專利名稱：整合電容器的遮蔽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于形成于集成電路中(integrated circuit, IC)的電容器，通稱為整合電容器。
背景技術(shù)：
制造IC的方法典型包括一前端處理順序，其中，諸如晶體管的種種的電氣元件形成于一半導(dǎo)體基板；及，一后端處理順序，概括包括形成具有傳導(dǎo)通路(via)的介電材料與圖案化(patterned)傳導(dǎo)材料(典型為金屬)的交替層或使用其他技術(shù)以互連金屬層來形成一種三維的接線結(jié)構(gòu)，其連接電氣元件至其他電氣元件及IC的端子。電容器為了種種目的而用于IC系統(tǒng)。于多個(gè)實(shí)例，納入(整合)一電容器于IC芯片是期待的。一種簡單的方式是形成具有一介于中間的介電質(zhì)的二個(gè)傳導(dǎo)平板；然而，此針對于取得的電容而消耗相當(dāng)大的面積。用于增大一既定面積的電容的一種技術(shù)運(yùn)用多個(gè)傳導(dǎo)平板，各個(gè)傳導(dǎo)平板與鄰近的平板由介電質(zhì)所分開。另外的技術(shù)運(yùn)用傳導(dǎo)板條(strip)， 亦稱為傳導(dǎo)線條(line)、傳導(dǎo)指部(finger)或傳導(dǎo)線跡(trace)，其交替地連接至第一與第二電容器端子(節(jié)點(diǎn))。于傳導(dǎo)板條之間耦合的側(cè)壁提供電容。以垂直一致性排列或配置的傳導(dǎo)板條層可附加以進(jìn)而增大一種整合電容器結(jié)構(gòu)的電容。一種電容器具有連接至第一節(jié)點(diǎn)之于連續(xù)層的若干個(gè)傳導(dǎo)板條且與連接至整合電容器的第二節(jié)點(diǎn)的相等數(shù)目個(gè)傳導(dǎo)板條交替。該傳導(dǎo)板條是于連續(xù)層上偏置了半個(gè)單元，使得連接至第一節(jié)點(diǎn)的一傳導(dǎo)板條具有于其上方且二側(cè)的連接至第二節(jié)點(diǎn)的傳導(dǎo)板條。提供針對于各個(gè)節(jié)點(diǎn)之于一層的相等數(shù)目個(gè)傳導(dǎo)板條是與至基板的各個(gè)節(jié)點(diǎn)的耦合平衡，此是期望于一些應(yīng)用中，但為不期望于其他者，諸如切換式應(yīng)用，其中，于一個(gè)節(jié)點(diǎn)處具有較小的耦合是期望的。為了降低對于基板的耦合，一厚的二氧化硅層是用于基板與第一層的傳導(dǎo)板條之間。此可能難以整合于一種標(biāo)準(zhǔn)CMOS制造順序且可能需要另外的步驟以附加至標(biāo)準(zhǔn)處理流程。重迭的平行傳導(dǎo)板條運(yùn)用匯流板條而連接在其末端，匯流板條消耗額外的表面積。提供一種整合電容器的另一個(gè)方式是具有連接至該電容器的交替節(jié)點(diǎn)之于一層的傳導(dǎo)板條及連接至相同節(jié)點(diǎn)的重迭傳導(dǎo)板條。此本質(zhì)為形成連接至該電容器的第一節(jié)點(diǎn)的一簾幕(curtain)的傳導(dǎo)板條與互連通路及連接至第二節(jié)點(diǎn)的相鄰簾幕的傳導(dǎo)板條與互連通路。連接至該相同節(jié)點(diǎn)的重迭傳導(dǎo)板條避免關(guān)聯(lián)于匯流板條的喪失的表面積；然而， 層間的電容是降低，因?yàn)樯戏桨鍡l如同下方板條而連接至相同節(jié)點(diǎn)。此效應(yīng)是稍微排除，因?yàn)殡S著臨界尺寸縮小，板條間的電容相較于層間的電容而成為較為強(qiáng)勢。換言之，于連續(xù)金屬層之間的介電層分離隨著減小臨界尺寸而成為愈來愈大于傳導(dǎo)板條之間的介電分離?，F(xiàn)在常用的整合電容器經(jīng)常容易受到電子噪聲的影響，電子噪聲可影響IC的性能。于一些應(yīng)用，諸如一濾波電容器應(yīng)用，其中，電容器節(jié)點(diǎn)的一者(典型為底部節(jié)點(diǎn))連接至接地或至一電源供應(yīng)器電壓，某個(gè)程度的噪聲經(jīng)常為可容許。然而，于其他應(yīng)用，諸如 當(dāng)該電容器為運(yùn)用于一訊號(hào)路徑(即作為一耦合電容器或切換電容器)，噪聲耦合將嚴(yán)重使得電路性能降級(jí)。耦合于一電容器的噪聲特別在當(dāng)極低的模擬電壓透過該電容器所耦合而有問題，尤其是于一種芯片的系統(tǒng)，其相較于其他型式的IC(諸如一存儲(chǔ)器芯片)而經(jīng)常產(chǎn)生較多的電氣噪聲。因此，針對于一 IC的所用的低噪聲應(yīng)用，提供較佳的噪聲免除性的整合電容器是期望的。

發(fā)明內(nèi)容
一種于集成電路(integrated circuit, IC)中的電容器包括一核心(core)電容器部分，具有形成于IC的一第一傳導(dǎo)層的電氣連接且形成該電容器的一第一節(jié)點(diǎn)的部分者的一第一復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件，以及形成于第一傳導(dǎo)層的電氣連接且形成該電容器的一第二節(jié)點(diǎn)的部分者的一第二復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件。第一復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件與第二復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件是于第一傳導(dǎo)層交替。電氣連接且形成第一節(jié)點(diǎn)的部分者的一第三復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件形成于相鄰于第一傳導(dǎo)層的一第二傳導(dǎo)層，第二復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件的至少一些部分重迭且垂直地耦接至第三復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件的至少一些部分。該種電容器亦包括一遮蔽電容器部分，具有一第四復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件，其形成于至少該IC的第一傳導(dǎo)層、該IC的第二傳導(dǎo)層、該IC的一第三傳導(dǎo)層與一第四傳導(dǎo)層。第一與第二傳導(dǎo)層是于第三與第四傳導(dǎo)層之間。遮蔽電容器部分電氣連接且形成該電容器的第二節(jié)點(diǎn)的二部分者且環(huán)繞第一與第三復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件。


