一種透明有機電致發(fā)光器件及其制備方法

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一種透明有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種透明有機電致發(fā)光器件，包括玻璃基底、陽極、空穴注入層、綠色發(fā)光層、電子注入層和陰極；陽極包括依次層疊設置在玻璃基底表面上的第一陽極層和第二陽極層；第一陽極層的材料為(3-巰基丙基)三甲氧基硅烷、(3-巰基乙基)三甲氧基硅烷、(3-巰基甲基)三甲氧基硅烷和O,O,O-三甲基-巰基硅烷中的至少一種；第二陽極層的材料為鎂-銀合金、鋰-鋁合金、鋇和鈣中的至少一種；陰極的材料為銦錫氧化物。本發(fā)明通過設置雙層結構的陽極層，使得陽極面出光效率達到了陰極面出光效率的60%以上，改善了透明有機電致發(fā)光器件在實際應用中的視覺效果；本發(fā)明還公開了透明有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種透明有機電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領域，尤其涉及一種透明有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術】
[0002] 有機電致發(fā)光器件（0LED)是電光源中的一種。1987年，美國Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke報道了有機電致發(fā)光研究中的突破性進展，這一突破性進展使得有機電致發(fā)光器件（0LED)的研究得以在世界范圍內迅速廣泛地開展起來。
[0003] 對于現有的有機電致發(fā)光器件（0LED)，根據光的發(fā)射面的不同，可將其分為三類：底部發(fā)光有機電致發(fā)光器件（B0LED)，頂部發(fā)光有機電致發(fā)光器件（TE0LED)和透明有機電致發(fā)光器件（T0LED)。透明有機電致發(fā)光器件
[0004] (T0LED)與頂部發(fā)光有機電致發(fā)光器件（TE0LED)和底部有機電致發(fā)光器件 (B0LED)的不同之處在于：陰極和陽極都采用透明材料，從而使得發(fā)光器內產生的光從陰極和陽極兩面同時射出。透明有機電致發(fā)光器件（T0LED)在加電時其兩面都可發(fā)射光，而不加電時成透明狀的特性，開辟了顯示領域的一個特殊應用方向。但由于透明有機電致發(fā)光器件（T0LED)所采用的陰極和陽極材料的折射率有所不同，結果導致兩面的出光效率差別較大，從而影響了透明有機電致發(fā)光器件（T0LED)在實際應用中的視覺效果。所以，如何縮小透明有機電致發(fā)光器件（T0LED)兩面的出光效率之差是當今技術人員所要迫切解決的問題之一。

【發(fā)明內容】

[0005] 為解決上述問題，本發(fā)明第一方面提供了一種透明有機電致發(fā)光器件，該透明器件設置的陽極包括第一陽極層和第二陽極層；設置的陰極的材料為銦錫氧化物；通過設置雙層結構的陽極層，使得陽極面出光效率達到了陰極面出光效率的60%以上，使透明有機電致發(fā)光器件兩面的出光效率之差縮小了，改善了透明有機電致發(fā)光器件在實際應用中的視覺效果；本發(fā)明第二方面還提供了透明有機電致發(fā)光器件的制備方法。
[0006] 第一方面，本發(fā)明提供了一種透明有機電致發(fā)光器件，包括玻璃基底，以及在所述玻璃基底表面上依次層疊設置的陽極、有機發(fā)光功能層和陰極；
[0007] 所述陽極包括依次層疊設置在所述玻璃基底表面上的第一陽極層和第二陽極層；所述第一陽極層的材料為（3-巰基丙基）三甲氧基硅烷、（3-巰基乙基）三甲氧基硅烷、 (3-巰基甲基）三甲氧基硅烷和0, 0, 0-三甲基-巰基硅烷中的至少一種；所述第二陽極層的材料為鎂-銀合金、鋰-鋁合金、單質鋇和單質鈣中的至少一種；
[0008] 所述有機發(fā)光功能層至少包括依次層疊設置在所述第二陽極層表面上的空穴注入層、綠色發(fā)光層和電子注入層；
[0009] 所述陰極的材料為銦錫氧化物。
[0010] 第一陽極層可以增加光的透射率，第二陽極層中的金屬本身的優(yōu)異特性，可以提高電極的導電性能；通過設置雙層結構的陽極層，使得陽極面出光效率達到了陰極面出光效率的60%以上，縮小了透明有機電致發(fā)光器件兩面的出光效率之差，改善了透明有機電致發(fā)光器件在實際應用中的視覺效果；空穴注入層可以減小陽極材料與有機發(fā)光功能層材料間的空穴注入勢壘，增加注入效率，進而提高透明器件的發(fā)光效率；電子注入層可以減小陰極材料與有機發(fā)光功能層材料間的電子注入勢壘，增加注入效率，進而提高透明器件的發(fā)光效率。
[0011] 優(yōu)選地，所述鎂-銀合金中的鎂、銀質量比為8 :1?13 :1 ;所述鋰-鋁合金中的鋰、鋁質量比為1 :〇. 005?1 :0. 01。
[0012] 優(yōu)選地，所述第一陽極層的厚度為2nm?4nm。
[0013] 優(yōu)選地，所述第二陽極層的厚度為10nm?20nm。
[0014] 優(yōu)選地，所述陰極的厚度為lOOnm?150nm。
[0015] 優(yōu)選地，所述空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料和摻雜在所述空穴傳輸材料中的空穴注入材料；所述空穴注入材料的摻雜質量分數為25%?35% ;所述空穴傳輸材料為 N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑）聯苯、N，N' -二（3-甲基苯基）-N，N' -二苯基-4, 4' -聯苯二胺和 1，1_二（4- (N，N'-二（p-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷中的至少一種；所述空穴注入材料為三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩和三氧化錸中的至少一種；所述空穴注入層的厚度為 10nm ?15nm〇
