本發(fā)明總體上涉及一種電容器，且更具體地涉及加熱電容器和形成加熱電容器的方法。

背景技術(shù)：

電容器是公知的存儲(chǔ)電荷的電子裝置。電容器具有由絕緣材料分開的下導(dǎo)電板和上導(dǎo)電板。電容器可以作為獨(dú)立結(jié)構(gòu)形成在半導(dǎo)體管芯上，或者作為集成電路的一部分。

電容器的一種常見用途是保護(hù)其它電子電路免受由外部事件導(dǎo)致的電涌。例如，電容器的下極板可以連接到地，而電容器的上極板可以連接到天線和RF前端，以使得電容器保護(hù)RF前端和相關(guān)電路系統(tǒng)免受對(duì)天線的雷擊。

通過提供對(duì)電涌的保護(hù)的電容器，一個(gè)問題是一些絕緣材料對(duì)濕度敏感，這能夠顯著降低電容器的性能。例如，所有聚合物(例如聚酰亞胺)對(duì)濕氣敏感，這能夠?qū)㈦娙萜鞯男阅軓?,000V降低到僅2,000V。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在所描述的示例中，一種加熱電容器從濕敏絕緣層去除濕氣。加熱電容器包括第一焊盤、第二焊盤、非導(dǎo)電層和接觸非導(dǎo)電層的第一金屬結(jié)構(gòu)。加熱電容器還包括接觸非導(dǎo)電層的第二金屬結(jié)構(gòu)。第二金屬結(jié)構(gòu)連接到第一焊盤以接收第一電壓；以及連接到第二焊盤以接收第二電壓。第一電壓和第二電壓不同。第一電壓和第二電壓之間的差使電流流入、流過和流出第二金屬結(jié)構(gòu)。電流從第二金屬結(jié)構(gòu)的電阻生成熱量。熱量從非導(dǎo)電層去除濕氣。

在其它描述的示例中，一種形成加熱電容器的方法包括：形成第一金屬結(jié)構(gòu)，以及形成接觸第一金屬結(jié)構(gòu)的非導(dǎo)電層。該方法還包括形成接觸非導(dǎo)電層的第二金屬結(jié)構(gòu)，以及連接第一金屬結(jié)構(gòu)以接收第一電壓和第二電壓。第一電壓和第二電壓不同。第一電壓和第二電壓之間的差使電流流入、流過和流出第一金屬結(jié)構(gòu)。電流從第一金屬結(jié)構(gòu)的電阻生成熱量。熱量從非導(dǎo)電層去除濕氣。

在一種形成加熱電容器的替代方法中，該方法包括形成第一金屬結(jié)構(gòu)，以及形成接觸第一金屬結(jié)構(gòu)的非導(dǎo)電層。該方法還包括形成接觸非導(dǎo)電層的第二金屬結(jié)構(gòu)，以及連接第二金屬結(jié)構(gòu)以接收第一電壓和第二電壓。第一電壓和第二電壓不同。第一電壓和第二電壓之間的差使電流流入、流過和流出第二金屬結(jié)構(gòu)。電流從第二金屬結(jié)構(gòu)的電阻生成熱量。熱量從非導(dǎo)電層去除濕氣。

附圖說明

圖1是根據(jù)示例實(shí)施例的一種加熱電容器100的示例的橫截面圖。

圖2A-2B至8A-8B是根據(jù)示例實(shí)施例的一種形成加熱電容器的方法200的一系列視圖。圖2A-8A是平面圖。圖2B-8B分別是沿圖2A-8A的線2B-2B至8B-8B截取的橫截面圖。

圖9是根據(jù)一個(gè)替代實(shí)施例的一種加熱電容器900的示例的橫截面圖。

圖10A-10E是根據(jù)一個(gè)替代實(shí)施例的一種加熱電容器1000的示例的視圖。圖10A是平面圖。圖10B是沿圖10A的線10B-10B的橫截面圖。圖10C是沿圖10A的線10C-10C截取的橫截面圖。圖10D是沿圖10B的線10D-10D的平面圖。圖10E是沿圖10B的線10E-10E的平面圖。

