技術(shù)編號：7261388
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種，其包括步驟在基板上形成柵極及覆蓋柵極的柵極絕緣層、半導(dǎo)體層及蝕刻阻擋層。通過對基板相對兩側(cè)的兩次光刻在蝕刻阻擋層上形成光阻圖案，利用光阻圖案將蝕刻阻擋層干蝕刻為蝕刻阻擋圖案。再次通過對基板相對側(cè)的兩次光刻在所述蝕刻阻擋圖案上形成光阻圖案，利用光阻圖案將半導(dǎo)體層濕蝕刻為半導(dǎo)體圖案。在關(guān)于柵極對稱的兩側(cè)分別形成部分覆蓋所述蝕刻阻擋圖案、半導(dǎo)體圖案及柵極絕緣層的源極與漏極。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及一種。 背景技術(shù) [0002]...
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