[0016] 優(yōu)選地，所述電子注入層的材料包括電子傳輸材料和摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬硫酸鹽，以及鋰鹽或銫鹽；所述堿金屬硫酸鹽的摻雜質量分數為6%?25%，所述鋰鹽或銫鹽的摻雜質量分數為25%?35% ;所述電子傳輸材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、 4, 7-二苯基一 1，10-鄰菲羅啉、4-聯苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑和1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯中的至少一種；所述堿金屬硫酸鹽為硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸銣和硫酸銫中的至少一種；所述鋰鹽為氟化鋰、疊氮化鋰和氮化鋰中的至少一種；所述銫鹽為氟化銫、疊氮化銫和氮化銫中的至少一種；所述電子注入層的厚度為15nm? 45nm〇
[0017] 優(yōu)選地，所述綠色發(fā)光層的材料包括主體材料和摻雜在所述主體材料中的綠光客體材料；所述綠光客體材料的摻雜質量分數為2%?10% ;所述主體材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺、9, 9' -(1，3-苯基）二-9H-咔唑、4, 4' -二（9-咔唑)聯苯、N，N' -二（3-甲基苯基）4州'-二苯基-4,4'-聯苯二胺、1，1-二（4-(1以-二（?-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷和9, 10-雙（1-萘基）蒽中的至少一種，所述綠光客體材料為三（2-苯基吡啶）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥和三（2-(對甲苯基）吡啶）合銥中的至少一種；所述綠色發(fā)光層的厚度為l〇nm?30nm。
[0018] 優(yōu)選地，所述有機發(fā)光功能層依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層，電子傳輸層和電子注入層；
[0019] 所述空穴傳輸層的材料包括N，N'_二苯基-N，N'-二（1-萘基聯苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑)聯苯、N，N' -二（3-甲基苯基），州'-二苯基-4,4'-聯苯二胺和1，1-二（4-(1以-二（?-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己燒中的至少一種，所述空穴傳輸層的厚度為30nm?50nm ;
[0020] 所述電子傳輸層的材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、4,7 -二苯基一 1， 10 -鄰菲羅啉、4-聯苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑和1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯中的至少一種，所述電子傳輸層的厚度為10nm?60nm。
[0021] 第二方面，本發(fā)明還提供了透明有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0022] (1)提供清潔的玻璃基底，在所述玻璃基底表面上制備陽極，所述陽極包括依次層疊設置在所述玻璃基底表面上的第一陽極層和第二陽極層；首先采用旋涂的方法在所述玻璃基底表面上制備第一陽極層，然后采用真空蒸發(fā)的方法在所述第一陽極層表面制備第二陽極層；所述第一陽極層的材料為（3-巰基丙基）三甲氧基硅烷、（3-巰基乙基）三甲氧基硅烷、（3-巰基甲基）三甲氧基硅烷和0,0,0_三甲基-巰基硅烷中的至少一種，所述旋涂的轉速為2000rpm?5000rpm ;所述第二陽極層的材料為鎂-銀合金、鋰-錯合金、單質鋇和單質鈣中的至少一種，所述真空蒸發(fā)的真空度為lXl(T5Pa?lXlO^Pa，蒸發(fā)速度為 0.5A/s ~ 3A/s;
[0023] (2)采用真空蒸發(fā)的方法在所述第二陽極層表面上制備有機發(fā)光功能層，所述有機發(fā)光功能層至少包括依次層疊設置在所述第二陽極層表面上的空穴注入層、綠色發(fā)光層和電子注入層，所述真空蒸發(fā)的真空度為lXl(r5Pa?lXl(T3Pa;制備所述空穴注入層的蒸發(fā)速度為O.lA/s ~ lA/s;制備所述綠色發(fā)光層的蒸發(fā)速度為〇.丨A/S ~丨A./S;制備所述電子注入層的蒸發(fā)速度為0.1人/s ~ 2人/S;
[0024] (3)采用磁控濺射的方法在所述有機發(fā)光功能層表面上制備陰極，得到透明有機電致發(fā)光器件；所述陰極的材料為銦錫氧化物，所述磁控濺射的真空度為1X10 _5Pa? 1 X 1(T 3Pa，力口速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為10W/cm2?40W/cm 2。
[0025] 優(yōu)選地，所述鎂-銀合金中的鎂、銀質量比為8 :1?13 :1 ;所述鋰-鋁合金中的鋰、鋁質量比為1 :〇. 005?1 :0. 01。
[0026] 優(yōu)選地，所述第一陽極層的厚度為2nm?4nm。
[0027] 優(yōu)選地，所述第二陽極層的厚度為10nm?20nm。
[0028] 優(yōu)選地，所述陰極的厚度為100nm?150nm。
[0029] 優(yōu)選地，所述空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料和摻雜在所述空穴傳輸材料中的空穴注入材料；所述空穴注入材料的摻雜質量分數為25%?35% ;所述空穴傳輸材料為 N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑）聯苯、N，N' -二（3-甲基苯基）-N，N' -二苯基-4, 4' -聯苯二胺和 1，1_二（4- (N，N'-二（p-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷中的至少一種；所述空穴注入材料為三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩和三氧化錸中的至少一種；所述空穴注入層的厚度為 10nm ?15nm〇