圖11A-11E是根據(jù)一個(gè)替代實(shí)施例的一種加熱電容器1100的示例的視圖。圖11A是平面圖。圖11B是沿著圖11A的線11B-11B截取的橫截面圖。圖11C是沿著圖11A的線11C-11C截取的橫截面圖。圖11D是沿圖11B的線11D-11D截取的平面圖。圖11E是沿圖11B的線11E-11E截取的平面圖。

圖12A-12E是根據(jù)一個(gè)替代實(shí)施例的加熱電容器1200的示例的視圖。圖12A是平面圖。圖12B是沿著圖12A的線12B-12B截取的橫截面圖。圖12C是沿圖12A的線12C-12C截取的橫截面圖。圖12D是沿圖12B的線12D-12D截取的平面圖。圖12E是沿圖12B的線12E-12E截取的平面圖。

具體實(shí)施方式

圖1示出了根據(jù)示例實(shí)施例的一種加熱電容器100的示例的橫截面圖。如下面更詳細(xì)地描述的，電容器100的板中的一個(gè)用作內(nèi)部加熱器，以從對(duì)濕氣敏感的絕緣材料中去除濕氣。

如圖1所示，加熱電容器100包括非導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110和接觸并位于非導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110上的下金屬板112。非導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110可以用若干材料實(shí)現(xiàn)，諸如二氧化硅或聚合物(例如，聚酰亞胺)。下金屬板112也可以用若干材料實(shí)現(xiàn)，諸如銅或鋁。

如圖1進(jìn)一步所示，加熱電容器100包括接觸并位于下金屬板112上方的濕敏絕緣層114和接觸并位于濕敏絕緣層114上方的上金屬板116。上金屬板116也位于下金屬板112正上方。濕敏絕緣層114可以用聚合物(例如，聚酰亞胺)來實(shí)現(xiàn)。例如，上金屬板116可以用銅或鋁來實(shí)現(xiàn)。

此外，加熱電容器100包括連接到下金屬板112的第一側(cè)的金屬通孔/跡線120和連接到金屬通孔/跡線120的焊盤122。加熱電容器100進(jìn)一步包括金屬通孔/跡線124，其連接到下金屬板112的第二側(cè)；以及焊盤126，其連接到金屬通孔/跡線124。

加熱電容器100還包括連接到上金屬板116和焊盤122和126的若干連接結(jié)構(gòu)130。在該示例中，連接結(jié)構(gòu)130被示出為接合到上金屬板116以及焊盤122和126的導(dǎo)線?；蛘撸B接結(jié)構(gòu)130可以用焊料凸塊實(shí)現(xiàn)。

焊盤122和126通過連接結(jié)構(gòu)130電連接到外部電壓源。焊盤122被連接以接收基本上恒定的電壓，諸如2V，而焊盤126被連接以接收較低的基本上恒定的電壓，諸如接地。上金屬板116進(jìn)而通過連接結(jié)構(gòu)130電連接到諸如天線的電勢(shì)浪涌源和諸如RF前端的內(nèi)部電路。

在操作中，當(dāng)包括加熱電容器100的半導(dǎo)體芯片通電時(shí)，焊盤122和126上的電壓之間的差使得電流從焊盤122流入、流過和流出下金屬板112到焊盤126。下金屬板112的尺寸設(shè)計(jì)成使得下金屬板112對(duì)電流的電阻生成從濕敏絕緣層114去除濕氣的熱量。在電涌的情況下，下極板112、濕敏絕緣層114和上極板116形成電容器，以常規(guī)方式運(yùn)行。

因此，加熱電容器100的優(yōu)點(diǎn)之一是通過從濕敏絕緣層114去除濕氣，加熱電容器100能夠提供增強(qiáng)的對(duì)電涌的保護(hù)。加熱電容器100的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，從濕敏絕緣層114去除濕氣能夠顯著地將電容器的壽命增加高達(dá)1000倍。進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)是能夠形成加熱電容器100，而不需要使用任何額外的掩模步驟。

圖2A-2B至8A-8B示出了根據(jù)示例實(shí)施例的一種形成加熱電容器的方法200的一系列視圖。圖2A-8A示出平面圖。圖2B-8B示出分別沿圖2A-8A的線2B-2B至8B-8B截取的橫截面圖。