圖1運(yùn)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電容器的一種電路的電路圖；圖2A適用于本發(fā)明實(shí)施例的一種遮蔽式整合電容器的一部分的等角視圖；圖2B是根據(jù)圖2A的一種整合電容器220的側(cè)視圖；圖2C是根據(jù)圖2A的整合電容器的側(cè)視圖，具有根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的一種接地遮蔽；圖2D是根據(jù)圖2A的整合電容器的側(cè)視圖，具有根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的一種替代的接地遮蔽；圖3A是根據(jù)一個(gè)替代實(shí)施例的一種具有底部節(jié)點(diǎn)遮蔽的整合電容器的側(cè)視圖；圖;3B是圖3A的M5與M4層的部分剖視平面圖，顯示接地平板與在下面的底部節(jié)點(diǎn)遮蔽平板的一部分；圖4A是根據(jù)又一個(gè)替代實(shí)施例的一種具有底部節(jié)點(diǎn)遮蔽的整合電容器的側(cè)視圖；圖4B是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例之于IC的一種遮蔽式整合薄介電質(zhì)電容器的橫截面；圖5納入根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的整合電容器的一種FPGA的平面圖。
具體實(shí)施例方式圖1運(yùn)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電容器102、104的一種電路100的電路圖。電容器 104的頂部節(jié)點(diǎn)108可切換為連接至或斷開自一放大器116的一高阻抗輸入114。底部節(jié)點(diǎn)112連接至一開關(guān)?；厥陔娙萜?02的頂部節(jié)點(diǎn)106亦連接至放大器116的高阻抗輸入 114而底部節(jié)點(diǎn)110連接至放大器116的輸出118?；厥陔娙萜?02由閉合開關(guān)119而可切換成短路。耦合電容器104具有由一底部節(jié)點(diǎn)遮蔽120所遮蔽的一頂部節(jié)點(diǎn)108，底部節(jié)點(diǎn)遮蔽120是借著電氣連接至底部節(jié)點(diǎn)的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)而實(shí)質(zhì)環(huán)繞頂部節(jié)點(diǎn)108且降低該頂部節(jié)點(diǎn)108對于電路100的其他節(jié)點(diǎn)的寄生電容耦合。對于頂部節(jié)點(diǎn)108的連接是透過于底部節(jié)點(diǎn)遮蔽120的一間隙所作成。雖然底部節(jié)點(diǎn)遮蔽是顯示為連續(xù)，于一些實(shí)施例，底部節(jié)點(diǎn)遮蔽是由數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件所作成，諸如金屬絲線、金屬通路、與聚硅或硅化物平板或板條，以形成圍繞頂部節(jié)點(diǎn)的一傳導(dǎo)籠，遮蔽該頂部節(jié)點(diǎn)免于電子噪聲且免于對于IC的其他節(jié)點(diǎn)的耦合。于一些實(shí)施例，底部節(jié)點(diǎn)遮蔽通過耦合至頂部節(jié)點(diǎn)而助于整合電容器的整體電容。注意一電容器概括視為一種二端子元件，且如本文所述的「頂部」與「底部」節(jié)點(diǎn)概括對應(yīng)于電容器的此二個(gè)端子。因此，下述的結(jié)構(gòu)可視為(例如電氣)連接至一個(gè)節(jié)點(diǎn)或另一個(gè)節(jié)點(diǎn)、或形成一節(jié)點(diǎn)的部分者。一節(jié)點(diǎn)未分開與其所連接的電容結(jié)構(gòu)，而是彼等結(jié)構(gòu)可形成一節(jié)點(diǎn)的部分者。回授電容器102是具有由一底部節(jié)點(diǎn)遮蔽122、及由一選用式參考遮蔽IM所遮蔽的一頂部節(jié)點(diǎn)110。參考遮蔽IM連接至存在于IC的一相當(dāng)穩(wěn)定的參考電壓，諸如模擬接地、數(shù)字接地或VDD。參考遮蔽IM實(shí)質(zhì)為環(huán)繞底部節(jié)點(diǎn)遮蔽122且遮蔽底部節(jié)點(diǎn)免于實(shí)質(zhì)耦合至超過一個(gè)電壓參考(例如底部節(jié)點(diǎn)是耦合至VDD或接地而非為二者)。于其他實(shí)施例，一參考遮蔽是部分環(huán)繞一底部節(jié)點(diǎn)遮蔽。參考遮蔽具有一間隙，其允許電氣接觸為作成至底部節(jié)點(diǎn)，如上所述。術(shù)語「頂部」節(jié)點(diǎn)與「底部」節(jié)點(diǎn)是無須為關(guān)于相對于IC或其他結(jié)構(gòu)的該等節(jié)點(diǎn)的實(shí)際方位，而是運(yùn)用為權(quán)宜的術(shù)語。于一些電路應(yīng)用，一電容器的頂部節(jié)點(diǎn)是指該節(jié)點(diǎn)為連接至一放大器或其他元件的一高阻抗或高增益埠。于一種芯片上系統(tǒng)(SoC ； system-on-chip)，于一模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC ；analog-to-digital converter)的準(zhǔn)確度相依于在頂部節(jié)點(diǎn)(對于除了底部節(jié)點(diǎn)外的所有其他節(jié)點(diǎn))的寄生電容(Ctop)與于二個(gè)節(jié)點(diǎn)間的有用浮動(dòng)訊號(hào)電容的電容(Csig)的比值。遮蔽頂部平板免于接地電流或電壓供應(yīng)變動(dòng)是期待的，使得Ctop維持為低。運(yùn)用底部節(jié)點(diǎn)以實(shí)質(zhì)環(huán)繞頂部節(jié)點(diǎn)來隔離該頂部節(jié)點(diǎn)免于耦合于電路的其他節(jié)點(diǎn)，通過實(shí)質(zhì)形成圍繞該頂部節(jié)點(diǎn)的法拉第殼的一部分，且于一些實(shí)施例，使得該頂部節(jié)點(diǎn)疏遠(yuǎn)于IC的其他傳導(dǎo)元件。熟悉此技術(shù)的人士所了解的是對于頂部節(jié)點(diǎn)的電氣連接通過底部節(jié)點(diǎn)遮蔽所作成，且因此底部節(jié)點(diǎn)遮蔽非完全環(huán)繞頂部節(jié)點(diǎn)。于一些實(shí)施例，頂部節(jié)點(diǎn)的一些側(cè)邊保留未遮蔽。舉例而言，實(shí)際遠(yuǎn)離其他節(jié)點(diǎn)的頂部節(jié)點(diǎn)的一端是可能保留未遮蔽。于其他實(shí)施例，整合電容器是運(yùn)用作為設(shè)計(jì)單元，且相鄰的整合電容器并聯(lián)連接以得到一較高的總電容。于一些實(shí)施例，相鄰共同連接的整合電容器的底部節(jié)點(diǎn)遮蔽的部分者是省略，允許較高的封裝密度。諸如可程序邏輯元件的復(fù)合IC經(jīng)常具有形成于一半導(dǎo)體基板的由介電材料層所分開的數(shù)個(gè)圖案化金屬層，其用于接線連接與其他功能，通稱為IC的「后端」。