[0030] 優(yōu)選地，所述電子注入層的材料包括電子傳輸材料和摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬硫酸鹽，以及鋰鹽或銫鹽；所述堿金屬硫酸鹽的摻雜質量分數為6%?25%，所述鋰鹽或銫鹽的摻雜質量分數為25%?35% ;所述電子傳輸材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、 4, 7-二苯基一 1，10-鄰菲羅啉、4-聯苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑和1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯中的至少一種；所述堿金屬硫酸鹽為硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸銣和硫酸銫中的至少一種；所述鋰鹽為氟化鋰、疊氮化鋰和氮化鋰中的至少一種；所述銫鹽為氟化銫、疊氮化銫和氮化銫中的至少一種；所述電子注入層的厚度為15nm? 45nm〇
[0031] 優(yōu)選地，所述綠色發(fā)光層的材料包括主體材料和摻雜在所述主體材料中的綠光客體材料；所述綠光客體材料的摻雜質量分數為2%?10% ;所述主體材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺、9, 9' -(1，3-苯基）二-9H-咔唑、4, 4' -二（9-咔唑)聯苯、N，N' -二（3-甲基苯基）4州'-二苯基-4,4'-聯苯二胺、1，1-二（4-(1以-二（?-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷和9, 10-雙（1-萘基）蒽中的至少一種，所述綠光客體材料為三（2-苯基吡啶）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥和三（2-(對甲苯基）吡啶）合銥中的至少一種；所述綠色發(fā)光層的厚度為l〇nm?30nm。
[0032] 優(yōu)選地，所述有機發(fā)光功能層依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層，電子傳輸層和電子注入層；
[0033] 所述空穴傳輸層的材料包括N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑)聯苯、N，N' -二（3-甲基苯基），州'-二苯基-4,4'-聯苯二胺和1，1-二（4-(1以-二（?-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己燒中的至少一種，所述空穴傳輸層的厚度為30nm?50nm ;
[0034] 所述電子傳輸層的材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、4,7 -二苯基一 1， 10 -鄰菲羅啉、4-聯苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑和1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯中的至少一種，所述電子傳輸層的厚度為10nm?60nm ;
[0035] 采用所述真空蒸發(fā)的方法制備所述空穴傳輸層的真空度為IX l(T5Pa?IX 10一3Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s~ 2人/S;采用所述真空蒸發(fā)的方法制備所述電子傳輸層的真空度為 1 X 10 - 5Pa ?1 X 10 - 3Pa，蒸發(fā)速度為O.lA/s ~ 2A/S。
[0036] 與現有技術相比，本發(fā)明具有如下有益效果：
[0037] 1、本發(fā)明提供的透明有機電致發(fā)光器件，包括具有雙層結構層的陽極、至少包括空穴注入層、綠色發(fā)光層和電子注入層的有機發(fā)光功能層和陰極；陽極包括第一陽極層和第二陽極層，第一陽極層可以增加光的透射率，而第二陽極層由金屬材質構成，由于金屬本身的優(yōu)異特性，從而可以提高電極的導電性能；因此，通過設置雙層結構的陽極層，使得陽極面出光效率達到了陰極面出光效率的60%以上，縮小了透明有機電致發(fā)光器件兩面的出光效率之差，改善了透明有機電致發(fā)光器件在實際應用中的視覺效果；
[0038] 2、本發(fā)明提供的透明有機電致發(fā)光器件的空穴注入層中的空穴注入材料可以減小陽極材料與有機發(fā)光功能層材料間的空穴注入勢壘，增加注入效率，而其中的空穴傳輸材料能有效提高空穴注入層與空穴傳輸層間的能級匹配，并且可以提高空穴的傳輸速率，進而提高透明器件的發(fā)光效率；
[0039] 3、本發(fā)明提供的透明有機電致發(fā)光器件的電子注入層中的硫酸鹽以及鋰鹽或銫鹽可以減小陰極材料與有機發(fā)光功能層材料間的電子注入勢壘，增加注入效率，而其中的電子傳輸材料能有效提高電子注入層與電子傳輸層間的能級匹配，并且可以提高電子的傳輸速率，進而提高透明器件的發(fā)光效率；
[0040] 4、本發(fā)明提供的透明有機電致發(fā)光器件的制備方法工序簡單，提高了生產效率，降低了生產成本，適于工業(yè)化生產。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0041] 圖1是本發(fā)明實施例中的透明有機電致發(fā)光器件的結構示意圖。

【具體實施方式】
[0042] 為了使本發(fā)明要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，下面結合附圖與較佳實施例，對本發(fā)明作進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明，不用于限定本發(fā)明。
[0043] 圖1為本發(fā)明實施例中的透明有機電致發(fā)光器件的結構示意圖。如圖1所示，該透明有機電致發(fā)光器件由下往上依次層疊設置有玻璃基底10、陽極20、空穴注入層30、空穴傳輸層40、綠色發(fā)光層50、電子傳輸層60以及陰極70。其中，所述陽極20包括自下而上依次層疊設置在玻璃基底10上的第一陽極層21和第二陽極層22。
[0044] 實施例1 :
