顯示面板及其制作方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明系關(guān)于一種顯示面板及其制作方法，尤指一種可實(shí)現(xiàn)出窄邊框設(shè)計(jì)的顯示面板及其制作方法。
【【背景技術(shù)】】
[0002]請(qǐng)參考圖1。圖1繪示了現(xiàn)有顯示面板的示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有顯示面板I包括陣列基板10，其中陣列基板10具有用以顯示的主動(dòng)區(qū)1A以及位于主動(dòng)區(qū)1A之外側(cè)的周邊區(qū)10P。主動(dòng)區(qū)1A內(nèi)設(shè)置有畫(huà)素陣列12用以提供顯示畫(huà)面，而周邊區(qū)1P則設(shè)置有柵極走線14。一般而言，柵極走線14系設(shè)置于主動(dòng)區(qū)1A的左右兩相對(duì)側(cè)的周邊區(qū)10P，其中柵極走線14的一端系與畫(huà)素陣列12電性連接，而柵極走線14的另一端延伸至主動(dòng)區(qū)1A的下側(cè)的周邊區(qū)1P而與驅(qū)動(dòng)芯片16電性連接，藉此驅(qū)動(dòng)芯片16可經(jīng)由柵極走線14將柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供至畫(huà)素陣列12。由上述可知，現(xiàn)有顯示面板I的周邊區(qū)1P必須具有足夠的面積以容納柵極走線14的設(shè)置，特別是對(duì)于高解析度的顯示面板I而言，由于柵極走線14的數(shù)目較多，因此位于主動(dòng)區(qū)1A的兩側(cè)的周邊區(qū)1P需要更大的面積才足以容納柵極走線14的設(shè)置。因此，現(xiàn)有顯示面板I無(wú)法實(shí)現(xiàn)出窄邊框設(shè)計(jì)。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0003]本發(fā)明的目的的一在于提供一種顯示面板及其制作方法，以縮減周邊區(qū)的面積并避免主動(dòng)區(qū)的漏光問(wèn)題。
[0004]本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種顯示面板，包括一陣列基板、一畫(huà)素陣列、多條第一信號(hào)線、多條第二信號(hào)線、多條連接走線、一對(duì)向基板、一圖案化遮光層、多條信號(hào)轉(zhuǎn)接導(dǎo)線、一透明導(dǎo)電屏蔽層，以及一顯示介質(zhì)層。陣列基板具有一主動(dòng)區(qū)以及一周邊區(qū)。畫(huà)素陣列設(shè)置于陣列基板上并位于主動(dòng)區(qū)內(nèi)，其中畫(huà)素陣列包括多個(gè)次畫(huà)素，且各次畫(huà)素包括至少一薄膜晶體管元件。第一信號(hào)線設(shè)置于陣列基板上并位于主動(dòng)區(qū)內(nèi)，其中第一信號(hào)線系沿一第一方向延伸并與薄膜晶體管元件電性連接。第二信號(hào)線設(shè)置于陣列基板上并位于主動(dòng)區(qū)內(nèi)，其中第二信號(hào)線系沿一第二方向延伸并與薄膜晶體管元件電性連接。連接走線設(shè)置于陣列基板上并位于周邊區(qū)內(nèi)。對(duì)向基板與陣列基板相對(duì)設(shè)置。圖案化遮光層設(shè)置于對(duì)向基板上。信號(hào)轉(zhuǎn)接導(dǎo)線設(shè)置于對(duì)向基板上，其中信號(hào)轉(zhuǎn)接導(dǎo)線分別與第一信號(hào)線電性連接以及分別與連接走線電性連接。透明導(dǎo)電屏蔽層設(shè)置于對(duì)向基板上對(duì)應(yīng)于陣列基板的主動(dòng)區(qū)。顯示介質(zhì)層設(shè)置于陣列基板與對(duì)向基板之間。
[0005]本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種制作顯示面板的方法，包括下列步驟。提供一陣列基板，陣列基板具有一主動(dòng)區(qū)以及一周邊區(qū)。于陣列基板上的主動(dòng)區(qū)內(nèi)形成一畫(huà)素陣列，其中畫(huà)素陣列包括多個(gè)次畫(huà)素，且各次畫(huà)素包括至少一薄膜晶體管元件。于陣列基板上的主動(dòng)區(qū)內(nèi)形成多條第一信號(hào)線與多條第二信號(hào)線，其中第一信號(hào)線與第二信號(hào)線系與薄膜晶體管元件電性連接。于陣列基板的周邊區(qū)內(nèi)形成多條連接走線。提供一對(duì)向基板。于對(duì)向基板上形成一圖案化遮光層。于對(duì)向基板上形成多條信號(hào)轉(zhuǎn)接導(dǎo)線。于對(duì)向基板上形成一透明導(dǎo)電屏蔽層。接合對(duì)向基板與陣列基板，并使信號(hào)轉(zhuǎn)接導(dǎo)線分別與第一信號(hào)線電性連接以及分別與連接走線電性連接。于陣列基板與對(duì)向基板之間形成一顯示介質(zhì)層。