如圖2A-圖2B所示，方法200使用常規(guī)形成的非導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210，并且開始于以常規(guī)方式在非導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210上形成種子層212。種子層212可以用鈦層(例如，厚)和銅的覆蓋層(例如，厚)來實(shí)現(xiàn)。接下來，以常規(guī)方式在種子層212上形成并圖案化模具214。

如圖3A-3B所示，在模具214的形成和圖案化之后，以常規(guī)方式電鍍銅，以形成接觸并位于非導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210上方的下金屬板216。在形成下金屬板216之后，去除模具214，隨后去除下面的種子層212的區(qū)域。

在該示例中，下金屬板216被示出為具有用于進(jìn)行通孔連接的兩個(gè)突片(tab)218的正方形/矩形形狀?；蛘?，可以使用其它形狀，諸如圓形。此外，無論使用哪種形狀，形狀能夠不具有突片或具有任何數(shù)量的突片。

接下來，如圖4A-4B所示，以常規(guī)方式在非導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210和下金屬板216上沉積濕敏絕緣層220。例如，濕敏絕緣層220可以用聚合物(例如，聚酰亞胺)來實(shí)現(xiàn)。

在已經(jīng)形成濕敏絕緣層220之后，在濕敏絕緣層220上形成圖案化的光致抗蝕劑層222。圖案化的光致抗蝕劑層222以常規(guī)方式形成，其包括沉積光致抗蝕劑層，通過被稱為掩模的圖案化的黑色/透明玻璃板投射光，以在軟化由光曝光的光致抗蝕劑區(qū)域的光致抗蝕劑層上形成圖案化圖像，以及去除軟化的光致抗蝕劑區(qū)域。

如圖5A-5B所示，在已經(jīng)形成圖案化的光致抗蝕劑層222之后，以常規(guī)方式蝕刻濕敏絕緣層220的曝光區(qū)域，以形成曝光下金屬板216的突片218的頂表面的開口224。通過比較，當(dāng)省略突片218時(shí)，開口224曝光下金屬板216的頂表面。然后以常規(guī)方式(諸如利用灰化工藝)去除圖案化的光致抗蝕劑層222。

如圖6A-6B所示，在已經(jīng)去除圖案化的光致抗蝕劑層222之后，在濕敏絕緣層220上形成種子層230，以給開口224加內(nèi)襯并且接觸下金屬板216的突片218。種子層230可以用鈦層(例如，厚)和銅的覆蓋層(例如，厚)來實(shí)現(xiàn)。接下來，在種子層230上形成并圖案化模具232。

如圖7A-7B所示，在模具232的形成和圖案化之后，以常規(guī)方式電鍍銅，以形成位于下金屬板216正上方的上金屬板240。在該示例中，上金屬板240示出為正方形/矩形形狀?；蛘?，能夠使用其它形狀，諸如圓形。

電鍍還形成電連接到下金屬板216的突片218的第一通孔/跡線242和第二通孔/跡線244。電鍍進(jìn)一步形成連接到第一通孔/跡線242的第一焊盤246，以及連接到第二通孔/跡線244的第二焊盤248。

如圖8A-8B所示，在形成上金屬板240、第一通孔/跡線242、第二通孔/跡線244、第一焊盤246和第二焊盤248之后，去除模具232，隨后去除下面的種子層230的區(qū)域。去除模具232和下面的種子層230的區(qū)域形成加熱電容器結(jié)構(gòu)250。

接下來，以常規(guī)方式封裝加熱電容器結(jié)構(gòu)250。例如，加熱電容器結(jié)構(gòu)250能夠附接到管芯載體。在加熱電容器結(jié)構(gòu)250已附接到管芯載體之后，若干連接結(jié)構(gòu)252連接到上金屬板240、焊盤246和248以及管芯載體。

在該示例中，連接結(jié)構(gòu)252被示出為接合到上金屬板240、焊盤246和248以及管芯載體的導(dǎo)線?；蛘撸B接結(jié)構(gòu)252可以用焊料凸塊實(shí)現(xiàn)。焊料凸塊不連接到管芯載體，而是連接到印刷電路板。具有連接結(jié)構(gòu)252的加熱電容器結(jié)構(gòu)250形成加熱電容器260。

