本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光源封裝及半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體光源，如發(fā)光二極管led光源等，具有啟動(dòng)時(shí)間短、亮度高、能耗低、體積小、壽命長、安全性高等優(yōu)點(diǎn)，正在逐步取代傳統(tǒng)鹵鎢燈、氙燈等能耗高、壽命短的光源，獲得了廣泛的應(yīng)用。

普通大功率led模組的基板，傳熱性和絕緣性是矛盾的，如為了實(shí)現(xiàn)良好的導(dǎo)熱，led基板一般設(shè)計(jì)成共陽極的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；而為了實(shí)現(xiàn)良好的絕緣性，又不得不犧牲熱傳導(dǎo)性。本發(fā)明就是設(shè)計(jì)一種復(fù)合高導(dǎo)熱絕緣金屬基板，解決上述問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

附圖說明

圖1為傳統(tǒng)半導(dǎo)體基板結(jié)構(gòu)示意圖

圖2為本發(fā)明一種復(fù)合高導(dǎo)熱絕緣金屬基板結(jié)構(gòu)示意圖

主要元件標(biāo)記說明：

1、第一金屬層

2、第一絕緣層

3、第二金屬層

4、第二絕緣層

5、電路層

6、鉆孔

具體實(shí)施方式：

下面通過實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行具體的說明。

如圖1展示了傳統(tǒng)半導(dǎo)體基板結(jié)構(gòu)示意圖，其中第一金屬層1上層為第二絕緣層4，第二絕緣層4設(shè)置有開口，使電路層5的陽極與第一金屬層1形成通路，構(gòu)成以第一金屬層1為陽極的共陽極結(jié)構(gòu)。該傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是第一金屬層1的材料為高導(dǎo)熱性的銅、鋁，或合金材料，具有良好的導(dǎo)熱性，從而能夠滿足大功率半導(dǎo)體光源的散熱問題，但是以第一金屬層1為陽極的共陽極結(jié)構(gòu)，造成該基板絕緣性能差，容易造成漏電、短路等，安裝使用不方便。

如圖2展示了本發(fā)明一種復(fù)合高導(dǎo)熱絕緣金屬基板結(jié)構(gòu)示意圖，包括第一金屬層1，設(shè)置在第一金屬層1下層的第一絕緣層2，設(shè)置在第一絕緣層2下層的第二金屬層3，設(shè)置在所述第一金屬層上層的第二絕緣層4，設(shè)置在第二絕緣層4上層的電路層5，以及鉆孔6。其中，本發(fā)明基板的設(shè)置，主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)在于在原來的金屬基板的基礎(chǔ)上，在底面加上至少一層絕緣層和一層金屬層，使得上下兩層銅基板絕緣，即基板既通過第一金屬層1形成了共陽極結(jié)構(gòu)，又通過第一絕緣層2與外界實(shí)現(xiàn)了電絕緣。所述第一金屬層厚度為0.8-1mm，所述第二金屬層厚度為0.8-1mm，從而保證了良好的導(dǎo)熱性，而所述絕緣層厚度控制在0.1mm以內(nèi)，兼具良好的導(dǎo)熱性和電絕緣性。所述第一金屬層1下方的絕緣層與金屬層，數(shù)量可以根據(jù)需要增加，至少各為一層。所述金屬基板上的鉆孔深度至少到達(dá)第二金屬層，從而保證電絕緣性。

以上實(shí)施方案只為說明本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人了解本發(fā)明新型的內(nèi)容并加以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明新型的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本發(fā)明新型精神實(shí)質(zhì)所做的等小變化或修飾均涵蓋在本發(fā)明新型的保護(hù)范圍內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種復(fù)合高導(dǎo)熱絕緣金屬基板，包括第一金屬層，設(shè)置在第一金屬層下層的第一絕緣層，設(shè)置在第一絕緣層下層的第二金屬層，設(shè)置在所述第一金屬層上層的第二絕緣層，設(shè)置在第二絕緣層上層的電路層，以及鉆孔。其中第一金屬層形成共陽極電路，第一金屬層下層的第一絕緣層將共陽極電路與外部導(dǎo)體絕緣，從而使本發(fā)明復(fù)合高導(dǎo)熱絕緣金屬基板，既可以有金屬基板的高散熱性能，也可以有良好的絕緣性能，解決了目前超大功率LED光源對(duì)高導(dǎo)熱性和高絕緣性基板的需求，提供了一種高導(dǎo)熱、絕緣、緊湊的超大功率半導(dǎo)體LED光源基板設(shè)計(jì)方案。

技術(shù)研發(fā)人員：熊大曦
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州科醫(yī)世凱半導(dǎo)體技術(shù)有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.03
技術(shù)公布日：2017.08.11