[0045] 一種透明有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0046] a)陽極的制作：取玻璃基底，依次用洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機進行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；在處理后的玻璃基底表面上制備陽極，陽極包括第一陽極層和第二陽極層，首先采用旋涂的方法在所述玻璃基底表面上制備第一陽極層，然后采用真空蒸發(fā)的方法在所述第一陽極層表面制備第二陽極層；第一陽極層的材料為（3-巰基丙基）三甲氧基硅烷，厚度為4nm，旋涂的轉速為2000rpm ;第二陽極層的材料為鎂-鋁合金 (鎂、鋁質量比為8:1)，厚度為15nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為1 X 10 _ 5Pa，蒸發(fā)速度為 2A/s;
[0047] b)空穴注入層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在第二陽極層表面制備空穴注入層，材料包括N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，1'-聯苯_4,4'_二胺（NPB)和摻雜在 N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯苯-4, 4' -二胺（NPB)中的三氧化鑰（M〇03)，三氧化鑰（M〇03)的摻雜質量分數為30%，厚度為12. 5nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.5人/s;
[0048] c)空穴傳輸層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在空穴注入層的表面上制備空穴傳輸層，材料包括N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯苯-4, 4' -二胺（NPB)，厚度為 40nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為1人/S;
[0049] d)綠色發(fā)光層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在空穴傳輸層的表面上制備綠色發(fā)光層，主體材料采用4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)，綠光客體材料采用三（2-苯基吡陡）合銥[Ir (ppy) 3]，綠光客體材料的摻雜質量分數為6%，厚度為20nm，采用的真空蒸發(fā) 的真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.5人/S;
[0050] e)電子傳輸層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在綠色發(fā)光層的表面上制備電子傳輸層，材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)，厚度為35nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度為1A/S;
[0051] f)電子注入層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在電子傳輸層的表面上制備電子注入層，材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)和摻雜在4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉 (Bphen)中的氟化鋰（LiF)以及硫酸鋰（Li2S04)，硫酸鋰（Li2S0 4)的摻雜質量分數為15%，氟化鋰（LiF)的摻雜質量分數為30%，厚度為35nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為1人/s;
[0052] g)陰極的制備：采用磁控濺射的方式在電子注入層的表面上制備陰極，材料為銦錫氧化物（IT0)，厚度為150nm，采用的磁控濺射的真空度為1 X l(T5Pa，加速電壓為500V，磁場為100G，功率密度為20W/cm2。
[0053] 實施例2 :
[0054] -種透明有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0055] a)陽極的制作：取玻璃基底，依次用洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機進行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；在處理后的玻璃基底表面上制備陽極，陽極包括第一陽極層和第二陽極層，首先采用旋涂的方法在所述玻璃基底表面上制備第一陽極層，然后采用真空蒸發(fā)的方法在所述第一陽極層表面制備第二陽極層；第一陽極層的材料為（3-巰基乙基）三甲氧基硅烷，厚度為2nm，采用的旋涂的轉速為5000rpm ;第二陽極層的材料為鋰-鋁合金(鋰、鋁質量比為1:0. 005)，厚度為10nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為IX l(T4Pa，蒸發(fā) 速度為0.5人/s;
[0056] b)空穴注入層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在第二陽極層表面制備空穴注入層，材料包括4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)和摻雜在4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)中的三氧化鎢（W03)，三氧化鎢（W03)的摻雜質量分數為25%，厚度為10nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.丨人/S;
[0057] c)空穴傳輸層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在空穴注入層的表面上制備空穴傳輸層，材料包括4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)，厚度為30nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.1人/S;