當(dāng)封裝時(shí)，第一焊盤246被連接以接收基本上恒定的電壓，諸如2V，而第二焊盤248被連接以接收較低的基本上恒定的電壓，諸如接地。此外，上金屬板240連接到諸如天線的電勢(shì)浪涌源和諸如RF前端的內(nèi)部電路。

方法200可用于實(shí)現(xiàn)加熱的電容器100。非導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210能夠?qū)?yīng)于非導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110，下金屬板216能夠?qū)?yīng)于下金屬板112，且濕敏絕緣層220能夠與濕敏絕緣層114對(duì)應(yīng)。此外，上金屬板240能夠與上金屬板116對(duì)應(yīng)，通孔/跡線242能夠與通孔/跡線120對(duì)應(yīng)，且通孔/跡線244能夠與通孔/跡線124對(duì)應(yīng)。此外，焊盤246能夠與焊盤122對(duì)應(yīng)，焊盤248能夠與焊盤126對(duì)應(yīng)，并且連接結(jié)構(gòu)252能夠與連接結(jié)構(gòu)130對(duì)應(yīng)。

圖9示出了根據(jù)一個(gè)替代實(shí)施例的一種加熱電容器900的示例的橫截面圖。加熱電容器900類似于加熱電容器100，因此，使用相同的附圖標(biāo)記來表示兩個(gè)電容器共用的結(jié)構(gòu)。

如圖9所示，加熱電容器900與加熱電容器100不同，因?yàn)榧訜犭娙萜?00的下金屬板112電連接到諸如天線的電勢(shì)浪涌源和諸如RF前端的內(nèi)部電路，而上金屬板116電連接到兩個(gè)不同的外部電壓源。

在該示例中，下金屬板112通過通孔/跡線124、焊盤126和連接結(jié)構(gòu)130電連接到電勢(shì)浪涌源和內(nèi)部電路?；蛘撸陆饘侔?12可以通過通孔/跡線120、焊盤122和連接結(jié)構(gòu)130電連接到電勢(shì)浪涌源和內(nèi)部電路。

上金屬板116進(jìn)而通過連接結(jié)構(gòu)130電連接到第一外部電壓源，以接收諸如2V的基本上恒定的電壓，并且通過連接結(jié)構(gòu)130連接到第二外部電壓源，以接收較低的基本上恒定的電壓，諸如接地。

加熱電容器900與加熱電容器100操作相同，不同之處僅在于其中電容器板提供熱量，并且電容器板連接到電勢(shì)浪涌源和內(nèi)部電路。此外，加熱電容器900以與加熱電容器260相同的方式形成，例外的是不再需要一個(gè)突片、一個(gè)通孔/跡線和一個(gè)焊盤。例如，可以省略左側(cè)突片218、通孔/跡線242和焊盤246的形成。

圖10A-10E示出了根據(jù)一個(gè)替代實(shí)施例的一種加熱電容器1000的示例的視圖。圖10A示出平面圖。圖10B示出沿圖10A的線10B-10B截取的橫截面圖。圖10C示出沿圖10A的線10C-10C截取的橫截面圖。圖10D示出沿圖10B的線10D-10D截取的平面圖。圖10E示出沿圖10B的線10E-10E截取的平面圖。

加熱電容器1000類似于加熱電容器260，并且因此，使用相同的附圖標(biāo)記來表示兩個(gè)電容器共用的結(jié)構(gòu)。如圖10A-10E所示，加熱電容器1000與加熱電容器260不同，因?yàn)榧訜犭娙萜?000通過使電流通過橫向鄰近下金屬板的下金屬線而生成熱量。

在該示例中，如圖10B和10D所示，加熱電容器1000與加熱電容器260不同，因?yàn)榧訜犭娙萜?000使用下金屬板1010代替下金屬板216。下金屬板1010具有圍繞下金屬板1010的外圍延伸的側(cè)壁1012。

如圖10B、10C和10D所示，下金屬板1010與下金屬板216相同，例外的是下金屬板1010僅具有用于形成通孔連接的單個(gè)突片1014。雖然下金屬板1010被示出為正方形/矩形形狀，但是可以替代地使用其它形狀，諸如圓形形狀。此外，無論使用何種形狀，形狀能夠不具有突片或具有多個(gè)突片。

