顯示面板制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種顯示面板制作方法，其包括步驟：在基板上形成柵極及覆蓋柵極的柵極絕緣層、半導(dǎo)體層及蝕刻阻擋層。通過對(duì)基板相對(duì)兩側(cè)的兩次光刻在蝕刻阻擋層上形成光阻圖案，利用光阻圖案將蝕刻阻擋層干蝕刻為蝕刻阻擋圖案。再次通過對(duì)基板相對(duì)側(cè)的兩次光刻在所述蝕刻阻擋圖案上形成光阻圖案，利用光阻圖案將半導(dǎo)體層濕蝕刻為半導(dǎo)體圖案。在關(guān)于柵極對(duì)稱的兩側(cè)分別形成部分覆蓋所述蝕刻阻擋圖案、半導(dǎo)體圖案及柵極絕緣層的源極與漏極。
【專利說明】顯示面板制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種顯示面板制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有液晶顯示面板為了防止在制作過程中薄膜晶體管（ThinFilmTransistor, TFT)的溝道層被蝕刻，通常會(huì)在溝道層上形成一蝕刻阻擋層。然而，形成所述蝕刻阻擋層需 要額外增加光罩并精確對(duì)準(zhǔn)所述光罩與溝道層，從而會(huì)提高制程難度，增加制程成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 鑒于此，有必要提供一種無需增加額外光罩以形成蝕刻阻擋層的顯示面板制作方 法。
[0004] 一種顯示面板制作方法，其包括如下步驟： 提供一基板，所述基板包括沿厚度方向依次平行設(shè)置的第一表面及第二表面； 在所述基板的第一表面上形成沿第一方向延伸的柵極； 在所述基板的第一表面上依次形成覆蓋所述柵極的柵極絕緣層、半導(dǎo)體層及蝕刻阻擋 層； 在蝕刻阻擋層上形成覆蓋所述蝕刻阻擋層的光阻層； 采用黃光配合光罩從基板的第一表面?zhèn)葘⑺龉庾鑼訄D案化為第一光阻圖案； 以柵極做為光罩從基板的第二表面?zhèn)葘⒌谝还庾鑸D案再次圖案化為比第一光阻圖案 小的第二光阻圖案； 采用干蝕刻法將蝕刻阻擋層蝕刻成比第二光阻圖案小的蝕刻阻擋圖案； 去除干蝕刻后剩余的光阻圖案，重新形成覆蓋所述蝕刻阻擋圖案及半導(dǎo)體層的光阻 層； 再次采用黃光配合光罩從基板的第一表面?zhèn)葘⑺龉庾鑼訄D案化為第一光阻圖案； 以柵極做為光罩從基板的第二表面?zhèn)葘⒌谝还庾鑸D案再次圖案化為比第一光阻圖案 小的第二光阻圖案； 采用濕蝕刻法將半導(dǎo)體層蝕刻成與第二光阻圖案對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體圖案； 去除濕蝕刻后剩余的光阻圖案； 在關(guān)于柵極對(duì)稱的相對(duì)兩側(cè)分別形成依次部分覆蓋蝕刻阻擋層、半導(dǎo)體層及柵極絕緣 層的源極與漏極。
[0005] 相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明采用分別從基板的相對(duì)兩側(cè)進(jìn)行曝光顯影光刻并借助柵 極做為光罩輔助定義半導(dǎo)體圖案及蝕刻阻擋圖案的方法，可以在不增加光罩的基礎(chǔ)上在半 導(dǎo)體圖案上形成蝕刻阻擋圖案。而且，因背面曝光以柵極為光罩，加上干蝕刻的蝕刻速率較 低，可以精確控制由干蝕刻形成的蝕刻阻擋圖案的尺寸，從而提高了TFT的質(zhì)量。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006] 圖1為本發(fā)明實(shí)施方式所提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0007] 圖2為本發(fā)明實(shí)施方式所提供的顯示面板制作方法的步驟流程圖。
[0008] 圖3至圖13為圖2中各步驟中的顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009] 主要元件符號(hào)說明

【權(quán)利要求】
1. 一種顯示面板制作方法，其包括如下步驟： 提供一基板，所述基板包括第一表面及背向第一表面設(shè)置的第二表面； 在所述基板的第一表面上形成沿第一方向延伸的柵極； 在所述基板的第一表面上依次形成覆蓋所述柵極的柵極絕緣層、半導(dǎo)體層及蝕刻阻擋 層； 在蝕刻阻擋層上形成覆蓋所述蝕刻阻擋層的光阻層； 采用第一光罩從基板的第一表面?zhèn)葘⑺龅谝还庾鑼訄D案化為第一光阻圖案； W柵極做為光罩從基板的第二表面?zhèn)葘⒌谝还庾鑸D案再次圖案化為比第一光阻圖案 小的第二光阻圖案； 采用干蝕刻法將蝕刻阻擋層蝕刻成比第二光阻圖案小的蝕刻阻擋圖案； 去除干蝕刻后剩余的光阻圖案，重新形成覆蓋所述蝕刻阻擋圖案及半導(dǎo)體層的第一光 阻層； 再次W第一光罩從基板的第一表面?zhèn)葘⑺龅谝还庾鑼訄D案化為第一光阻圖案； W柵極做為光罩從基板的第二表面?zhèn)葘⒌谝还庾鑸D案再次圖案化為比第一光阻圖案 小的第二光阻圖案； 采用濕蝕刻法將半導(dǎo)體層蝕刻成與第二光阻圖案對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體圖案； 去除濕蝕刻后剩余的光阻圖案； 在關(guān)于柵極對(duì)稱的相對(duì)兩側(cè)分別形成依次部分覆蓋蝕刻阻擋層、半導(dǎo)體層及柵極絕緣 層的源極與漏極。
2. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體層為鋼嫁氧化鋒。
3. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于；所述第一光阻圖案所覆蓋的 第一區(qū)域?yàn)殚L(zhǎng)度方向沿第二方向延伸的矩形區(qū)域，第二方向垂直于第一方向；所述第一區(qū) 域包括對(duì)應(yīng)于柵極相對(duì)兩側(cè)分別向外對(duì)稱延伸而出的突出部。
4. 如權(quán)利要求3所述的顯示面板制作方法，其特征在于；所述第二光阻圖案所覆蓋的 第二區(qū)域相較于第一光阻圖案所覆蓋的第一區(qū)域的區(qū)別在于將突出于柵極的所述突出部 去除。
5. 如權(quán)利要求3所述的顯示面板制作方法，其特征在于：在經(jīng)過干蝕刻后，所述蝕刻阻 擋圖案沿所述第二方向縮小的尺寸大于1. 75um。
6. 如權(quán)利要求3所述的顯示面板制作方法，其特征在于；所述蝕刻阻擋圖案所覆蓋的 區(qū)域定義為所述半導(dǎo)體層上的溝道區(qū)域。
7. 如權(quán)利要求6所述的顯示面板制作方法，其特征在于；所述第二方向定義為所述溝 道區(qū)域的長(zhǎng)度方向。
8. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于；所述蝕刻阻擋層的材料為氧 化娃。
9. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于；所述濕蝕刻所采用的蝕刻液 為草酸。
10. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于：所述基板為透明的玻璃基 板。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK104347496SQ201310323704
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2013年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月25日
【發(fā)明者】施博理 申請(qǐng)人:業(yè)鑫科技顧問股份有限公司, 新光電科技有限公司