本發(fā)明的一些實(shí)施例可適于現(xiàn)存CMOS處理程序，通過運(yùn)用形成期望的圖案于適當(dāng)金屬層的屏蔽 (mask)及通過于IC的后端的金屬間的介電質(zhì)(IMD ；inter-metal dielectric)層或?qū)娱g的介電質(zhì)(ILD ；inter-layer dielectric)的通路(via)。通路運(yùn)用數(shù)種現(xiàn)有技術(shù)的任一者所形成，諸如接觸插頭(contact plug)、金屬鑲嵌(damascene)或雙金屬鑲嵌技術(shù)。同理，傳導(dǎo)板條運(yùn)用數(shù)種現(xiàn)有技術(shù)的任一者所形成，諸如薄膜金屬蝕刻(etch)、薄膜金屬升離(IifT-OfT)、金屬鑲嵌與雙金屬鑲嵌技術(shù)。于一些實(shí)施例，該等傳導(dǎo)層的一者是一聚硅或硅化物層。于再一個(gè)實(shí)施例，于半導(dǎo)體基板的一傳導(dǎo)井形成一電容器平板或一遮蔽的一部分。圖2A根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種整合電容器的一部分200的等角視圖。一底部平板傳導(dǎo)基質(zhì)(matrix) 202包括由一第一復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條204、206所構(gòu)成的一第一底部平板層B與由一薄片的聚硅或硅化物所構(gòu)成于通稱為一「聚合(poly)」層的一第二底部平板層B’，均為連接至整合電容器的底部節(jié)點(diǎn)。于此實(shí)施例的底部節(jié)點(diǎn)相較于頂部節(jié)點(diǎn)而較不易受到電子噪聲的影響的電容器節(jié)點(diǎn)，當(dāng)電容器為運(yùn)用于特定電路應(yīng)用。一頂部平板傳導(dǎo)基質(zhì)212是由第一底部平板層B所覆蓋且由第二底部平板層B’所置于下面，第二底部平板層B’是形成圍繞頂部節(jié)點(diǎn)的一部分的法拉第遮蔽。因?yàn)槭煜C制造技術(shù)人士所熟知的設(shè)計(jì)布局規(guī)則，第一底部平板層是由板條而非為一連續(xù)薄片所構(gòu)成。概括而言，各個(gè)金屬層具有最小與最大的金屬線寬度與最小的分隔。聚硅與硅化物層典型為具有不同于圖案化金屬層的設(shè)計(jì)與處理規(guī)則，允許當(dāng)聚合層運(yùn)用時(shí)以形成該底部平板層為一連續(xù)薄片的聚合物。同理，大的傳導(dǎo)區(qū)域可形成于半導(dǎo)體基板(例如一N井或一P井)以形成一連續(xù)的傳導(dǎo)薄片。于一個(gè)替代實(shí)施例，第二底部平板層形成于基板的一傳導(dǎo)井。傳導(dǎo)井與聚合層由一相當(dāng)薄的介電層所分開，提供良好的電氣性能，即使N井相較于一金屬層或聚合層而概括為較不傳導(dǎo)。運(yùn)用一傳導(dǎo)井以形成一遮蔽的部分者是更為期待的，因?yàn)橐粶喜?moat)可形成圍繞N井或P井所形成的基板部分，進(jìn)而隔離N井或P井免于雜散電流。一傳導(dǎo)井之運(yùn)用于一遮蔽是亦為期待的，因?yàn)樵摼山饘僖韵喈?dāng)對稱方式所環(huán)繞，導(dǎo)致通過該遮蔽的井部分的對稱電流。于底部平板層B的傳導(dǎo)板條204、206透過通路(未顯示，參閱例如通路214)而電氣連接至于下層的橫向(即概括正交)傳導(dǎo)板條，使得于第一底部平板層B的金屬層的傳導(dǎo)板條204、206之間的互連是不必要。替代而言，傳導(dǎo)交接件(于金屬層的板條之間的交叉連接)選用式納入于第一底部平板層以連接于該層的傳導(dǎo)板條，此改良遮蔽。同理，一頂部平板層T由連接至整合電容器的頂部節(jié)點(diǎn)的復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條216、 218所構(gòu)成。于頂部平板層T的傳導(dǎo)板條是橫向于頂部平板層T的上方的傳導(dǎo)板條T1、T2、 Τ3、Τ4、Τ5且橫向于頂部平板層T的下方的傳導(dǎo)板條Τ6、Τ7、Τ8、Τ9、Τ10，且于頂部平板層T 的傳導(dǎo)板條透過通路而電氣連接至彼此及頂部平板層T的上方與下方的橫向傳導(dǎo)板條。于一些實(shí)施例，傳導(dǎo)板條(例如Τ1、Β1)由一最小寬度的金屬線所作成且通稱為「傳導(dǎo)絲線」 或「金屬絲線」及提供高的線密度與高的橫向電容。于平板層的傳導(dǎo)板條之間的橫向電容未促成于整合電容器的比電容(specific capacitance)，因?yàn)樵摰冉饘侔鍡l連接至相同節(jié)點(diǎn)，且于平板層的傳導(dǎo)板條經(jīng)常較最小金屬線寬度為寬。平板層B、T、B’不具有交替的傳導(dǎo)板條，而是于此等層的所有傳導(dǎo)板條均連接至整合電容器的頂部節(jié)點(diǎn)或底部節(jié)點(diǎn)。根據(jù)圖2A的一種電容器的組態(tài)提供底部平板B、B’，其遮蔽頂部平板的傳導(dǎo)元件，因?yàn)樵摰葌鲗?dǎo)元件嵌入于IC堆棧的第一與第二底部平板層之間。 于頂部平板傳導(dǎo)基質(zhì)的右與左側(cè)的傳導(dǎo)簾幕(參閱圖2B的參考符號(hào)236、238)由于第一底部平板B與第二底部平板B’之間的通路與金屬層所形成且延伸沿著一第三方向(例如 于圖2A所示的Z方向)，以實(shí)質(zhì)形成一傳導(dǎo)平面(于由Y與Z軸所定義的平面)。該整合電容器的底部平板傳導(dǎo)基質(zhì)松弛地環(huán)繞該整合電容器的頂部平板傳導(dǎo)基質(zhì)，使得該頂部平板是于頂部、底部、右側(cè)與左側(cè)而耦合該底部平板。于再一個(gè)實(shí)施例，附加的傳導(dǎo)簾幕選用式添加于由X與Y軸所定義的平面，以覆蓋(遮蔽)于此等平面的頂部節(jié)點(diǎn)傳導(dǎo)元件的末端。圖2B根據(jù)圖2A的一種整合電容器220的側(cè)視圖。該側(cè)視圖沿著于圖2A的箭頭A 的方向所取得。該種整合電容器具有一核心電容器部分201與一遮蔽電容器部分203。遮蔽電容器部分203基本為一底部節(jié)點(diǎn)遮蔽，具有形成于一 IC的一后端堆棧222的第五層M5 的一第一遮蔽層B，后端堆棧222包括金屬層Ml、M2、M3、M4、M5與介于其間的介電層，其具有延伸通過介電層的通路(例如通路256)以連接金屬層。為了圖示清楚，該等介電層未顯示為影線，由于其為熟悉IC處理技術(shù)人士所明了。根據(jù)替代實(shí)施例的整合電容器包括附加的金屬層。該種整合電容器包括一選用式參考遮蔽，其于此實(shí)施例為連接至VDD的一參考遮蔽。參考遮蔽包括形成于IC的半導(dǎo)體基板2 且由一傳導(dǎo)井(N井)所構(gòu)成的一遮蔽平板224、形成于M5金屬層的一頂部遮蔽平板225與傳導(dǎo)簾幕M0J42。遮蔽電容器部分203形成圍繞核心電容器部分201的一傳導(dǎo)覆層(sheath)，核心電容器部分201具有交插的頂部與底部節(jié)點(diǎn)傳導(dǎo)絲線，其提供于Ml與M3金屬層的高比橫向電容與于Ml與M3的底部節(jié)點(diǎn)元件與于M2的頂部節(jié)點(diǎn)元件之間的垂直電容，M2相鄰于 Ml與M3。