如圖10B、10C和10D所示，加熱電容器1000也不同于加熱電容器260，因?yàn)榧訜犭娙萜?000包括橫向鄰近下金屬板1010的下金屬跡線1020。在一個(gè)實(shí)施例中，沒有金屬結(jié)構(gòu)橫向位于下金屬板1010和下金屬跡線1020之間。在另一實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)能夠橫向位于下金屬板1010和下金屬跡線1020之間。

在該示例中，下金屬跡線1020部分地圍繞下金屬板1010。結(jié)果，下金屬跡線1020鄰近下金屬板1010的側(cè)壁1012的一半，并且下金屬跡線1020鄰近下金屬板1010的的側(cè)壁1012的四分之三和四分之三以上。

如圖10A、10C和10E所示，加熱電容器1000與加熱電容器260不同，因?yàn)榧訜犭娙萜?000包括附接到下金屬跡線1020的一端的通孔/跡線1022和附接到通孔/跡線1022的焊盤1024。加熱電容器1000還包括附接到下金屬跡線1020的相對(duì)端的通孔/跡線1026，以及附接到通孔/跡線1026的焊盤1028。

此外，在該示例中，下金屬板1010電連接到外部電壓源，以通過通孔/跡線242、焊盤246和連接結(jié)構(gòu)252接收基本上恒定的電壓，諸如接地。或者，下金屬板1010可以通過通孔/跡線242、焊盤246和連接結(jié)構(gòu)252電連接到電勢(shì)浪涌源和內(nèi)部電路。

上金屬板240進(jìn)而通過連接結(jié)構(gòu)252連接到電勢(shì)浪涌源和內(nèi)部電路?；蛘撸辖饘侔?40可通過連接結(jié)構(gòu)252連接到外部電壓源以承載基本上恒定的電壓，諸如接地。

在操作中，當(dāng)包括加熱電容器1000的半導(dǎo)體芯片通電時(shí)，焊盤1024和1028上的電壓之間的差使電流從焊盤1024流入、流過和流出下金屬跡線1020到焊盤1028。下金屬跡線1020的尺寸被設(shè)計(jì)為使得下金屬跡線1020對(duì)電流的電阻生成從濕敏絕緣層220去除濕氣的熱量。在電涌的情況下，下極板1010、濕敏絕緣層220和上極板240形成電容器，以常規(guī)方式運(yùn)行。因此，與加熱電容器100和260不同，沒有電流流過下金屬板1010。

加熱電容器1000以與加熱電容器260相同的方式形成。例如，下金屬板1010可以與下金屬板216同時(shí)和相同的方式形成，例外的是可以省略一個(gè)突片。此外，可以通過修改模具214以與下金屬板216相同的時(shí)間和相同的方式形成下金屬跡線1020。此外，通孔/跡線1022、焊盤1024、通孔/跡線1026和焊盤1028可以以與通孔/跡線242和焊盤246相同的時(shí)間和相同的方式形成。

圖11A-11E示出了根據(jù)一個(gè)替代實(shí)施例的一種加熱電容器1100的示例的視圖。圖11A示出平面圖。圖11B示出沿著圖11A的線11B-11B截取的橫截面圖。圖11C示出沿著圖11A的線11C-11C截取的橫截面圖。圖11D示出沿著圖11B的線11D-11D截取的平面圖。圖11E示出沿圖11B的線11E-11E截取的平面圖。

加熱電容器1100類似于加熱電容器1000，并且因此，使用相同的附圖標(biāo)記來表示兩個(gè)電容器共用的結(jié)構(gòu)。如圖11A-11E所示，加熱電容器1100不同于加熱電容器1000，因?yàn)榧訜犭娙萜?100通過使電流流過橫向鄰近下金屬板1010的下金屬線和橫向鄰近上金屬板240的上金屬線兩者來生成熱量。

如圖11A、11B和11C所示，加熱電容器1100不同于加熱電容器1000，因?yàn)榧訜犭娙萜?100包括橫向鄰近上金屬板240的上金屬跡線1110。在一個(gè)實(shí)施例中，沒有金屬結(jié)構(gòu)橫向位于上金屬板240和上金屬跡線1110之間。在另一實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)能夠橫向位于上金屬板240和上金屬跡線1110之間。

