持光器件晶片10的形態(tài)。

像以上那樣，在本發(fā)明的光器件晶片的加工方法中，實(shí)施盾構(gòu)隧道形成工序，將對(duì)于藍(lán)寶石基板2具有透射性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線的聚光點(diǎn)從藍(lán)寶石基板2的背面2b側(cè)定位在內(nèi)部而沿著與分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行照射，使細(xì)孔211和對(duì)該細(xì)孔211進(jìn)行盾構(gòu)的非晶質(zhì)212生長(zhǎng)而沿著與分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成盾構(gòu)隧道21，然后實(shí)施發(fā)光層層疊工序，在藍(lán)寶石基板2的正面2a上層疊發(fā)光層20而形成光器件晶片，因此解決了因形成盾構(gòu)隧道21而給發(fā)光層20帶來損害，導(dǎo)致光器件的亮度的降低的問題。

另外，在上述的實(shí)施方式中，示出了如下的例子：將藍(lán)寶石基板2的一方的面定義為正面，將另一方的面定義為背面，從作為另一方的面的背面?zhèn)日丈涿}沖激光光線而實(shí)施盾構(gòu)隧道形成工序，而在作為一方的面的正面上層疊發(fā)光層20，但在將藍(lán)寶石基板2的一方的面定義為背面、將另一方的面定義為正面的情況下，從作為一方的面的背面?zhèn)日丈涿}沖激光光線而實(shí)施盾構(gòu)隧道形成工序，而在作為另一方的面的正面上層疊發(fā)光層20。