遮蔽電容器部分由于耦合至于M1、M2與M3的頂部節(jié)點(diǎn)傳導(dǎo)元件而增加附加的電容。于一個(gè)典型的實(shí)施例，各層的交插的絲線將具有數(shù)百條絲線且于該等絲線之間的橫向耦合整合電容器的總電容的重要部分。第二底部平板層B’形成于IC的聚合層。于一個(gè)替代實(shí)施例，第二底部平板層形成如同板條于一后端堆棧的一金屬層，諸如M1或M2，后端堆棧具有另外的金屬層。利用聚合層為用于第二底部平板層允許一種遮蔽式整合電容器(不具有選用式VDD遮蔽)為形成于一種四金屬層IC。于一個(gè)替代實(shí)施例，形成于半導(dǎo)體基板的一傳導(dǎo)井運(yùn)用為第二底部平板層，允許一個(gè)實(shí)施例制造于一 IC的三個(gè)金屬層，或允許附加的金屬層以供提高一既定面積的一電容器的比電容。在基板與聚合層的上方的介電層(未個(gè)別顯示)通稱為一層間的介電質(zhì)(ILD)，且連接聚合層至基板的N+傳導(dǎo)區(qū)域230的傳導(dǎo)元件2 通稱為一接點(diǎn)，相對于一通路。于聚合層與N井之間的一閘介電層(未個(gè)別顯示)典型為相較于ILD層而較薄許多。圖2B是非依比例所繪制。概括而言，IMD與ILD層的厚度大于交插層M3與Ml的交插傳導(dǎo)板條(例如T1與Bi)之間的間距。于一示范實(shí)施例，ILD層是約300nm厚的氧化硅，而于聚合層與Ml層之間的介電層是約IOOnm厚且較高的諸層是約250nm。于一層的金屬線跡之間的最小間隔典型為較小許多，因此于Tl與Bl之間的側(cè)壁電容是例如為大于 Tl與B之間的垂直電容。同理，于頂部平板傳導(dǎo)基質(zhì)的二端(例如Τ1、Τ4、Τ5、Τ8與T的二端)與傳導(dǎo)簾幕236、238之間與于末端通路251、252與簾幕通路254、256之間的側(cè)壁電容提供附加的電容，其補(bǔ)償于Μ4、Μ2與聚合層的交插的欠缺。隨著節(jié)點(diǎn)技術(shù)變小且于交插層的傳導(dǎo)板條之間的最小尺度減小，于交插金屬板條與通路之間的側(cè)壁電容對于整體電容的相對作用是提高。選用式參考遮蔽包括一第一遮蔽層225與其形成于N井的遮蔽平板224，該遮蔽層 225與遮蔽平板2Μ透過一組的通路、金屬、聚合物與接點(diǎn)所連接。該等通路、金屬、聚合物與接點(diǎn)形成基本為該參考遮蔽的右側(cè)與左側(cè)垂直部分的一第一遮蔽簾幕與一第二遮蔽簾幕。于再一個(gè)實(shí)施例，底部平板傳導(dǎo)基質(zhì)的第三與第四傳導(dǎo)簾幕包圍該底部節(jié)點(diǎn)遮蔽與核心電容器的如圖所示的前與后平面。此等圖式是為了圖標(biāo)清楚而未顯示，由于熟悉此技術(shù)人士鑒于側(cè)視圖所示的傳導(dǎo)與遮蔽簾幕而將了解。參考遮蔽連接至一穩(wěn)定的電壓參考，諸如VDD或接地，以降低底部節(jié)點(diǎn)對于超過一個(gè)電壓節(jié)點(diǎn)的耦合。舉例而言，底部節(jié)點(diǎn)基質(zhì)實(shí)質(zhì)僅為耦合至頂部節(jié)點(diǎn)及至VDD。IC的其他節(jié)點(diǎn)對于底部節(jié)點(diǎn)的可忽略的耦合是存在。同理，若遮蔽連接至接地而非為VDD，底部節(jié)點(diǎn)將僅為耦合至頂部節(jié)點(diǎn)及接地。針對于底部節(jié)點(diǎn)為同時(shí)耦合至VDD及接地概括為不期待的，因?yàn)榈撞抗?jié)點(diǎn)將作用為接地與VDD之間的一橋梁，且舉例而言為可耦合于二個(gè)節(jié)點(diǎn)之間的不期待的切換電流。 然而，于一些實(shí)施例，對于VDD及接地的限制的耦合是可接受，特別是若該底部節(jié)點(diǎn)遮蔽至一參考遮蔽的耦合是限制于連接至基板的一隔離部分的傳導(dǎo)元件，或若是該接地節(jié)點(diǎn)合理適當(dāng)為隔離自一數(shù)字接地節(jié)點(diǎn)的一模擬接地節(jié)點(diǎn)。一間隙或類似的特征(未顯示，參閱圖1)提供于該遮蔽以允許對于底部節(jié)點(diǎn)傳導(dǎo)基質(zhì)的電路連接，且一第二間隙或類似的特征提供于該遮蔽，一第三間隙或類似的特征提供于底部平板傳導(dǎo)基質(zhì)以允許對于頂部節(jié)點(diǎn)傳導(dǎo)基質(zhì)的連接。于省略前端與后端的傳導(dǎo)簾幕或遮蔽簾幕的實(shí)施例，舉例而言，對于傳導(dǎo)基質(zhì)的電氣連接可于正交于圖面平面的方向來弓I出。底部節(jié)點(diǎn)遮蔽是亦可沿著頂部節(jié)點(diǎn)連接至一開關(guān)來弓I出，舉例而言，以進(jìn)一步遮蔽該頂部節(jié)點(diǎn)。圖2C是一種整合電容器250的側(cè)視圖，具有根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的一種接地遮蔽 286 (表示為虛線)。整合電容器250包括一核心電容器部分洲2，包括交替連接至該電容器的相對節(jié)點(diǎn)之于一金屬層(例如M1、M3)內(nèi)的傳導(dǎo)元件(絲線)；及，一遮蔽電容器部分 (底部節(jié)點(diǎn)遮蔽)284。舉例而言，于M3，T1、T2、T3與Τ4和Β1、Β2與Β3交替；且于Ml，Τ5、 Τ6、Τ7與Τ8和Β5、Β6與Β7交替。于核心電容器部分洲2的交替的傳導(dǎo)元件提供有效的橫向電容，其隨著制造尺度降低且該等傳導(dǎo)元件成為較接近在一起而改良。類似的橫向電容得到于頂部節(jié)點(diǎn)元件Τ1、Τ4、Τ5、Τ8與T的二端與形成參考遮蔽的對應(yīng)底部節(jié)點(diǎn)元件之間。 遮蔽電容器部分284環(huán)繞核心電容器部分觀2以形成一傳導(dǎo)籠(cage)，其降低該頂部節(jié)點(diǎn)對于IC的其他節(jié)點(diǎn)的耦合。整合電容器250產(chǎn)生自核心電容器部分282且亦自于核心電容器部分282與遮蔽電容器部分觀4的頂部節(jié)點(diǎn)元件間的耦合的良好的比電容，實(shí)質(zhì)為每單位面積的硅的 CSIG0該種整合電容器包括一選用的接地遮蔽觀6，其部分環(huán)繞底部節(jié)點(diǎn)遮蔽觀4，基本形成一法拉第杯。接地遮蔽降低于IC所產(chǎn)生的電子噪聲，否則其可能耦合至整合電容器 250的底部節(jié)點(diǎn)或頂部節(jié)點(diǎn)。于一特定實(shí)施例，一參考遮蔽平板287形成于M5層，提供一個(gè)低電阻的接地路徑以供連接該接地遮蔽286至IC的一或多個(gè)接地端子。于一特定實(shí)施例，接地遮蔽286連接至IC的模擬接地而非為數(shù)字接地，以避免將出現(xiàn)于數(shù)字接地的高的切換電流與電子噪聲。于IC的一數(shù)字接地節(jié)點(diǎn)的高的切換電流是針對于FPGA而特別為有問題，其中，電路的整個(gè)方塊經(jīng)常為接通及切斷。一 VDD遮蔽杯258 (表示為虛線)包括一遮蔽平板沈0，其形成于半導(dǎo)體基板2 的一 N井。VDD偏壓透過傳導(dǎo)簾幕沈2、264或者是透過傳導(dǎo)(pillar)而引至N井VDD遮蔽。