上金屬板240具有圍繞上金屬板240的外圍延伸的側(cè)壁1112。在該示例中，上金屬跡線1110部分地圍繞上金屬板240。結(jié)果，上金屬跡線1110鄰近上金屬板240的側(cè)壁1112的一半，并且鄰近上金屬板1110的側(cè)壁1112的四分之三和四分之三以上。

如圖11A、11C和11E所示，加熱電容器1100具有從下層向上延伸的三個(gè)通孔/跡線242、1022和1026。如圖11A和11C所示，加熱電容器1100不同于加熱電容器1000，因?yàn)榧訜犭娙萜?100包括附接到上金屬跡線1110的一端的焊盤1120和附接到上金屬跡線1110的相對(duì)端的焊盤1122。

焊盤1120和1122通過連接結(jié)構(gòu)252電連接到外部電壓源。焊盤1120被連接以接收諸如2V的基本上恒定的電壓，而焊盤1122被連接以接收較低的基本上恒定的電壓，諸如接地。焊盤1024和1120可以連接到相等或不同的電壓。類似地，焊盤1028和1122可以連接到相等或不同的電壓。

在操作中，當(dāng)包括加熱電容器1100的半導(dǎo)體芯片通電時(shí)，焊盤1024和1028上的電壓之間的差使電流從焊盤1024流入、流過和流出下金屬跡線1020到焊盤1028。下金屬跡線1020的尺寸設(shè)計(jì)成使得下金屬跡線1020對(duì)電流的電阻生成從濕敏絕緣層220去除濕氣的熱量。

此外，焊盤1120和1122上的電壓之間的差使得電流從焊盤1120流入、流過并流出上金屬跡線1110到焊盤1122。上金屬跡線1110的尺寸被設(shè)定為使得上金屬跡線1110對(duì)電流的電阻生成從濕敏絕緣層220去除濕氣的熱量。在電涌的情況下，下極板1010、濕敏絕緣層220和上極板240形成電容器，以常規(guī)方式運(yùn)行。

加熱電容器1100以與加熱電容器1000相同的方式形成。例如，上金屬跡線1110、焊盤1120和焊盤1122通過修改模具232以與上金屬板240、通孔/跡線242、焊盤246、通孔/跡線1022、焊盤1024、通孔/跡線1026和焊盤1028同時(shí)且相同的方式形成。

圖12A-12E示出了根據(jù)一個(gè)替代實(shí)施例的一種加熱電容器1200的示例的視圖。圖12A示出平面圖。圖12B示出沿著圖12A的線12B-12B截取的橫截面圖。圖12C示出沿著圖12A的線12C-12C截取的橫截面圖。圖12D示出沿著圖12B的線12D-12D截取的平面圖。圖12E示出沿著圖12B的線12E-12E截取的平面圖。

加熱電容器1200類似于加熱電容器1100，并且因此，使用相同的附圖標(biāo)記來表示兩個(gè)電容器共同的結(jié)構(gòu)。如圖12A-12E所示，加熱電容器1200與加熱電容器1100不同，因?yàn)榧訜犭娙萜?200通過僅通過上金屬跡線1110流動(dòng)電流而生成熱量。結(jié)果，省略下金屬跡線1020、通孔/跡線1022、通孔/跡線1026、焊盤1024和焊盤1028。

在操作中，當(dāng)包括加熱電容器1200的半導(dǎo)體芯片通電時(shí)，焊盤1120和1122上的電壓之間的差使電流從焊盤1120流入、流過和流出上金屬跡線1110到焊盤1122。上金屬跡線1110的尺寸設(shè)計(jì)成使得上金屬跡線1110對(duì)電流的電阻生成從濕敏絕緣層220去除濕氣的熱量。

在電涌的情況下，下金屬板1010、濕敏絕緣層220和上金屬板240形成電容器，以常規(guī)方式運(yùn)行。加熱電容器1100以與加熱電容器1100相同的方式形成，例外的是省略對(duì)形成下金屬跡線1020、通孔/跡線1022、通孔/跡線1026、焊盤1024和焊盤1028所需的修改。

在所描述的實(shí)施例中修改是可能的，并且在權(quán)利要求的范圍內(nèi)的其它實(shí)施例是可能的。