[0006]本發(fā)明的顯示面板利用設(shè)置于對(duì)向基板上的信號(hào)轉(zhuǎn)接導(dǎo)線作為陣列基板的主動(dòng)區(qū)內(nèi)的信號(hào)線與周邊區(qū)的驅(qū)動(dòng)芯片之間的連接媒介，可以大幅縮減周邊區(qū)的連接走線的數(shù)目，因此可縮減周邊區(qū)的面積而實(shí)現(xiàn)出窄邊框設(shè)計(jì)。此外，本發(fā)明的顯示面板利用設(shè)置于對(duì)向基板上的透明導(dǎo)電屏蔽層，可以有效屏蔽設(shè)置于對(duì)向基板上的信號(hào)轉(zhuǎn)接導(dǎo)線在傳遞信號(hào)時(shí)產(chǎn)生的電場(chǎng)，因此可以避免漏光問(wèn)題。
【【附圖說(shuō)明】】
[0007]圖1繪示了現(xiàn)有顯示面板的示意圖。
圖2至圖10繪示了本發(fā)明的一實(shí)施例的制作顯示面板的方法示意圖。
圖11為本實(shí)施例的顯示面板與對(duì)照實(shí)施例的顯示面板在暗態(tài)顯示下的穿透率的模擬結(jié)果。
【符號(hào)說(shuō)明】
[0008]I顯示面板10陣列基板 1A主動(dòng)區(qū)1P周邊區(qū)
12畫(huà)素陣列14柵極走線 16驅(qū)動(dòng)芯片30陣列基板 30A主動(dòng)區(qū)30P周邊區(qū)
32畫(huà)素陣列SLl第一信號(hào)線
SL2第二信號(hào)線SP次畫(huà)素
T薄膜晶體管元件GL柵極線
DL數(shù)據(jù)線LI第一方向
L2第二方向G柵極
GI柵極絕緣層SE半導(dǎo)體層
S源極D漏極
34保護(hù)層Z垂直投影方向
PE畫(huà)素電極CE共通電極
Clc液晶電容36介電層
TH接觸洞BE分支電極
ST狹縫30P1第一接觸區(qū)
30P2第二接觸區(qū)30P3第三接觸區(qū)
Xl連接端381第一層導(dǎo)線
382第二層導(dǎo)線383第三層導(dǎo)線
40連接走線40X1第一連接端
40X2第二連接端401第一層導(dǎo)線
402第二層導(dǎo)線403第三層導(dǎo)線
50對(duì)向基板52圖案化遮光層
54信號(hào)轉(zhuǎn)接導(dǎo)線54X1第一連接端 54X2第二連接端56平坦層
56H開(kāi)口581第一間隔物
582第二間隔物583第三間隔物
60透明導(dǎo)電屏蔽層60G缺口
62第一透明連接墊64第二透明連接墊
66顯不介質(zhì)層68驅(qū)動(dòng)芯片
100顯示面板A曲線
B曲線
【【具體實(shí)施方式】】
[0009]為使熟悉本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的一般技藝者能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。在以下的敘述中，關(guān)于上下左右前后等方向性的描述是為方便實(shí)施例的具體說(shuō)明，并非用以限制本發(fā)明。
[0010]請(qǐng)參考圖2至圖10。圖2至圖10繪示了本發(fā)明的一實(shí)施例的制作顯示面板的方法示意圖，其中圖2與圖7繪示了本實(shí)施例的顯示面板的上視圖，圖3繪示了本實(shí)施例的畫(huà)素陣列的示意圖，圖4與圖8繪示了本實(shí)施例的次畫(huà)素的剖面示意圖，圖5與圖9繪示了本實(shí)施例的周邊區(qū)的第一接觸區(qū)的剖面示意圖，圖6與圖10繪示了本實(shí)施例的周邊區(qū)的第二接觸區(qū)與第三接觸區(qū)的剖面示意圖。如圖2至圖6所示，首先提供陣列基板30。陣列基板30可包括透光基板例如玻璃基板、石英基板或塑膠基板，但不以此為限。此外，陣列基板30可為硬式基板或可撓式基板。陣列基板30具有主動(dòng)區(qū)30A以及周邊區(qū)30P。周邊區(qū)30P系設(shè)置于主動(dòng)區(qū)30A的至少一側(cè)，例如一側(cè)、兩側(cè)、三側(cè)或四側(cè)。在本實(shí)施例中，周邊區(qū)30P實(shí)質(zhì)上系環(huán)繞主動(dòng)區(qū)30A，但不以此為限。接著，于陣列基板30上的主動(dòng)區(qū)30A內(nèi)形成畫(huà)素陣列32，以及于陣列基板30上形成多條第一信號(hào)線SLl與第二信號(hào)線SL2，分別與畫(huà)素陣列32電性連接。如圖3與圖4所示，畫(huà)素陣列32包括多個(gè)次畫(huà)素SP，其中各次畫(huà)素SP包括至少一薄膜晶體管元件T，設(shè)置于陣列基板30上并位于主動(dòng)區(qū)30A內(nèi)，其中第一信號(hào)線SLl與第二信號(hào)線SL2系與薄膜晶體管元件T電性連接。在本實(shí)施例中，第一信號(hào)線SLl可包括多條柵極線GL，沿第一方向LI延伸且實(shí)質(zhì)上彼此平行排列，且第二信號(hào)線SL2可包括多條數(shù)據(jù)線DL沿第二方向L2延伸且實(shí)質(zhì)上彼此平行，其中柵極線GL與數(shù)據(jù)線DL彼此交錯(cuò)。在