提供VDD遮蔽杯258進(jìn)一步遮蔽該種整合電容器的頂部節(jié)點(diǎn)與底部節(jié)點(diǎn)免于電氣噪聲。 于一些IC，M5層可能僅為一接地遮蔽而不具有允許于M5的VDD互連。圖2D是一種整合電容器270的視圖，具有根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的一種接地遮蔽。電容器270包括一核心電容器部分282與一底部節(jié)點(diǎn)遮蔽，其形成關(guān)于圖2A-2C的如上所述的一遮蔽電容器部分觀4。遮蔽電容器部分284環(huán)繞核心電容器部分282且隔離該核心電容器部分免于電子噪聲，類似于一電纜的一外部傳導(dǎo)覆層如何隔離內(nèi)部接線免于電子噪聲。于再一個(gè)實(shí)施例，底部節(jié)點(diǎn)遮蔽延伸于未顯示于此視圖的電容器核心的末端(即其為于視圖的平面的末端)。于一特定實(shí)施例，接地遮蔽連接至模擬接地而非為連接至數(shù)字接地。于一特定實(shí)施例，N井281形成于其中且接地遮蔽的傳導(dǎo)簾幕274、276為由P+區(qū)域 278,280所連接至其的基板2 的部分選用式形成于一溝槽(未顯示)，其隔離該基板的溝槽部分免于基板的其他部分的雜散電流。接地遮蔽與VDD遮蔽形成類似于雙保護(hù)環(huán)遮蔽的一種遮蔽結(jié)構(gòu)，且特別期待于有電氣噪聲的環(huán)境以遮蔽該整合電容器的頂部節(jié)點(diǎn)。于一替代實(shí)施例，VDD遮蔽是省略。圖3A根據(jù)一個(gè)替代實(shí)施例的一種整合電容器300的側(cè)視圖。一核心電容器部分 304包括交替連接該電容器的相對節(jié)點(diǎn)之于一金屬層(例如M1、M2、M;B)內(nèi)的傳導(dǎo)元件(例如絲線)。舉例而言，于M3，Tl、T2、T3與jM和Bi、B2與B3交替；于M2，T5、T6與T7和 B4、B5、B6與B7交替；且于M1，T8、T9、T10與Tll和B8、B9與BlO交替。頂部節(jié)點(diǎn)元件Tl、 T4、T8與Tll橫向耦合于底部節(jié)點(diǎn)遮蔽元件。同理，Β4垂直耦合于Tl與Τ8，提供提高比電容的垂直電容。于核心電容器部分304的交替的傳導(dǎo)元件提供橫向電容，其隨著制造尺度降低且該等傳導(dǎo)元件成為較接近在一起而改良。盡管于一金屬層的各個(gè)端元件為橫向耦合于電氣連接至整合電容器的相對節(jié)點(diǎn)的一傳導(dǎo)絲線將概括為合意，于一實(shí)際裝置，于各個(gè)金屬層可能具有數(shù)百個(gè)并聯(lián)的傳導(dǎo)絲線，且其為非相反極性的很少的列端是可能具有相當(dāng)少的不利效應(yīng)。一接地遮蔽306包括接地遮蔽傳導(dǎo)簾幕308、310，其為實(shí)質(zhì)環(huán)繞該整合電容器的核心電容器部分304與遮蔽電容器部分302。接地遮蔽傳導(dǎo)簾幕308、310包括聚合元件 312、314與對于基板226的P+區(qū)域320、322的接點(diǎn)316、318。于一個(gè)范例的應(yīng)用，于Μ5層的接地平板287連接至IC的一模擬接地端子。該基板是相當(dāng)高電阻；然而，底部節(jié)點(diǎn)平板 B’仍為適當(dāng)遮蔽而免于耦合至其他節(jié)點(diǎn)，因?yàn)樵贐’的下方的硅相對為無電氣噪聲，特別是若基板部分形成于一溝槽且接地遮蔽典型為作成關(guān)于基板的接觸于該接地遮蔽的周邊。接地節(jié)點(diǎn)平板287具有對于接地的相當(dāng)?shù)偷碾娮?，因?yàn)槠錇橐唤饘賹?。于一特?IC應(yīng)用，Μ5層運(yùn)用作為針對于IC的模擬部分的一接地遮蔽層，且由具有多個(gè)接地連接點(diǎn)的寬的接地板條(參閱圖3Β)所構(gòu)成，而非為如同于其他金屬層的非正規(guī)的薄線跡。于一些 IC應(yīng)用特別為期待以維持該模擬接地遮蔽層的完整性；然而，包括一 VDD遮蔽平板于模擬接地遮蔽層的實(shí)施例有用于諸多IC，因?yàn)閂DD遮蔽連接至一純凈(即相對為無電氣噪聲) 供應(yīng)，阻斷自下面的模擬電路的電氣噪聲而免于影響IC的其余部分，類似于接地平面的效應(yīng)。于該等實(shí)施例，于一 VDD遮蔽平板與接地平面之間的小的余裕提供相當(dāng)少的面積以針對于無用的電氣噪聲發(fā)射的發(fā)生。圖;3Β是圖3Α的Μ5與Μ4層的部分剖視平面圖，顯示接地平板287與在下面的底
10部節(jié)點(diǎn)遮蔽平板B的一部分。接地平板287是由寬的板條350、352、3M所構(gòu)成，板條350、 352,354覆蓋上方底部節(jié)點(diǎn)遮蔽平板B的傳導(dǎo)絲線356、358、360、366。接地平板板條350、 352、3M之間的間隙362、364界定在傳導(dǎo)絲線360、366之上，使得一導(dǎo)線置于間隙之下，此改良該種整合電容器的頂部節(jié)點(diǎn)的遮蔽；然而，此細(xì)節(jié)非為必要于所有的實(shí)施例。圖4A根據(jù)又一個(gè)替代實(shí)施例的一種整合電容器400的側(cè)視圖，其具有一種底部節(jié)點(diǎn)遮蔽電容器部分404。底部節(jié)點(diǎn)遮蔽電容器部分404覆蓋一核心電容器部分402，其具有電氣連接至整合電容器400的頂部節(jié)點(diǎn)的一組的傳導(dǎo)簾幕TCI、TC2、TC3、TC4且交插電氣連接至整合電容器的底部節(jié)點(diǎn)的一組的傳導(dǎo)簾幕BC1、BC2、BC3、BC4、BC5。該等傳導(dǎo)簾幕基本為形成于連續(xù)金屬層的傳導(dǎo)絲線，由傳導(dǎo)通路所連接以實(shí)質(zhì)形成垂直延伸往返于圖示平面的一傳導(dǎo)薄片。對于頂部節(jié)點(diǎn)傳導(dǎo)基質(zhì)的電氣連接是透過于底部節(jié)點(diǎn)遮蔽的一間隙或通過引出自該等金屬層一者的末端的一分接頭(傳導(dǎo)線跡)而作成。底部節(jié)點(diǎn)傳導(dǎo)簾幕BC1、 BC2、BC3、BC4、BC5透過上方底部節(jié)點(diǎn)平板B與下方底部節(jié)點(diǎn)平板B’所電氣連接，但是替代而言可透過一者或另一者所連接。傳導(dǎo)簾幕BCl與BC5連接該上方底部節(jié)點(diǎn)平板B與下方底部節(jié)點(diǎn)平板B’ (其形成于IC的聚合層)且形成該整合電容器的遮蔽電容器部分404的部分者，并且提供對于核心電容器部分402的相鄰的頂部節(jié)點(diǎn)傳導(dǎo)簾幕TCI、TC4的橫向電容。一接地遮蔽杯406由形成于M5層的一接地遮蔽平板407所形成，且具有延伸自接地遮蔽平板407而朝向基板226的傳導(dǎo)簾幕Gl、G2。于再一個(gè)實(shí)施例，該等傳導(dǎo)簾幕透過聚合層而延伸至基板2 (參閱例如圖3A)。圖4B根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例之于IC的一種遮蔽式整合薄介電質(zhì)電容器420的橫截面。該薄介電質(zhì)電容器運(yùn)用于基板424的一傳導(dǎo)井422作為電容器的一第一平板425(「基板平板」)。