[0058] d)綠色發(fā)光層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在空穴傳輸層的表面上制備綠色發(fā)光層，主體材料采用9, 9' -(1，3-苯基）二-9H-咔唑（mCP)，綠光客體材料采用乙酰丙酮酸二 (2-苯基吡啶）銥[11~(--7)2(&(^(3)]，綠光客體材料的摻雜質量分數為2%，厚度為1〇11111，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.丨人/S;
[0059] e)電子傳輸層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在綠色發(fā)光層的表面上制備電子傳輸層，材料包括4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉（BCP)，厚度為10nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/S;
[0060] f)電子注入層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在電子傳輸層的表面上制備電子注入層，材料包括4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉（BCP)和摻雜在4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉 (BCP)中的疊氮化鋰（LiN3)以及硫酸鈉（Na2S04)，硫酸鈉（Na 2S04)的摻雜質量分數為25%，疊氮化鋰（LiN3)的摻雜質量分數為25%，厚度為45nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為O.lA/s;
[0061] g)陰極的制備：采用磁控濺射的方式在電子注入層的表面上制備陰極，材料為銦錫氧化物（IT0)，厚度為120nm，采用磁控濺射的方式制作，真空度為lXl(T5Pa，加速電壓為 800V，磁場為200G，功率密度為40W/cm2。
[0062] 實施例3 :
[0063] 一種透明有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0064] a)陽極的制作：取玻璃基底，依次用洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機進行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；在處理后的玻璃基底表面上制備陽極，陽極包括第一陽極層和第二陽極層，首先采用旋涂的方法在所述玻璃基底表面上制備第一陽極層，然后采用真空蒸發(fā)的方法在所述第一陽極層表面制備第二陽極層；第一陽極層的材料為單質鋇（Ba)，厚度為20nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為1 X 1(T5Pa，蒸發(fā)速度為3A/S;第二陽極層的材料為（3-巰基甲基）三甲氧基硅烷，厚度為4nm，旋涂的轉速為2000rpm;
[0065] b)空穴注入層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在第二陽極層表面制備空穴注入層，材料包括4, 4' -二（9-咔唑）聯苯（CBP)和摻雜在4, 4' -二（9-咔唑）聯苯（CBP)中的五氧化二釩（V205)，五氧化二釩（V205)的摻雜質量分數為35%，厚度為15nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為1人/s;
[0066] c)空穴傳輸層的制備：米用真空蒸發(fā)的方式在空穴注入層的表面上制備空穴傳輸層，材料包括4, 4' -二（9-咔唑）聯苯（CBP)，厚度為50nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為 5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S;
[0067] d)綠色發(fā)光層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在空穴傳輸層的表面上制備綠色發(fā)光層，主體材料采用4, 4'-二（9-咔唑）聯苯（CBP)，綠光客體材料采用三（2-(對甲苯基）批陡）合銥[Ir(mppy)3]，綠光客體材料的摻雜質量分數為10%，厚度為30nm，采用的真空蒸發(fā) 的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為1人/s;
[0068] e)電子傳輸層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在綠色發(fā)光層的表面上制備電子傳輸層，材料包括4-聯苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)，厚度為60nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S;
[0069] f)電子注入層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在電子傳輸層的表面上制備電子注入層，材料包括4-聯苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)和摻雜在4-聯苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)中的氮化鋰（Li3N)以及硫酸鉀（K2S0 4)，硫酸鉀 (K2S04)的摻雜質量分數為6%，氮化鋰（Li3N)的摻雜質量分數35%，厚度為15nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S;
[0070] g)陰極的制備：采用磁控濺射的方式在電子注入層的表面上制備陰極，材料為銦錫氧化物（ITO)，厚度為120nm，采用的磁控濺射的真空度為1 X l(T5Pa，加速電壓為300V，磁場為50G，功率密度為10W/cm2。
[0071] 實施例4:
[0072] -種透明有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0073] a)陽極的制作：取玻璃基底，依次用洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機進行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；在處理后的玻璃基底表面上制備陽極，陽極包括第一陽極層和第二陽極層，首先采用旋涂的方法在所述玻璃基底表面上制備第一陽極層，然后采用真空蒸發(fā)的方法在所述第一陽極層表面制備第二陽極層；第一陽極層的材料為〇, 〇, 〇-三甲基-巰基硅烷，厚度為3nm，旋涂的轉速為3000rpm ;第二陽極層的材料為單質鈣（Ca)，厚度為12nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;
[0074] b)空穴注入層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在第二陽極層表面制備空穴注入層，材料包括N，N' -二（3-甲基苯基)-N，N' -二苯基-4, 4' -聯苯二胺（TPD)和摻雜在N，N' -二 (3-甲基苯基)-N，N' -二苯基-4, 4' -聯苯二胺（TH))中的三氧化錸（Re03)，三氧化錸（Re03) 的摻雜質量分數為30%，厚度為13nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為 0.5A/s;
[0075] c)空穴傳輸層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在空穴注入層的表面上制備空穴傳輸層，材料包括N，N' -二（3-甲基苯基）-N，N' -二苯基-4, 4' -聯苯二胺（Tro)，厚度為40nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為1A/S;
[0076] d)綠色發(fā)光層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在空穴傳輸層的表面上制備綠色發(fā)光層，主體材料采用N，N' -二（3-甲基苯基）-N，N' -二苯基-4, 4' -聯苯二胺（TH))，綠光客體材料采用三（2-苯基吡啶）合銥[Ir(ppy)3]，綠光客體材料的摻雜質量分數為5%，厚度為 20nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.5人/S;
[0077] e)電子傳輸層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在綠色發(fā)光層的表面上制備電子傳輸層，材料包括8-羥基喹啉鋁（Alq3)，厚度為30nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為1人/s;
[0078] f)電子注入層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在電子傳輸層的表面上制備電子注入層，材料包括8-羥基喹啉鋁（Alq3)和摻雜在8-羥基喹啉鋁（Alq3)中的氟化銫（CsF)以及硫酸銣（Rb2S04)，硫酸銣（Rb2S04)的摻雜質量分數為10%，氟化銫（CsF)的摻雜質量分數為 30%，厚度為30nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;
[0079] g)陰極的制備：采用磁控濺射的方式在電子注入層的表面上制備陰極，材料為銦錫氧化物（IT0)，厚度為130nm，采用的磁控濺射的真空度為1 X l(T4Pa，加速電壓為400V，磁場為60G，功率密度為15W/cm2。
[0080] 實施例5 :
[0081] 一種透明有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0082] a)陽極的制作：取玻璃基底，依次用洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機進行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；在處理后的玻璃基底表面上制備陽極，陽極包括第一陽極層和第二陽極層，首先采用旋涂的方法在所述玻璃基底表面上制備第一陽極層，然后采用真空蒸發(fā)的方法在所述第一陽極層表面制備第二陽極層；第一陽極層的材料為（3-巰基丙基）三甲氧基硅烷，厚度為2. 5nm，旋涂的轉速為4500rpm ;第二陽極層的材料為鎂-鋁合金 (鎂、鋁質量比為13:1)，厚度為18nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為lX10^5Pa，蒸發(fā)速度為 1.5A/S；
[0083] b)空穴注入層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在第二陽極層表面制備空穴注入層，材料包括1，1_二（4- (N，N'-二（p-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷（TAPC)和摻雜在1， 1-二（4- (N，N'-二（p-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷（TAPC)中的三氧化鑰（M〇03)，三氧化鑰（M〇03)的摻雜質量分數為25%，厚度為10nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S;
[0084] c)空穴傳輸層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在空穴注入層的表面上制備空穴傳輸層，材料包括1，1_二（4- (N，N'-二（p-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷（TAPC)，厚度為 40nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為1人/s;
[0085] d)綠色發(fā)光層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在空穴傳輸層的表面上制備綠色發(fā)光層，主體材料采用1，1_二（4- (N，N'-二（p-甲苯基）氨基)苯基)環(huán)己烷（TAPC)，綠光客體材料采用乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶)銥[Ir (ppy) 2 (acac)]，綠光客體材料的摻雜質量分數為7%，厚度為20nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S;
[0086] e)電子傳輸層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在綠色發(fā)光層的表面上制備電子傳輸層，材料包括3-(聯苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)，厚度為50nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為丨A/s,
[0087] f)電子注入層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在電子傳輸層的表面上制備電子注入層，材料包括3-(聯苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑（TAZ)和摻雜在3-(聯苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)中的疊氮化銫 (CsN3)以及硫酸銫（Cs2S04)，硫酸銫（Cs2S0 4)的摻雜質量分數為10%，疊氮化銫（CsN3)的摻雜質量分數為30%，厚度為30nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為1A/S;
[0088] g)陰極的制備：采用磁控濺射的方式在電子注入層的表面上制備陰極，材料為銦錫氧化物（ITO)，厚度為140nm，采用的磁控濺射的真空度為1 X 10_5Pa，加速電壓為450V，磁場為120G，功率密度為15W/cm2。
[0089] 實施例6 :
[0090] 一種透明有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0091] a)陽極的制作：取玻璃基底，依次用洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機進行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；在處理后的玻璃基底表面上制備陽極，陽極包括第一陽極層和第二陽極層，首先采用旋涂的方法在所述玻璃基底表面上制備第一陽極層，然后采用真空蒸發(fā)的方法在所述第一陽極層表面制備第二陽極層；第一陽極層的材料為（3-巰基乙基）三甲氧基硅烷，厚度為3. 5nm，旋涂的轉速為3500rpm ;第二陽極層的材料為鋰-鋁合金 (鋰、鋁質量比為1:〇.〇1)，厚度為1311111，采用的真空蒸發(fā)的真空度為1\1(^^1，蒸發(fā)速度為 2A/s;
[0092] b)空穴注入層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在第二陽極層表面制備空穴注入層，材料包括N，N'-二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，r-聯苯_4,4'_二胺（NPB)和摻雜在 N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯苯-4, 4' -二胺（NPB)中的三氧化鎢（W03)，三氧化鎢（W03)的摻雜質量分數為30%，厚度為12nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度為0.3人/s;
[0093] c)空穴傳輸層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在空穴注入層的表面上制備空穴傳輸層，材料包括N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯苯-4, 4' -二胺（NPB)，厚度為 40nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度為1人/s;
[0094] d)綠色發(fā)光層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在空穴傳輸層的表面上制備綠色發(fā)光層，主體材料采用9, 10-雙（1-萘基）蒽（ADN);綠光客體材料采用三（2-(對甲苯基）吡啶）合銥[Ir(mppy)3]，綠光客體材料的摻雜質量分數為6%，厚度為20nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S;
[0095] e)電子傳輸層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在綠色發(fā)光層的表面上制備電子傳輸層，材料包括1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)，厚度為30nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度為1人/s;
[0096] f)電子注入層的制備：采用真空蒸發(fā)的方式在電子傳輸層的表面上制備電子注入層，材料包括1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和摻雜在1，3,5_三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)中的氮化銫（Cs3N)以及硫酸銫（Cs2S0 4)，硫酸銫 (Cs2S04)的摻雜質量分數為10%，氮化銫（Cs3N)的摻雜質量分數為30%，厚度為30nm，采用的真空蒸發(fā)的真空度為lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度為1人/s;
[0097] g)陰極的制備：采用磁控濺射的方式在電子注入層的表面上制備陰極，材料為銦錫氧化物（IT0)，厚度為100nm，采用的磁控濺射的真空度為1 X l(T3Pa，加速電壓為600V，磁場為120G，功率密度為30W/cm2。
[0098] 效果實施例
[0099] 為有效證明本發(fā)明提供的透明有機電致發(fā)光器件的有益效果，測量實施例1?6 制備的透明有機電致發(fā)光器件在起始亮度同為l〇〇〇cd/m2下的流明效率值。
[0100] 表1.實施例1?6中的透明有機電致發(fā)光器件中的陰極與陽極在起始亮度同為 lOOOcd/m2的情況下的流明效率值和陽極面出光率占陰極面出光率的百分比值表。
[0101]