該薄介電質(zhì)電容器的一第二平板(「間層平板」)似6形成于一聚硅、硅化物或金屬層，其通常為IC的閘層。閘層平板426與基板平板425由一薄介電層4 所分開，薄介電層4 通常形成IC的一閘氧化物層或門介電層。諸如特定FPGA的一些IC具有超過一個(gè)可允許的間介電層厚度，通常稱為薄的氧化物、中的氧化物或厚的氧化物。盡管最薄的閘介電層將提供最高的比電容，較厚的薄介電質(zhì)(諸如中的氧化物或厚的氧化物)于一既定操作電壓而提供優(yōu)越的可靠度與產(chǎn)量。針對于一薄介電質(zhì)電容器的最大操作電壓典型為小于針對于其具有相同介電閘層的一 FET的最大閘電壓。不同于ILD層與IMD層(為了圖標(biāo)清楚而未顯示)，其中，一低介電材料概括為期望，間介電材料較佳為具有一相當(dāng)高的介電常數(shù)以提供于IC的MOSFET閘極與通道之間的良好耦合，其增強(qiáng)該薄介電質(zhì)電容器420 的比電容。一電容器遮蔽部分形成為圍繞該閘層平板426，其于一特定應(yīng)用為整合電容器 420的頂部節(jié)點(diǎn)。因此，該遮蔽是一底部節(jié)點(diǎn)遮蔽電容器部分。該遮蔽包括基板平板425、 接點(diǎn)432、434及形成于IC的一金屬層或一第二聚合層的上方底部節(jié)點(diǎn)遮蔽平板436。該等接點(diǎn)概括間隔于上方平板436的周邊以實(shí)質(zhì)形成其圍繞該閘層平板426的一法拉第籠。于一替代實(shí)施例，上方平板形成于未運(yùn)用該等接點(diǎn)而為直接覆蓋于基板的一第二聚合層?；迤桨?25均為核心電容器部分(即基板平板、閘介電層與閘層平板所形成的核心電容器)與遮蔽電容器部分的一元件。該基板平板替代為形成于一P井或于不具有一井的原本的基板。上方底部節(jié)點(diǎn)遮蔽平板436包括一間隙438，對于頂部節(jié)點(diǎn)(閘層平板 426)的電氣接觸透過間隙438所作成，而對于基板的電氣接觸可透過上方底部節(jié)點(diǎn)遮蔽平板436與接點(diǎn)432、434所作成。因此，整合電容器420的頂部節(jié)點(diǎn)是遮蔽免于電氣噪聲。由于該閘層平板形成于聚合層，其可為一連續(xù)薄片的導(dǎo)體且無須由板條或絲線所形成，如同于上方的金屬層。同理，基板平板可為一連續(xù)薄片。該上方底部節(jié)點(diǎn)遮蔽平板典型為由一組最大寬度的金屬線所形成，該等金屬線互連于該層內(nèi)以近似為一連續(xù)薄片。該上方底部節(jié)點(diǎn)遮蔽平板實(shí)質(zhì)為助于該整合電容器的比電容而且亦遮蔽該頂部節(jié)點(diǎn)免于電氣噪聲。針對于根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的一種薄介電質(zhì)電容器(其運(yùn)用約250nm厚度的厚氧化物所制造于IC)的估計(jì)的比電容是約為7fF/ym2。注意所述的層的型式與數(shù)目僅為實(shí)例，且于一些實(shí)施例，其他適合層是可運(yùn)用， 且任何數(shù)目個(gè)層是可運(yùn)用。舉例而言，運(yùn)用的層可取決于可利用于制程的層的型式與數(shù)目， 且其他配置將對于熟悉此技術(shù)人士為顯而易見。概括而言，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，任何適合層及任意數(shù)目個(gè)層是可運(yùn)用。圖5是一種FPGA 500半導(dǎo)體裝置的平面圖，納入根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的一種整合電容器。FPGA 500包括CMOS部分于數(shù)個(gè)功能方塊，諸如于RAM與邏輯，且運(yùn)用一種CMOS制程所制造。根據(jù)本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例的一或多個(gè)整合電容器555納入于FPGA的數(shù)個(gè)功能方塊的任一者，諸如一時(shí)脈電路505、多重千兆位收發(fā)器501或其他的功能方塊；于多個(gè)功能方塊之內(nèi)；或于FPGA 500的一實(shí)體區(qū)段或部分之內(nèi)。整合電容器555是特別期待于電容器的一或二個(gè)端子為切換的應(yīng)用，且包括頂部平板遮蔽的實(shí)施例是更期待于頂部平板為連接至或切換至于FPGA 500的一種電路的一高阻抗或高增益節(jié)點(diǎn)的應(yīng)用。電容器概括為有用于廣泛的種種集成電路及于廣泛的種種應(yīng)用。舉例而言，一或多個(gè)電容器可為有用于一種切換電容器網(wǎng)絡(luò)，諸如于一模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器或作為針對于AC發(fā)訊的一解耦合或?yàn)V波電容器(例如于MGT)。概括而言，本文所述的電容器結(jié)構(gòu)可有用于需要電容的任何應(yīng)用。FPGA架構(gòu)包括多個(gè)不同的可程序瓦塊(tile)，包括多重千兆位收發(fā)器 (MGT ；multi-gigabit transceiver) 501 > 可組態(tài)邏輯方塊(CLB ；configurable logic block) 502、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器方塊(BRAM ;random access memory block) 503、輸入 / 輸出方塊(Ι0Β ；input/output block) 504、組態(tài)與時(shí)脈邏輯(C0NFIG/CL0CK) 505、數(shù)字訊號(hào)處理 (DSP ；digital signal processing)方塊 506、專用輸入 / 輸出(1/0)方塊 507(例如組態(tài)埠與時(shí)脈埠)及其他可程序邏輯508，諸如數(shù)字時(shí)脈管理器、模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器、系統(tǒng)監(jiān)視邏輯等等。一些FPGA亦包括專屬處理器(PROC)方塊510。于一些FPGA，各個(gè)可程序瓦塊包括一可程序互連元件(INT interconnect) 511， 其具有往返于各個(gè)相鄰?fù)邏K的一對應(yīng)互連元件的標(biāo)準(zhǔn)化連接。因此，一起作用的可程序互連元件實(shí)施針對于圖標(biāo)的FPGA的可程序互連結(jié)構(gòu)?？沙绦蚧ミB元件(INT) 511亦包括往返于相同瓦塊內(nèi)的可程序邏輯元件的連接，如由包括在圖5的頂部的實(shí)例所示。舉例而言，一 CLB 502可包括可程序規(guī)劃以實(shí)施用戶邏輯的一可組態(tài)邏輯元件 (CLE ； configurable logic element) 512 加上單一個(gè)可程序互連元件(INT) 511。除了一或多個(gè)可程序互連元件之外，一 BRAM 503可包括一 BRAM邏輯元件(BRL ；BRAM logic element) 513。典型而言，納入于一瓦塊的互連元件的數(shù)目視該瓦塊的高度而定。于描繪的實(shí)施例，一 BRAM瓦塊具有如同四個(gè)CLB的相同高度，但是其他數(shù)目(例如五個(gè))亦可運(yùn)用。除了適當(dāng)數(shù)目的可程序互連元件之外，一 DSP瓦塊506可包括一 DSP邏輯元件(DSPL;DSP logic element) 514ο除了一個(gè)實(shí)例的可程序互連元件(INT) 511之外，一 Ι0Β504可包括例如二個(gè)實(shí)例的輸入/輸出邏輯元件(I0L ;input/output logic element) 5150如將為熟悉此技術(shù)人士所明白，舉例而言，連接至I/O邏輯元件515的實(shí)際I/O墊是運(yùn)用在種種圖標(biāo)邏輯方塊的上方的迭層金屬所制造，且典型為未限定于輸入/輸出邏輯元件515的區(qū)域。 于描繪的實(shí)施例，接近芯片的中央的柱狀區(qū)域(于圖5所示為陰影處)用于組態(tài)、時(shí)脈與其他控制邏輯。利用于圖5所示的架構(gòu)的一些FPGA包括附加的邏輯方塊，瓦解構(gòu)成FPGA大部分者的規(guī)則的柱狀結(jié)構(gòu)。附加的邏輯方塊可為可程序方塊及/或?qū)龠壿?。舉例而言，于圖 5所示的處理器(PROC)方塊510跨越數(shù)行的的CLB與BRAM。注意圖5僅意圖以說明一個(gè)范例的FPGA架構(gòu)。于一行(column)的邏輯方塊的數(shù)目、諸行的相對寬度、行的數(shù)目與順序、納入于諸行的邏輯方塊的型式、邏輯方塊的相對尺寸及包括在圖5的頂部的互連/邏輯實(shí)施純?nèi)粸榉独再|(zhì)。舉例而言，于一實(shí)際FPGA，典型包括超過一個(gè)相鄰行的CLB而無論該等CLB出現(xiàn)在何處，以利于用戶邏輯的有效率的實(shí)施。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種于集成電路IC中的電容器，其特征在于，包含一核心電容器部分，具有形成于該IC的一第一傳導(dǎo)層的電氣連接且形成該電容器的一第一節(jié)點(diǎn)的一第一部分的一第一復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件、形成于該第一傳導(dǎo)層的電氣連接且形成該電容器的一第二節(jié)點(diǎn)的一第一部分的一第二復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件與形成于相鄰于該第一傳導(dǎo)層的一第二傳導(dǎo)層的電氣連接且形成該第一節(jié)點(diǎn)的一第二部分的一第三復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件，該第一復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件與該第二復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件交替于該第一傳導(dǎo)層，該第二復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件的至少一些部分重迭且垂直地耦接至該第三復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件的至少一些部分； 及一遮蔽電容器部分，具有一第四復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件，其形成于至少該IC的該第一傳導(dǎo)層、該IC的該第二傳導(dǎo)層、該IC的一第三傳導(dǎo)層與該IC的一第四傳導(dǎo)層，該第一傳導(dǎo)層與該第二傳導(dǎo)層都位于該第三傳導(dǎo)層與該第四傳導(dǎo)層之間，該遮蔽電容器部分電氣連接且形成該電容器的第二節(jié)點(diǎn)的一第二部分且環(huán)繞該第一復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件與該第三復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，該第三傳導(dǎo)層是該IC的一金屬層且該第四傳導(dǎo)層是該IC的一聚合層，該遮蔽電容器部分包括由復(fù)數(shù)個(gè)金屬板條所形成于該金屬層的一第一節(jié)點(diǎn)遮蔽平板與形成于該聚合層的一第二節(jié)點(diǎn)遮蔽平板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，該遮蔽電容器部分包括形成于該第三傳導(dǎo)層的一第一節(jié)點(diǎn)遮蔽平板與形成于該第四傳導(dǎo)層的一第二節(jié)點(diǎn)遮蔽平板，且更包含自該第一節(jié)點(diǎn)遮蔽平板延伸至該第二節(jié)點(diǎn)遮蔽平板的一第一傳導(dǎo)簾幕與自該第一節(jié)點(diǎn)遮蔽平板延伸至該第二節(jié)點(diǎn)遮蔽平板的一第二傳導(dǎo)簾幕。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電容器，其特征在于，更包含一參考遮蔽，其電氣連接至該IC的一參考節(jié)點(diǎn)，該遮蔽電容器部分是配置于該參考遮蔽與該核心電容器部分之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容器，其特征在于，該參考遮蔽包括該IC的一基板的一基板部分、自該基板部分延伸的一第一傳導(dǎo)簾幕與自該基板部分延伸的一第二傳導(dǎo)簾幕。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容器，其特征在于，該基板部分包含該IC的基板的一N井。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的電容器，其特征在于，更包含于該IC的一金屬層的一參考遮蔽平板，其自該第一傳導(dǎo)簾幕延伸至該第二傳導(dǎo)簾幕。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的電容器，其特征在于，該第一復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件包含沿著一第一方向延伸的一第一復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條，該第二復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件包含沿著該第一方向延伸的一第二復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條，且該第三復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件包含沿著正交于該第一方向的一第二方向延伸的一第三復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容器，其特征在于，該第一復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條與該第二復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條交替，并且該第三復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條在該第二傳導(dǎo)層上彼此相鄰，以及進(jìn)一步包含第一通路，其將在該第一傳導(dǎo)層上的第一復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條的第一傳導(dǎo)板條電氣連接到在該第二傳導(dǎo)層上的第三復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條的第二傳導(dǎo)板條。