【權利要求】
1. 一種透明有機電致發(fā)光器件，包括玻璃基底，以及在所述玻璃基底表面上依次層疊設置的陽極、有機發(fā)光功能層和陰極，其特征在于，所述陽極包括依次層疊設置在所述玻璃基底表面上的第一陽極層和第二陽極層；所述第一陽極層的材料為（3-巰基丙基）三甲氧基硅烷、（3-巰基乙基）三甲氧基硅烷、（3-巰基甲基）三甲氧基硅烷和〇, 〇, O-三甲基-巰基硅烷中的至少一種；所述第二陽極層的材料為鎂-銀合金、鋰-鋁合金、單質鋇和單質鈣中的至少一種；所述有機發(fā)光功能層至少包括依次層疊設置在所述第二陽極層表面上的空穴注入層、綠色發(fā)光層和電子注入層；所述陰極的材料為銦錫氧化物。
2. 根據權利要求1所述的透明有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一陽極層的厚度為2nm?4nm。
3. 根據權利要求1所述的透明有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二陽極層的厚度為IOnm?20nm。
4. 根據權利要求1所述的透明有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的厚度為 IOOnm ?150nm〇
5. 根據權利要求1所述的透明有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料和摻雜在所述空穴傳輸材料中的空穴注入材料；所述空穴注入材料的摻雜質量分數為25%?35%;所述空穴傳輸材料為Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，1' -聯苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑)聯苯、 Ν, Ν'-二（3-甲基苯基）-N, Ν'-二苯基-4, 4'-聯苯二胺和 1，1_ 二（4- (N，N'-二（Ρ-甲苯基）氨基）苯基)環(huán)己烷中的至少一種；所述空穴注入材料為三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二鑰;和三氧化錸中的至少一種；所述空穴注入層的厚度為IOnm?15nm。
6. 根據權利要求1所述的透明有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料包括電子傳輸材料和摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬硫酸鹽，以及鋰鹽或銫鹽；所述堿金屬硫酸鹽的摻雜質量分數為6%?25%,所述鋰鹽或銫鹽的摻雜質量分數為25%? 35%;所述電子傳輸材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、4, 7 -二苯基一 1，10 -鄰菲羅啉、 4_聯苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑和1,3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯中的至少一種；所述堿金屬硫酸鹽為硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸銣和硫酸銫中的至少一種；所述鋰鹽為氟化鋰、疊氮化鋰和氮化鋰中的至少一種；所述銫鹽為氟化銫、疊氮化銫和氮化銫中的至少一種；所述電子注入層的厚度為15nm?45nm。
7. -種透明有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： (1)提供清潔的玻璃基底，在所述玻璃基底表面上制備陽極，所述陽極包括依次層疊設置在所述玻璃基底表面上的第一陽極層和第二陽極層；首先采用旋涂的方法在所述玻璃基底表面上制備第一陽極層，然后采用真空蒸發(fā)的方法在所述第一陽極層表面制備第二陽極層；所述第一陽極層的材料為（3-巰基丙基）三甲氧基硅烷、（3-巰基乙基）三甲氧基硅烷、（3-巰基甲基）三甲氧基硅烷和0,0,0_三甲基-巰基硅烷中的至少一種，所述旋涂的轉速為2000rpm?5000rpm ;所述第二陽極層的材料為鎂-銀合金、鋰-錯合金、單質鋇和單質鈣中的至少一種，所述真空蒸發(fā)的真空度為1X10 iPa?IX IO^3Pa,蒸發(fā)速度為 0.5 A/s ~ 3A/s; (2) 采用真空蒸發(fā)的方法在所述第二陽極層表面上制備有機發(fā)光功能層，所述有機發(fā) 光功能層至少包括依次層疊設置在所述第二陽極層表面上的空穴注入層、綠色發(fā)光層和電子注入層，所述真空蒸發(fā)的真空度為I X 10 _5Pa?I X KT3Pa ;制備所述空穴注入層的蒸發(fā) 速度為0.?Λ/8~ 1人/s;制備所述綠色發(fā)光層的蒸發(fā)速度為0.lA/s~ 1人/s;制備所述電子注入層的蒸發(fā)速度為0.1人/s ~ 2A/s; (3) 采用磁控濺射的方法在所述有機發(fā)光功能層表面上制備陰極，得到透明有機電致發(fā)光器件；所述陰極的材料為銦錫氧化物，所述磁控濺射的真空度為IX10 _5Pa?I X KT 3Pa,加速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為10W/cm2?40W/cm 2。
8. 根據權利要求7所述的透明有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一陽極層的厚度為2nm?4nm。
9. 根據權利要求7所述的透明有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第二陽極層的厚度為IOnm?20nm。
10. 根據權利要求7所述的透明有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述陰極的厚度為IOOnm?150nm。
【文檔編號】H01L51/54GK104518133SQ201310449925
【公開日】2015年4月15日申請日期:2013年9月27日優(yōu)先權日:2013年9月27日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張振華申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司

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