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的電容器，其特征在于，該遮蔽電容器部分包括形成在該第三傳導(dǎo)層上的第一節(jié)點(diǎn)遮蔽平板，該第一節(jié)點(diǎn)遮蔽平板包括沿著該第二方向延伸的第四復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條，該第四復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條在該第三傳導(dǎo)層中彼此相鄰，并且進(jìn)一步包括第二通路，其將在該第一傳導(dǎo)層上的第二復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條的第三傳導(dǎo)板條電氣連接到在該第三傳導(dǎo)層上的第四復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條的第四傳導(dǎo)板條。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的電容器，其特征在于，進(jìn)一步包括第三通路， 其將在該第三復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條的第五傳導(dǎo)板條電氣連接到在該第一復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條的第六傳導(dǎo)板條。
12.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的電容器，其特征在于，其包括一第五復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件，形成于配置于該第四傳導(dǎo)層與該第二傳導(dǎo)層之間的該IC的一第五傳導(dǎo)層，電氣連接且形成第一節(jié)點(diǎn)的一第三部分，該第四復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件沿著第一方向延伸；及一第六復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件，電氣連接且形成第二節(jié)點(diǎn)的一第三部分，形成于該第五傳導(dǎo)層，沿著第一方向延伸，且交替于該第五傳導(dǎo)層的第五復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電容器，其特征在于，該第五復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件包括第五復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條并且該第六復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件包括第六復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條，以及進(jìn)一步包括第四通路，其將在該第三復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條的第七傳導(dǎo)板條電氣連接到在該第五復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條的第八傳導(dǎo)板條。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的電容器，其特征在于，該遮蔽電容器部分包括形成在該第四傳導(dǎo)層上的第二節(jié)點(diǎn)遮蔽平板，并且進(jìn)一步包括第五通路，其將在該第二節(jié)點(diǎn)遮蔽電氣連接到該第六復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條的第九傳導(dǎo)板條。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的電容器，其特征在于，該第一復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件包含沿著第一方向延伸的第一復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條，該第二復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件包含沿著該第一方向延伸的第二復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條，并且該第三復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)元件包含沿著該第一方向延伸的第三復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)板條。
全文摘要
一種于集成電路(IC)中的電容器(220)包括一核心電容器部分(201)，具有形成于一第一層(M3)的電氣連接且形成電容器的一第一節(jié)點(diǎn)的一部分的第一傳導(dǎo)元件(T1、T2、T3、T4)與形成于第一層的電氣連接且形成電容器的一第二節(jié)點(diǎn)的一部分的第二傳導(dǎo)元件(B1、B2、B3)。第一與第二傳導(dǎo)元件于第一傳導(dǎo)層交替。電氣連接且形成第一節(jié)點(diǎn)的一部分的第三傳導(dǎo)元件(T)是形成于相鄰于第一層(M3)的一第二層(M2)。該種電容器亦包括一遮蔽電容器部分(203)，具有形成于至少第一、第二、第三與第四層(M3、M2、M4、聚合)的第四傳導(dǎo)元件(238、B、B’)。遮蔽電容器部分電氣連接且形成電容器的第二節(jié)點(diǎn)的一部分且環(huán)繞第一與第三傳導(dǎo)元件。
文檔編號(hào)H01L23/522GK102224588SQ200980146567
公開日2011年10月19日 申請日期2009年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月21日
發(fā)明者派翠克·J··昆恩 申請人:吉林克斯公司